LTE-S9511-E ইনফ্রারেড ইমিটার এবং ডিটেক্টর ডেটাশিট - ৯৪০nm তরঙ্গদৈর্ঘ্য - ২০mA ফরওয়ার্ড কারেন্ট - ১.৫V ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ - ১০০mW পাওয়ার ডিসিপেশন - বাংলা প্রযুক্তিগত নথি

১. পণ্য সংক্ষিপ্ত বিবরণ

LTE-S9511-E হল একটি পৃথক ইনফ্রারেড উপাদান যা নির্ভরযোগ্য ইনফ্রারেড নির্গমন এবং সনাক্তকরণের প্রয়োজন এমন বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। এটি একটি ব্যাপক পণ্য লাইনের অংশ যা ইনফ্রারেড সমাধানে উচ্চ শক্তি, উচ্চ গতি এবং প্রশস্ত দর্শন কোণের চাহিদা পূরণ করে।

১.১ মূল সুবিধা এবং লক্ষ্য বাজার

এই উপাদানটি আধুনিক উৎপাদন এবং পরিবেশগত মান পূরণের জন্য তৈরি করা হয়েছে। এটি একটি RoHS-সম্মত সবুজ পণ্য, যা উচ্চ-গতির স্বয়ংক্রিয় প্লেসমেন্ট সরঞ্জামের সাথে সামঞ্জস্যের জন্য ১৩ ইঞ্চি ব্যাসের রিলে ৮মিমি টেপে সরবরাহ করা হয়। এর নকশা ইনফ্রারেড রিফ্লো সোল্ডারিং প্রক্রিয়াকে সমর্থন করে, যা এটিকে বড় আকারের পিসিবি সমাবেশের জন্য উপযুক্ত করে তোলে। প্রাথমিক লক্ষ্য অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে রয়েছে রিমোট কন্ট্রোল সিস্টেম, আইআর ওয়্যারলেস ডেটা ট্রান্সমিশন মডিউল, নিরাপত্তা অ্যালার্ম এবং অন্যান্য বিভিন্ন ভোক্তা ও শিল্প ইলেকট্রনিক্স যেখানে ইনফ্রারেড সেন্সিং বা সংকেত প্রয়োজন।

২. প্রযুক্তিগত প্যারামিটার: গভীর উদ্দেশ্যমূলক ব্যাখ্যা

নিম্নলিখিত প্যারামিটারগুলি স্ট্যান্ডার্ড অবস্থার (TA=25°C) অধীনে ডিভাইসের অপারেশনাল সীমা এবং কর্মক্ষমতা বৈশিষ্ট্যগুলি সংজ্ঞায়িত করে।

২.১ পরম সর্বোচ্চ রেটিং

এই রেটিংগুলি সেই সীমাগুলি নির্দিষ্ট করে যার বাইরে ডিভাইসের স্থায়ী ক্ষতি হতে পারে। এগুলি অবিচ্ছিন্ন অপারেশনের জন্য নয়।

• পাওয়ার ডিসিপেশন (Pd):১০০ mW। এটি ডিভাইসটি তাপ হিসাবে অপচয় করতে পারে এমন সর্বোচ্চ পরিমাণ শক্তি।
• পিক ফরওয়ার্ড কারেন্ট (I_FP):১ A। এটি নির্দিষ্ট শর্তে (৩০০ pps, ১০μs পালস প্রস্থ) সর্বোচ্চ অনুমোদিত পালস কারেন্ট।
• ডিসি ফরওয়ার্ড কারেন্ট (I_F):৫০ mA। নির্ভরযোগ্য অপারেশনের জন্য সর্বোচ্চ অবিচ্ছিন্ন ফরওয়ার্ড কারেন্ট।
• রিভার্স ভোল্টেজ (V_R):৫ V। ডিভাইসটি রিভার্স বায়াস অপারেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়নি; এই ভোল্টেজ অতিক্রম করলে ব্রেকডাউন হতে পারে।
• অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা (T_opr):-৪০°C থেকে +৮৫°C। স্বাভাবিক ডিভাইস কার্যকারিতার জন্য পরিবেষ্টিত তাপমাত্রার পরিসীমা।
• স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা (T_stg):-৫৫°C থেকে +১০০°C।
• ইনফ্রারেড সোল্ডারিং শর্ত:সর্বোচ্চ ১০ সেকেন্ডের জন্য ২৬০°C সহ্য করে, যা রিফ্লো প্রোফাইল সহনশীলতা সংজ্ঞায়িত করে।

