LTE-S9511T-E ইনফ্রারেড ইমিটার ও ডিটেক্টর ডেটাশিট - ৯৪০nm পিক ওয়েভলেন্থ - ২৫ ডিগ্রি ভিউইং অ্যাঙ্গেল - ১০০mW পাওয়ার ডিসিপেশন - বাংলা প্রযুক্তিগত ডকুমেন্টেশন

১. পণ্য সংক্ষিপ্ত বিবরণ

LTE-S9511T-E হল একটি বিচ্ছিন্ন ইনফ্রারেড কম্পোনেন্ট যা অপ্টোইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনের বিস্তৃত পরিসরের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। এটি ডিভাইসের একটি পরিবারের অন্তর্ভুক্ত যা উচ্চ শক্তি, উচ্চ গতি এবং নির্দিষ্ট অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য প্রয়োজন এমন সমাধান প্রদানের জন্য প্রকৌশলী। লক্ষ্য কর্মক্ষমতা মেট্রিক্স অর্জনের জন্য, কম্পোনেন্টটি GaAs প্রযুক্তি ব্যবহার করে তৈরি করা হয়েছে, যা ইনফ্রারেড ইমিটারের জন্য আদর্শ।

১.১ মূল বৈশিষ্ট্য ও সুবিধা

এই ডিভাইসে বেশ কয়েকটি মূল বৈশিষ্ট্য অন্তর্ভুক্ত রয়েছে যা এটিকে আধুনিক ইলেকট্রনিক অ্যাসেম্বলি এবং পরিবেশগত মানদণ্ডের জন্য উপযুক্ত করে তোলে। এটি RoHS নির্দেশিকায় অনুগত, যা এটিকে একটি সবুজ পণ্য হিসাবে শ্রেণীবদ্ধ করে। প্যাকেজিংটি উচ্চ-ভলিউম উৎপাদনের সাথে সামঞ্জস্যের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, যা ৭-ইঞ্চি ব্যাসের রিলে ৮মিমি টেপে সরবরাহ করা হয় এবং স্বয়ংক্রিয় প্লেসমেন্ট সরঞ্জামের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ। তদুপরি, কম্পোনেন্টটি ইনফ্রারেড রিফ্লো সোল্ডারিং প্রক্রিয়া সহ্য করতে পারে, যা সারফেস-মাউন্ট প্রযুক্তি (এসএমটি) অ্যাসেম্বলি লাইনের জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ প্রয়োজনীয়তা। প্যাকেজটি নিজেই EIA মানের সাথে সঙ্গতিপূর্ণ, যা যান্ত্রিক সামঞ্জস্য নিশ্চিত করে।

১.২ লক্ষ্য অ্যাপ্লিকেশন ও বাজার

এই কম্পোনেন্টের প্রাথমিক অ্যাপ্লিকেশন হল একটি ইনফ্রারেড ইমিটার হিসাবে। এর বৈশিষ্ট্যগুলি এটিকে ভোক্তা ইলেকট্রনিক্সের জন্য রিমোট কন্ট্রোল, আইআর-ভিত্তিক ওয়্যারলেস ডাটা ট্রান্সমিশন লিংক, নিরাপত্তা এলার্ম এবং অন্যান্য সেন্সিং অ্যাপ্লিকেশনের মতো সিস্টেমে একীভূত করার জন্য খুবই উপযুক্ত করে তোলে। এটি পিসিবি-মাউন্টেড কনফিগারেশনের জন্য উদ্দিষ্ট, যা ইনফ্রারেড আলোর একটি কমপ্যাক্ট এবং নির্ভরযোগ্য উৎস প্রদান করে।

২. প্রযুক্তিগত বিবরণ ও উদ্দেশ্যমূলক ব্যাখ্যা

এই বিভাগটি ডেটাশিটে সংজ্ঞায়িত ডিভাইসের বৈদ্যুতিক, অপটিক্যাল এবং তাপীয় পরামিতিগুলির একটি বিশদ, উদ্দেশ্যমূলক বিশ্লেষণ প্রদান করে।

