TO-220-2L SiC Schottky Diode ডেটাশিট - ৬৫০V ১০A - প্যাকেজ ১৫.৬x৯.৯৯x৪.৫mm - বাংলা প্রযুক্তিগত নথি

১. পণ্য সংক্ষিপ্ত বিবরণ

এই নথিতে TO-220-2L প্যাকেজে স্থাপিত একটি উচ্চ-কার্যকারিতা সিলিকন কার্বাইড (SiC) Schottky Barrier Diode (SBD)-এর স্পেসিফিকেশন বিস্তারিতভাবে বর্ণনা করা হয়েছে। এই ডিভাইসটি উচ্চ-ভোল্টেজ, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পাওয়ার রূপান্তর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যেখানে দক্ষতা, তাপ ব্যবস্থাপনা এবং সুইচিং গতি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। SiC প্রযুক্তি ঐতিহ্যগত সিলিকন ডায়োডের তুলনায় উল্লেখযোগ্য সুবিধা প্রদান করে, প্রধানত এর উচ্চতর উপাদান বৈশিষ্ট্যের কারণে।

এই ডায়োডের মূল কাজ হল একটি দিকে কারেন্ট প্রবাহিত করতে দেওয়া (অ্যানোড থেকে ক্যাথোডে) ন্যূনতম ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপ সহ এবং খুব কম লিকেজ কারেন্ট দিয়ে উচ্চ বিপরীত ভোল্টেজ ব্লক করা। এর মূল পার্থক্যকারী বৈশিষ্ট্য হল প্রায় শূন্য রিভার্স রিকভারি চার্জ, যা সিলিকন PN জাংশন ডায়োডের একটি মৌলিক সীমাবদ্ধতা। এই বৈশিষ্ট্য এটিকে উন্নত সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সিতে কাজ করা সার্কিটের জন্য আদর্শ করে তোলে।

১.১ মূল সুবিধা এবং লক্ষ্য বাজার

এই SiC Schottky ডায়োডের প্রাথমিক সুবিধাগুলি এর উপাদান এবং কাঠামোগত বৈশিষ্ট্য থেকে উদ্ভূত। কম ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ (VF) পরিবহন ক্ষতি হ্রাস করে, সরাসরি সিস্টেমের দক্ষতা উন্নত করে। উল্লেখযোগ্য সংখ্যালঘু বাহক স্টোরেজের অনুপস্থিতি রিভার্স রিকভারি ক্ষতি দূর করে, উচ্চ-গতির সুইচিং সক্ষম করে সংশ্লিষ্ট সুইচিং ক্ষতি এবং ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ইন্টারফারেন্স (EMI) ছাড়াই যা সিলিকন ফাস্ট রিকভারি ডায়োডের সাধারণ বৈশিষ্ট্য। এটি উচ্চ অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সি সক্ষম করে ছোট, হালকা এবং আরও দক্ষ পাওয়ার সিস্টেম ডিজাইন করতে দেয়, যা পালাক্রমে ইন্ডাক্টর এবং ট্রান্সফরমারের মতো প্যাসিভ উপাদানগুলির আকার হ্রাস করে।

উচ্চ সার্জ কারেন্ট ক্ষমতা এবং সর্বোচ্চ ১৭৫°C জংশন তাপমাত্রা সিস্টেমের দৃঢ়তা এবং নির্ভরযোগ্যতা বাড়ায়। ডিভাইসটি পরিবেশগত মান (সীসা-মুক্ত, হ্যালোজেন মুক্ত, RoHS) মেনে চলে। এই বৈশিষ্ট্যগুলি এটিকে আধুনিক পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের চাহিদাপূর্ণ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত করে তোলে। লক্ষ্য বাজারের মধ্যে রয়েছে শিল্প শক্তি সরবরাহ, নবায়নযোগ্য শক্তি সিস্টেম এবং গুরুত্বপূর্ণ অবকাঠামো শক্তি ব্যবস্থাপনা।

২. গভীর প্রযুক্তিগত প্যারামিটার বিশ্লেষণ

বৈদ্যুতিক এবং তাপীয় প্যারামিটারের পুঙ্খানুপুঙ্খ বোঝাপড়া নির্ভরযোগ্য সার্কিট ডিজাইন এবং ডিভাইসটিকে তার নিরাপদ অপারেটিং এরিয়া (SOA)-এর মধ্যে কাজ করানোর জন্য অপরিহার্য।

