LTE-1252 ইনফ্রারেড ইমিটার এবং ডিটেক্টর ডেটাশিট - ৯৪০nm তরঙ্গদৈর্ঘ্য - ১০০mA ফরওয়ার্ড কারেন্ট - ১.৫৩V টাইপিক্যাল ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ - ৫.০x৩.৮x৩.৫mm প্যাকেজ - বাংলা প্রযুক্তিগত ডকুমেন্টেশন

১. পণ্য সংক্ষিপ্ত বিবরণ

LTE-1252 হল একটি বিচ্ছিন্ন ইনফ্রারেড (আইআর) ইমিটার কম্পোনেন্ট যা অপটোইলেকট্রনিক্সের বিস্তৃত প্রয়োগের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। এটি ৯৪০nm শিখর নির্গমন তরঙ্গদৈর্ঘ্যে কাজ করে, যা দৃশ্যমান আলো অপ্রয়োজনীয় এমন পরিবেশে ব্যবহারের জন্য উপযোগী। ডিভাইসটি স্বচ্ছ প্লাস্টিক প্যাকেজে নির্মিত, যা একটি প্রশস্ত দর্শন কোণ এবং উচ্চ বিকিরণ তীব্রতা এবং উচ্চ-কারেন্ট, নিম্ন ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ অপারেশনের জন্য উপযোগীতা প্রদান করে।

১.১ প্রধান বৈশিষ্ট্য

• সীসা (Pb) মুক্ত এবং RoHS সম্মত নির্মাণ।
• উচ্চ কারেন্ট এবং নিম্ন ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ অপারেশনের জন্য অপ্টিমাইজড।
• কম খরচের ক্ষুদ্র প্লাস্টিক এন্ড-লুকিং প্যাকেজ।
• প্রশস্ত কভারেজের জন্য প্রশস্ত দর্শন কোণ।
• উচ্চ বিকিরণ তীব্রতা আউটপুট।
• স্বচ্ছ প্যাকেজ।

১.২ লক্ষ্য প্রয়োগসমূহ

• রিমোট কন্ট্রোল ইউনিটের জন্য ইনফ্রারেড ইমিটার।
• প্রক্সিমিটি বা বস্তু শনাক্তকরণের জন্য সেন্সর সিস্টেম।
• নিরাপত্তা সিস্টেমে নাইট ভিশন আলোকসজ্জা।
• আইআর ওয়্যারলেস ডেটা ট্রান্সমিশন লিংক।
• নিরাপত্তা এলার্ম সিস্টেম।

২. প্রযুক্তিগত প্যারামিটার গভীর বিশ্লেষণ

এই বিভাগটি LTE-1252 আইআর ইমিটারের জন্য নির্দিষ্ট করা প্রধান বৈদ্যুতিক এবং অপটিক্যাল প্যারামিটারের একটি বিস্তারিত, বস্তুনিষ্ঠ ব্যাখ্যা প্রদান করে।

২.১ সর্বোচ্চ পরম রেটিং

এই রেটিংগুলি সেই সীমা নির্ধারণ করে যার বাইরে ডিভাইসের স্থায়ী ক্ষতি হতে পারে। এই সীমার নিচে বা এতে অপারেশন নিশ্চিত করা হয় না।

