SiC Schottky ডায়োড TO-252-3L ডেটাশিট - প্যাকেজ ৬.৬x৯.৮৪x২.৩মিমি - ভোল্টেজ ৬৫০ভি - কারেন্ট ৪এ - বাংলা প্রযুক্তিগত নথি

১. পণ্য সংক্ষিপ্ত বিবরণ

এই নথিতে একটি উচ্চ-কর্মক্ষমতা সিলিকন কার্বাইড (SiC) স্কটকি ব্যারিয়ার ডায়োড (SBD) এর স্পেসিফিকেশন বিস্তারিত বর্ণনা করা হয়েছে, যা পৃষ্ঠ-মাউন্ট TO-252-3L প্যাকেজে রয়েছে, সাধারণত DPAK নামে পরিচিত। ডিভাইসটি উচ্চ-ভোল্টেজ, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ-দক্ষতা পাওয়ার রূপান্তর প্রয়োগের জন্য নকশা করা হয়েছে। এর মূল সুবিধা হল SiC উপাদানের মৌলিক বৈশিষ্ট্যে নিহিত, যা ঐতিহ্যবাহী সিলিকন-ভিত্তিক ডায়োডের তুলনায় উচ্চতর সুইচিং কর্মক্ষমতা এবং তাপীয় স্থিতিশীলতা সক্ষম করে।

এই উপাদানের প্রাথমিক লক্ষ্য বাজারগুলির মধ্যে রয়েছে আধুনিক পাওয়ার সাপ্লাই ডিজাইন, সৌর ইনভার্টারের মতো নবায়নযোগ্য শক্তি সিস্টেম, মোটর ড্রাইভ সার্কিট এবং ডেটা সেন্টার পাওয়ার অবকাঠামো। এটি বিশেষভাবে এমন প্রয়োগের জন্য উপযুক্ত যেখানে ন্যূনতম সুইচিং লস এবং উচ্চ পাওয়ার ঘনত্ব প্রয়োজন।

২. গভীর প্রযুক্তিগত প্যারামিটার বিশ্লেষণ

২.১ পরম সর্বোচ্চ রেটিং

ডিভাইসটি ৬৫০ভি পুনরাবৃত্ত শীর্ষ বিপরীত ভোল্টেজ (VRRM) এর জন্য রেট করা হয়েছে, যার সাথে মিলছে ডিসি ব্লকিং ভোল্টেজ (VR)। সর্বোচ্চ অবিচ্ছিন্ন ফরওয়ার্ড কারেন্ট (IF) হল ৪এ, যা তাপীয় বিবেচনা দ্বারা সীমাবদ্ধ। একটি মূল রোবাস্টনেস প্যারামিটার হল ১০মিলিসেকেন্ডের অর্ধ-সাইন ওয়েভ পালসের জন্য ১২এ এর অ-পুনরাবৃত্ত সার্জ কারেন্ট (IFSM), যা স্বল্প-পরিসরের বা ইনরাশ কারেন্ট অবস্থা সামলানোর ক্ষমতা নির্দেশ করে। সর্বোচ্চ জংশন তাপমাত্রা (TJ) হল ১৭৫°সে, যা উপরের কার্যকরী সীমা নির্ধারণ করে।

২.২ বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য

ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ (VF) কন্ডাকশন লসের জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ প্যারামিটার। রেটেড কারেন্ট ৪এ এবং জংশন তাপমাত্রা ২৫°সে-এ, সাধারণ VF হল ১.৪ভি, সর্বোচ্চ ১.৭৫ভি। এই কম মান সরাসরি উচ্চতর সিস্টেম দক্ষতায় অবদান রাখে। বিপরীত লিকেজ কারেন্ট (IR) অসাধারণভাবে কম, সাধারণত ৫২০ভি এবং ২৫°সে-এ ১µএ, যা অফ-স্টেট পাওয়ার ডিসিপেশন কমিয়ে দেয়।