২.১ পরম সর্বোচ্চ রেটিং

এই রেটিংগুলি চাপের সীমা সংজ্ঞায়িত করে যা, অতিক্রম করলে, ডিভাইসের স্থায়ী ক্ষতি হতে পারে। এগুলি স্বাভাবিক অপারেটিং অবস্থার জন্য উদ্দেশ্যে নয়।

• পুনরাবৃত্ত শীর্ষ বিপরীত ভোল্টেজ (VRRM):৬৫০V। এটি সর্বোচ্চ বিপরীত ভোল্টেজ যা পুনরাবৃত্তভাবে প্রয়োগ করা যেতে পারে।
• ক্রমাগত ফরওয়ার্ড কারেন্ট (IF):১০A। এটি সর্বোচ্চ DC কারেন্ট যা ডিভাইসটি ক্রমাগত পরিচালনা করতে পারে, তাপীয় রোধ এবং সর্বোচ্চ জংশন তাপমাত্রা দ্বারা সীমাবদ্ধ।
• সার্জ নন-রিপিটিটিভ ফরওয়ার্ড কারেন্ট (IFSM):৩০A (TC=২৫°C, tp=১০ms, সাইন হাফ-ওয়েভ)। এই রেটিং ডায়োডের স্বল্প-স্থায়ী ওভারলোড কারেন্ট সহ্য করার ক্ষমতা নির্দেশ করে, যেমন স্টার্টআপ বা ফল্ট অবস্থার সময় যে কারেন্টের সম্মুখীন হয়।
• জংশন তাপমাত্রা (TJ):সর্বোচ্চ ১৭৫°C। এই সীমার কাছাকাছি বা এতে ডিভাইস চালানো এর দীর্ঘমেয়াদী নির্ভরযোগ্যতা হ্রাস করবে।
• মোট পাওয়ার ডিসিপেশন (PD):৮৮W (TC=২৫°C)। এই মানটি তাপীয় রোধ এবং সর্বোচ্চ অনুমোদিত তাপমাত্রা বৃদ্ধি থেকে প্রাপ্ত।

২.২ বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য

এগুলি নির্দিষ্ট পরীক্ষার শর্তাবলীর অধীনে সাধারণ এবং সর্বোচ্চ/সর্বনিম্ন পারফরম্যান্স প্যারামিটার।

• ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ (VF):সাধারণত ১.৪৮V, IF=১০A, TJ=২৫°C-এ সর্বোচ্চ ১.৮৫V। এই প্যারামিটারটি তাপমাত্রার সাথে বৃদ্ধি পায়, TJ=১৭৫°C-এ প্রায় ১.৯V-এ পৌঁছায়। কম VF পরিবহন ক্ষতি কমানোর জন্য একটি মূল সুবিধা।
• রিভার্স কারেন্ট (IR):সাধারণত ২µA, VR=৫২০V, TJ=২৫°C-এ সর্বোচ্চ ৬০µA। লিকেজ কারেন্ট তাপমাত্রার সাথে উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি পায় (১৭৫°C-এ সাধারণত ২০µA), যা তাপীয় ডিজাইনে বিবেচনা করতে হবে।
• মোট ক্যাপাসিটিভ চার্জ (QC):VR=৪০০V, TJ=২৫°C-এ সাধারণত ১৫nC। এটি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনে সুইচিং লস গণনার জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ প্যারামিটার। কম QC মান এই Schottky ডিভাইসের সাথে যুক্ত ন্যূনতম সুইচিং ক্ষতি নিশ্চিত করে।
• মোট ক্যাপাসিট্যান্স (Ct):এটি ভোল্টেজ-নির্ভর। সাধারণ মানগুলি হল VR=১V-এ ২৫৬pF, VR=২০০V-এ ২৯pF, এবং VR=৪০০V-এ ২৩pF (f=১MHz)। বিপরীত ভোল্টেজ বৃদ্ধির সাথে ক্যাপাসিট্যান্স হ্রাস পাওয়া জাংশন ক্যাপাসিট্যান্সের বৈশিষ্ট্য।

২.৩ তাপীয় বৈশিষ্ট্য

কার্যকর তাপ অপসারণ কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা বজায় রাখার জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

