এসএমডি এলইডি LTST-C990KSKT-BL ডেটাশিট - মাত্রা ৩.২x২.৮x১.৯মিমি - ভোল্টেজ ১.৮-২.৪ভি - পাওয়ার ৬২.৫এমডব্লিউ - হলুদ - ইংরেজি প্রযুক্তিগত নথি

১. পণ্য সংক্ষিপ্ত বিবরণ

এই নথিটি LTST-C990KSKT-BL-এর সম্পূর্ণ প্রযুক্তিগত স্পেসিফিকেশন সরবরাহ করে, যা একটি সারফেস-মাউন্ট ডিভাইস (এসএমডি) এলইডি ল্যাম্প। স্বয়ংক্রিয় প্রিন্টেড সার্কিট বোর্ড (পিসিবি) সমাবেশের জন্য নকশাকৃত, এই উপাদানটি বিভিন্ন ধরনের ভোক্তা ও শিল্প ইলেকট্রনিক্সে সীমিত স্থানের প্রয়োগের জন্য আদর্শ।

১.১ মূল সুবিধা এবং লক্ষ্য বাজার

এই এলইডির প্রাথমিক সুবিধাগুলির মধ্যে রয়েছে এর ক্ষুদ্রাকৃতি, AlInGaP সেমিকন্ডাক্টর চিপ থেকে উচ্চ উজ্জ্বলতা আউটপুট এবং স্বয়ংক্রিয় পিক-এন্ড-প্লেস মেশিনারি ও ইনফ্রারেড (আইআর) রিফ্লো সোল্ডারিং প্রক্রিয়ার সাথে সম্পূর্ণ সামঞ্জস্য। এটি RoHS সম্মতি মান পূরণের জন্য নকশা করা হয়েছে। এর লক্ষ্য প্রয়োগগুলি বৈচিত্র্যময়, টেলিযোগাযোগ সরঞ্জাম (যেমন, কর্ডলেস এবং সেলুলার ফোন), নোটবুক কম্পিউটারের মতো অফিস অটোমেশন ডিভাইস, নেটওয়ার্ক সিস্টেম, গৃহস্থালি যন্ত্রপাতি এবং ইনডোর সাইনেজ বা প্রতীক আলোকসজ্জা অন্তর্ভুক্ত করে। নির্দিষ্ট ব্যবহারগুলির মধ্যে রয়েছে কীপ্যাড বা কীবোর্ড ব্যাকলাইটিং, অবস্থা নির্দেশক, মাইক্রো-ডিসপ্লে এবং সাধারণ সংকেত আলোকসজ্জা।

২. প্রযুক্তিগত প্যারামিটার: গভীর উদ্দেশ্যমূলক ব্যাখ্যা

নিম্নলিখিত বিভাগগুলি এলইডির কর্মক্ষমতা সীমা সংজ্ঞায়িতকারী গুরুত্বপূর্ণ বৈদ্যুতিক, অপটিক্যাল এবং তাপীয় প্যারামিটারগুলির বিশদ বিবরণ দেয়।

২.১ পরম সর্বোচ্চ রেটিং

এই রেটিংগুলি সেই সীমা নির্দিষ্ট করে যার বাইরে ডিভাইসের স্থায়ী ক্ষতি হতে পারে। এগুলি স্বাভাবিক অপারেশনের জন্য উদ্দেশ্য নয়। ২৫°C পরিবেষ্টিত তাপমাত্রায় (Ta): সর্বোচ্চ অবিচ্ছিন্ন ডিসি ফরোয়ার্ড কারেন্ট (IF) হল ২৫ mA। ডিভাইসটি ৬০ mA-এর উচ্চতর পিক ফরোয়ার্ড কারেন্ট পরিচালনা করতে পারে, তবে শুধুমাত্র ১/১০ ডিউটি সাইকেল এবং ০.১ ms পালস প্রস্থ সহ পালসড অবস্থার অধীনে। সর্বোচ্চ অনুমোদিত রিভার্স ভোল্টেজ (VR) হল ৫ V। মোট পাওয়ার ডিসিপেশন ৬২.৫ mW অতিক্রম করা উচিত নয়। অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসীমা -৩০°C থেকে +৮৫°C পর্যন্ত, যখন স্টোরেজ তাপমাত্রার পরিসীমা -৪০°C থেকে +৮৫°C পর্যন্ত প্রসারিত। উপাদানটি ২৬০°C পিক তাপমাত্রায় ১০ সেকেন্ডের সময়কাল সহ ইনফ্রারেড রিফ্লো সোল্ডারিং সহ্য করতে পারে।

