TO-252-3L 650V SiC Schottky Diode Datasheet - Package 6.6x9.84x2.3mm - Voltage 650V - Current 10A - English Technical Documentation

1. পণ্যের সারসংক্ষেপ

এই নথিটি একটি উচ্চ-কার্যকারিতা সিলিকন কার্বাইড (SiC) শটকি বাধা ডায়োড (SBD)-এর সম্পূর্ণ প্রযুক্তিগত বিবরণ সরবরাহ করে। ডিভাইসটি উচ্চ-ভোল্টেজ, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যেখানে দক্ষতা এবং তাপ ব্যবস্থাপনা গুরুত্বপূর্ণ। এটি একটি পৃষ্ঠ-মাউন্ট TO-252-3L (DPAK) প্যাকেজে আবদ্ধ, যা পাওয়ার সার্কিট ডিজাইনের জন্য একটি শক্তিশালী তাপীয় এবং বৈদ্যুতিক ইন্টারফেস অফার করে।

এই SiC শটকি ডায়োডের মূল সুবিধা এর উপাদান বৈশিষ্ট্যের মধ্যে নিহিত। প্রচলিত সিলিকন PN-জাংশন ডায়োডের বিপরীতে, একটি শটকি ডায়োডের একটি ধাতু-সেমিকন্ডাক্টর জাংশন থাকে, যা স্বাভাবিকভাবেই একটি কম ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ ড্রপ (V_F) এবং, গুরুত্বপূর্ণভাবে, প্রায়-শূন্য বিপরীত পুনরুদ্ধার চার্জ (Q_c). এই সংমিশ্রণটি পরিবাহী এবং সুইচিং ক্ষতি উভয়ই উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে, যা উচ্চতর সিস্টেম দক্ষতা এবং শক্তি ঘনত্ব সক্ষম করে।

এই উপাদানের লক্ষ্য বাজার হল উন্নত পাওয়ার রূপান্তর সিস্টেম। এর উচ্চ দক্ষতা এবং উচ্চ-গতির সুইচিংয়ের প্রাথমিক সুবিধাগুলি এটিকে আধুনিক, কমপ্যাক্ট এবং উচ্চ-নির্ভরযোগ্য পাওয়ার সাপ্লাইয়ের জন্য আদর্শ করে তোলে।

2. গভীর প্রযুক্তিগত প্যারামিটার বিশ্লেষণ

2.1 বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য

বৈদ্যুতিক প্যারামিটারগুলি বিভিন্ন অবস্থার অধীনে ডায়োডের কার্যকরী সীমা এবং কর্মক্ষমতা নির্ধারণ করে।

• Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM): 650V. এটি ডায়োডটি বারবার সহ্য করতে পারে এমন সর্বোচ্চ বিপরীত ভোল্টেজ। এটি সর্বজনীন এসি মেইনস (85-265VAC) থেকে পরিচালিত পাওয়ার ফ্যাক্টর করেকশন (PFC) স্টেজের মতো অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ভোল্টেজ রেটিং নির্ধারণ করে।
• Continuous Forward Current (I_F): 10A. ডিভাইসটি তার তাপীয় বৈশিষ্ট্য দ্বারা সীমাবদ্ধ, ক্রমাগত পরিচালনা করতে পারে এমন সর্বোচ্চ গড় ফরওয়ার্ড কারেন্ট এটি। ডেটাশিটটি এটি কেস তাপমাত্রা (T_C) 25°C এ নির্দিষ্ট করে।
• ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ (V_F): 1.48V (Typ.) I_F=10A, T_J=25°C. এই কম V_F SiC Schottky প্রযুক্তির একটি মূল সুবিধা, যা সরাসরি পরিবাহী ক্ষতি (P_{ক্ষতি} = V_F * আমি_F). লক্ষ্য করুন যে V_F একটি ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ রয়েছে, যা 175°C জংশন তাপমাত্রায় প্রায় 1.9V পর্যন্ত বৃদ্ধি পায়।
• বিপরীতমুখী প্রবাহ (I_R): V-এ 2µA (সাধারণত।)_R=520V, T_J=25°C। এই কম লিকেজ কারেন্ট ব্লকিং অবস্থায় উচ্চ দক্ষতা প্রদান করে।
• Total Capacitive Charge (Q_c): 15nC (Typ.) at V_R=400V। এটি স্যুইচিং পারফরম্যান্সের জন্য সম্ভবত সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ প্যারামিটার। Q_c ডায়োডের জাংশন ক্যাপাসিট্যান্সের দুই প্রান্তের ভোল্টেজ পরিবর্তন করতে যে চার্জ সরবরাহ/সরণ করতে হয় তা নির্দেশ করে। একটি নিম্ন Q_c ন্যূনতম স্যুইচিং লস এবং অত্যন্ত উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে অপারেশন সক্ষম করে।
• ক্যাপাসিট্যান্স সঞ্চিত শক্তি (E_C): 2.2µJ (Typ.) at V_R=400V। জাংশন ক্যাপাসিট্যান্স থেকে প্রাপ্ত এই প্যারামিটারটি বিপরীত বায়াসড অবস্থায় ডায়োডের বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রে সঞ্চিত শক্তি নির্দেশ করে। রেজোন্যান্ট সার্কিট ডিজাইনে এটি বিবেচনা করতে হবে।