• তাপীয় রোধ, জংশন-টু-কেস (RθJC):সাধারণত ১.৭°C/W। এই কম মানটি TO-220 প্যাকেজের ধাতব ট্যাব (কেস) থেকে সেমিকন্ডাক্টর জংশনে দক্ষ তাপ স্থানান্তর নির্দেশ করে। এই বৈশিষ্ট্যটি সম্পূর্ণরূপে ব্যবহার করার জন্য কেসটি অবশ্যই সঠিকভাবে একটি হিটসিঙ্কের সাথে সংযুক্ত করতে হবে। সর্বোচ্চ মান নির্দিষ্ট করা নেই, তাই ডিজাইনারদের উপযুক্ত ডিরেটিং ফ্যাক্টর সহ সাধারণ মান ব্যবহার করা উচিত।

৩. পারফরম্যান্স কার্ভ বিশ্লেষণ

ডেটাশিট ডিভাইসের আচরণের বেশ কয়েকটি গ্রাফিকাল উপস্থাপনা প্রদান করে, যা ট্যাবুলেটেড ডেটা পয়েন্টের বাইরে বিস্তারিত ডিজাইন বিশ্লেষণের জন্য অপরিহার্য।

৩.১ VF-IF বৈশিষ্ট্য

এই কার্ভটি বিভিন্ন জংশন তাপমাত্রায় ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ এবং ফরওয়ার্ড কারেন্টের মধ্যে সম্পর্ক দেখায়। এটি VF-এর ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ দৃশ্যত প্রদর্শন করে। এই বৈশিষ্ট্যটি একাধিক ডায়োড সমান্তরালভাবে সংযুক্ত হলে কারেন্ট শেয়ারিংয়ের জন্য উপকারী, কারণ এটি একটি ডিগ্রী স্ব-ভারসাম্য প্রদান করে এবং তাপীয় রানওয়ে প্রতিরোধে সহায়তা করে।

৩.২ VR-IR বৈশিষ্ট্য

এই গ্রাফটি সাধারণত একাধিক তাপমাত্রায় বিপরীত লিকেজ কারেন্ট বনাম বিপরীত ভোল্টেজ প্লট করে। এটি ভোল্টেজ এবং তাপমাত্রা উভয়ের সাথে লিকেজ কারেন্টের সূচকীয় বৃদ্ধি তুলে ধরে, ডিজাইনারদের অফ-স্টেট ক্ষতি এবং উচ্চ ব্লকিং ভোল্টেজের অধীনে তাপীয় স্থিতিশীলতা সম্পর্কে অবহিত করে।

৩.৩ সর্বোচ্চ Ip – TC বৈশিষ্ট্য

এই ডিরেটিং কার্ভটি দেখায় যে কীভাবে সর্বোচ্চ অনুমোদিত ক্রমাগত ফরওয়ার্ড কারেন্ট (Ip) কেস তাপমাত্রা (TC) বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায়। এটি পাওয়ার ডিসিপেশন এবং তাপীয় রোধ সীমার একটি সরাসরি প্রয়োগ। ডিজাইনারদের তাদের অপারেটিং পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা এবং প্রয়োজনীয় কারেন্টের ভিত্তিতে একটি উপযুক্ত হিটসিঙ্ক নির্বাচন করতে এই গ্রাফটি ব্যবহার করতে হবে।

৩.৪ ট্রানজিয়েন্ট তাপীয় রোধ

ট্রানজিয়েন্ট তাপীয় রোধ বনাম পালস প্রস্থ (ZθJC)-এর কার্ভটি স্বল্প কারেন্ট পালসের সময় তাপমাত্রা বৃদ্ধি মূল্যায়নের জন্য গুরুত্বপূর্ণ, যেমন সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনে যেগুলি ঘটে। এটি দেখায় যে খুব সংক্ষিপ্ত পালসের জন্য, কার্যকর তাপীয় রোধ স্থির-অবস্থার মানের চেয়ে কম, যা ডিভাইসটিকে সংক্ষিপ্ত সময়ের জন্য উচ্চতর শীর্ষ শক্তি পরিচালনা করতে দেয়।