২.১ পরম সর্বোচ্চ রেটিং

এই রেটিংগুলি চাপের সীমা সংজ্ঞায়িত করে যার বাইরে ডিভাইসের স্থায়ী ক্ষতি হতে পারে। এগুলি স্বাভাবিক অপারেশনের জন্য উদ্দিষ্ট নয়।

• পাওয়ার ডিসিপেশন (Pd):১০০ mW। এটি ডিভাইসের তাপীয় সীমা অতিক্রম না করে তাপ হিসাবে অপচয় করতে পারে এমন সর্বোচ্চ পরিমাণ শক্তি।
• পিক ফরোয়ার্ড কারেন্ট (I_FP):১ A। এটি পালসড অবস্থার অধীনে সর্বোচ্চ অনুমোদিত কারেন্ট (প্রতি সেকেন্ডে ৩০০ পালস, ১০ μs পালস প্রস্থ)। এটি ডিসি রেটিং থেকে উল্লেখযোগ্যভাবে বেশি, যা ডাটা ট্রান্সমিশন এবং রিমোট কন্ট্রোলে সাধারণ পালসড অপারেশনের জন্য ডিভাইসের ক্ষমতা তুলে ধরে।
• ডিসি ফরোয়ার্ড কারেন্ট (I_F):৫০ mA। ডিভাইসটি পরিচালনা করতে পারে এমন সর্বোচ্চ অবিচ্ছিন্ন ফরোয়ার্ড কারেন্ট।
• রিভার্স ভোল্টেজ (V_R):৫ V। এর চেয়ে বেশি একটি বিপরীত ভোল্টেজ প্রয়োগ করলে সেমিকন্ডাক্টর জাংশন ভেঙে যেতে পারে।
• অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা (T_op):-৪০°C থেকে +৮৫°C। পরিবেষ্টিত তাপমাত্রার পরিসীমা যার মধ্যে ডিভাইসটি সঠিকভাবে কাজ করার জন্য নির্দিষ্ট করা হয়েছে।
• স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা (T_stg):-৫৫°C থেকে +১০০°C। অপারেশনহীন স্টোরেজের জন্য তাপমাত্রা পরিসীমা।
• ইনফ্রারেড সোল্ডারিং শর্ত:সর্বোচ্চ ১০ সেকেন্ডের জন্য ২৬০°C সহ্য করে। এটি রিফ্লো সোল্ডারিং প্রোফাইল সহনশীলতা সংজ্ঞায়িত করে।

২.২ বৈদ্যুতিক ও অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য

এগুলি নির্দিষ্ট পরীক্ষার শর্তে ২৫°C (T_A) পরিবেষ্টিত তাপমাত্রায় পরিমাপ করা সাধারণ কর্মক্ষমতা পরামিতি।

• রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটি (I_E):I_F= 20mA এ ৬.০ mW/sr (সাধারণ)। এটি প্রতি একক কঠিন কোণ (স্টেরেডিয়ান) নির্গত অপটিক্যাল শক্তি পরিমাপ করে। এটি একটি অ্যাপ্লিকেশনে কার্যকর পরিসীমা এবং সংকেত শক্তি নির্ধারণের জন্য একটি মূল পরামিতি।
• পিক ইমিশন ওয়েভলেন্থ (λ_p):৯৪০ nm (সাধারণ)। যে তরঙ্গদৈর্ঘ্যে নির্গত অপটিক্যাল শক্তি সর্বাধিক। এটি নিয়ার-ইনফ্রারেড বর্ণালীতে রয়েছে, যা মানুষের চোখের কাছে অদৃশ্য কিন্তু সিলিকন ফটোডায়োড এবং ফটোট্রানজিস্টর দ্বারা সনাক্তযোগ্য।
• স্পেকট্রাল লাইন হাফ-উইডথ (Δλ):৫০ nm (সাধারণ)। এটি বর্ণালী ব্যান্ডউইথ বা নির্গত তরঙ্গদৈর্ঘ্যের পরিসীমা নির্দেশ করে। ৫০ nm মানটি স্ট্যান্ডার্ড GaAs IRED-এর জন্য সাধারণ।
• ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ (V_F):I_F= 20mA এ ১.২ V (সাধারণ), ১.৫ V (সর্বোচ্চ)। কারেন্ট পরিচালনা করার সময় ডিভাইস জুড়ে ভোল্টেজ ড্রপ। এটি ড্রাইভিং সার্কিটরি ডিজাইন এবং পাওয়ার খরচ গণনার জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
• রিভার্স কারেন্ট (I_R):V_R= 5V এ ১০ μA (সর্বোচ্চ)। ডিভাইসটি বিপরীত-পক্ষপাতদুষ্ট হলে প্রবাহিত ছোট লিকেজ কারেন্ট।
• ভিউইং অ্যাঙ্গেল (2θ_1/2):২৫ ডিগ্রি (সাধারণ)। সম্পূর্ণ কোণ হিসাবে সংজ্ঞায়িত করা হয় যেখানে কেন্দ্রীয় অক্ষের উপর রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটি তার মানের অর্ধেক হয়ে যায়। একটি ২৫-ডিগ্রি কোণ তুলনামূলকভাবে ফোকাসড বিম নির্দেশ করে, যা নির্দেশিত যোগাযোগ বা সেন্সিংয়ের জন্য উপকারী হতে পারে।