2.2 সর্বোচ্চ রেটিং এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্য

এই প্যারামিটারগুলি নিরাপদ অপারেশনের পরম সীমা এবং ডিভাইসের তাপ ব্যবস্থাপনার ক্ষমতা নির্ধারণ করে।

• Surge Non-Repetitive Forward Current (I_FSM): 10ms অর্ধ-সাইন তরঙ্গের জন্য 16A। এই রেটিংটি ডায়োডের স্বল্পমেয়াদী ওভারলোড সহ্য করার ক্ষমতা নির্দেশ করে, যেমন ইনরাশ কারেন্ট।
• জাংশন তাপমাত্রা (T_J): সর্বোচ্চ 175°C। এই তাপমাত্রার উপরে ডিভাইস পরিচালনা করায় স্থায়ী ক্ষতি হতে পারে।
• Thermal Resistance, Junction-to-Case (R_θJC): 3.2°C/W (Typ.). This low thermal resistance is crucial for effective heat transfer from the silicon die to the package case and, subsequently, to the heatsink or PCB. The total power dissipation (P_D) is listed as 44W, but this is primarily limited by the maximum T_J এবং সিস্টেমের তাপ অপসারণের ক্ষমতা (R_θCA).

3. পারফরম্যান্স কার্ভ বিশ্লেষণ

The datasheet includes several characteristic curves essential for design engineers.

• V_F-I_F Characteristics: এই গ্রাফটি বিভিন্ন জাংশন তাপমাত্রায় ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ এবং ফরওয়ার্ড কারেন্টের মধ্যে সম্পর্ক দেখায়। এটি শুধুমাত্র ২৫°সে সাধারণ বিন্দুতে নয়, বরং প্রকৃত অপারেটিং অবস্থার অধীনে সঠিক পরিবাহী ক্ষতি গণনা করতে ব্যবহৃত হয়।
• V_R-I_R Characteristics: বিপরীত ভোল্টেজ এবং তাপমাত্রার একটি ফাংশন হিসাবে বিপরীত লিকেজ কারেন্ট চিত্রিত করে। এটি স্ট্যান্ডবাই ক্ষতি অনুমান এবং উচ্চ তাপমাত্রায় স্থিতিশীল ব্লকিং কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করার জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
• V_R-C_t Characteristics: দেখায় কিভাবে মোট ডায়োড ক্যাপাসিট্যান্স (C_t) বিপরীত ভোল্টেজ (V_R). এই অরৈখিক ক্যাপাসিট্যান্স উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং আচরণ এবং রেজোন্যান্ট সার্কিট ডিজাইনকে প্রভাবিত করে।
• সর্বোচ্চ I_F বনাম কেস তাপমাত্রা (T_C): একটি ডিরেটিং কার্ভ যা সংজ্ঞায়িত করে যে সর্বোচ্চ অনুমোদিত অবিচ্ছিন্ন ফরোয়ার্ড কারেন্ট কীভাবে হ্রাস পায় যখন কেসের তাপমাত্রা বৃদ্ধি পায়। এটি তাপীয় নকশার জন্য মৌলিক।
• পাওয়ার ডিসিপেশন বনাম কেস তাপমাত্রা: কারেন্ট ডেরেটিংয়ের মতোই, এই বক্ররেখাটি দেখায় যে ডিভাইসটি তার কেস তাপমাত্রার উপর ভিত্তি করে কতটা শক্তি অপচয় করতে পারে।
• I_FSM vs. Pulse Width (P_W): স্ট্যান্ডার্ড ১০মিলিসেকেন্ড ছাড়া অন্য পালস সময়কালের জন্য সার্জ কারেন্ট ক্ষমতা প্রদান করে, যা ফল্ট অবস্থা সহনশীলতা মূল্যায়নের অনুমতি দেয়।
• E_C-V_R Characteristics: সংরক্ষিত ক্যাপাসিটিভ শক্তি বিপরীত ভোল্টেজের বিপরীতে গ্রাফ করে, যা সফট-সুইচিং টপোলজিতে ক্ষতি গণনার জন্য উপযোগী।
• ট্রানজিয়েন্ট থার্মাল রেজিস্ট্যান্স (Z_θJC) বনাম পালস প্রস্থ: সংক্ষিপ্ত সুইচিং পালসের সময় তাপীয় কর্মক্ষমতা মূল্যায়নের জন্য এই বক্ররেখা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। একটি একক সংক্ষিপ্ত পালসের জন্য কার্যকর তাপীয় রোধ স্থির-অবস্থা R_θJC.