৪. যান্ত্রিক এবং প্যাকেজ তথ্য

ডিভাইসটি শিল্প-মান TO-220-2L প্যাকেজ ব্যবহার করে, যা একটি হিটসিঙ্কের সাথে স্ক্রু সংযুক্তি সহ থ্রু-হোল মাউন্টিংয়ের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।

৪.১ প্যাকেজের মাত্রা এবং রূপরেখা

বিস্তারিত যান্ত্রিক অঙ্কন মিলিমিটারে সমস্ত গুরুত্বপূর্ণ মাত্রা প্রদান করে। মূল প্যাকেজ বডির মাত্রা প্রায় ১৫.৬mm (D) x ৯.৯৯mm (E) x ৪.৫mm (A)। লিড পিচ (পিন কেন্দ্রের মধ্যে দূরত্ব) হল ৫.০৮mm (e1)। হিটসিঙ্কের সাথে সঠিক যান্ত্রিক এবং তাপীয় ইন্টারফেস নিশ্চিত করার জন্য মাউন্টিং হোলের মাত্রা এবং ট্যাবের আকারও নির্দিষ্ট করা হয়েছে।

৪.২ পিন কনফিগারেশন এবং পোলারিটি শনাক্তকরণ

ডিভাইসটির দুটি লিড (2L) রয়েছে। পিন ১ হল ক্যাথোড (K), এবং পিন ২ হল অ্যানোড (A)। গুরুত্বপূর্ণভাবে, TO-220 প্যাকেজের ধাতব ট্যাব বা কেসটি বৈদ্যুতিকভাবে ক্যাথোডের সাথে সংযুক্ত। সংযোজনকালে শর্ট সার্কিট প্রতিরোধ করতে এটি বিবেচনা করতে হবে, কারণ হিটসিঙ্কটি সাধারণত গ্রাউন্ড পটেনশিয়ালে থাকে। হিটসিঙ্কটি ক্যাথোড পটেনশিয়ালে না থাকলে সঠিক ইনসুলেশন (যেমন, একটি থার্মাল প্যাড সহ মাইকা বা সিলিকন ইনসুলেটর) প্রয়োজন।

৪.৩ সুপারিশকৃত PCB ল্যান্ড প্যাটার্ন

লিডগুলি (গঠনের পরে) সারফেস-মাউন্ট করার জন্য একটি প্রস্তাবিত প্যাড লেআউট প্রদান করা হয়েছে। এটি ওয়েভ বা রিফ্লো সোল্ডারিং প্রক্রিয়ার জন্য PCB ডিজাইনে সহায়তা করে, নির্ভরযোগ্য সোল্ডার জয়েন্ট এবং সঠিক যান্ত্রিক সমর্থন নিশ্চিত করে।

৫. অ্যাপ্লিকেশন নির্দেশিকা এবং ডিজাইন বিবেচনা

৫.১ সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন সার্কিট

এই ডায়োডটি বেশ কয়েকটি মূল পাওয়ার রূপান্তর টপোলজিতে বিশেষভাবে সুবিধাজনক:

• পাওয়ার ফ্যাক্টর সংশোধন (PFC):বুস্ট PFC পর্যায়ে, উচ্চ লাইন ফ্রিকোয়েন্সিতে উচ্চ দক্ষতার জন্য ডায়োডের দ্রুত সুইচিং এবং কম রিকভারি ক্ষতি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ, যা 80 PLUS-এর মতো কঠোর দক্ষতা মান পূরণ করতে সহায়তা করে।
• সৌর ইনভার্টার:বুস্ট পর্যায়ে বা ফ্রিওহিলিং ডায়োড হিসাবে ব্যবহার করা হলে, এগুলি ক্ষতি হ্রাস করে, ফটোভোলটাইক প্যানেল থেকে সামগ্রিক শক্তি আহরণ বৃদ্ধি করে।
• অবিরাম শক্তি সরবরাহ (UPS) এবং মোটর ড্রাইভ:আউটপুট ইনভার্টার পর্যায়ে বা ক্ল্যাম্প/ফ্রিওহিলিং ডায়োড হিসাবে, এগুলি সুইচিং ক্ষতি হ্রাস করে, উচ্চতর সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি সম্ভব করে যা ছোট চৌম্বকীয় উপাদান এবং উন্নত আউটপুট তরঙ্গরূপ গুণমানের দিকে নিয়ে যেতে পারে।
• ডেটা সেন্টার পাওয়ার সাপ্লাই:পরিচালন ব্যয় (বিদ্যুৎ) এবং কুলিং প্রয়োজনীয়তা কমানোর জন্য উচ্চ দক্ষতা সর্বোচ্চ গুরুত্বপূর্ণ। এই ডায়োড সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাইতে উচ্চ পাওয়ার ঘনত্ব এবং দক্ষতা অর্জনে সরাসরি অবদান রাখে।