• পাওয়ার ডিসিপেশন (Pd):১৫০ mW। এটি হল সর্বোচ্চ শক্তি যা ডিভাইসটি ২৫°C পরিবেষ্টিত তাপমাত্রায় (TA) তাপ হিসাবে অপসারণ করতে পারে। এই সীমা অতিক্রম করলে তাপীয় ক্ষতির ঝুঁকি থাকে।
• পিক ফরওয়ার্ড কারেন্ট (IFP):১ A। এটি নির্দিষ্ট শর্তে (প্রতি সেকেন্ডে ৩০০ পালস, ১০μs পালস প্রস্থ) সর্বোচ্চ অনুমোদিত পালস কারেন্ট। এটি অবিচ্ছিন্ন কারেন্ট রেটিং থেকে উল্লেখযোগ্যভাবে বেশি, যা সংক্ষিপ্ত, উচ্চ-তীব্রতার বিস্ফোরণের অনুমতি দেয়।
• অবিচ্ছিন্ন ফরওয়ার্ড কারেন্ট (IF):১০০ mA। সর্বোচ্চ DC কারেন্ট যা ডিভাইসের ক্ষতি না করে অবিচ্ছিন্নভাবে প্রয়োগ করা যেতে পারে।
• রিভার্স ভোল্টেজ (VR):৫ V। বিপরীত দিকে প্রয়োগ করা যেতে পারে এমন সর্বোচ্চ ভোল্টেজ। ডেটাশিট স্পষ্টভাবে উল্লেখ করেছে যে এই শর্তটি শুধুমাত্র পরীক্ষার জন্য, এবং ডিভাইসটি বিপরীত অপারেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়নি।
• অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা (Topr):-৪০°C থেকে +৮৫°C। পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা পরিসীমা যার মধ্যে ডিভাইসটি কাজ করার জন্য নির্দিষ্ট করা হয়েছে।
• স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা (Tstg):-৫৫°C থেকে +১০০°C। অপারেশনহীন স্টোরেজের জন্য তাপমাত্রা পরিসীমা।
• লিড সোল্ডারিং তাপমাত্রা:২৬০°C ৫ সেকেন্ডের জন্য, বডি থেকে ২.০mm দূরত্বে পরিমাপ করা। এটি হ্যান্ড-সোল্ডারিং তাপীয় প্রোফাইল সীমা নির্ধারণ করে।

২.২ বৈদ্যুতিক ও অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য

এগুলি হল সাধারণ এবং নিশ্চিত পারফরম্যান্স প্যারামিটার যা TA=২৫°C এবং নির্দিষ্ট পরীক্ষার শর্তে পরিমাপ করা হয়েছে।

• বিকিরণ তীব্রতা (Ie):৪০ mW/sr (ন্যূনতম), ৭০ mW/sr (সাধারণ) IF=১০০mA, θ=০° এ। এটি কেন্দ্রীয় অক্ষ বরাবর প্রতি একক কঠিন কোণে নির্গত অপটিক্যাল শক্তি পরিমাপ করে, যা উজ্জ্বলতা নির্দেশ করে।
• পিক নির্গমন তরঙ্গদৈর্ঘ্য (λPeak):৯৪০ nm (সাধারণ) IF=১০০mA এ। যে তরঙ্গদৈর্ঘ্যে নির্গত অপটিক্যাল শক্তি সর্বোচ্চ।
• স্পেকট্রাল লাইন হাফ-উইডথ (Δλ):৫৪ nm (সাধারণ) IF=১০০mA এ। এই প্যারামিটারটি বর্ণালী ব্যান্ডউইথ নির্ধারণ করে; ৫৪nm মান নির্দেশ করে যে নির্গত আলো একরঙা নয় বরং শিখরের চারপাশে তরঙ্গদৈর্ঘ্যের একটি পরিসীমা জুড়ে বিস্তৃত।
• ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ (VF):১.৩০V (ন্যূনতম), ১.৫৩V (সাধারণ), ১.৮৩V (সর্বোচ্চ) IF=১০০mA এ। নির্দিষ্ট ফরওয়ার্ড কারেন্ট পরিচালনা করার সময় ডিভাইস জুড়ে ভোল্টেজ ড্রপ। সাধারণত নিম্ন VF উচ্চ দক্ষতার দিকে নিয়ে যায়।
• রিভার্স কারেন্ট (IR):১০০ μA (সর্বোচ্চ) VR=৫V এ। নির্দিষ্ট বিপরীত ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হলে প্রবাহিত ছোট লিকেজ কারেন্ট।
• মান কোণ (θ0.5):৪০° (সাধারণ)। যে দর্শন কোণে বিকিরণ তীব্রতা ০° এ এর মানের অর্ধেকে নেমে আসে। একটি ৪০° কোণ যুক্তিসঙ্গতভাবে প্রশস্ত নির্গমন প্যাটার্ন প্রদান করে।