৩. কর্মক্ষমতা কার্ভ বিশ্লেষণ

ডেটাশিটে বেশ কয়েকটি গ্রাফ অন্তর্ভুক্ত রয়েছে যা মূল পরামিতিগুলির মধ্যে সম্পর্ক চিত্রিত করে। এই কার্ভগুলি অ-মানক অবস্থার অধীনে ডিভাইসের আচরণ বোঝার জন্য অপরিহার্য।

৩.১ বর্ণালী বন্টন

বর্ণালী বন্টন কার্ভ (চিত্র.১) তরঙ্গদৈর্ঘ্যের একটি ফাংশন হিসাবে আপেক্ষিক রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটি দেখায়। এটি প্রায় ৯৪০nm এ পিক এবং প্রায় ৫০nm হাফ-উইডথ নিশ্চিত করে, নির্গত আলোর বর্ণালী বিশুদ্ধতার একটি চাক্ষুষ উপস্থাপনা প্রদান করে।

৩.২ ফরোয়ার্ড কারেন্ট বনাম ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ (আই-ভি কার্ভ)

এই কার্ভ (চিত্র.৩) যেকোনো সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের জন্য মৌলিক। এটি IRED এর মধ্য দিয়ে প্রবাহিত কারেন্ট এবং এর জুড়ে ভোল্টেজের অ-রৈখিক সম্পর্ক দেখায়। কার্ভটি তাপমাত্রার সাথে সরে যাবে, যা ডিজাইনে তাপ ব্যবস্থাপনার জন্য গুরুত্বপূর্ণ।

৩.৩ তাপমাত্রা নির্ভরতা

চিত্র ২ এবং ৪ চিত্রিত করে যে কীভাবে ডিভাইসের কর্মক্ষমতা পরিবেষ্টিত তাপমাত্রার সাথে পরিবর্তিত হয়। সাধারণত, একটি ডায়োডের ফরোয়ার্ড ভোল্টেজের একটি নেতিবাচক তাপমাত্রা সহগ থাকে (তাপমাত্রা বাড়ার সাথে সাথে এটি হ্রাস পায়), যখন অপটিক্যাল আউটপুট পাওয়ারও সাধারণত তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায়। এই গ্রাফগুলি ডিজাইনারদের উচ্চ-তাপমাত্রা পরিবেশের জন্য কর্মক্ষমতা হ্রাস করার অনুমতি দেয়।

৩.৪ আপেক্ষিক রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটি বনাম ফরোয়ার্ড কারেন্ট

চিত্র ৫ দেখায় যে কীভাবে আলোর আউটপুট ড্রাইভ কারেন্টের সাথে স্কেল করে। এটি সাধারণত সাব-লিনিয়ার; কারেন্ট দ্বিগুণ করলে অপটিক্যাল আউটপুট দ্বিগুণ হয় না। কাঙ্ক্ষিত উজ্জ্বলতা বা সংকেত শক্তি দক্ষতার সাথে অর্জনের জন্য অপারেটিং পয়েন্ট সেট করার জন্য এই সম্পর্কটি গুরুত্বপূর্ণ।

