TO-220-2L 650V SiC Schottky Diode EL-SAF008 65JA ডেটাশিট - প্যাকেজ ১৫.৬x৯.৯৯x৪.৫মিমি - ভোল্টেজ ৬৫০V - কারেন্ট ৮A - বাংলা প্রযুক্তিগত নথি

১. পণ্য সংক্ষিপ্ত বিবরণ

EL-SAF008 65JA হল একটি সিলিকন কার্বাইড (SiC) স্কটকি ব্যারিয়ার ডায়োড (SBD) যা উচ্চ দক্ষতা, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি পাওয়ার রূপান্তর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। স্ট্যান্ডার্ড TO-220-2L প্যাকেজে এনক্যাপসুলেটেড, এই ডিভাইসটি সিলিকন কার্বাইডের উচ্চতর উপাদান বৈশিষ্ট্যগুলি কাজে লাগায় যা প্রচলিত সিলিকন-ভিত্তিক ডায়োডের তুলনায় উল্লেখযোগ্য পারফরম্যান্স সুবিধা প্রদান করে, বিশেষ করে উচ্চ ভোল্টেজ, দ্রুত সুইচিং এবং উন্নত তাপ ব্যবস্থাপনা প্রয়োজন এমন সিস্টেমে।

SiC প্রযুক্তির মূল সুবিধা এর প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপে নিহিত, যা ডায়োডটিকে অনেক বেশি তাপমাত্রা, ভোল্টেজ এবং সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সিতে কাজ করতে সক্ষম করে। এই ডিভাইসটি সুইচিং লস এবং কন্ডাকশন লস কমানোর জন্য ইঞ্জিনিয়ার করা হয়েছে, যা সরাসরি বর্ধিত পাওয়ার ঘনত্ব এবং সামগ্রিক সিস্টেম দক্ষতায় অবদান রাখে। এর প্রাথমিক লক্ষ্য বাজারগুলির মধ্যে রয়েছে উন্নত সুইচ-মোড পাওয়ার সাপ্লাই (SMPS), নবায়নযোগ্য শক্তি ইনভার্টার, মোটর ড্রাইভ এবং ডেটা সেন্টার এবং অনবিচ্ছিন্ন বিদ্যুৎ সরবরাহ (UPS) এর মতো গুরুত্বপূর্ণ অবকাঠামো পাওয়ার সিস্টেম।

১.১ প্রধান বৈশিষ্ট্য এবং সুবিধা

ডিভাইসটিতে বেশ কয়েকটি ডিজাইন বৈশিষ্ট্য অন্তর্ভুক্ত রয়েছে যা স্পষ্ট সিস্টেম-স্তরের সুবিধায় রূপান্তরিত হয়:

• নিম্ন ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ (VF):সাধারণত ৮A এবং ২৫°C তাপমাত্রায় ১.৫V। এটি কন্ডাকশন লস হ্রাস করে, যার ফলে অপারেশন শীতলতর এবং দক্ষতা বেশি হয়।
• মূলত কোন রিভার্স রিকভারি চার্জ (Qc) নেই:স্কটকি ডায়োডের একটি নির্ধারিত বৈশিষ্ট্য, যার নির্দিষ্ট Qc মাত্র ১২nC। এটি রিভার্স রিকভারি লস দূর করে, যা সিলিকন PN জাংশন ডায়োডে সুইচিং লসের একটি প্রধান উৎস, উচ্চ-গতির সুইচিং সক্ষম করে।
• উচ্চ সার্জ কারেন্ট ক্ষমতা (IFSM):২৯A নন-রিপিটিটিভ সার্জ কারেন্টের জন্য রেটেড (১০ms হাফ-সাইন ওয়েভ)। এটি ইনরাশ কারেন্ট এবং স্বল্পমেয়াদী ওভারলোডের বিরুদ্ধে রোবাস্টনেস প্রদান করে।
• উচ্চ জাংশন তাপমাত্রা (TJ,max):১৭৫°C পর্যন্ত অপারেশনের জন্য রেটেড। এটি উচ্চ পরিবেষ্টিত তাপমাত্রায় অপারেশন বা ছোট হিটসিঙ্ক ব্যবহারের অনুমতি দেয়।
• সমান্তরাল অপারেশন:ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপের ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ তাপীয় রানওয়ে প্রতিরোধে সহায়তা করে, যা ডিভাইসটিকে উচ্চতর কারেন্ট পরিচালনার জন্য সমান্তরাল সংযোগের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
• পরিবেশগত সম্মতি:ডিভাইসটি সীসা-মুক্ত, হ্যালোজেন-মুক্ত এবং RoHS সম্মত, যা আধুনিক পরিবেশগত মান পূরণ করে।