২.২ বৈদ্যুতিক এবং অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য

এগুলি সংজ্ঞায়িত পরীক্ষার শর্তে পরিমাপ করা সাধারণ কর্মক্ষমতা প্যারামিটার।

• রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটি (I_E):৪.০ (ন্যূনতম), ৬.০ (সাধারণ) mW/sr। I_F= ২০mA এ পরিমাপ করা হয়েছে। এটি প্রতি কঠিন কোণে অপটিক্যাল পাওয়ার আউটপুট নির্দেশ করে।
• পিক ইমিশন তরঙ্গদৈর্ঘ্য (λ_Peak):৯৪০ nm (সাধারণ)। যে তরঙ্গদৈর্ঘ্যে নির্গত ইনফ্রারেড বিকিরণ সবচেয়ে শক্তিশালী।
• স্পেকট্রাল লাইন হাফ-উইডথ (Δλ):৫০ nm (সাধারণ)। পিক ইনটেনসিটির অর্ধেক নির্গত বর্ণালীর ব্যান্ডউইথ।
• ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ (V_F):১.২ (সাধারণ), ১.৫ (সর্বোচ্চ) V। I_F= ২০mA এ পরিমাপ করা হয়েছে। পরিবাহী অবস্থায় ডিভাইস জুড়ে ভোল্টেজ ড্রপ।
• রিভার্স কারেন্ট (I_R):১০ μA (সর্বোচ্চ)। V_R= ৫V এ পরিমাপ করা হয়েছে। রিভার্স বায়াসের অধীনে একটি ছোট লিকেজ কারেন্ট।
• দর্শন কোণ (২θ_1/2):২০ (ন্যূনতম), ২৫ (সাধারণ) ডিগ্রি। সম্পূর্ণ কোণ যেখানে রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটি তার অক্ষীয় মানের অর্ধেক হয়ে যায়।

৩. বিনিং সিস্টেম ব্যাখ্যা

ডিভাইসটি রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটির উপর ভিত্তি করে বিভিন্ন কর্মক্ষমতা গ্রেড বা "বিন"-এ উপলব্ধ। এটি ডিজাইনারদের তাদের অ্যাপ্লিকেশনের সংবেদনশীলতা বা আউটপুট পাওয়ার প্রয়োজনীয়তার সাথে সঠিকভাবে মেলে এমন একটি উপাদান নির্বাচন করতে দেয়।

বিন কোড তালিকা ২০mA এর একটি পরীক্ষা কারেন্টে প্রতিটি গ্রেডের জন্য ন্যূনতম এবং সর্বোচ্চ রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটি নির্দিষ্ট করে:

• বিন K:৪ থেকে ৬ mW/sr
• বিন L:৫ থেকে ৭.৫ mW/sr
• বিন M:৬ থেকে ৯ mW/sr
• বিন N:৭ থেকে ১০.৫ mW/sr

একটি উচ্চতর বিন কোড (যেমন, K এর উপর N) নির্বাচন সাধারণত একটি উচ্চতর ন্যূনতম অপটিক্যাল আউটপুট নিশ্চিত করে, যা একটি সিস্টেমে দীর্ঘ পরিসীমা অর্জন বা ভাল সিগন্যাল-টু-নয়েজ অনুপাত অর্জনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ হতে পারে।

৪. কর্মক্ষমতা কার্ভ বিশ্লেষণ

ডেটাশিটটি বেশ কয়েকটি বৈশিষ্ট্যগত কার্ভ প্রদান করে যা পরিবর্তিত অবস্থার অধীনে ডিভাইসের আচরণ চিত্রিত করে। এগুলি বিস্তারিত সার্কিট ডিজাইন এবং কর্মক্ষমতা ট্রেড-অফ বোঝার জন্য অপরিহার্য।

৪.১ বর্ণালী বন্টন

একটি কার্ভ (চিত্র.১) আপেক্ষিক রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটি বনাম তরঙ্গদৈর্ঘ্য দেখায়। এটি ৯৪০nm এ পিক ইমিশন এবং প্রায় ৫০nm বর্ণালী হাফ-উইডথ নিশ্চিত করে, যা GaAs-ভিত্তিক ইনফ্রারেড ইমিটারের জন্য সাধারণ। এই প্রশস্ত বর্ণালী সিলিকন ফটোডিটেক্টরের সাথে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত, যার নিয়ার-ইনফ্রারেড অঞ্চলে বিস্তৃত সংবেদনশীলতা রয়েছে।