৩.৫ বিকিরণ প্যাটার্ন

পোলার ডায়াগ্রাম (চিত্র.৬) কেন্দ্রীয় অক্ষ থেকে কোণের একটি ফাংশন হিসাবে নির্গত তীব্রতার একটি বিশদ মানচিত্র প্রদান করে। এই ২৫-ডিগ্রি ভিউইং অ্যাঙ্গেল ডিভাইসটি একটি বিম প্যাটার্ন দেখায় যা কেন্দ্রে সবচেয়ে শক্তিশালী এবং প্রান্তের দিকে কমে যায়, যা অপটিক্যাল সিস্টেম ডিজাইনের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ, যেমন একটি রিসিভারের দৃষ্টিক্ষেত্রের সাথে সারিবদ্ধ করা।

৪. যান্ত্রিক ও প্যাকেজিং তথ্য

৪.১ রূপরেখার মাত্রা

ডেটাশিটটি কম্পোনেন্টের বিশদ যান্ত্রিক অঙ্কন প্রদান করে। মূল মাত্রাগুলির মধ্যে রয়েছে বডির আকার, লিড স্পেসিং এবং সামগ্রিক উচ্চতা। কম্পোনেন্টটিতে একটি ওয়াটার-ক্লিয়ার প্লাস্টিক প্যাকেজ রয়েছে যার একটি সাইড-ভিউ লেন্স রয়েছে, যা নির্গত আলোর বিকিরণ প্যাটার্নকে আকার দেয়। বিশেষভাবে উল্লেখ না করা পর্যন্ত সমস্ত গুরুত্বপূর্ণ মাত্রা ±০.১৫mm এর একটি স্ট্যান্ডার্ড সহনশীলতা সহ প্রদান করা হয়।

৪.২ প্রস্তাবিত সোল্ডারিং প্যাড লেআউট

পিসিবি ডিজাইনের জন্য একটি প্রস্তাবিত ল্যান্ড প্যাটার্ন (ফুটপ্রিন্ট) অন্তর্ভুক্ত রয়েছে। রিফ্লোর সময় সঠিক সোল্ডার জয়েন্ট গঠন নিশ্চিত করা, ভাল যান্ত্রিক শক্তি অর্জন এবং ডিভাইস থেকে তাপ অপচয় সহজতর করার জন্য এই মাত্রাগুলি মেনে চলা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

৪.৩ পোলারিটি শনাক্তকরণ

স্ট্যান্ডার্ড এলইডি পোলারিটি কনভেনশন প্রযোজ্য। ক্যাথোড সাধারণত প্যাকেজ বডিতে একটি সমতল প্রান্ত, একটি খাঁজ বা একটি ছোট লিড দ্বারা নির্দেশিত হয়। ক্ষতি রোধ করতে অ্যাসেম্বলির সময় সঠিক পোলারিটি অবশ্যই পালন করতে হবে।

৫. অ্যাসেম্বলি, হ্যান্ডলিং এবং নির্ভরযোগ্যতা নির্দেশিকা

৫.১ সোল্ডারিং ও অ্যাসেম্বলি নির্দেশিকা

ডিভাইসটি ইনফ্রারেড রিফ্লো সোল্ডারিংয়ের জন্য রেট করা হয়েছে। ডেটাশিটটি গুরুত্বপূর্ণ প্রোফাইল পরামিতি নির্দিষ্ট করে:

• প্রি-হিট:১৫০–২০০°C।
• প্রি-হিট সময়:সর্বোচ্চ ১২০ সেকেন্ড।
• পিক তাপমাত্রা:সর্বোচ্চ ২৬০°C।
• লিকুইডাসের উপরে সময়:সর্বোচ্চ ১০ সেকেন্ড (সর্বোচ্চ দুটি রিফ্লো চক্রের জন্য)।