সম্মিলিত সুবিধাগুলি উল্লেখযোগ্য: উন্নত সিস্টেম দক্ষতা, হ্রাসকৃত কুলিং প্রয়োজনীয়তা (যার ফলে সিস্টেমের আকার এবং খরচ কমে), এবং ম্যাগনেটিক্স মিনিয়েচারাইজেশনের জন্য উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে কাজ করার ক্ষমতা।

২. গভীর প্রযুক্তিগত প্যারামিটার বিশ্লেষণ

এই বিভাগটি ডেটাশিটে উল্লিখিত প্রধান বৈদ্যুতিক এবং তাপীয় প্যারামিটারের একটি বিস্তারিত, উদ্দেশ্যমূলক ব্যাখ্যা প্রদান করে।

২.১ পরম সর্বোচ্চ রেটিং

এই রেটিংগুলি স্ট্রেস সীমা নির্ধারণ করে যার বাইরে ডিভাইসের স্থায়ী ক্ষতি হতে পারে। এই সীমায় বা তার বাইরে অপারেশন নিশ্চিত করা হয় না।

• রিপিটিটিভ পিক রিভার্স ভোল্টেজ (VRRM):৬৫০V। এটি সর্বোচ্চ তাত্ক্ষণিক রিভার্স ভোল্টেজ যা বারবার প্রয়োগ করা যেতে পারে।
• DC ব্লকিং ভোল্টেজ (VR):৬৫০V। সর্বোচ্চ অবিচ্ছিন্ন রিভার্স DC ভোল্টেজ।
• অবিচ্ছিন্ন ফরওয়ার্ড কারেন্ট (IF):৮A। এটি সর্বোচ্চ অবিচ্ছিন্ন ফরওয়ার্ড কারেন্ট, যা সর্বোচ্চ জাংশন তাপমাত্রা এবং জাংশন থেকে কেস পর্যন্ত তাপীয় রেজিস্ট্যান্স (Rth(JC)) দ্বারা সীমাবদ্ধ।
• সার্জ নন-রিপিটিটিভ ফরওয়ার্ড কারেন্ট (IFSM):২৯A (TC=২৫°C, tp=১০ms, হাফ-সাইন ওয়েভ)। শর্ট-সার্কিট বা স্টার্টআপ সার্জ অবস্থা সহ্য করার ডায়োডের ক্ষমতা মূল্যায়নের জন্য এই রেটিং অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
• জাংশন তাপমাত্রা (TJ):-৫৫°C থেকে +১৭৫°C। সেমিকন্ডাক্টর ডাইয়ের নিজস্ব অপারেটিং এবং স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা।