২.২ ইলেক্ট্রো-অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য

এই বৈশিষ্ট্যগুলি স্ট্যান্ডার্ড টেস্ট শর্তের অধীনে (Ta=২৫°C, IF=২০ mA) পরিমাপ করা হয় এবং সাধারণ কর্মক্ষমতা উপস্থাপন করে। অনুভূত উজ্জ্বলতার পরিমাপ, লুমিনাস ইনটেনসিটি (Iv), সর্বনিম্ন ৪৫০.০ mcd থেকে সর্বোচ্চ ১১২০.০ mcd পর্যন্ত। ভিউইং অ্যাঙ্গেল, সংজ্ঞায়িত ২θ১/২ যেখানে তীব্রতা অক্ষীয় মানের অর্ধেক, হল ৭৫ ডিগ্রি, যা তুলনামূলকভাবে প্রশস্ত বিম প্যাটার্ন নির্দেশ করে। পিক ইমিশন ওয়েভলেংথ (λP) সাধারণত ৫৯১.০ nm। প্রভাবশালী ওয়েভলেংথ (λd), যা CIE ক্রোমাটিসিটি ডায়াগ্রামে অনুভূত কালার পয়েন্ট সংজ্ঞায়িত করে, ৫৮৪.৫ nm এবং ৫৯৪.৫ nm এর মধ্যে নির্দিষ্ট করা হয়েছে, যা এটিকে বর্ণালীর হলুদ অঞ্চলে দৃঢ়ভাবে স্থাপন করে। স্পেকট্রাল লাইন হাফ-উইডথ (Δλ) প্রায় ১৫ nm। ২০ mA-তে ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ (VF) ১.৮ V থেকে ২.৪ V পর্যন্ত। ৫ V-তে রিভার্স কারেন্ট (IR) সর্বোচ্চ ১০ µA।

২.৩ তাপীয় বিবেচনা

যদিও প্রদত্ত উদ্ধৃতিতে কার্ভের মধ্যে স্পষ্টভাবে বিশদ দেওয়া নেই, ৬২.৫ mW-এর সর্বোচ্চ পাওয়ার ডিসিপেশন এবং নির্দিষ্ট অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসীমা হল মূল তাপীয় প্যারামিটার। ডিজাইনারদের নিশ্চিত করতে হবে যে পিসিবি লেআউট এবং প্রয়োগের পরিবেশ পর্যাপ্ত তাপ অপসারণের অনুমতি দেয় যাতে জংশন তাপমাত্রা নিরাপদ সীমার মধ্যে থাকে, কারণ সর্বোচ্চ রেটিং অতিক্রম করলে কর্মক্ষমতা এবং আয়ু হ্রাস পাবে।

৩. বিন র্যাঙ্কিং সিস্টেম ব্যাখ্যা

উৎপাদনে রঙ এবং উজ্জ্বলতার সামঞ্জস্য নিশ্চিত করতে, এলইডিগুলি পরিমাপকৃত প্যারামিটারের ভিত্তিতে বিনে বাছাই করা হয়। এই সিস্টেমটি ডিজাইনারদের নির্দিষ্ট প্রয়োগের প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে এমন উপাদান নির্বাচন করতে দেয়।

৩.১ ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ (VF) বিনিং

হলুদ বৈকল্পিকের জন্য, ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ ২০ mA টেস্ট কারেন্টে দুটি বিনে বাছাই করা হয়: বিন F2 (১.৮০ V থেকে ২.১০ V) এবং বিন F3 (২.১০ V থেকে ২.৪০ V)। প্রতিটি বিনের সহনশীলতা হল ±০.১ V। একই VF বিন থেকে এলইডি নির্বাচন করা একাধিক ডিভাইস সমান্তরালভাবে সংযুক্ত হলে অভিন্ন কারেন্ট বিতরণ বজায় রাখতে সাহায্য করে।