লোহা দিয়ে হ্যান্ড সোল্ডারিংয়ের জন্য, সুপারিশ হল প্রতি জয়েন্টের জন্য সর্বোচ্চ ৩ সেকেন্ডের বেশি নয় এমন সর্বোচ্চ ৩০০°C তাপমাত্রা। ডেটাশিট জোর দেয় যে সর্বোত্তম প্রোফাইল নির্দিষ্ট পিসিবি ডিজাইন, সোল্ডার পেস্ট এবং ওভেনের উপর নির্ভর করে, এবং একটি সূচনা বিন্দু হিসাবে JEDEC-স্ট্যান্ডার্ড প্রোফাইল ব্যবহার করার পরামর্শ দেয়।

৫.২ স্টোরেজ শর্ত

কম্পোনেন্টটির একটি ময়েশ্চার সেন্সিটিভিটি লেভেল (এমএসএল) ৩ রয়েছে। এর মানে:

• সিল করা ব্যাগ:≤৩০°C এবং ≤৯০% RH এ সর্বোচ্চ এক বছর পর্যন্ত সংরক্ষণ করা যেতে পারে।
• ব্যাগ খোলার পরে:≤৩০°C এবং ≤৬০% RH এ সংরক্ষণ করা উচিত। কম্পোনেন্টগুলিকে এক সপ্তাহের (১৬৮ ঘন্টা) মধ্যে রিফ্লোর অধীন করা উচিত। মূল ব্যাগের বাইরে দীর্ঘ সময় সংরক্ষণ করা হলে, সেগুলি একটি শুকনো ক্যাবিনেট বা ডেসিক্যান্ট সহ সিল করা পাত্রে সংরক্ষণ করতে হবে। এক সপ্তাহের বেশি সময় ধরে প্রকাশিত হলে, রিফ্লোর সময় পপকর্ন ক্র্যাকিং প্রতিরোধ করতে সোল্ডারিংয়ের আগে কমপক্ষে ২০ ঘন্টার জন্য ৬০°C তাপমাত্রায় বেক-আউট প্রয়োজন।

৫.৩ পরিষ্কার

সোল্ডারিংয়ের পরে যদি পরিষ্কার করা প্রয়োজন হয়, শুধুমাত্র আইসোপ্রোপাইল অ্যালকোহল (আইপিএ) এর মতো অ্যালকোহল-ভিত্তিক দ্রাবক ব্যবহার করা উচিত। কঠোর বা আক্রমণাত্মক রাসায়নিক প্লাস্টিক প্যাকেজ বা লেন্স ক্ষতি করতে পারে।

৬. প্যাকেজিং ও অর্ডারিং তথ্য

৬.১ টেপ ও রিল বিবরণ

কম্পোনেন্টটি একটি কভার টেপ সহ এমবসড ক্যারিয়ার টেপে সরবরাহ করা হয়, যা ৭-ইঞ্চি (১৭৮mm) ব্যাসের রিলে পেঁচানো হয়। প্রতিটি রিলে ৩০০০ টুকরা থাকে। প্যাকেজিং ANSI/EIA-481-1-A-1994 মানের সাথে সঙ্গতিপূর্ণ। বিবরণগুলির মধ্যে রয়েছে পকেটের মাত্রা, টেপের প্রস্থ এবং রিল হাবের আকার যা স্বয়ংক্রিয় পিক-এন্ড-প্লেস মেশিনের সাথে সামঞ্জস্য নিশ্চিত করে।