২.২ বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য

এগুলি নির্দিষ্ট পরীক্ষার শর্তাবলীর অধীনে নিশ্চিত পারফরম্যান্স প্যারামিটার।

• ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ (VF):IF=৮A এ সম্পূর্ণ তাপমাত্রা পরিসীমায় (২৫°C থেকে ১৭৫°C) সর্বোচ্চ ১.৮৫V। ২৫°C তাপমাত্রায় সাধারণ মান ১.৫V। এটি লক্ষণীয় যে VF এর একটি ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ রয়েছে।
• রিভার্স লিকেজ কারেন্ট (IR):VR=৫২০V, TJ=২৫°C তে সর্বোচ্চ ৪০µA। এটি তাপমাত্রার সাথে বৃদ্ধি পায়, একই VR এ ১৭৫°C তে সর্বোচ্চ ২০µA। ব্লকিং অবস্থায় দক্ষতার জন্য কম লিকেজ অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
• মোট ক্যাপাসিট্যান্স (C) এবং ক্যাপাসিটিভ চার্জ (QC):জাংশন ক্যাপাসিট্যান্স ভোল্টেজ-নির্ভর, ১V এ ২০৮pF থেকে ৪০০V এ ১৮pF এ হ্রাস পায় (f=১MHz)। সুইচিং লস গণনার জন্য একটি মূল প্যারামিটার মোট ক্যাপাসিটিভ চার্জ QC, সাধারণত VR=৪০০V, TJ=২৫°C তে ১২nC। সঞ্চিত শক্তি (EC) সাধারণত VR=৪০০V তে ১.৭µJ।

২.৩ তাপীয় বৈশিষ্ট্য

নির্ভরযোগ্যতা এবং পারফরম্যান্সের জন্য তাপ ব্যবস্থাপনা সর্বাধিক গুরুত্বপূর্ণ।

• তাপীয় রেজিস্ট্যান্স, জাংশন-টু-কেস (Rth(JC)):সাধারণত ১.৯ °C/W। এই কম মানটি সিলিকন কার্বাইড ডাই থেকে TO-220 প্যাকেজের ধাতব ট্যাবে দক্ষ তাপ স্থানান্তর নির্দেশ করে। এটি হিটসিঙ্কে মাউন্ট করা হলে তাপ অপসারণের প্রাথমিক পথ।
• মোট পাওয়ার ডিসিপেশন (PD):TC=২৫°C তে ৪২W। এটি সর্বোচ্চ শক্তি যা ডিভাইসটি কেস তাপমাত্রা ২৫°C এ রাখা হলে অপসারণ করতে পারে। বাস্তব অ্যাপ্লিকেশনে, হিটসিঙ্কের তাপীয় রেজিস্ট্যান্স এবং পরিবেষ্টিত তাপমাত্রার কারণে অর্জনযোগ্য ডিসিপেশন কম হয়।

৩. পারফরম্যান্স কার্ভ বিশ্লেষণ

ডেটাশিটটি ডিজাইন এবং সিমুলেশনের জন্য অপরিহার্য বেশ কয়েকটি বৈশিষ্ট্যগত কার্ভ প্রদান করে।

৩.১ VF-IF বৈশিষ্ট্য

এই গ্রাফটি ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপকে ফরওয়ার্ড কারেন্টের বিপরীতে প্লট করে, সাধারণত একাধিক জাংশন তাপমাত্রায় (যেমন, ২৫°C, ১২৫°C, ১৭৫°C)। এটি দৃশ্যত নিম্ন VF এবং এর ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ নিশ্চিত করে। ডিজাইনাররা তাদের অপারেটিং কারেন্ট এবং তাপমাত্রায় কন্ডাকশন লস (Pcond = VF * IF) গণনা করতে এটি ব্যবহার করেন।

৩.২ VR-IR বৈশিষ্ট্য

এই কার্ভটি প্রয়োগকৃত রিভার্স ভোল্টেজের একটি ফাংশন হিসাবে রিভার্স লিকেজ কারেন্ট দেখায়, আবার বিভিন্ন তাপমাত্রায়। এটি ডিজাইনারদের অফ-স্টেট লস বুঝতে এবং সিস্টেমের সর্বোচ্চ অপারেটিং ভোল্টেজে লিকেজ গ্রহণযোগ্য কিনা তা নিশ্চিত করতে সহায়তা করে।