৩.২ লুমিনাস ইনটেনসিটি (Iv) বিনিং

লুমিনাস ইনটেনসিটি দুটি বিনে শ্রেণীবদ্ধ করা হয়েছে: বিন U (৪৫০.০ mcd থেকে ৭১০.০ mcd) এবং বিন V (৭১০.০ mcd থেকে ১১২০.০ mcd)। সহনশীলতা হল বিন পরিসরের ±১৫%। এটি প্রয়োজনীয় উজ্জ্বলতার স্তরের ভিত্তিতে নির্বাচনের অনুমতি দেয়, বিন V উচ্চতর আউটপুট প্রদান করে।

৩.৩ হিউ (প্রভাবশালী ওয়েভলেংথ) বিনিং

প্রভাবশালী ওয়েভলেংথ, যা হলুদের সঠিক শেড নির্ধারণ করে, চারটি বিনে বিভক্ত: বিন H (৫৮৪.৫ nm থেকে ৫৮৭.০ nm), বিন J (৫৮৭.০ nm থেকে ৫৮৯.৫ nm), বিন K (৫৮৯.৫ nm থেকে ৫৯২.০ nm), এবং বিন L (৫৯২.০ nm থেকে ৫৯৪.৫ nm)। প্রতিটি বিনের সহনশীলতা হল ±১ nm। এই সুনির্দিষ্ট বিনিং কঠোর কালার ম্যাচিং প্রয়োজন এমন প্রয়োগের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ, যেমন মাল্টি-এলইডি ডিসপ্লে বা অবস্থা নির্দেশক যেখানে রঙের সামঞ্জস্য সর্বোচ্চ গুরুত্বপূর্ণ।

৪. কর্মক্ষমতা কার্ভ বিশ্লেষণ

যদিও নির্দিষ্ট গ্রাফিক্যাল কার্ভগুলি পাঠ্যে উল্লেখ করা হয়েছে কিন্তু প্রদর্শিত হয়নি, এই ধরনের ডিভাইসের জন্য সাধারণ প্লটগুলিতে নিম্নলিখিতগুলি অন্তর্ভুক্ত থাকবে, যা পরিবর্তনশীল অবস্থার অধীনে কর্মক্ষমতার গভীর অন্তর্দৃষ্টি প্রদান করে।

৪.১ ফরোয়ার্ড কারেন্ট বনাম ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ (I-V কার্ভ)

এই কার্ভটি এলইডির মধ্য দিয়ে প্রবাহিত কারেন্ট এবং এর ওপরে ভোল্টেজ ড্রপের মধ্যে অ-রৈখিক সম্পর্ক দেখায়। এটি কারেন্ট-লিমিটিং সার্কিটরি (যেমন, সিরিজ রেজিস্টর বা কনস্ট্যান্ট কারেন্ট ড্রাইভার) ডিজাইন করার জন্য অপরিহার্য যাতে কাঙ্ক্ষিত উজ্জ্বলতার স্তরে স্থিতিশীল অপারেশন নিশ্চিত হয় সর্বোচ্চ কারেন্ট রেটিং অতিক্রম না করে।

৪.২ লুমিনাস ইনটেনসিটি বনাম ফরোয়ার্ড কারেন্ট

এই প্লটটি দেখায় কিভাবে আলোর আউটপুট ফরোয়ার্ড কারেন্টের সাথে বৃদ্ধি পায়। এটি সাধারণত একটি পরিসরে রৈখিক কিন্তু উচ্চতর কারেন্টে স্যাচুরেট হবে। সর্বোচ্চ ডিসি কারেন্টের কাছাকাছি অপারেশন উচ্চতর উজ্জ্বলতা প্রদান করতে পারে কিন্তু সময়ের সাথে সাথে দক্ষতা হ্রাস করতে পারে এবং লুমেন অবমূল্যায়ন ত্বরান্বিত করতে পারে।

৪.৩ লুমিনাস ইনটেনসিটি বনাম পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা

এই বৈশিষ্ট্যগত কার্ভটি ক্রমবর্ধমান জংশন তাপমাত্রার আলোর আউটপুটের উপর নেতিবাচক প্রভাব প্রদর্শন করে। তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে লুমিনাস ইনটেনসিটি সাধারণত হ্রাস পায়। এই ডিরেটিং বোঝা উচ্চতর তাপমাত্রার পরিবেশে অপারেটিং প্রয়োগের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ যাতে পর্যাপ্ত উজ্জ্বলতা বজায় থাকে।