৪.২ ফরওয়ার্ড কারেন্ট বনাম ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ (I-V কার্ভ)

এই কার্ভ (চিত্র.৩) কারেন্ট এবং ভোল্টেজের মধ্যে অ-রৈখিক সম্পর্ক চিত্রিত করে। এটি দেখায় যে ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ কারেন্টের সাথে বৃদ্ধি পায়, প্রায় ১.০V থেকে শুরু হয়ে ১০০mA এ ১.৫V এর কাছাকাছি পৌঁছায়। কারেন্ট-লিমিটিং সার্কিটরি ডিজাইনের জন্য এই কার্ভটি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

৪.৩ তাপমাত্রা বৈশিষ্ট্য

একাধিক কার্ভ পরিবেষ্টিত তাপমাত্রার (T_a) উপর ডিভাইসের নির্ভরতা চিত্রিত করে।

- ফরওয়ার্ড কারেন্ট বনাম পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা (চিত্র.২):সম্ভবত দেখায় যে পাওয়ার ডিসিপেশন সীমা অতিক্রম করা রোধ করতে পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সর্বোচ্চ অনুমোদিত ফরওয়ার্ড কারেন্ট কীভাবে হ্রাস পায়।

- আপেক্ষিক রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটি বনাম পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা (চিত্র.৪):প্রদর্শিত করে যে অপটিক্যাল আউটপুট পাওয়ার তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায়। এই নেতিবাচক তাপমাত্রা সহগ পরিবর্তনশীল তাপীয় পরিবেশে কাজ করা অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য একটি মূল বিবেচনা, কারণ এটি সামঞ্জস্যপূর্ণ কর্মক্ষমতা বজায় রাখার জন্য ড্রাইভ বা রিসিভার সার্কিটে তাপমাত্রা ক্ষতিপূরণের প্রয়োজন হতে পারে।

৪.৪ আপেক্ষিক রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটি বনাম ফরওয়ার্ড কারেন্ট

এই কার্ভ (চিত্র.৫) দেখায় যে রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটি সাধারণত ফরওয়ার্ড কারেন্টের সমানুপাতিক, কিন্তু উত্তাপ এবং দক্ষতা হ্রাসের কারণে খুব উচ্চ কারেন্টে সম্পর্কটি উপ-রৈখিক হয়ে উঠতে পারে। এটি একটি কাঙ্ক্ষিত আউটপুট স্তরের জন্য সর্বোত্তম অপারেটিং কারেন্ট নির্ধারণ করতে সাহায্য করে।

৪.৫ বিকিরণ ডায়াগ্রাম

পোলার ডায়াগ্রাম (চিত্র.৬) দর্শন কোণটি দৃশ্যত উপস্থাপন করে। তীব্রতা ০° (অক্ষীয়) এ সর্বোচ্চ এবং প্রতিসমভাবে হ্রাস পায়, প্রায় ±১২.৫° (২৫° দর্শন কোণের জন্য) এ অর্ধেক হয়ে যায়। ইমিটারকে একটি ডিটেক্টরের সাথে সারিবদ্ধ করার জন্য বা মরীচি গঠনের জন্য অপটিক্স ডিজাইন করার জন্য এই প্যাটার্নটি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

৫. যান্ত্রিক এবং প্যাকেজ তথ্য

৫.১ রূপরেখার মাত্রা

ডিভাইসটি একটি EIA স্ট্যান্ডার্ড প্যাকেজের সাথে সঙ্গতিপূর্ণ। মূল মাত্রাগুলির মধ্যে রয়েছে বডি সাইজ, লিড স্পেসিং এবং সামগ্রিক উচ্চতা। সমস্ত মাত্রা মিলিমিটারে প্রদান করা হয়, যদি না অন্যথায় উল্লেখ করা হয়, সাধারণ সহনশীলতা ±০.১mm। প্যাকেজটিতে একটি ওয়াটার-ক্লিয়ার প্লাস্টিক লেন্স রয়েছে একটি সাইড-ভিউ কনফিগারেশনের সাথে, যা নির্গত আলোকে পিসিবি সমতলের সাথে লম্বভাবে পরিচালিত করে।