SiC স্কটকি ডায়োডের একটি নির্ধারিত বৈশিষ্ট্য হল বিপরীত পুনরুদ্ধার চার্জের অনুপস্থিতি, যেমন "জিরো রিভার্স রিকভারি কারেন্ট" দাবি দ্বারা নির্দেশিত। পরিবর্তে, সুইচিং আচরণ ক্যাপাসিটিভ চার্জ দ্বারা চিহ্নিত করা হয়। মোট ক্যাপাসিটিভ চার্জ (QC) ৪০০ভি-এ ৬.৪nC হিসাবে নির্দিষ্ট করা হয়েছে। এই প্যারামিটার, মোট ক্যাপাসিট্যান্স (Ct) এর সাথে যা বিপরীত ভোল্টেজ বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায় (যেমন, ২০০ভি-এ ১২pF, ৪০০ভি-এ ১০pF), উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সার্কিটে ক্যাপাসিটিভ সুইচিং লস গণনার জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

২.৩ তাপীয় বৈশিষ্ট্য

জংশন থেকে কেস পর্যন্ত তাপীয় রোধ (RθJC) হল ৫.৯°সে/ওয়াট (সাধারণ)। এই কম মান সেমিকন্ডাক্টর ডাই থেকে পিসিবি বা হিটসিঙ্কে কার্যকর তাপ স্থানান্তরের জন্য অপরিহার্য। সর্বোচ্চ মোট পাওয়ার ডিসিপেশন (PD) হল ২৫ওয়াট, কিন্তু ব্যবহারিক সীমা প্রয়োগের তাপীয় ব্যবস্থাপনা এবং পরিবেশগত অবস্থা দ্বারা নির্ধারিত হয়।

৩. কর্মক্ষমতা বক্ররেখা বিশ্লেষণ

ডেটাশিটে বেশ কয়েকটি সাধারণ কর্মক্ষমতা গ্রাফ অন্তর্ভুক্ত রয়েছে যা ডিজাইন ইঞ্জিনিয়ারদের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

৩.১ VF-IF বৈশিষ্ট্য

এই গ্রাফটি বিভিন্ন জংশন তাপমাত্রায় ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ এবং ফরওয়ার্ড কারেন্টের মধ্যে সম্পর্ক দেখায়। এটি চিত্রিত করে কীভাবে VF এর একটি নেতিবাচক তাপমাত্রা সহগ রয়েছে, তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সামান্য হ্রাস পায়, যা স্কটকি ডায়োডের একটি বৈশিষ্ট্য।

৩.২ VR-IR বৈশিষ্ট্য

এই বক্ররেখা বিপরীত লিকেজ কারেন্টকে বিপরীত ভোল্টেজের বিপরীতে প্লট করে, সাধারণত ভোল্টেজ এবং তাপমাত্রা উভয় বৃদ্ধির সাথে IR-এ সূচকীয় বৃদ্ধি দেখায়, যা উচ্চ তাপমাত্রায় ভোল্টেজ ডিরেটিং এর গুরুত্ব তুলে ধরে।

৩.৩ কেস তাপমাত্রার বিপরীতে সর্বোচ্চ ফরওয়ার্ড কারেন্ট

এই ডিরেটিং বক্ররেখা কার্যকরী কেস তাপমাত্রা (TC) এর ভিত্তিতে সর্বাধিক অনুমোদিত অবিচ্ছিন্ন কারেন্ট নির্ধারণের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। এটি নিশ্চিত করে যে জংশন তাপমাত্রা তার সর্বোচ্চ রেটিং অতিক্রম করে না।

৩.৪ কেস তাপমাত্রার বিপরীতে পাওয়ার ডিসিপেশন

কারেন্ট ডিরেটিং এর মতোই, এই গ্রাফটি দেখায় কীভাবে সর্বাধিক অনুমোদিত পাওয়ার ডিসিপেশন কেস তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায়।

৩.৫ ট্রানজিয়েন্ট থার্মাল ইম্পিডেন্স

এই গ্রাফটি স্বল্প পাওয়ার পালসের প্রতি ডায়োডের তাপীয় প্রতিক্রিয়া মূল্যায়নের জন্য অপরিহার্য। এটি পালস প্রস্থের একটি ফাংশন হিসাবে জংশন থেকে কেস পর্যন্ত কার্যকর তাপীয় রোধ দেখায়, যা সুইচিং ইভেন্টের সময় শীর্ষ জংশন তাপমাত্রার সঠিক গণনা করতে দেয়।