৪.৪ বর্ণালী বিতরণ

একটি বর্ণালী প্লট আপেক্ষিক বিকিরণ শক্তি দেখাবে যা তরঙ্গদৈর্ঘ্যের একটি ফাংশন হিসাবে নির্গত হয়, ~১৫ nm হাফ-উইডথ সহ ৫৯১ nm পিকের চারপাশে কেন্দ্রীভূত। এটি AlInGaP চিপের একরঙা হলুদ নির্গমন নিশ্চিত করে।

৫. যান্ত্রিক এবং প্যাকেজ তথ্য

৫.১ প্যাকেজ মাত্রা

এলইডিটি একটি স্ট্যান্ডার্ড EIA-সামঞ্জস্যপূর্ণ এসএমডি প্যাকেজে আবদ্ধ। মূল মাত্রাগুলির মধ্যে রয়েছে দৈর্ঘ্য ৩.২ mm, প্রস্থ ২.৮ mm এবং উচ্চতা ১.৯ mm। অন্যথায় উল্লিখিত না হলে সমস্ত মাত্রিক সহনশীলতা হল ±০.১ mm। ডিভাইসটিতে একটি ওয়াটার-ক্লিয়ার ডোম লেন্স রয়েছে যা ৭৫-ডিগ্রি ভিউইং অ্যাঙ্গেল অর্জনে সাহায্য করে।

৫.২ সুপারিশকৃত পিসিবি সংযুক্তি প্যাড লেআউট

নির্ভরযোগ্য সোল্ডারিং এবং সঠিক যান্ত্রিক সারিবদ্ধতা নিশ্চিত করার জন্য পিসিবি ডিজাইনের জন্য একটি প্রস্তাবিত ল্যান্ড প্যাটার্ন (ফুটপ্রিন্ট) প্রদান করা হয়েছে। ভাল সোল্ডার ফিলেট অর্জন এবং রিফ্লোর সময় টম্বস্টোনিং প্রতিরোধের জন্য এই সুপারিশকৃত প্যাড জ্যামিতি মেনে চলা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

৫.৩ পোলারিটি শনাক্তকরণ

ক্যাথোড (নেগেটিভ) টার্মিনাল সাধারণত ডিভাইস বডিতে চিহ্নিত করা হয়, প্রায়শই একটি খাঁজ, একটি সবুজ বিন্দু বা লেন্স বা প্যাকেজে একটি কাটা কোণ দ্বারা। সঠিক পোলারিটি অভিযোজন সমাবেশের সময় অবশ্যই পালন করতে হবে যাতে সঠিক কার্যকারিতা নিশ্চিত হয়।

৬. সোল্ডারিং এবং সমাবেশ নির্দেশিকা

৬.১ ইনফ্রারেড রিফ্লো সোল্ডারিং প্যারামিটার

লিড-ফ্রি (Pb-মুক্ত) সোল্ডার প্রক্রিয়ার জন্য, একটি নির্দিষ্ট রিফ্লো প্রোফাইল সুপারিশ করা হয়। পিক বডি তাপমাত্রা ২৬০°C অতিক্রম করা উচিত নয়, এবং ২৬০°C-এর উপরে সময় সর্বোচ্চ ১০ সেকেন্ডে সীমাবদ্ধ রাখা উচিত। ডিভাইসটি এই শর্তের অধীনে সর্বোচ্চ দুটি রিফ্লো চক্রের মধ্যেই রাখা উচিত। তাপীয় শক কমানোর জন্য ১৫০°C এবং ২০০°C এর মধ্যে ১২০ সেকেন্ড পর্যন্ত একটি প্রি-হিট স্টেজ সুপারিশ করা হয়। এই প্যারামিটারগুলি JEDEC মানের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ যাতে এলইডি প্যাকেজ ক্ষতি না করে নির্ভরযোগ্য সোল্ডার জয়েন্ট নিশ্চিত হয়।