৩. পারফরম্যান্স কার্ভ বিশ্লেষণ

সাধারণ বৈশিষ্ট্য কার্ভগুলি বিভিন্ন অবস্থার অধীনে ডিভাইসের আচরণের চাক্ষুষ অন্তর্দৃষ্টি প্রদান করে।

৩.১ বর্ণালী বন্টন (চিত্র.১)

কার্ভটি তরঙ্গদৈর্ঘ্যের একটি ফাংশন হিসাবে আপেক্ষিক বিকিরণ তীব্রতা দেখায়। এটি ৯৪০nm এ শিখর এবং বর্ণালী অর্ধ-প্রস্থ নিশ্চিত করে, যা চিত্রিত করে যে ইমিটারটি প্রাথমিকভাবে ৮৮০nm থেকে ১০০০nm পরিসরের মধ্যে ইনফ্রারেড আলো আউটপুট করে।

৩.২ ফরওয়ার্ড কারেন্ট বনাম পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা (চিত্র.২)

এই গ্রাফটি পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সর্বোচ্চ অনুমোদিত ফরওয়ার্ড কারেন্টের হ্রাস চিত্রিত করে। ডিভাইসটি তার নিরাপদ অপারেটিং এরিয়া (SOA) এর মধ্যে কাজ করে তা নিশ্চিত করার জন্য তাপীয় ব্যবস্থাপনা ডিজাইনের জন্য এটি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

৩.৩ ফরওয়ার্ড কারেন্ট বনাম ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ (চিত্র.৩)

IV কার্ভটি কারেন্ট এবং ভোল্টেজের মধ্যে সূচকীয় সম্পর্ক দেখায়, যা একটি ডায়োডের সাধারণ। কার্ভটি ডিজাইনারদের একটি কাঙ্ক্ষিত অপারেটিং কারেন্টের জন্য প্রয়োজনীয় ড্রাইভ ভোল্টেজ নির্ধারণ করতে দেয়।

৩.৪ আপেক্ষিক বিকিরণ তীব্রতা বনাম পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা (চিত্র.৪) এবং বনাম ফরওয়ার্ড কারেন্ট (চিত্র.৫)

চিত্র ৪ দেখায় কিভাবে একটি নির্দিষ্ট কারেন্টের জন্য অপটিক্যাল আউটপুট তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায়। চিত্র ৫ দেখায় যে আউটপুট ফরওয়ার্ড কারেন্ট বৃদ্ধির সাথে প্রায়-রৈখিকভাবে বৃদ্ধি পায়, যা এলইডিগুলির কারেন্ট-নিয়ন্ত্রিত প্রকৃতিকে তুলে ধরে।

৩.৫ বিকিরণ ডায়াগ্রাম (চিত্র.৬)

এই পোলার প্লট দৃশ্যত নির্গত আলোর স্থানিক বন্টন উপস্থাপন করে, ৪০° অর্ধ-মান কোণ নিশ্চিত করে এবং তীব্রতা প্যাটার্ন দেখায়, যা একটি ডিটেক্টরের সাথে ইমিটার সারিবদ্ধ করার জন্য গুরুত্বপূর্ণ।

৪. যান্ত্রিক ও প্যাকেজ তথ্য

৪.১ রূপরেখা মাত্রা

ডিভাইসটি নিম্নলিখিত প্রধান মাত্রা সহ একটি থ্রু-হোল প্যাকেজ ব্যবহার করে (mm এ, নামমাত্র):

• সামগ্রিক দৈর্ঘ্য: ২৪.০ ন্যূনতম
• বডি প্রস্থ: ৫.০ ±০.৩
• বডি উচ্চতা: ৩.৮ ±০.৩
• লেন্স ব্যাস/উচ্চতা: ৩.৫ ±০.৩
• লিড স্পেসিং: ২.৫৪ নামমাত্র (স্ট্যান্ডার্ড ০.১\" পিচ)
• লিড ব্যাস: ০.৫ (ফ্ল্যাঞ্জের নিচে প্রোট্রুডেড রজন সর্বোচ্চ)