৩.৩ সর্বোচ্চ ফরওয়ার্ড কারেন্ট বনাম কেস তাপমাত্রা

এই ডিরেটিং কার্ভটি দেখায় যে কীভাবে সর্বোচ্চ অনুমোদিত অবিচ্ছিন্ন ফরওয়ার্ড কারেন্ট (IF) কেস তাপমাত্রা (TC) বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায়। এটি হিটসিঙ্ক সাইজিংয়ের জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ সরঞ্জাম। কার্ভটি সূত্র থেকে উদ্ভূত: IF_max = sqrt((TJ,max - TC) / (Rth(JC) * Rth(F))), যেখানে Rth(F) হল ফরওয়ার্ড তাপীয় রেজিস্ট্যান্স।

৩.৪ ট্রানজিয়েন্ট তাপীয় ইম্পিডেন্স

ট্রানজিয়েন্ট তাপীয় রেজিস্ট্যান্স (Zth(JC)) বনাম পালস প্রস্থের গ্রাফটি পালসড কারেন্ট অবস্থার অধীনে তাপীয় পারফরম্যান্স মূল্যায়নের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ, যা সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনে সাধারণ। এটি দেখায় যে খুব সংক্ষিপ্ত পালসের জন্য, কার্যকর তাপীয় রেজিস্ট্যান্স স্থির-অবস্থা Rth(JC) এর চেয়ে অনেক কম, যার অর্থ একটি একক সংক্ষিপ্ত পালসের জন্য জাংশন তাপমাত্রা বৃদ্ধি কম তীব্র।

৪. যান্ত্রিক এবং প্যাকেজ তথ্য

৪.১ প্যাকেজ আউটলাইন এবং মাত্রা

ডিভাইসটি শিল্প-মান TO-220-2L (দুই-লিড) প্যাকেজ ব্যবহার করে। প্রধান মাত্রাগুলির মধ্যে রয়েছে:

• সামগ্রিক দৈর্ঘ্য (D): ১৫.৬ মিমি (সাধারণ)
• সামগ্রিক প্রস্থ (E): ৯.৯৯ মিমি (সাধারণ)
• সামগ্রিক উচ্চতা (A): ৪.৫ মিমি (সাধারণ)
• লিড পিচ (e1): ৫.০৮ মিমি (মৌলিক)
• মাউন্টিং হোল স্পেসিং: ~১৩.৫ মিমি (D2, সাধারণ)

বিস্তারিত অঙ্কন PCB লেআউট এবং হিটসিঙ্ক মাউন্টিংয়ের জন্য সমস্ত সমালোচনামূলক যান্ত্রিক সহনশীলতা প্রদান করে।

৪.২ পিন কনফিগারেশন এবং পোলারিটি

পিনআউট সহজ: পিন ১ হল ক্যাথোড (K), এবং পিন ২ হল অ্যানোড (A)। TO-220 প্যাকেজের ধাতব ট্যাব বা কেস বৈদ্যুতিকভাবে ক্যাথোডের সাথে সংযুক্ত। এটি একটি গুরুত্বপূর্ণ নিরাপত্তা এবং ডিজাইন বিবেচনা, কারণ হিটসিঙ্কটি ক্যাথোড সম্ভাবনায় থাকবে। হিটসিঙ্কটি বিচ্ছিন্ন না হলে সঠিক ইনসুলেশন (যেমন, একটি মাইকা বা তাপীয় প্যাড) প্রয়োজন।

৪.৩ সুপারিশকৃত PCB ল্যান্ড প্যাটার্ন

লিডগুলি (গঠনের পরে) পৃষ্ঠ-মাউন্ট করার জন্য একটি প্রস্তাবিত প্যাড লেআউট প্রদান করা হয়েছে। এটি রিফ্লো সোল্ডারিংয়ের সময় সঠিক সোল্ডার জয়েন্ট গঠন এবং যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করে।