4. Mechanical and Package Information

4.1 Package Dimensions

The device uses the industry-standard TO-252-3L (DPAK) surface-mount package. Key dimensions from the outline drawing include:

• সামগ্রিক দৈর্ঘ্য (H): 9.84 মিমি (সাধারণত)
• সামগ্রিক প্রস্থ (E): 6.60 মিমি (সাধারণত)
• সামগ্রিক উচ্চতা (A): 2.30 মিমি (সাধারণত)
• লিড পিচ (e1): 2.28 মিমি (মৌলিক)
• ট্যাব মাত্রা (D1 x E1): 5.23 মিমি x 4.83 মিমি (সাধারণত)

বড় ধাতব ট্যাবটি প্রাথমিক তাপীয় পথ হিসেবে কাজ করে (ক্যাথোডের সাথে সংযুক্ত) এবং কার্যকর তাপ অপসারণের জন্য PCB-এর সংশ্লিষ্ট কপার প্যাডে সঠিকভাবে সোল্ডার করতে হবে।

4.2 পিন কনফিগারেশন এবং পোলারিটি

পিনআউট স্পষ্টভাবে সংজ্ঞায়িত করা হয়েছে:

• পিন 1: ক্যাথোড (K)
• Pin 2: Anode (A)
• Case (Tab): ক্যাথোড (K)

গুরুত্বপূর্ণ: কেসটি (বড় ধাতব ট্যাব) ক্যাথোডের সাথে বৈদ্যুতিকভাবে সংযুক্ত। শর্ট সার্কিট এড়াতে PCB লেআউটের সময় এ বিষয়টি বিবেচনায় নিতে হবে। ক্যাথোড নোডের সাথে ইচ্ছাকৃতভাবে সংযুক্ত না করা হলে, ট্যাবটিকে অন্যান্য নেট থেকে বিচ্ছিন্ন রাখতে হবে।

4.3 সুপারিশকৃত PCB প্যাড লেআউট

পৃষ্ঠ মাউন্টিংয়ের জন্য একটি প্রস্তাবিত ফুটপ্রিন্ট প্রদান করা হয়েছে। এই লেআউটটি সোল্ডার জয়েন্ট নির্ভরযোগ্যতা এবং তাপীয় কর্মক্ষমতার জন্য অপ্টিমাইজ করা হয়েছে। এতে সাধারণত ট্যাবের জন্য একটি বড় কেন্দ্রীয় প্যাড অন্তর্ভুক্ত থাকে যা অভ্যন্তরীণ তামার স্তর বা নীচের দিকের হিটসিঙ্কের সাথে তাপীয় ভায়ার মাধ্যমে সংযুক্ত, পাশাপাশি অ্যানোড এবং ক্যাথোড লিডের জন্য দুটি ছোট প্যাড থাকে।