৫.২ প্রস্তাবিত সোল্ডারিং প্যাড মাত্রা

একটি ডায়াগ্রাম সুপারিশকৃত পিসিবি ল্যান্ড প্যাটার্ন মাত্রা প্রদান করে যাতে রিফ্লো প্রক্রিয়া চলাকালীন এবং পরে সঠিক সোল্ডার জয়েন্ট গঠন এবং যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করা যায়। উৎপাদন ফলন এবং দীর্ঘমেয়াদী নির্ভরযোগ্যতার জন্য এই নির্দেশিকাগুলি মেনে চলা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

৫.৩ পোলারিটি শনাক্তকরণ

ক্যাথোড সাধারণত প্যাকেজে একটি সমতল পাশ, একটি খাঁজ বা একটি ছোট লিড দ্বারা নির্দেশিত হয়। সমাবেশের সময় সঠিক পোলারিটি অবশ্যই পালন করতে হবে, কারণ সর্বোচ্চ রেটিং ছাড়িয়ে রিভার্স ভোল্টেজ প্রয়োগ করলে তাৎক্ষণিকভাবে ডিভাইসের ক্ষতি হতে পারে।

৬. সোল্ডারিং এবং সমাবেশ নির্দেশিকা

৬.১ রিফ্লো সোল্ডারিং প্যারামিটার

ডিভাইসটি ইনফ্রারেড রিফ্লো প্রক্রিয়ার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ। প্রস্তাবিত শর্তগুলির মধ্যে রয়েছে:

- প্রি-হিট:১৫০–২০০°C সর্বোচ্চ ১২০ সেকেন্ডের জন্য।

- পিক তাপমাত্রা:সর্বোচ্চ ২৬০°C।

- লিকুইডাসের উপরে সময়:সর্বোচ্চ ১০ সেকেন্ড (সর্বোচ্চ দুটি রিফ্লো চক্রের জন্য)।

এই প্যারামিটারগুলি JEDEC স্ট্যান্ডার্ড এবং সাধারণ সীসা-মুক্ত সোল্ডার পেস্ট স্পেসিফিকেশনের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ। প্রোফাইলটি নির্দিষ্ট পিসিবি নকশা, উপাদান এবং ব্যবহৃত ওভেনের জন্য চিহ্নিত করা উচিত।

৬.২ স্টোরেজ শর্ত

ডিভাইসটির একটি ময়েশ্চার সেন্সিটিভিটি লেভেল (MSL) ৩ রয়েছে।

- সিল করা প্যাকেজ:≤৩০°C এবং ≤৯০% RH এ সংরক্ষণ করুন। ব্যাগ সিল তারিখের এক বছরের মধ্যে ব্যবহার করুন।

- খোলা প্যাকেজ:আর্দ্রতা-প্রতিরোধী ব্যাগ থেকে সরানো উপাদানগুলির জন্য, স্টোরেজ পরিবেশ ৩০°C/৬০% RH অতিক্রম করা উচিত নয়। এক সপ্তাহের (১৬৮ ঘন্টা) মধ্যে আইআর রিফ্লো সম্পন্ন করার পরামর্শ দেওয়া হয়। মূল প্যাকেজিংয়ের বাইরে দীর্ঘ সময়ের জন্য স্টোরেজের জন্য, ডিসিক্যান্ট সহ একটি সিল করা পাত্র ব্যবহার করুন। এক সপ্তাহের বেশি সময় ধরে সংরক্ষিত উপাদানগুলিকে সোল্ডারিংয়ের আগে কমপক্ষে ২০ ঘন্টার জন্য প্রায় ৬০°C এ বেক করা উচিত শোষিত আর্দ্রতা অপসারণ করতে এবং রিফ্লোর সময় "পপকর্নিং" প্রতিরোধ করতে।

৬.৩ পরিষ্কার

সোল্ডারিংয়ের পরে যদি পরিষ্কার করা প্রয়োজন হয়, অ্যালকোহল-ভিত্তিক দ্রাবক যেমন আইসোপ্রোপাইল অ্যালকোহল ব্যবহার করুন। কঠোর বা আক্রমণাত্মক রাসায়নিক এড়ানো উচিত।