৪. যান্ত্রিক ও প্যাকেজ তথ্য

৪.১ প্যাকেজ রূপরেখা ও মাত্রা

ডিভাইসটি TO-252-3L (DPAK) প্যাকেজ ব্যবহার করে। মূল মাত্রাগুলির মধ্যে রয়েছে সামগ্রিক প্যাকেজ উচ্চতা (H) ৯.৮৪মিমি (সাধারণ), দৈর্ঘ্য (E) ৬.৬০মিমি (সাধারণ) এবং প্রস্থ (D) ৬.১০মিমি (সাধারণ)। লিড পিচ (e) হল ২.২৮মিমি (মৌলিক)। সমস্ত গুরুত্বপূর্ণ মাত্রার জন্য সর্বনিম্ন, সাধারণ এবং সর্বোচ্চ মান সহ বিস্তারিত যান্ত্রিক অঙ্কন সরবরাহ করা হয়েছে যাতে সঠিক পিসিবি ফুটপ্রিন্ট ডিজাইন এবং অ্যাসেম্বলি ক্লিয়ারেন্স নিশ্চিত করা যায়।

৪.২ পিন কনফিগারেশন ও পোলারিটি

পিনআউট স্পষ্টভাবে সংজ্ঞায়িত: পিন ১ হল ক্যাথোড, পিন ২ হল অ্যানোড, এবং ধাতব ট্যাব (কেস) ক্যাথোডের সাথে সংযুক্ত। ইনস্টলেশনের সময় ডিভাইস ব্যর্থতা রোধ করতে সঠিক পোলারিটি সনাক্তকরণ অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

৪.৩ সুপারিশকৃত পিসিবি প্যাড লেআউট

সোল্ডার জয়েন্টের নির্ভরযোগ্যতা এবং তাপীয় কর্মক্ষমতা অপ্টিমাইজ করার জন্য একটি প্রস্তাবিত পৃষ্ঠ-মাউন্ট প্যাড লেআউট অন্তর্ভুক্ত করা হয়েছে। এই লেআউট অনুসরণ করা সঠিক সোল্ডার ফিলেট অর্জন এবং উন্মুক্ত ধাতব ট্যাবের মাধ্যমে কার্যকর তাপ অপসারণে সহায়তা করে।

৫. সোল্ডারিং ও অ্যাসেম্বলি নির্দেশিকা

যদিও নির্দিষ্ট রিফ্লো প্রোফাইল প্রদত্ত অংশে বিস্তারিতভাবে বর্ণনা করা হয়নি, সীসা-মুক্ত উপাদানগুলির পৃষ্ঠ-মাউন্ট অ্যাসেম্বলির জন্য স্ট্যান্ডার্ড IPC/JEDEC নির্দেশিকা অনুসরণ করা উচিত। ডিভাইসটি Pb-মুক্ত এবং হ্যালোজেন-মুক্ত হিসাবে নির্দিষ্ট করা হয়েছে, RoHS নির্দেশিকাগুলির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ। লিডগুলিতে যান্ত্রিক চাপ এড়াতে পরিচালনার সময় সতর্কতা অবলম্বন করতে হবে। আর্দ্রতা শোষণ রোধ করতে শুষ্ক, নিয়ন্ত্রিত পরিবেশে সংরক্ষণ করা উচিত, যা রিফ্লো সোল্ডারিংয়ের সময় "পপকর্নিং" হতে পারে।

৬. প্রয়োগের সুপারিশ

৬.১ সাধারণ প্রয়োগ সার্কিট

এই ডায়োডটি পাওয়ার ফ্যাক্টর সংশোধন (PFC) পর্যায়ে বুস্ট ডায়োড হিসাবে, ব্রিজ সার্কিটে ফ্রিওহিলিং ডায়োড হিসাবে এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি AC/DC বা DC/DC কনভার্টারে আউটপুট রেকটিফায়ার হিসাবে ব্যবহারের জন্য আদর্শভাবে উপযুক্ত। এর দ্রুত সুইচিং ক্ষমতা এটিকে দশ থেকে শত কিলোহার্টজ পরিসরে কাজ করা সার্কিটের জন্য চমৎকার করে তোলে।