5. সোল্ডারিং এবং অ্যাসেম্বলি নির্দেশিকা

যদিও এই উদ্ধৃতিতে নির্দিষ্ট রিফ্লো প্রোফাইল বিস্তারিতভাবে বর্ণনা করা হয়নি, তবে পাওয়ার SMD প্যাকেজের জন্য সাধারণ নির্দেশিকা প্রযোজ্য।

• রিফ্লো সোল্ডারিং: স্ট্যান্ডার্ড লেড-ফ্রি (Pb-Free) রিফ্লো প্রোফাইল উপযুক্ত। ট্যাবের বড় তাপীয় ভর সম্পূর্ণ সোল্ডার রিফ্লো নিশ্চিত করতে সামান্য প্রোফাইল সমন্বয়ের প্রয়োজন হতে পারে (যেমন, দীর্ঘ সোক সময় বা উচ্চতর পিক তাপমাত্রা)।
• থার্মাল ভায়াস: সর্বোত্তম তাপীয় কর্মক্ষমতার জন্য, ট্যাবের পিসিবি প্যাডে রিফ্লোর সময় সোল্ডার দিয়ে পূর্ণ একাধিক থার্মাল ভায়াস অন্তর্ভুক্ত করা উচিত। এই ভায়াসগুলি তাপ অভ্যন্তরীণ গ্রাউন্ড প্লেন বা নীচের দিকের কপার প্যাডে পরিবহন করে।
• মাউন্টিং টর্ক: যদি প্যাকেজটি একটি হিটসিঙ্কে সুরক্ষিত করতে একটি অতিরিক্ত স্ক্রু ব্যবহার করা হয় (ট্যাবের গর্তের মাধ্যমে), তবে একটি এম৩ বা ৬-৩২ স্ক্রুর জন্য সর্বোচ্চ টর্ক ৮.৮ এন·সেমি (বা ৮ lbf-in) হিসাবে নির্দিষ্ট করা হয়েছে। এটি অতিক্রম করলে প্যাকেজ ক্ষতিগ্রস্ত হতে পারে।
• সংরক্ষণের শর্তাবলী: ডিভাইসটি -55°C থেকে +175°C তাপমাত্রার সীমার মধ্যে একটি শুষ্ক, অ্যান্টি-স্ট্যাটিক পরিবেশে সংরক্ষণ করা উচিত।

6. Application Suggestions

6.1 Typical Application Circuits

এই ডায়োড নিম্নলিখিত অ্যাপ্লিকেশনের জন্য বিশেষভাবে ডিজাইন করা হয়েছে:

• Power Factor Correction (PFC) in Switch-Mode Power Supplies (SMPS): ক্রমাগত পরিবাহী মোড (CCM) বা ট্রানজিশন মোড (TM) PFC সার্কিটে বুস্ট ডায়োড হিসাবে ব্যবহৃত হয়। এর উচ্চ V_RRM বুস্টেড ভোল্টেজ পরিচালনা করে, যখন এর কম Q_c উচ্চ PFC কম্পাঙ্কে (প্রায়শই ৬৫-১০০ kHz+) সুইচিং ক্ষতি হ্রাস করে, সামগ্রিক দক্ষতা উন্নত করে।
• সোলার ইনভার্টার: ফটোভোলটাইক (PV) মাইক্রো-ইনভার্টার বা স্ট্রিং ইনভার্টারের বুস্ট পর্যায়ে ব্যবহৃত। সর্বাধিক শক্তি আহরণের জন্য উচ্চ দক্ষতা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
• আনইন্টারাপ্টেবল পাওয়ার সাপ্লাই (UPS): রেকটিফায়ার/চার্জার এবং ইনভার্টার পর্যায়ে দক্ষতা উন্নত করতে এবং আকার হ্রাস করতে ব্যবহৃত হয়।
• মোটর ড্রাইভ: মোটর চালনা ইনভার্টার ব্রিজে ফ্রিওহিলিং বা ক্ল্যাম্প ডায়োড অবস্থানে ব্যবহার করা যেতে পারে, যা উচ্চ-গতির সুইচিং থেকে উপকৃত হয়।
• ডেটা সেন্টার পাওয়ার সাপ্লাই: সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই এবং টেলিকম রেকটিফায়ার অত্যন্ত উচ্চ দক্ষতা (যেমন, 80 Plus Titanium) দাবি করে। এই ডায়োডের বৈশিষ্ট্যগুলো এই কঠোর প্রয়োজনীয়তা পূরণে সহায়তা করে।