৭. অ্যাপ্লিকেশন ডিজাইন বিবেচনা

৭.১ ড্রাইভ সার্কিট ডিজাইন

একটি গুরুত্বপূর্ণ ডিজাইন নোট হল যে একটি এলইডি একটি কারেন্ট-অপারেটেড ডিভাইস। ডেটাশিটটি একটি একক ভোল্টেজ উৎস থেকে একটি একক কারেন্ট-লিমিটিং রেজিস্টর (সার্কিট মডেল বি) দিয়ে একাধিক এলইডিকে সরাসরি সমান্তরালভাবে সংযুক্ত করার বিরুদ্ধে দৃঢ়ভাবে সুপারিশ করে। পৃথক ডিভাইসগুলির ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ (V_F) এর প্রাকৃতিক তারতম্যের কারণে, কারেন্ট সমানভাবে ভাগ হবে না, যার ফলে উজ্জ্বলতার উল্লেখযোগ্য পার্থক্য এবং একটি ডিভাইসের সম্ভাব্য অতিরিক্ত চাপ দেখা দেবে। প্রস্তাবিত পদ্ধতি (সার্কিট মডেল এ) হল প্রতিটি এলইডির সাথে সিরিজে একটি পৃথক কারেন্ট-লিমিটিং রেজিস্টর ব্যবহার করা। এটি অভিন্ন কারেন্ট নিশ্চিত করে এবং তাই, অ্যারের সমস্ত ডিভাইস জুড়ে অভিন্ন রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটি নিশ্চিত করে।

৭.২ তাপ ব্যবস্থাপনা

যদিও পরম সর্বোচ্চ পাওয়ার ডিসিপেশন ১০০mW, ব্যবহারিক অপারেশন বিশেষত উচ্চতর পরিবেষ্টিত তাপমাত্রায় এই সীমার নিচে থাকা উচিত। ডিরেটিং কার্ভ (চিত্র ২, চিত্র ৪) অবশ্যই পরামর্শ নিতে হবে। কর্মক্ষমতা এবং দীর্ঘায়ু বজায় রাখার জন্য ডিভাইস জাংশন থেকে তাপ সরাতে পর্যাপ্ত পিসিবি কপার এলাকা (প্রস্তাবিত প্যাড লেআউট ব্যবহার করে সাহায্য করে) প্রয়োজন।

৭.৩ অপটিক্যাল ডিজাইন

২৫-ডিগ্রি ভিউইং অ্যাঙ্গেল এবং সাইড-ভিউ লেন্স প্যাকেজ প্রভাবিত করে যে কীভাবে আইআর শক্তি পরিচালিত হয়। একটি সেন্সিং বা যোগাযোগ লিঙ্কে সর্বোত্তম কর্মক্ষমতার জন্য, ইমিটারের বিকিরণ প্যাটার্ন রিসিভারের কৌণিক সংবেদনশীলতা প্রোফাইলের সাথে সারিবদ্ধ হওয়া উচিত। এই সারিবদ্ধতার জন্য বিকিরণ ডায়াগ্রাম (চিত্র.৬) অপরিহার্য। একটি ভিন্ন বিম প্যাটার্ন প্রয়োজন এমন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য, বাহ্যিক লেন্স বা প্রতিফলক প্রয়োজন হতে পারে।

৮. প্রযুক্তিগত তুলনা ও পার্থক্য

LTE-S9511T-E, তার ৯৪০nm পিক ওয়েভলেন্থ সহ, সাধারণ-উদ্দেশ্য ইনফ্রারেড অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অবস্থান করা হয়েছে। মূল পার্থক্যগুলির মধ্যে রয়েছে এর সাইড-ভিউ প্যাকেজ, যা এজ-লাইটিং বা নির্দিষ্ট অপটিক্যাল পাথ প্রয়োজনীয়তার জন্য দরকারী, এবং স্বয়ংক্রিয় অ্যাসেম্বলি প্রক্রিয়ার সাথে এর সামঞ্জস্য। বৃহত্তর ভিউইং অ্যাঙ্গেল (যেমন, ৬০-১২০ ডিগ্রি) সহ ডিভাইসগুলির তুলনায়, এই কম্পোনেন্টটি একটি প্রদত্ত ড্রাইভ কারেন্টের জন্য উচ্চতর অক্ষীয় তীব্রতা প্রদান করে, যা নির্দেশিত লিঙ্কের জন্য দীর্ঘ পরিসীমা বা কম শক্তি খরচে অনুবাদ করতে পারে। এর ৯৪০nm তরঙ্গদৈর্ঘ্য একটি সাধারণ মান, যা সেই বর্ণালীর জন্য ডিজাইন করা সিলিকন-ভিত্তিক ইনফ্রারেড রিসিভার এবং ফিল্টারের সাথে বিস্তৃত সামঞ্জস্য নিশ্চিত করে।

৯. প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন (প্রযুক্তিগত পরামিতির উপর ভিত্তি করে)

প্রশ্ন ১: আমি কি এই IRED কে সরাসরি একটি মাইক্রোকন্ট্রোলার GPIO পিন থেকে ড্রাইভ করতে পারি?