৫.২ সমালোচনামূলক ডিজাইন বিবেচনা

• হিটসিঙ্কিং:কম RθJC শুধুমাত্র একটি পর্যাপ্ত হিটসিঙ্কের সাথে কার্যকর। স্ক্রুর (M3 বা 6-32) জন্য মাউন্টিং টর্ক ৮.৮ N·m (প্রায় ৭৮ lbf-in) হিসাবে নির্দিষ্ট করা হয়েছে প্যাকেজ ক্ষতি না করে সর্বোত্তম তাপীয় যোগাযোগ নিশ্চিত করার জন্য।
• সমান্তরাল অপারেশন:VF-এর ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ উচ্চতর কারেন্ট ক্ষমতার জন্য সমান্তরাল সংযোগ সহজতর করে। তবে, ভারসাম্যপূর্ণ কারেন্ট শেয়ারিং নিশ্চিত করতে লেআউট সমমিতি (সমান দৈর্ঘ্যের ট্রেস) এবং ভাগ করা হিটসিঙ্কিং-এ সতর্কতার সাথে মনোযোগ দেওয়ার পরামর্শ দেওয়া হয়।
• ভোল্টেজ স্ট্রেস:ইন্ডাকটিভ লোড বা প্যারাসাইটিক ইন্ডাকট্যান্স সহ সার্কিটে, টার্ন-অফের সময় VRRM-কে অতিক্রম করে ভোল্টেজ স্পাইক ঘটতে পারে। এই স্পাইকগুলি ক্ল্যাম্প করতে এবং ডায়োড রক্ষা করতে স্নাবার সার্কিট বা RC ড্যাম্পার প্রয়োজন হতে পারে।
• ESD এবং হ্যান্ডলিং:কিছু সেমিকন্ডাক্টরের চেয়ে বেশি শক্তিশালী হলেও, Schottky ডায়োড ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ডিসচার্জের প্রতি সংবেদনশীল হতে পারে। হ্যান্ডলিং এবং সংযোজনকালে স্ট্যান্ডার্ড ESD সতর্কতা পালন করা উচিত।

৬. প্রযুক্তিগত তুলনা এবং প্রবণতা

৬.১ সিলিকন ডায়োডের সাথে তুলনা

একই ভোল্টেজ এবং কারেন্ট রেটিং-এর একটি সিলিকন ফাস্ট রিকভারি ডায়োড (FRD)-এর তুলনায়, এই SiC Schottky ডায়োড অফার করে: ১) নাটকীয়ভাবে কম রিভার্স রিকভারি চার্জ (Qrr) এবং সময় (trr), মূলত রিভার্স রিকভারি ক্ষতি এবং সংশ্লিষ্ট শব্দ দূর করে। ২) একটি উচ্চতর সর্বোচ্চ অপারেটিং জংশন তাপমাত্রা (সিলিকনের জন্য সাধারণত ১৫০°C বনাম ১৭৫°C)। ৩) কিছুটা উচ্চতর ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপ, কিন্তু প্রায় ~৩০kHz-এর উপরে ফ্রিকোয়েন্সিতে সুইচিং লস সঞ্চয় দ্বারা এটি প্রায়শই অতিক্রম করা হয়। সিস্টেম-স্তরের সুবিধার মধ্যে রয়েছে ছোট হিটসিঙ্ক, ছোট চৌম্বকীয় উপাদান এবং উচ্চতর সামগ্রিক দক্ষতা।