পোলারিটি শনাক্তকরণ:দীর্ঘতর লিডটি অ্যানোড (+) এবং ছোট লিডটি ক্যাথোড (-)। ডায়াগ্রামটি লেন্সের একটি সমতল পাশও দেখায়, যা একটি অতিরিক্ত চাক্ষুষ চিহ্ন হিসাবে কাজ করতে পারে।

৪.২ সমালোচনামূলক নোট

• সহনশীলতা হল ±০.২৫mm যদি না অন্যথায় উল্লেখ করা হয়।
• লিড স্পেসিং যেখানে লিডগুলি প্যাকেজ বডি থেকে বের হয় সেখানে পরিমাপ করা হয়।
• উত্পাদন সাইটগুলি নির্দেশিত।

৫. সমাবেশ, সোল্ডারিং ও হ্যান্ডলিং নির্দেশিকা

৫.১ লিড গঠন ও পিসিবি সমাবেশ

• এলইডি লেন্সের বেস থেকে কমপক্ষে ৩mm দূরত্বে একটি বিন্দুতে লিড বাঁকান।
• বাঁকানোর সময় প্যাকেজ বেসকে ফুলক্রাম হিসাবে ব্যবহার করবেন না।
• সোল্ডারিংয়ের আগে, স্বাভাবিক তাপমাত্রায় লিড গঠন সম্পাদন করুন।
• যান্ত্রিক চাপ এড়াতে পিসিবি সমাবেশের সময় ন্যূনতম ক্লিঞ্চ বল ব্যবহার করুন।

৫.২ সোল্ডারিং প্রক্রিয়া

হ্যান্ড সোল্ডারিং (আয়রন):

• তাপমাত্রা: ৩৫০°C সর্বোচ্চ।
• সময়: ৩ সেকেন্ড সর্বোচ্চ। (শুধুমাত্র একবার)।
• অবস্থান: ইপোক্সি লেন্সের বেস থেকে ২mm এর কাছাকাছি নয়।

ওয়েভ সোল্ডারিং:

• প্রি-হিট: ১০০°C সর্বোচ্চ ৬০ সেকেন্ড সর্বোচ্চ।
• সোল্ডার ওয়েভ: ২৬০°C সর্বোচ্চ।
• সোল্ডারিং সময়: ৫ সেকেন্ড সর্বোচ্চ।
• ডিপিং অবস্থান: ইপোক্সি লেন্সের বেস থেকে ২mm এর নিচে নয়।

সমালোচনামূলক সতর্কতা:অত্যধিক তাপমাত্রা বা সময় লেন্স বিকৃত করতে পারে বা বিপর্যয়কর ব্যর্থতার কারণ হতে পারে। এই থ্রু-হোল প্যাকেজ টাইপের জন্য আইআর রিফ্লো উপযুক্ত নয়।

৫.৩ স্টোরেজ ও পরিষ্কার

• স্টোরেজ:৩০°C বা ৭০% আপেক্ষিক আর্দ্রতা অতিক্রম করবেন না। মূল প্যাকেজিং থেকে সরানো হলে ৩ মাসের মধ্যে ব্যবহার করুন। বর্ধিত স্টোরেজের জন্য, ডেসিক্যান্ট বা নাইট্রোজেন পরিবেষ্টিত একটি সিল করা কন্টেইনার ব্যবহার করুন।
• পরিষ্কার:প্রয়োজনে আইসোপ্রোপাইল অ্যালকোহলের মতো অ্যালকোহল-ভিত্তিক দ্রাবক ব্যবহার করুন।