৬.২ ডিজাইন বিবেচ্য বিষয়

• সুইচিং লস:যদিও বিপরীত পুনরুদ্ধার লস নগণ্য, ক্যাপাসিটিভ সুইচিং লস (QC * V^2 * f এর সমানুপাতিক) অত্যন্ত উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং ভোল্টেজে উল্লেখযোগ্য হয়ে ওঠে। এটি অবশ্যই গণনা করতে হবে।
• তাপীয় ব্যবস্থাপনা:কম RθJC কার্যকর তাপ স্থানান্তর করতে দেয়। ক্যাথোড ট্যাবের সাথে সংযুক্ত পিসিবিতে পর্যাপ্ত বড় তামার এলাকা হিটসিঙ্ক হিসাবে কাজ করার জন্য প্রয়োজনীয়। তাপীয় ভায়াসগুলি তাপকে ভিতরের বা নীচের স্তরে স্থানান্তর করতে ব্যবহার করা যেতে পারে।
• সমান্তরাল ডিভাইস:VF এর ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ একাধিক ডায়োড সমান্তরালভাবে সংযুক্ত হলে কারেন্ট শেয়ারিং-এর সুবিধা দেয়, তাপীয় রানওয়ে এর ঝুঁকি হ্রাস করে।
• ভোল্টেজ স্পাইক:ইন্ডাকটিভ সুইচিং সার্কিটে, ভোল্টেজ ওভারশুট পরিচালনা করতে এবং VRRM রেটিং অতিক্রম করা রোধ করতে সঠিক স্নাবার ডিজাইন বা সতর্ক লেআউট প্রয়োজন।

৭. প্রযুক্তিগত তুলনা ও সুবিধা

সিলিকন PN জংশন ফাস্ট রিকভারি ডায়োড (FRD) বা এমনকি সিলিকন স্কটকি ডায়োডের তুলনায়, এই SiC স্কটকি ডায়োড স্বতন্ত্র সুবিধা প্রদান করে:

• জিরো রিভার্স রিকভারি:সিলিকন FRD-এ সুইচিং লস এবং EMI-এর একটি প্রধান উৎস দূর করে, উচ্চতর দক্ষতা এবং ফ্রিকোয়েন্সি সক্ষম করে।
• উচ্চতর অপারেটিং তাপমাত্রা:অনেক সিলিকন ডিভাইসের জন্য সাধারণত ১৫০°সে-এর বিপরীতে TJ,max ১৭৫°সে, যা আরও কমপ্যাক্ট ডিজাইন বা উচ্চতর পরিবেষ্টিত তাপমাত্রায় অপারেশন অনুমতি দেয়।
• উচ্চতর ভোল্টেজ রেটিং:সিলিকন স্কটকি ডায়োড সাধারণত ২০০ভি-এর নিচে সীমাবদ্ধ। এই ৬৫০ভি রেটিং মূলধারার অফলাইন পাওয়ার সাপ্লাইতে ব্যবহারের সুযোগ খুলে দেয়।
• উচ্চ তাপমাত্রায় কম ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ:SiC স্কটকি ডায়োডের VF তুলনামূলকভাবে স্থিতিশীল থাকে বা এমনকি তাপমাত্রার সাথে হ্রাস পায়, সিলিকন ডায়োডের মতো নয় যেখানে এটি বৃদ্ধি পায়, যা গরম অবস্থার অধীনে আরও ভাল কর্মক্ষমতার দিকে নিয়ে যায়।

৮. প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন (FAQs)

প্র: "জিরো রিভার্স রিকভারি কারেন্ট" এর অর্থ অনুশীলনে কী?

উ: এর অর্থ হল যখন ডায়োড কন্ডাক্টিং থেকে ব্লকিং-এ সুইচ করে, তখন কোনও সংরক্ষিত সংখ্যালঘু বাহক চার্জ নেই যা অপসারণ (পুনরুদ্ধার) করা দরকার। কারেন্ট প্রায় তাত্ক্ষণিকভাবে বন্ধ হয়ে যায়, স্ট্যান্ডার্ড PN ডায়োডে দেখা বিপরীত পুনরুদ্ধার কারেন্ট স্পাইক এবং সংশ্লিষ্ট পাওয়ার লস দূর করে।

প্র: আমি কিভাবে এই ডায়োডের জন্য সুইচিং লস গণনা করব?