৭. প্যাকেজিং এবং অর্ডার তথ্য

৭.১ টেপ এবং রিল স্পেসিফিকেশন

ডিভাইসটি ১৩ ইঞ্চি (৩৩০mm) ব্যাসের রিলে ৮mm ক্যারিয়ার টেপে সরবরাহ করা হয়। প্রতিটি রিলে প্রায় ৯০০০ টুকরা থাকে। প্যাকেজিং ANSI/EIA 481-1-A-1994 স্পেসিফিকেশনের সাথে সঙ্গতিপূর্ণ। টেপটিতে একটি টপ কভার সিল রয়েছে, এবং সর্বোচ্চ দুটি পরপর খালি উপাদান পকেট অনুমোদিত।

৮. অ্যাপ্লিকেশন পরামর্শ

৮.১ সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যকল্প

• রিমোট কন্ট্রোল:টিভি, অডিও সিস্টেম এবং অন্যান্য ভোক্তা ইলেকট্রনিক্সের জন্য।
• আইআর ডেটা ট্রান্সমিশন:সেন্সর বা কন্ট্রোল সিগন্যালের জন্য স্বল্প-পরিসর, সিমপ্লেক্স ওয়্যারলেস যোগাযোগ।
• নিরাপত্তা সিস্টেম:অনধিকার প্রবেশ সনাক্তকরণ মরীচি বা প্রক্সিমিটি সেন্সরের অংশ হিসাবে।
• বস্তু সনাক্তকরণ:গণনা, অবস্থান সনাক্তকরণ বা এজ ডিটেকশনের জন্য পিসিবি-মাউন্ট করা সেন্সর।

৮.২ নকশা বিবেচনা এবং ড্রাইভ পদ্ধতি

একটি এলইডি হল একটি কারেন্ট-চালিত ডিভাইস। সামঞ্জস্যপূর্ণ তীব্রতা এবং দীর্ঘায়ু নিশ্চিত করতে, এটি একটি কারেন্ট সোর্স বা একটি সিরিজ কারেন্ট-লিমিটিং রেজিস্টর সহ একটি ভোল্টেজ সোর্স দিয়ে চালিত করতে হবে। রেজিস্টর মান (R_s) ওহমের সূত্র ব্যবহার করে গণনা করা যেতে পারে: R_s= (V_supply- V_F) / I_F. যেখানে V_Fডেটাশিট থেকে কাঙ্ক্ষিত অপারেটিং কারেন্ট I_Fএ ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ। সমান্তরালভাবে একাধিক এলইডি চালানোর সময়, প্রতিটি এলইডির জন্য একটি পৃথক কারেন্ট-লিমিটিং রেজিস্টর ব্যবহার করার জন্য দৃঢ়ভাবে সুপারিশ করা হয় তাদের V_F characteristics.

৯. প্রযুক্তিগত তুলনা এবং পার্থক্য

LTE-S9511-E, তার ৯৪০nm তরঙ্গদৈর্ঘ্যের সাথে, দৃশ্যমান-আলোর এলইডি বা অন্যান্য আইআর তরঙ্গদৈর্ঘ্যের তুলনায় একটি মূল সুবিধা প্রদান করে: এটি মানুষের চোখের জন্য কার্যত অদৃশ্য, যা গোপন অপারেশনের জন্য আদর্শ করে তোলে। ৮৫০nm ইমিটারের তুলনায়, ৯৪০nm সাধারণত কম সৌর বিকিরণ ব্যাকগ্রাউন্ড নয়েজ থাকে, যা পরিবেষ্টিত আলোর অবস্থায় সিগন্যাল-টু-নয়েজ অনুপাত উন্নত করতে পারে। সাইড-ভিউ লেন্স প্যাকেজটি বিশেষভাবে সেই অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যেখানে আইআর মরীচিকে পিসিবি পৃষ্ঠের সমান্তরালভাবে চলাচল করতে হয়, যা স্লট-টাইপ সেন্সর বা এজ-লিট প্যানেলে একটি সাধারণ প্রয়োজনীয়তা।

১০. প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন (প্রযুক্তিগত প্যারামিটারের উপর ভিত্তি করে)

প্র: আমি কি এই এলইডিটি সরাসরি একটি ৩.৩V বা ৫V মাইক্রোকন্ট্রোলার পিন থেকে চালাতে পারি?

উ: না। আপনাকে কারেন্ট সীমিত করতে একটি সিরিজ রেজিস্টর ব্যবহার করতে হবে। উদাহরণস্বরূপ, একটি ৫V সরবরাহ এবং একটি লক্ষ্য I_F২০mA (V_F~১.২V), R_s= (৫V - ১.২V) / ০.০২A = ১৯০Ω। একটি ২০০Ω রেজিস্টর একটি উপযুক্ত স্ট্যান্ডার্ড মান হবে।

প্র: "রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটি" এবং "দর্শন কোণ" এর মধ্যে পার্থক্য কী?