৬. প্রয়োগ ডিজাইন বিবেচনা

৬.১ ড্রাইভ সার্কিট ডিজাইন

একটি এলইডি হল একটি কারেন্ট-চালিত ডিভাইস। সমান্তরালে একাধিক এলইডি চালানোর সময় অভিন্ন উজ্জ্বলতা নিশ্চিত করতে, এটিদৃঢ়ভাবে সুপারিশ করা হয়প্রতিটি এলইডির সাথে সিরিজে একটি পৃথক কারেন্ট-সীমাবদ্ধ রেজিস্টর ব্যবহার করা (সার্কিট মডেল A)। একাধিক সমান্তরাল এলইডির জন্য একটি একক রেজিস্টর ব্যবহার করা (সার্কিট মডেল B) নিরুৎসাহিত করা হয় কারণ পৃথক ডিভাইসগুলির ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ (I-V বৈশিষ্ট্য) এর তারতম্যের কারণে, যা অসম কারেন্ট বন্টন এবং সেইজন্য অসম উজ্জ্বলতার দিকে নিয়ে যাবে।

৬.২ ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ডিসচার্জ (ESD) সুরক্ষা

ডিভাইসটি স্ট্যাটিক বিদ্যুৎ থেকে ক্ষতির জন্য সংবেদনশীল। প্রতিরোধমূলক ব্যবস্থার মধ্যে রয়েছে:

• পরিবাহী কব্জি স্ট্র্যাপ বা অ্যান্টি-স্ট্যাটিক গ্লাভস ব্যবহার করা।
• নিশ্চিত করা যে সমস্ত সরঞ্জাম, ওয়ার্কস্টেশন এবং স্টোরেজ র্যাক সঠিকভাবে গ্রাউন্ডেড।
• প্লাস্টিক লেন্সে স্ট্যাটিক চার্জ নিরপেক্ষ করতে আয়ন ব্লোয়ার ব্যবহার করা।
• ESD-সার্টিফাইড কর্মী এবং স্ট্যাটিক-সেফ ওয়ার্ক এরিয়া (পৃষ্ঠতল <১০০V) বজায় রাখা।

৬.৩ প্রয়োগের সুযোগ ও নির্ভরযোগ্যতা

ডিভাইসটি সাধারণ ইলেকট্রনিক সরঞ্জামের (অফিস, যোগাযোগ, গৃহস্থালি) জন্য উদ্দিষ্ট। অসাধারণ নির্ভরযোগ্যতা প্রয়োজন এমন প্রয়োগের জন্য যেখানে ব্যর্থতা জীবন বা স্বাস্থ্যকে বিপন্ন করতে পারে (বিমান চালনা, চিকিৎসা, নিরাপত্তা সিস্টেম), ব্যবহারের আগে নির্দিষ্ট পরামর্শ এবং যোগ্যতা প্রয়োজন।

৭. প্রযুক্তিগত নীতি ও প্রবণতা

৭.১ অপারেটিং নীতি

LTE-1252 হল একটি ইনফ্রারেড ইমিটিং ডায়োড (IRED)। যখন এর থ্রেশহোল্ড অতিক্রম করে একটি ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়, তখন সেমিকন্ডাক্টরের সক্রিয় অঞ্চলে (সম্ভবত GaAs বা AlGaAs উপাদানের উপর ভিত্তি করে) ইলেকট্রন এবং হোল পুনর্মিলিত হয়, ফোটন আকারে শক্তি মুক্ত করে। নির্দিষ্ট উপাদান গঠন এবং ডিভাইস কাঠামো প্রাথমিকভাবে ৯৪০nm ইনফ্রারেড পরিসরে ফোটন উৎপাদনের জন্য ইঞ্জিনিয়ার করা হয়েছে, যা মানুষের চোখের কাছে অদৃশ্য কিন্তু সিলিকন ফটোডায়োড এবং অনেক ক্যামেরা সেন্সর দ্বারা সহজেই শনাক্ত করা যায়।