উ: এই ক্যাপাসিটিভ-সুইচিং ডিভাইসের জন্য, প্রভাবশালী গতিশীল লস হল প্রতিটি চক্রে এর জংশন ক্যাপাসিট্যান্স চার্জ করার জন্য প্রয়োজনীয় শক্তি। প্রতি চক্রের লস আনুমানিক ০.৫ * C(VR) * VR^2 হিসাবে অনুমান করা যেতে পারে, যেখানে C(VR) হল ভোল্টেজ-নির্ভর ক্যাপাসিট্যান্স। সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি (f) দ্বারা গুণ করে পাওয়ার লস পান: P_sw ≈ ০.৫ * C(VR) * VR^2 * f। QC প্যারামিটার লস অনুমানের জন্য আরেকটি পদ্ধতি প্রদান করে।

প্র: আমি কি সরাসরি একটি সিলিকন আল্ট্রা-ফাস্ট ডায়োড প্রতিস্থাপন করতে এই ডায়োড ব্যবহার করতে পারি?

উ: বৈদ্যুতিকভাবে, অনেক ক্ষেত্রে, হ্যাঁ, এবং এটি সম্ভবত দক্ষতা উন্নত করবে। যাইহোক, আপনাকে নিশ্চিত করতে হবে যে লেআউট এবং তাপীয় ডিজাইন পর্যাপ্ত, কারণ সুইচিং আচরণ (ক্যাপাসিটিভ বনাম রিকভারি) ভিন্ন এবং ভোল্টেজ রিংগিং প্রভাবিত করতে পারে। এছাড়াও, নিশ্চিত করুন যে কোনও সংশ্লিষ্ট সুইচিং ট্রানজিস্টরের জন্য গেট ড্রাইভ সম্ভাব্য ভিন্ন সুইচিং গতিবিদ্যা সামলানোর জন্য যথেষ্ট শক্তিশালী।

প্র: সার্জ কারেন্ট রেটিং কেন গুরুত্বপূর্ণ?

উ: এটি ডায়োডের অপ্রত্যাশিত ফল্ট অবস্থা সহ্য করার ক্ষমতা নির্দেশ করে, যেমন পাওয়ার আপে একটি বড় ক্যাপাসিটর চার্জ করার সময় প্রাথমিক ইনরাশ কারেন্ট, বা একটি অস্থায়ী শর্ট-সার্কিট ইভেন্ট। এটি ডিজাইনে রোবাস্টনেসের একটি স্তর যোগ করে।

৯. ডিজাইন ও ব্যবহার কেস স্টাডি

পরিস্থিতি: একটি ১কিলোওয়াট টোটেম-পোল PFC পর্যায় ডিজাইন করা।

১০০কিলোহার্টজে কাজ করা একটি আধুনিক ব্রিজলেস টোটেম-পোল PFC সার্কিটে, ঐতিহ্যবাহী সিলিকন বুস্ট ডায়োড হল ক্ষতির একটি প্রধান উৎস। এটিকে এই ৬৫০ভি SiC স্কটকি ডায়োড দিয়ে প্রতিস্থাপন করলে উল্লেখযোগ্য সুবিধা পাওয়া যাবে। জিরো রিভার্স রিকভারি কমপ্লিমেন্টারি MOSFET-এ টার্ন-অন লস দূর করে যা ঘটে যখন ডায়োডের রিকভারি কারেন্ট কমিউটেটেড হয়। এটি উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশন অনুমতি দেয়, চৌম্বকীয় উপাদানগুলির (ইন্ডাক্টর) আকার হ্রাস করে। কম ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ কন্ডাকশন লস হ্রাস করে। ডিজাইনারকে অবশ্যই ৪০০ভি ডিসি বাস ভোল্টেজ এবং ১০০কিলোহার্টজে SiC ডায়োডের ক্যাপাসিটিভ টার্ন-অফ লস সাবধানে মডেল করতে হবে যাতে এটি গ্রহণযোগ্য তা নিশ্চিত করতে, এবং আনুমানিক ~৩-৪ওয়াট কন্ডাকশন লস পরিচালনা করতে ডায়োডের ট্যাবের সাথে সংযুক্ত একটি বড়, পুরু কপার পোর সহ পিসিবি ডিজাইন করতে হবে।