উত্তর: এটি GPIO এর কারেন্ট সোর্সিং ক্ষমতার উপর নির্ভর করে। ২০mA এর একটি সাধারণ ড্রাইভ কারেন্টে, GPIO অবশ্যই কমপক্ষে এই পরিমাণ সরবরাহ করতে সক্ষম হতে হবে। কারেন্ট সীমিত করার জন্য সর্বদা একটি সিরিজ রেজিস্টর প্রয়োজন, যা হিসাব করা হয় R = (V_supply- V_F) / I_F। ৩.৩V সরবরাহ এবং ২০mA এ V_F১.২V এর জন্য, R = (৩.৩ - ১.২) / ০.০২ = ১০৫ ওহম। একটি ১০০ ওহম রেজিস্টর একটি স্ট্যান্ডার্ড পছন্দ হবে।

প্রশ্ন ২: পিক ওয়েভলেন্থ (λ_p) এবং প্রভাবশালী ওয়েভলেন্থ (λ_d) এর মধ্যে পার্থক্য কী?

উত্তর: পিক ওয়েভলেন্থ হল বর্ণালী শক্তি বন্টন কার্ভের সর্বোচ্চ বিন্দুতে তরঙ্গদৈর্ঘ্য। প্রভাবশালী ওয়েভলেন্থ কালোরিমেট্রি থেকে উদ্ভূত এবং উপলব্ধি করা রঙের প্রতিনিধিত্ব করে। একরঙা আইআর ইমিটারের জন্য, তারা সাধারণত খুব কাছাকাছি, কিন্তু λ_pঅপ্টোইলেকট্রনিক কর্মক্ষমতার জন্য স্ট্যান্ডার্ড প্রযুক্তিগত বিবরণ।

প্রশ্ন ৩: কেন পালসড কারেন্ট রেটিং (১A) ডিসি রেটিং (৫০mA) থেকে এত বেশি?

উত্তর: এটি তাপীয় সীমাবদ্ধতার কারণে। খুব সংক্ষিপ্ত পালস (১০μs) এর সময়, সেমিকন্ডাক্টর জাংশনের উল্লেখযোগ্যভাবে গরম হওয়ার সময় থাকে না, যা সর্বোচ্চ জাংশন তাপমাত্রা অতিক্রম না করে একটি অনেক উচ্চতর তাত্ক্ষণিক কারেন্টের অনুমতি দেয়। ডিসি অপারেশনে, তাপ অবিচ্ছিন্নভাবে তৈরি হয়, তাই তাপমাত্রা নিরাপদ সীমার মধ্যে রাখতে কারেন্ট সীমিত করতে হবে।

১০. ব্যবহারিক অ্যাপ্লিকেশন উদাহরণ

উদাহরণ ১: সরল আইআর রিমোট কন্ট্রোল ট্রান্সমিটার।LTE-S9511T-E একটি মৌলিক রিমোটে ইমিটার হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে। একটি মাইক্রোকন্ট্রোলার একটি কমান্ড প্রোটোকলের (যেমন, NEC, RC5) সাথে সঙ্গতিপূর্ণ একটি মডুলেটেড ডিজিটাল সংকেত (যেমন, ৩৮kHz ক্যারিয়ার) তৈরি করে। এই সংকেতটি একটি ট্রানজিস্টরকে স্যুইচ করে যা IRED কে ১A পিক রেটিং পর্যন্ত পালসড কারেন্ট দিয়ে ড্রাইভ করে, ইনফ্রারেড আলোর বিস্ফোরণ তৈরি করে। ফোকাসড ২৫-ডিগ্রি বিম নিশ্চিত করতে সাহায্য করে যে সংকেতটি রিসিভারের দিকে পরিচালিত হয়।