৭.২ শিল্প প্রসঙ্গ ও প্রবণতা

LTE-1252 এর মতো বিচ্ছিন্ন আইআর কম্পোনেন্টগুলি অপটোইলেকট্রনিক্সে মৌলিক বিল্ডিং ব্লক হিসাবে রয়ে গেছে। এই খাতকে প্রভাবিতকারী প্রধান প্রবণতাগুলির মধ্যে রয়েছে ক্ষুদ্রীকরণের জন্য অব্যাহত চাহিদা, উচ্চতর দক্ষতা (প্রতি mA এ আরও বিকিরণ তীব্রতা), এবং সেন্সিং আইসির সাথে আরও শক্ত সমন্বয়। পরিবেশগত নিয়মকানুন (RoHS, সীসা-মুক্ত) মেনে চলা ডিভাইসগুলির উপর ক্রমবর্ধমান জোর দেওয়া হচ্ছে। ৯৪০nm তরঙ্গদৈর্ঘ্য বিশেষভাবে জনপ্রিয় কারণ এটি সিলিকন ডিটেক্টর সংবেদনশীলতা এবং ৮৫০nm উৎসের তুলনায় কম দৃশ্যমানতার মধ্যে একটি ভাল ভারসাম্য প্রদান করে, যা নিরাপত্তা এবং রিমোট কন্ট্রোলের মতো ভোক্তা প্রয়োগে গোপন আলোকসজ্জার জন্য আদর্শ করে তোলে।

৮. প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন (FAQ)

৮.১ আমি কি এই আইআর এলইডি সরাসরি একটি মাইক্রোকন্ট্রোলার পিন থেকে চালাতে পারি?

না। একটি মাইক্রোকন্ট্রোলার GPIO পিন সাধারণত ১০০mA অবিচ্ছিন্নভাবে সরবরাহ করতে পারে না। আপনাকে একটি ট্রানজিস্টর (যেমন, NPN BJT বা N-চ্যানেল MOSFET) একটি সুইচ হিসাবে ব্যবহার করতে হবে, GPIO দ্বারা নিয়ন্ত্রিত, পাওয়ার সাপ্লাই থেকে প্রয়োজনীয় কারেন্ট সরবরাহ করার জন্য। এলইডি পথে এখনও একটি সিরিজ কারেন্ট-সীমাবদ্ধ রেজিস্টর প্রয়োজন।

৮.২ আমি কিভাবে সিরিজ রেজিস্টর মান গণনা করব?

ওহমের সূত্র ব্যবহার করুন: R = (Vcc - VF) / IF। উদাহরণস্বরূপ, একটি Vcc=৫V সরবরাহ, ১০০mA এ একটি সাধারণ VF=১.৫৩V, রেজিস্টর হবে R = (৫ - ১.৫৩) / ০.১ = ৩৪.৭ ওহম। নিকটতম স্ট্যান্ডার্ড মান ব্যবহার করুন (যেমন, ৩৩ বা ৩৯ ওহম) এবং পাওয়ার রেটিং পরীক্ষা করুন: P = (IF)^২ * R = (০.১)^২ * ৩৪.৭ ≈ ০.৩৪৭W, তাই একটি ০.৫W বা উচ্চতর রেজিস্টর সুপারিশ করা হয়।

৮.৩ কেন রিভার্স ভোল্টেজ রেটিং মাত্র ৫V, এবং আমি যদি এটি অতিক্রম করি তাহলে কী হবে?

আইআর এলইডিগুলি উল্লেখযোগ্য বিপরীত ভোল্টেজ ব্লক করার জন্য ডিজাইন করা হয়নি। ৫V রেটিং অতিক্রম করলে বিপরীত কারেন্টে আকস্মিক বৃদ্ধি হতে পারে, যা অ্যাভালাঞ্চ ব্রেকডাউন এবং সেমিকন্ডাক্টর জংশনের স্থায়ী ক্ষতির দিকে নিয়ে যায়। সর্বদা আপনার সার্কিটে সঠিক পোলারিটি নিশ্চিত করুন। AC বা অনিশ্চিত পোলারিটি পরিস্থিতিতে দ্বি-দিকনির্দেশক সুরক্ষার জন্য, একটি বাহ্যিক সুরক্ষা ডায়োড ব্যবহার করা উচিত।

৮.৪ ডেটাশিটে একটি \"মান কোণ\" ৪০° উল্লেখ করা হয়েছে। এটি আমার ডিজাইনকে কীভাবে প্রভাবিত করে?