উ: রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটি (mW/sr) পরিমাপ করে যে একটি নির্দিষ্ট দিকে (প্রতি স্টেরেডিয়ানে) কত অপটিক্যাল পাওয়ার কেন্দ্রীভূত হয়। দর্শন কোণ সংজ্ঞায়িত করে যে মরীচিটি কত প্রশস্ত। উচ্চ রেডিয়েন্ট ইনটেনসিটি কিন্তু খুব সংকীর্ণ দর্শন কোণ সহ একটি ডিভাইস একটি শক্তিশালী কিন্তু টাইট মরীচি প্রজেক্ট করে। এই ডিভাইসটির একটি মাঝারি ২৫° দর্শন কোণ রয়েছে, যা মরীচি ঘনত্ব এবং কভারেজের মধ্যে একটি ভাল ভারসাম্য প্রদান করে।

প্র: ময়েশ্চার সেন্সিটিভিটি লেভেল (MSL ৩) কেন গুরুত্বপূর্ণ?

উ: প্লাস্টিক প্যাকেজ বাতাস থেকে আর্দ্রতা শোষণ করতে পারে। উচ্চ-তাপমাত্রার রিফ্লো সোল্ডারিং প্রক্রিয়া চলাকালীন, এই আটকে থাকা আর্দ্রতা দ্রুত বাষ্পীভূত হতে পারে, অভ্যন্তরীণ বিচ্ছিন্নতা, ফাটল বা "পপকর্নিং" সৃষ্টি করতে পারে, যা ডিভাইসটি ধ্বংস করে দেয়। এই ব্যর্থতার মোড প্রতিরোধ করার জন্য নির্ধারিত স্টোরেজ, হ্যান্ডলিং এবং বেকিং পদ্ধতি অনুসরণ করা অপরিহার্য।

১১. ব্যবহারিক নকশা এবং ব্যবহারের কেস

কেস: একটি সাধারণ আইআর বস্তু সনাক্তকরণ সেন্সর ডিজাইন করা।

একটি সাধারণ নকশা LTE-S9511-E কে ইমিটার এবং ডিটেক্টর উভয় হিসাবে ব্যবহার করে (একটি প্রতিফলিত সেন্সিং মোডে) বা একটি পৃথক ফটোট্রানজিস্টর ব্যবহার করে। ইমিটারটি একটি নির্দিষ্ট ফ্রিকোয়েন্সিতে (যেমন, ৩৮kHz) পালস করা হয়। ডিটেক্টর সার্কিটে এই ফ্রিকোয়েন্সিতে টিউন করা একটি ফিল্টার অন্তর্ভুক্ত থাকে। যখন একটি বস্তু আইআর মরীচিকে ডিটেক্টরে ফিরিয়ে দেয়, সার্কিটটি একটি সিগন্যাল নিবন্ধন করে। মূল নকশা ধাপগুলি:

1. ড্রাইভ সার্কিট:একটি ট্রানজিস্টর (যেমন, NPN বা N-চ্যানেল MOSFET) ব্যবহার করুন যা একটি মাইক্রোকন্ট্রোলার দ্বারা সুইচ করা হয় কাঙ্ক্ষিত কারেন্ট (যেমন, ৫০mA পালস) এবং ফ্রিকোয়েন্সিতে এলইডি পালস করতে। গণনাকৃত সিরিজ রেজিস্টর অন্তর্ভুক্ত করুন।

2. রিসিভার সার্কিট:একটি ফটোট্রানজিস্টরের আউটপুট একটি অ্যামপ্লিফায়ার এবং মড্যুলেশন ফ্রিকোয়েন্সি (৩৮kHz) কেন্দ্রিক একটি ব্যান্ড-পাস ফিল্টারে খাওয়ানো হয়। এটি পরিবেষ্টিত আলো (ডিসি এবং নিম্ন-ফ্রিকোয়েন্সি) এবং অন্যান্য আইআর নয়েজ প্রত্যাখ্যান করে।