উদাহরণ ২: প্রক্সিমিটি বা অবজেক্ট ডিটেকশন সেন্সর।একটি পৃথক ফটোট্রানজিস্টর বা ফটোডায়োড রিসিভারের সাথে জোড়া দিয়ে, ইমিটারটি একটি বস্তুর উপস্থিতি বা অনুপস্থিতি সনাক্ত করতে ব্যবহার করা যেতে পারে। ইমিটারটি একটি ফাঁক জুড়ে আইআর আলো জ্বালায়। যখন একটি বস্তু বিমকে বাধা দেয়, তখন রিসিভারের সংকেত কমে যায়, একটি সনাক্তকরণ ঘটনা ট্রিগার করে। সাইড-ভিউ প্যাকেজটি কমপ্যাক্ট সেন্সর অ্যাসেম্বলি ডিজাইনে সুবিধাজনক হতে পারে যেখানে অপটিক্যাল পাথ পিসিবির সমান্তরাল।

১১. অপারেশন নীতি

LTE-S9511T-E হল গ্যালিয়াম আর্সেনাইড (GaAs) সেমিকন্ডাক্টর উপাদানের উপর ভিত্তি করে একটি লাইট-এমিটিং ডায়োড (LED)। যখন একটি ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ P-N জাংশন জুড়ে প্রয়োগ করা হয়, তখন ইলেকট্রন এবং হোলগুলি সক্রিয় অঞ্চলে ইনজেক্ট করা হয় যেখানে তারা পুনর্মিলিত হয়। GaAs এর মতো একটি সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টরে, এই পুনর্মিলন ফোটন (আলো) আকারে শক্তি মুক্ত করে। উপাদানের নির্দিষ্ট শক্তি ব্যান্ডগ্যাপ নির্গত আলোর তরঙ্গদৈর্ঘ্য নির্ধারণ করে; GaAs এর জন্য, এটি প্রায় ৯৪০nm এ ইনফ্রারেড নির্গমন ঘটায়। সাইড-ভিউ লেন্সটি ওয়াটার-ক্লিয়ার ইপোক্সি দিয়ে তৈরি যা সেমিকন্ডাক্টর চিপকে এনক্যাপসুলেট করে এবং নির্গত আলোকে নির্দিষ্ট বিকিরণ প্যাটার্নে রূপ দেয়।

১২. শিল্প প্রসঙ্গ ও প্রবণতা

LTE-S9511T-E এর মতো বিচ্ছিন্ন ইনফ্রারেড কম্পোনেন্টগুলি ইলেকট্রনিক্সে মৌলিক বিল্ডিং ব্লক হিসাবে রয়ে গেছে। যদিও জেসচার সেন্সিংয়ের মতো নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ইন্টিগ্রেটেড সেন্সর মডিউলগুলি (একটি প্যাকেজে ইমিটার, ডিটেক্টর এবং লজিক একত্রিত করে) বৃদ্ধি পাচ্ছে, বিচ্ছিন্ন কম্পোনেন্টগুলি ডিজাইনের নমনীয়তা, উচ্চ-ভলিউম অ্যাপ্লিকেশনের জন্য খরচ-কার্যকারিতা এবং অপটিক্যাল পাথ স্বাধীনভাবে অপ্টিমাইজ করার ক্ষমতা প্রদান করে। শিল্পের প্রবণতাগুলির মধ্যে রয়েছে ক্ষুদ্রীকরণের জন্য অব্যাহত চাহিদা, উচ্চতর দক্ষতা (প্রতি বৈদ্যুতিক ইনপুটে আরও অপটিক্যাল আউটপুট) এবং সীসা-মুক্ত, উচ্চ-তাপমাত্রা সোল্ডারিং প্রক্রিয়ার সাথে বর্ধিত সামঞ্জস্য। এই ডিভাইসের RoHS এবং সবুজ পণ্য সম্মতি ইলেকট্রনিক্স শিল্পকে চালিত করা বিশ্বব্যাপী পরিবেশগত নিয়মগুলির সাথে সঙ্গতিপূর্ণ।