৬.২ অপারেশন নীতি এবং প্রবণতা

একটি Schottky ডায়োড একটি PN জাংশনের বিপরীতে একটি ধাতু-সেমিকন্ডাক্টর জাংশন দ্বারা গঠিত হয়। এই সংখ্যাগরিষ্ঠ-বাহক ডিভাইসে সংখ্যালঘু বাহক স্টোরেজ নেই, যা এর দ্রুত সুইচিং গতির মূল কারণ। সেমিকন্ডাক্টর উপাদান হিসাবে সিলিকন কার্বাইড (SiC) সিলিকনের চেয়ে একটি বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ প্রদান করে, যার ফলে উচ্চতর ব্রেকডাউন ফিল্ড শক্তি, উচ্চতর তাপীয় পরিবাহিতা এবং উচ্চতর সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা হয়। পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে প্রবণতা হল দক্ষতা, ফ্রিকোয়েন্সি এবং পাওয়ার ঘনত্বের সীমানা ঠেলে দেওয়ার জন্য SiC এবং গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN)-এর মতো ওয়াইড-ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টরের দিকে দৃঢ়ভাবে। এই ডায়োডটি সেই প্রবণতার মধ্যে একটি পরিপক্ক এবং ব্যাপকভাবে গৃহীত উপাদান প্রতিনিধিত্ব করে, বিশেষ করে উচ্চ-ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য যেখানে SiC-এর সুবিধাগুলি সবচেয়ে স্পষ্ট।

৭. প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন (FAQ)

প্র: একটি বিদ্যমান ডিজাইনে সরাসরি একটি সিলিকন ফাস্ট রিকভারি ডায়োডের প্রতিস্থাপন হিসাবে এই ডায়োড ব্যবহার করা যেতে পারে?

উ: মূল্যায়ন ছাড়া সরাসরি নয়। যদিও পিনআউট সামঞ্জস্যপূর্ণ হতে পারে, ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ, সুইচিং আচরণ এবং একটি ক্যাথোড-আইসোলেটেড হিটসিঙ্কের প্রয়োজনীয়তার পার্থক্য (যদি মূল ডিজাইনে ট্যাবটি একটি নন-ক্যাথোড পটেনশিয়ালের সাথে সংযুক্ত থাকে) সতর্কতার সাথে পর্যালোচনা করতে হবে। সার্কিট সিমুলেশন এবং পরীক্ষা দৃঢ়ভাবে সুপারিশ করা হয়।

প্র: QC (মোট ক্যাপাসিটিভ চার্জ) প্যারামিটারের তাৎপর্য কী?

উ: QC জাংশন ক্যাপাসিট্যান্সের সাথে যুক্ত চার্জ প্রতিনিধিত্ব করে। উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিংয়ের সময়, এই ক্যাপাসিট্যান্সকে প্রতিটি চক্রে চার্জ এবং ডিসচার্জ করতে হয়, যার ফলে একটি ক্যাপাসিটিভ সুইচিং লস হয় যা QC * V * f-এর সমানুপাতিক। এই SiC ডায়োডের কম QC মান এই ক্ষতিগুলি হ্রাস করে, যা খুব উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে উল্লেখযোগ্য হয়ে ওঠে।

প্র: VF-এর ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ সমান্তরাল কনফিগারেশনে তাপীয় রানওয়ে কীভাবে প্রতিরোধ করে?

উ: যদি একটি সমান্তরাল জোড়ায় একটি ডায়োড বেশি কারেন্ট টানতে শুরু করে, তবে এটি উত্তপ্ত হয়। ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগের কারণে এর VF বৃদ্ধি পায়, যা পালাক্রমে শীতল ডায়োডের তুলনায় এর মাধ্যমে চালিত কারেন্টের ভোল্টেজ পার্থক্য হ্রাস করে। এই প্রাকৃতিক প্রতিক্রিয়া প্রক্রিয়াটি কারেন্টকে শীতল ডায়োডে ফিরে যেতে উত্সাহিত করে, ভারসাম্য প্রচার করে।

প্র: স্টোরেজ এবং হ্যান্ডলিং প্রয়োজনীয়তা কী?

উ: ডিভাইসটি একটি অ্যান্টি-স্ট্যাটিক ব্যাগে -৫৫°C থেকে +১৭৫°C তাপমাত্রা পরিসীমা এবং কম আর্দ্রতা সহ একটি পরিবেশে সংরক্ষণ করা উচিত। আর্দ্রতা-সংবেদনশীল উপাদান (যদি প্রযোজ্য) এবং ESD-সংবেদনশীল ডিভাইস হ্যান্ডলিংয়ের জন্য স্ট্যান্ডার্ড IPC/JEDEC নির্দেশিকা অনুসরণ করা উচিত।