6.2 Design Considerations

• Thermal Design: কম R_θJC কেস থেকে তাপ অপসারণ করা হলে কেবল কার্যকর। পর্যাপ্ত PCB তামার এলাকা, তাপীয় ভায়া এবং সম্ভবত একটি বাহ্যিক হিটসিঙ্ক প্রয়োজন। আপনার অনুমানকৃত সর্বোচ্চ কেস তাপমাত্রায় নিরাপদ অপারেটিং কারেন্ট নির্ধারণ করতে ডিরেটিং কার্ভ ব্যবহার করুন।
• সুইচিং লস গণনা: হার্ড-সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনের জন্য, সুইচিং লসগুলি প্রাথমিকভাবে ক্যাপাসিটিভ। প্রতি চক্রের ক্ষতি আনুমানিক 0.5 * C_oss(V) * V² * f_sw. The Q_c and E_C parameters provide more accurate methods for loss estimation.
• সমান্তরাল অপারেশন: ডেটাশিটে বলা হয়েছে, ডিভাইসটি থার্মাল রানওয়ে ছাড়াই সমান্তরাল অপারেশনের জন্য উপযুক্ত। এটি V-এর ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগের কারণে_F; যদি একটি ডায়োড উত্তপ্ত হয়, তার V_F বৃদ্ধি পায়, যার ফলে কারেন্ট শীতল সমান্তরাল ডিভাইসগুলিতে স্থানান্তরিত হয়, প্রাকৃতিক কারেন্ট শেয়ারিংকে উৎসাহিত করে।
• Snubber Circuits: অত্যন্ত দ্রুত সুইচিং এবং নিম্ন Q এর কারণে_rr, SiC Schottky diodes কখনও কখনও পরজীবী ইন্ডাকট্যান্স থেকে উচ্চতর ভোল্টেজ ওভারশুট (রিংগিং) সৃষ্টি করতে পারে। স্ট্রে ইন্ডাকট্যান্স কমানোর জন্য সতর্ক লেআউট এবং সম্ভাব্য একটি RC স্নাবার ব্যবহার প্রয়োজন হতে পারে।

7. Technical Comparison and Advantages

Compared to traditional silicon fast recovery diodes (FRDs) or even silicon carbide MOSFET body diodes, this SiC Schottky diode offers distinct advantages:

• বনাম সিলিকন PN ডায়োড: সবচেয়ে উল্লেখযোগ্য পার্থক্য হল রিভার্স রিকভারি চার্জ (Q_rr) এর অনুপস্থিতি। একটি সিলিকন ডায়োডের একটি বড় Q_rrথাকে, যা উল্লেখযোগ্য স্যুইচিং লস এবং রিভার্স রিকভারি কারেন্ট স্পাইক সৃষ্টি করে। SiC Schottky-এর Q_c সম্পূর্ণরূপে ক্যাপাসিটিভ, সুবিধাগুলিতে উল্লিখিত "মূলত কোনও স্যুইচিং লস নেই" এর দিকে পরিচালিত করে।
• বনাম সিলিকন শটকি ডায়োড: সিলিকন শটকি ডায়োডের V কম থাকে_F and fast switching but are limited to low voltage ratings (typically <200V). SiC technology enables Schottky performance at much higher voltages (650V and beyond).
• উচ্চতর সিস্টেম দক্ষতা: কম V_F এবং নগণ্য সুইচিং লসের সমন্বয় সরাসরি লোড রেঞ্জ জুড়ে পাওয়ার সাপ্লাই দক্ষতা বৃদ্ধি করে।
• হ্রাসকৃত কুলিং প্রয়োজনীয়তা: কম ক্ষতি মানে কম তাপ উৎপন্ন হয়। এটি ছোট হিটসিংক বা এমনকি প্যাসিভ কুলিংয়ের অনুমতি দিতে পারে, সিস্টেমের খরচ, আকার এবং ওজন হ্রাস করে।
• উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশন: পাওয়ার সাপ্লাই ডিজাইনকে উচ্চতর সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সিতে কাজ করতে সক্ষম করে। এটি ছোট চৌম্বকীয় উপাদান (ইন্ডাক্টর, ট্রান্সফরমার) ব্যবহারের অনুমতি দেয়, যা আরও শক্তি ঘনত্ব বৃদ্ধি করে।