৪০° অর্ধ-মান কোণ মানে নির্গত আলোর তীব্রতা কেন্দ্রে সবচেয়ে শক্তিশালী এবং কেন্দ্রীয় অক্ষ থেকে ±২০° এ ৫০% এ নেমে আসে। যখন একটি ডিটেক্টরের (যেমন একটি ফটোট্রানজিস্টর) সাথে ইমিটার সারিবদ্ধ করা হয়, তখন আপনাকে নিশ্চিত করতে হবে যে ডিটেক্টরটি বিকিরণের এই কার্যকর শঙ্কুর মধ্যে রয়েছে। প্রশস্ত কভারেজের জন্য, আপনার একাধিক ইমিটার বা একটি ডিফিউজারের প্রয়োজন হতে পারে। বিপরীতভাবে, দীর্ঘ-পরিসরের, নির্দেশিত বিমের জন্য, আলোকে সমান্তরাল করার জন্য একটি লেন্স যুক্ত করা যেতে পারে।

৯. ব্যবহারিক ডিজাইন কেস স্টাডি

৯.১ সরল বস্তু শনাক্তকরণ / ব্রেক-বিম সেন্সর

পরিস্থিতি:যখন একটি বস্তু একটি আইআর ইমিটার এবং একটি ডিটেক্টরের মধ্য দিয়ে যায় তখন শনাক্ত করুন।

বাস্তবায়ন:

1. ইমিটার সাইড:ধারা ৬.১ এ বর্ণিত একটি সার্কিট ব্যবহার করে ৫০-১০০mA এর একটি ধ্রুব কারেন্ট দিয়ে LTE-1252 চালান। ব্যাটারি অপারেশনের জন্য, শক্তি সাশ্রয় করতে একটি নির্দিষ্ট ফ্রিকোয়েন্সিতে (যেমন, ১kHz, ৫০% ডিউটি সাইকেল) এলইডি পালসিং বিবেচনা করুন।
2. ডিটেক্টর সাইড:ইমিটারের সাথে সারিবদ্ধ একটি ম্যাচিং ফটোট্রানজিস্টর বা ফটোডায়োড ব্যবহার করুন। এটিকে ইমিটারের ৪০° বিকিরণ শঙ্কুর মধ্যে রাখুন।
3. সিগন্যাল কন্ডিশনিং:ডিটেক্টরের আউটপুট উচ্চ হবে যখন আইআর আলো গ্রহণ করবে এবং বিম ব্লক করা হলে পড়ে যাবে। এই সংকেতকে ডিজিটাইজ করতে একটি তুলনাকারী বা একটি মাইক্রোকন্ট্রোলারের ADC ইনপুট ব্যবহার করুন। যদি ইমিটার পালস করা হয়, পরিবেষ্টিত আলোর শব্দ প্রত্যাখ্যান করতে সফ্টওয়্যারে একটি ফিল্টার বা সিঙ্ক্রোনাস ডিটেকশন যোগ করুন।

প্রধান বিবেচ্য বিষয়:বিমের দিকনির্দেশক প্রকৃতির কারণে সারিবদ্ধতা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। পরিবেষ্টিত সূর্যালোক বা অন্যান্য আইআর উৎস হস্তক্ষেপ সৃষ্টি করতে পারে, তাই নির্ভরযোগ্য অপারেশনের জন্য মড্যুলেশন/ডিমড্যুলেশন কৌশলগুলি অত্যন্ত সুপারিশ করা হয়। হাউজিং নিশ্চিত করুন যে স্টে লাইট সরাসরি শনাক্তকরণ জোনের মধ্য দিয়ে না গিয়ে ডিটেক্টরে আঘাত করা থেকে বাধা দেয়।