১০. কার্যপ্রণালী

একটি স্কটকি ডায়োড একটি PN সেমিকন্ডাক্টর জংশনের পরিবর্তে একটি ধাতু-সেমিকন্ডাক্টর জংশন দ্বারা গঠিত হয়। এই ধাতু-SiC জংশন একটি স্কটকি ব্যারিয়ার তৈরি করে যা শুধুমাত্র সংখ্যাগরিষ্ঠ বাহক পরিবহনের অনুমতি দেয় (এন-টাইপ SiC সাবস্ট্রেটে ইলেকট্রন)। যখন ফরওয়ার্ড বায়াসড হয়, ইলেকট্রনগুলির ব্যারিয়ার অতিক্রম করার জন্য পর্যাপ্ত শক্তি থাকে, কারেন্ট প্রবাহ সক্ষম করে। যখন বিপরীত বায়াসড হয়, ব্যারিয়ার প্রসারিত হয়, কারেন্ট ব্লক করে। সংখ্যালঘু বাহক ইনজেকশন এবং স্টোরেজের অনুপস্থিতি হল আল্ট্রা-ফাস্ট সুইচিং এবং বিপরীত পুনরুদ্ধারের অভাবের মৌলিক কারণ। সিলিকন কার্বাইডের প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ উপাদানটিকে উচ্চ সমালোচনামূলক বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র শক্তি প্রদান করে, সিলিকনের তুলনায় একটি নির্দিষ্ট ভোল্টেজ রেটিংয়ের জন্য পাতলা ড্রিফট স্তর এবং এইভাবে কম অন-রেজিস্ট্যান্স এবং ক্যাপাসিট্যান্স সক্ষম করে।

সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার ডিভাইসগুলি আরও দক্ষ এবং কমপ্যাক্ট পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের দিকে বিবর্তনের জন্য একটি মূল সক্ষম প্রযুক্তি। প্রবণতাগুলির মধ্যে রয়েছে ক্রমবর্ধমান ভোল্টেজ রেটিং (অটোমোটিভ এবং শিল্প ড্রাইভের জন্য ১.২কেভি এবং ১.৭কেভির দিকে), ছোট প্যাকেজে উচ্চতর কারেন্ট ঘনত্ব, এবং কো-প্যাকেজড মডিউলগুলিতে SiC স্কটকি ডায়োডের সাথে SiC MOSFET-এর একীকরণ। উত্পাদনের পরিমাণ বৃদ্ধি এবং খরচ হ্রাস পাওয়ার সাথে সাথে, SiC বিশ্বব্যাপী শক্তি দক্ষতা এবং বিদ্যুতায়নের চাহিদা দ্বারা চালিত হয়ে বিশেষায়িত প্রয়োগ থেকে মূলধারার ভোক্তা, শিল্প এবং অটোমোটিভ পাওয়ার সাপ্লাইতে স্থানান্তরিত হচ্ছে। উন্নয়নটি ওয়েফার গুণমান উন্নত করা, ত্রুটি ঘনত্ব হ্রাস করা এবং ডিভাইস কাঠামো অপ্টিমাইজ করার উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করে যাতে নির্দিষ্ট অন-রেজিস্ট্যান্স এবং ক্যাপাসিট্যান্স আরও কমিয়ে আনা যায়।

Silicon Carbide power devices are a key enabling technology for the evolution towards more efficient and compact power electronics. Trends include increasing voltage ratings (towards 1.2kV and 1.7kV for automotive and industrial drives), higher current density in smaller packages, and the integration of SiC Schottky diodes with SiC MOSFETs in co-packaged modules. As manufacturing volumes increase and costs decrease, SiC is moving from niche applications into mainstream consumer, industrial, and automotive power supplies, driven by global demands for energy efficiency and electrification. The development focuses on improving wafer quality, reducing defect densities, and optimizing device structures to further lower specific on-resistance and capacitance.