3. সারিবদ্ধকরণ:ইমিটার এবং ডিটেক্টর সারিবদ্ধ করতে বিকিরণ ডায়াগ্রাম ব্যবহার করুন। প্রতিফলিত সেন্সিংয়ের জন্য, সেগুলি প্রায়শই একটি কোণে পাশাপাশি স্থাপন করা হয়, তাদের দর্শনের ক্ষেত্রগুলি কাঙ্ক্ষিত সেন্সিং দূরত্বে ছেদ করে।

4. পিসিবি লেআউট:প্রস্তাবিত প্যাড লেআউট অনুসারে উপাদানগুলি রাখুন। নিশ্চিত করুন যে স্বচ্ছ প্লাস্টিক লেন্সটি সোল্ডার মাস্ক বা অন্যান্য উপাদান দ্বারা বাধাগ্রস্ত না হয়।

১২. নীতি পরিচিতি

LTE-S9511-E, একটি ইনফ্রারেড ইমিটার হিসাবে, একটি সেমিকন্ডাক্টর ডায়োড। যখন ফরওয়ার্ড বায়াস করা হয়, ইলেকট্রন এবং গর্ত সক্রিয় অঞ্চলে (GaAs বা AlGaAs এর মতো উপকরণ দিয়ে তৈরি) পুনর্মিলিত হয়, ফোটন আকারে শক্তি মুক্ত করে। নির্দিষ্ট উপাদান গঠন এই ফোটনগুলির তরঙ্গদৈর্ঘ্য নির্ধারণ করে; এই ক্ষেত্রে, এটি প্রায় ৯৪০nm কেন্দ্রীভূত, যা নিয়ার-ইনফ্রারেড বর্ণালীতে রয়েছে। সাইড-ভিউ লেন্সটি ওয়াটার-ক্লিয়ার ইপোক্সি থেকে তৈরি করা হয়েছে, যা সেমিকন্ডাক্টর চিপ থেকে আলো দক্ষতার সাথে বের করে এবং পার্শ্বীয়ভাবে পরিচালিত করে। ডিভাইসটি একটি ডিটেক্টর হিসাবেও কাজ করতে পারে কারণ সেমিকন্ডাক্টর PN জংশন পর্যাপ্ত শক্তির আলোর সংস্পর্শে আসার সময় একটি ছোট ফটোকারেন্ট তৈরি করতে পারে (উপাদানের কাটঅফ তরঙ্গদৈর্ঘ্যের চেয়ে ছোট তরঙ্গদৈর্ঘ্যের ফোটন)। যাইহোক, এর প্রাথমিক অপ্টিমাইজড ফাংশন হল নির্গমন।

১৩. উন্নয়ন প্রবণতা

পৃথক ইনফ্রারেড উপাদানের ক্ষেত্রটি অব্যাহতভাবে বিকশিত হচ্ছে। প্রবণতাগুলির মধ্যে রয়েছে:

- উচ্চতর দক্ষতা:প্রতি ইউনিট বৈদ্যুতিক ইনপুট থেকে আরও অপটিক্যাল পাওয়ার বের করতে নতুন সেমিকন্ডাক্টর উপকরণ এবং কাঠামোর (যেমন, মাল্টি-কোয়ান্টাম ওয়েল) বিকাশ, তাপ উৎপাদন এবং শক্তি খরচ হ্রাস করে।

- বর্ধিত গতি:ডেটা ট্রান্সমিশন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য, দ্রুত রাইজ/ফল টাইম সহ উপাদানগুলি উচ্চতর ডেটা রেট সক্ষম করে।

- একীকরণ:ইমিটার, ডিটেক্টর এবং কন্ট্রোল লজিক (মড্যুলেশন/ডিমড্যুলেশনের মতো) একটি একক প্যাকেজ বা মডিউলে একত্রিত করা নকশা সহজ করে এবং কর্মক্ষমতা উন্নত করে।

- ক্ষুদ্রীকরণ:কর্মক্ষমতা স্পেসিফিকেশন বজায় রেখে বা উন্নত করার সময় ক্রমবর্ধমান ছোট ভোক্তা ইলেকট্রনিক্সের চাহিদা পূরণের জন্য প্যাকেজ আকারের অব্যাহত হ্রাস।

- উন্নত নির্ভরযোগ্যতা:কঠোর পরিবেশগত অবস্থা এবং দীর্ঘ অপারেশনাল জীবনকাল সহ্য করার জন্য উন্নত প্যাকেজিং উপকরণ এবং প্রক্রিয়া।