৫. অ্যাপ্লিকেশন নির্দেশিকা এবং ডিজাইন বিবেচনা

৫.১ সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন সার্কিট

EL-SAF008 65JA বেশ কয়েকটি মূল পাওয়ার রূপান্তর টপোলজির জন্য আদর্শভাবে উপযুক্ত:

• পাওয়ার ফ্যাক্টর সংশোধন (PFC):ক্রমাগত কন্ডাকশন মোড (CCM) বা ট্রানজিশন মোড (TM) PFC পর্যায়ে বুস্ট ডায়োড হিসাবে ব্যবহৃত। এর দ্রুত সুইচিং এবং কম Qc উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে সুইচিং লস উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে, PFC দক্ষতা উন্নত করে।
• সৌর ইনভার্টার DC-AC পর্যায়:ইনভার্টার ব্রিজের মধ্যে ফ্রিওহিলিং বা ক্ল্যাম্পিং অবস্থানে ব্যবহার করা যেতে পারে। এর উচ্চ-তাপমাত্রা ক্ষমতা বহিরঙ্গন পরিবেশে উপকারী।
• অনবিচ্ছিন্ন বিদ্যুৎ সরবরাহ (UPS):দক্ষ পাওয়ার রূপান্তর এবং ব্যাটারি চার্জিংয়ের জন্য রেকটিফায়ার এবং ইনভার্টার বিভাগে নিযুক্ত।
• মোটর ড্রাইভ:পরিবর্তনশীল ফ্রিকোয়েন্সি ড্রাইভে (VFD) ইন্ডাকটিভ লোড (মোটর উইন্ডিংয়ের মতো) জুড়ে একটি ফ্রিওহিলিং ডায়োড হিসাবে কাজ করে।

৫.২ হিটসিঙ্কিং এবং তাপীয় ডিজাইন

সঠিক তাপীয় ডিজাইন অপরিহার্য। নিম্নলিখিত পদক্ষেপগুলি অপরিহার্য:

1. পাওয়ার লস গণনা করুন:কন্ডাকশন লস (Pcond = VF * IF_avg) এবং সুইচিং লস যোগ করুন। SiC স্কটকি ডায়োডের জন্য, সুইচিং লস প্রধানত ক্যাপাসিটিভ (Psw = ০.৫ * C * V^2 * f) রিভার্স রিকভারি সম্পর্কিত নয়।
2. প্রয়োজনীয় তাপীয় রেজিস্ট্যান্স নির্ধারণ করুন:সূত্রটি ব্যবহার করুন: Rth(SA) = (TJ,max - TA) / PD - Rth(JC) - Rth(CS), যেখানে Rth(SA) হল হিটসিঙ্ক-টু-অ্যাম্বিয়েন্ট রেজিস্ট্যান্স, TA হল পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা, এবং Rth(CS) হল কেস-টু-সিঙ্ক তাপীয় রেজিস্ট্যান্স (ইন্টারফেস উপাদানের উপর নির্ভরশীল)।
3. হিটসিঙ্ক নির্বাচন করুন:গণনা করা প্রয়োজনীয়তার চেয়ে কম Rth(SA) সহ একটি হিটসিঙ্ক নির্বাচন করুন। মনে রাখবেন কেসটি ক্যাথোড সম্ভাবনায় রয়েছে।
4. মাউন্টিং টর্ক:নির্দিষ্ট মাউন্টিং টর্ক প্রয়োগ করুন (M3 বা ৬-৩২ স্ক্রু জন্য ৮.৮ Nm) প্যাকেজ ক্ষতি না করে ভাল তাপীয় যোগাযোগ নিশ্চিত করতে।

৫.৩ লেআউট বিবেচনা

প্যারাসাইটিক ইন্ডাকট্যান্স কমানো এবং পরিষ্কার সুইচিং নিশ্চিত করতে:

• ডায়োড, সুইচিং ট্রানজিস্টর (যেমন, MOSFET), এবং ইনপুট/আউটপুট ক্যাপাসিটর দ্বারা গঠিত লুপ এলাকা যতটা সম্ভব ছোট রাখুন।
• উচ্চ-কারেন্ট পাথের জন্য প্রশস্ত, সংক্ষিপ্ত PCB ট্রেস বা কপার পোর ব্যবহার করুন।
• ডিভাইস টার্মিনালের শারীরিকভাবে কাছাকাছি ডিকাপলিং ক্যাপাসিটর স্থাপন করুন।

৬. প্রযুক্তি তুলনা এবং পার্থক্য

এই SiC স্কটকি ডায়োডটি বিকল্পগুলির সাথে কীভাবে তুলনা করে তা বোঝা উপাদান নির্বাচনের জন্য মূল।

৬.১ সিলিকন PN জাংশন ডায়োডের বিপরীতে

এটি সবচেয়ে উল্লেখযোগ্য তুলনা। স্ট্যান্ডার্ড সিলিকন ফাস্ট/আলট্রাফাস্ট রিকভারি ডায়োডের একটি বড় রিভার্স রিকভারি চার্জ (Qrr) এবং সময় (trr) থাকে, যা উল্লেখযোগ্য সুইচিং লস, ভোল্টেজ স্পাইক এবং EMI সৃষ্টি করে। SiC স্কটকির প্রায়-শূন্য Qc এটি দূর করে, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশন, ছোট ম্যাগনেটিক্স এবং উচ্চতর দক্ষতা সক্ষম করে, বিশেষ করে ৩০০V এর উপরে ভোল্টেজে যেখানে সিলিকন স্কটকি ডায়োড উপলব্ধ নয়।

৬.২ সিলিকন কার্বাইড MOSFET বডি ডায়োডের বিপরীতে

একটি SiC MOSFET এর সমান্তরালে একটি ফ্রিওহিলিং ডায়োড হিসাবে ব্যবহার করা হলে, এই বিচ্ছিন্ন ডায়োডটির প্রায়ই MOSFET এর অন্তর্নিহিত বডি ডায়োডের তুলনায় কম ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপ এবং ভাল রিভার্স রিকভারি বৈশিষ্ট্য থাকে। একটি বাহ্যিক স্কটকি ব্যবহার হার্ড-সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনে দক্ষতা উন্নত করতে পারে।

৭. প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন (FAQs)

প্র: আমি কি উচ্চতর কারেন্টের জন্য একাধিক EL-SAF008 65JA ডায়োড সমান্তরাল করতে পারি?

উ: হ্যাঁ, VF এর ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগের কারণে, তারা কারেন্ট তুলনামূলকভাবে ভালভাবে ভাগ করে। তবে, ডিভাইসগুলির মধ্যে ভাল তাপীয় কাপলিং নিশ্চিত করুন এবং সামান্য ডিরেটিং বিবেচনা করুন।

প্র: রিভার্স লিকেজ কারেন্ট স্পেসিফিকেশন ৫২০V এ দেওয়া হয়েছে কেন, ৬৫০V এ নয়?

উ: এটি একটি নিরাপত্তা মার্জিন প্রদানের জন্য একটি স্ট্যান্ডার্ড শিল্প অনুশীলন। সর্বোচ্চ রেটেড ভোল্টেজে (৬৫০V) লিকেজ বেশি হবে কিন্তু ধ্বংসাত্মক স্তর অতিক্রম না করার নিশ্চয়তা দেওয়া হয়। ৫২০V পয়েন্টটি উচ্চ-স্ট্রেস অপারেশন প্রতিনিধিত্বকারী একটি ব্যবহারিক পরীক্ষার শর্ত।

প্র: আমি কীভাবে আমার অ্যাপ্লিকেশনে জাংশন তাপমাত্রা গণনা করব?