8. প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন (প্রযুক্তিগত প্যারামিটারের ভিত্তিতে)

Q: The V_F is 1.48V, which seems higher than some silicon diodes. Is this a disadvantage?
A: While some silicon diodes may have a lower V_F কম কারেন্টে, তাদের V_F উচ্চ তাপমাত্রা এবং কারেন্টে উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি পায়। আরও গুরুত্বপূর্ণ হল, একটি সিলিকন ডায়োডের স্যুইচিং লস (Qrr এর কারণে) সাধারণত এই SiC Schottky-এর ক্যাপাসিটিভ স্যুইচিং লসের চেয়ে বহুগুণ বেশি। উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনে SiC ডিভাইসের মোট লস (কন্ডাকশন + স্যুইচিং) প্রায় সর্বদাই কম হয়।_rr) are typically orders of magnitude higher than the capacitive switching losses of this SiC Schottky. The total loss (conduction + switching) of the SiC device is almost always lower in high-frequency applications.

Q: আমি কি আমার বিদ্যমান সার্কিটে সরাসরি একটি সিলিকন ডায়োডের প্রতিস্থাপন হিসাবে এই ডায়োডটি ব্যবহার করতে পারি?
উত্তর: সতর্কতার সাথে পর্যালোচনা না করে নয়। যদিও পিনআউট সামঞ্জস্যপূর্ণ হতে পারে, সুইচিং আচরণ সম্পূর্ণ ভিন্ন। রিভার্স রিকভারি কারেন্টের অভাব সার্কিট প্যারাসিটিক্সের কারণে উচ্চতর ভোল্টেজ ওভারশুটের দিকে নিয়ে যেতে পারে। সংশ্লিষ্ট সুইচিং ট্রানজিস্টরের জন্য গেট ড্রাইভ সামঞ্জস্য করার প্রয়োজন হতে পারে, এবং স্নাবার সার্কিট পুনরায় টিউনিংয়ের প্রয়োজন হতে পারে। তাপীয় কর্মক্ষমতাও ভিন্ন হবে।

প্রশ্ন: এই ডায়োডের ব্যর্থতার প্রধান কারণ কী?
A> The most common failure modes for power diodes are thermal overstress (exceeding T_Jmax) এবং ভোল্টেজ ওভারস্ট্রেস (V_RRM ট্রানজিয়েন্টের কারণে)। নির্ভরযোগ্যতার জন্য শক্তিশালী তাপীয় নকশা, যথাযথ ভোল্টেজ ডিরেটিং এবং ভোল্টেজ স্পাইক থেকে সুরক্ষা (যেমন, TVS ডায়োড বা RC স্নাবার ব্যবহার করে) অপরিহার্য।

9. ব্যবহারিক নকশা কেস স্টাডি

দৃশ্যকল্প: একটি CCM PFC ফ্রন্ট-এন্ড সহ 500W, 80 Plus Platinum দক্ষতা সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই ডিজাইন করা।
নকশার পছন্দ: বুস্ট ডায়োড নির্বাচন করা।
বিশ্লেষণ: একটি ঐতিহ্যবাহী ৬০০ভি সিলিকন আল্ট্রাফাস্ট ডায়োডের Q_rr ৫০-১০০ nC হতে পারে। ১০০ kHz এর একটি PFC সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি এবং ৪০০ভি এর একটি বাস ভোল্টেজে, সুইচিং লস উল্লেখযোগ্য হবে। এই SiC শটকি ডায়োড ব্যবহার করে যার Q_c ১৫ nC, ক্যাপাসিটিভ সুইচিং লস প্রায় ৭০-৮৫% হ্রাস পায়। এই লস সঞ্চয় সরাসরি ফুল-লোড দক্ষতা ০.৫-১.০% উন্নত করে, প্লাটিনাম স্ট্যান্ডার্ড পূরণে সহায়তা করে। তদুপরি, হ্রাসপ্রাপ্ত তাপ উৎপাদন PFC পর্যায়ে একটি ছোট হিটসিঙ্কের অনুমতি দেয়, চূড়ান্ত পণ্যে স্থান ও খরচ সাশ্রয় করে।