উ: মৌলিক সমীকরণ হল TJ = TC + (PD * Rth(JC))। প্রথমে, মোট পাওয়ার ডিসিপেশন (PD) গণনা করুন। তারপর, অপারেশন চলাকালীন কেস তাপমাত্রা (TC) পরিমাপ বা অনুমান করুন। সাধারণ বা সর্বোচ্চ Rth(JC) ব্যবহার করে মানগুলি প্লাগ ইন করে TJ খুঁজুন। একটি নিরাপত্তা মার্জিন সহ TJ ১৭৫°C এর নিচে থাকে তা নিশ্চিত করুন।

প্র: এই ডায়োডের জন্য একটি স্নাবার সার্কিট প্রয়োজন কি?

উ: এর কম Qc এর কারণে, রিভার্স রিকভারি থেকে ভোল্টেজ ওভারশুট ন্যূনতম। তবে, প্যারাসাইটিক সার্কিট ইন্ডাকট্যান্স এখনও টার্ন-অফের সময় ওভারশুট সৃষ্টি করতে পারে। ভাল লেআউট অনুশীলন প্রথম প্রতিরক্ষা লাইন। উচ্চ-di/dt সার্কিটে বা রিংিং প্রশমিত করতে একটি RC স্নাবার প্রয়োজন হতে পারে।

৮. প্রযুক্তিগত নীতি এবং প্রবণতা

৮.১ একটি SiC স্কটকি ডায়োডের অপারেটিং নীতি

একটি স্কটকি ডায়োড একটি ধাতু-সেমিকন্ডাক্টর জাংশন দ্বারা গঠিত, একটি PN জাংশন ডায়োডের বিপরীতে। একটি SiC স্কটকিতে, একটি ধাতু (টাইটানিয়াম বা নিকেলের মতো) n-টাইপ সিলিকন কার্বাইডে জমা করা হয়। এটি একটি স্কটকি ব্যারিয়ার তৈরি করে। যখন ফরওয়ার্ড বায়াসড হয়, সংখ্যাগরিষ্ঠ বাহক (ইলেকট্রন) ব্যারিয়ারের উপর ইনজেক্ট করা হয়, যার ফলে খুব দ্রুত সুইচিং হয় কোন সংখ্যালঘু বাহক স্টোরেজ ছাড়াই। SiC এর প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ (৪H-SiC এর জন্য ≈৩.২৬ eV) উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ এবং উচ্চ-তাপমাত্রা অপারেশন ক্ষমতা প্রদান করে।

৮.২ শিল্প প্রবণতা

পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স শিল্প উচ্চ দক্ষতা, পাওয়ার ঘনত্ব এবং অপারেটিং তাপমাত্রার চাহিদা মেটাতে ক্রমাগত প্রশস্ত-ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর (SiC এবং GaN) গ্রহণ করছে। EL-SAF008 এর মতো SiC ডায়োডগুলি এখন ৬০০V এর উপরে অনেক অ্যাপ্লিকেশনের জন্য পরিপক্ক এবং খরচ-প্রতিযোগিতামূলক। প্রবণতাগুলির মধ্যে রয়েছে নির্দিষ্ট অন-রেজিস্ট্যান্স এবং ক্যাপাসিট্যান্সের আরও হ্রাস, মডিউলে SiC MOSFET এর সাথে ইন্টিগ্রেশন, এবং অটোমোটিভ (EV ট্র্যাকশন ইনভার্টার, অনবোর্ড চার্জার) এবং শিল্প মোটর ড্রাইভে সম্প্রসারণ। বিশ্বব্যাপী শক্তি দক্ষতা মানের জন্য চালিকা শক্তি এই গ্রহণের জন্য একটি প্রাথমিক অনুঘটক হিসাবে অব্যাহত রয়েছে।