10. অপারেটিং প্রিন্সিপল পরিচিতি

একটি স্কটকি ডায়োড ধাতু-সেমিকন্ডাক্টর জংশন দ্বারা গঠিত হয়, যা স্ট্যান্ডার্ড পিএন-জংশন ডায়োডের বিপরীত যেখানে সেমিকন্ডাক্টর-সেমিকন্ডাক্টর ব্যবহৃত হয়। যখন একটি উপযুক্ত ধাতু (যেমন, নিকেল) এন-টাইপ সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) ওয়েফারের উপর জমা করা হয়, তখন একটি স্কটকি বেরিয়ার তৈরি হয়। ফরোয়ার্ড বায়াসে, সেমিকন্ডাক্টর থেকে ইলেকট্রনগুলি এই বেরিয়ার অতিক্রম করে ধাতুতে প্রবেশ করার জন্য পর্যাপ্ত শক্তি অর্জন করে, তুলনামূলকভাবে কম ভোল্টেজ ড্রপ সহ কারেন্ট প্রবাহের অনুমতি দেয়। রিভার্স বায়াসে, বেরিয়ার প্রশস্ত হয়, কারেন্ট ব্লক করে। মূল পার্থক্য হল এটি একটি মেজরিটি-ক্যারিয়ার ডিভাইস; ড্রিফট রিজিয়নে মাইনরিটি ক্যারিয়ারগুলির (এই ক্ষেত্রে হোল) কোন ইনজেকশন এবং পরবর্তী স্টোরেজ নেই। অতএব, যখন ভোল্টেজ বিপরীত করা হয়, তখন সরানোর জন্য কোন সঞ্চিত চার্জ নেই (রিভার্স রিকভারি), শুধুমাত্র জংশন ক্যাপাসিট্যান্সের চার্জিং/ডিসচার্জিং। এই মৌলিক পদার্থবিদ্যা হল যা উচ্চ-গতির সুইচিং এবং কম কিউ সক্ষম করে।_c পারফরম্যান্স।

11. প্রযুক্তি প্রবণতা

সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) পাওয়ার ডিভাইসগুলি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে একটি উল্লেখযোগ্য প্রবণতার প্রতিনিধিত্ব করে, যা ঐতিহ্যগত সিলিকনের উপাদান সীমা অতিক্রম করে। এসআইসির বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ (4H-SiC-এর জন্য 3.26 eV বনাম Si-এর জন্য 1.12 eV) সহজাত সুবিধা প্রদান করে: উচ্চ ব্রেকডাউন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র (একটি নির্দিষ্ট ভোল্টেজের জন্য পাতলা, নিম্ন-প্রতিরোধী ড্রিফট স্তর সম্ভব করে), উচ্চ তাপীয় পরিবাহিতা (ভাল তাপ অপসারণ), এবং উচ্চতর তাপমাত্রায় কাজ করার ক্ষমতা। ডায়োডের জন্য, এসআইসি-তে স্কটকি কাঠামো উচ্চ ভোল্টেজ রেটিংয়ের সাথে দ্রুত সুইচিংয়ের সংমিশ্রণ সক্ষম করে, একটি সংমিশ্রণ যা সিলিকনের সাথে অপ্রাপ্য। চলমান উন্নয়ন নির্দিষ্ট অন-প্রতিরোধ (আর কমানোর উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করে।_DS(on)) SiC MOSFET-এর জন্য এবং V আরও কমাতে_F এবং SiC Schottky ডায়োডের জন্য ক্যাপাসিট্যান্স, একই সাথে উৎপাদন ফলন উন্নত করে খরচ কমানোর জন্য। বৈদ্যুতিক যানবাহন থেকে নবায়নযোগ্য শক্তি ব্যবস্থা পর্যন্ত সবকিছুতেই উচ্চতর শক্তি দক্ষতার জন্য বিশ্বব্যাপী চাহিদা দ্বারা এই গ্রহণযোগ্যতা চালিত হয়।