৬.২ হ্যান্ড সোল্ডারিং নির্দেশনা

যদি হ্যান্ড সোল্ডারিং প্রয়োজন হয়, সোল্ডারিং আয়রন টিপ তাপমাত্রা ৩০০°C বা তার নিচে রাখা উচিত। প্রতিটি সোল্ডার জয়েন্টের জন্য যোগাযোগের সময় সর্বোচ্চ ৩ সেকেন্ডে সীমাবদ্ধ রাখা উচিত, এবং এটি প্রতিটি জয়েন্টের জন্য শুধুমাত্র একবার সম্পাদন করা উচিত যাতে সেমিকন্ডাক্টর ডাই-এ অত্যধিক তাপ স্থানান্তর প্রতিরোধ করা যায়।

৬.৩ স্টোরেজ শর্ত

খোলা হয়নি এমন ময়েশ্চার-সেনসিটিভ ব্যাগ (MSL ৩) ≤ ৩০°C এবং ≤ ৯০% আপেক্ষিক আর্দ্রতা (RH) এ সংরক্ষণ করা উচিত এবং এক বছরের মধ্যে ব্যবহার করা উচিত। মূল সিল করা প্যাকেজিং খোলার পরে, এলইডিগুলি ৩০°C এবং ৬০% RH অতিক্রম না করে এমন পরিবেশে সংরক্ষণ করা উচিত। খোলার এক সপ্তাহের মধ্যে আইআর রিফ্লো প্রক্রিয়া সম্পূর্ণ করার জন্য দৃঢ়ভাবে সুপারিশ করা হয়। মূল ব্যাগের বাইরে দীর্ঘ সময়ের জন্য স্টোরেজের জন্য, উপাদানগুলি ডেসিক্যান্ট সহ একটি সিল করা কন্টেইনারে বা নাইট্রোজেন-পরিশোধিত ডেসিকেটরে রাখা উচিত। মূল প্যাকেজিংয়ের বাইরে এক সপ্তাহের বেশি সংরক্ষণ করা হলে, সোল্ডারিংয়ের আগে প্রায় ৬০°C তাপমাত্রায় কমপক্ষে ২০ ঘন্টা বেক-আউট প্রয়োজন যাতে শোষিত আর্দ্রতা অপসারণ করা যায় এবং রিফ্লোর সময় \"পপকর্নিং\" প্রতিরোধ করা যায়।

৬.৪ পরিষ্কার পদ্ধতি

যদি সোল্ডারিংয়ের পরে পরিষ্কার করা প্রয়োজন, শুধুমাত্র নির্দিষ্ট অ্যালকোহল-ভিত্তিক দ্রাবক যেমন আইসোপ্রোপাইল অ্যালকোহল (IPA) বা ইথাইল অ্যালকোহল ব্যবহার করা উচিত। এলইডিটিকে স্বাভাবিক ঘরের তাপমাত্রায় এক মিনিটের কম সময়ের জন্য নিমজ্জিত করা উচিত। অনির্দিষ্ট রাসায়নিক ক্লিনার এপোক্সি লেন্স বা প্যাকেজ ক্ষতি করতে পারে।

৭. প্যাকেজিং এবং অর্ডার তথ্য

৭.১ টেপ এবং রিল স্পেসিফিকেশন

এলইডিগুলি ANSI/EIA-৪৮১ মান অনুসারে ৭-ইঞ্চি (১৭৮ mm) ব্যাসের রিলে এমবসড ক্যারিয়ার টেপে সরবরাহ করা হয়। প্রতিটি রিলে ৩০০০ টুকরা রয়েছে। টেপ পকেট মাত্রাগুলি ৩.২x২.৮mm উপাদান নিরাপদে ধরে রাখার জন্য নকশা করা হয়েছে। একটি টপ কভার টেপ পকেটগুলি সিল করে। টেপে ধারাবাহিকভাবে অনুপস্থিত উপাদানের সর্বোচ্চ অনুমোদিত সংখ্যা হল দুই। একটি সম্পূর্ণ রিলের চেয়ে কম পরিমাণের জন্য, অবশিষ্ট অর্ডারের জন্য ৫০০ টুকরার ন্যূনতম প্যাকিং পরিমাণ উপলব্ধ।

৮. প্রয়োগ সুপারিশ

৮.১ সাধারণ প্রয়োগ সার্কিট

এলইডিটিকে অবশ্যই একটি কনস্ট্যান্ট কারেন্ট দ্বারা বা একটি ভোল্টেজ উৎসের সাথে সিরিজে সংযুক্ত একটি কারেন্ট-লিমিটিং রেজিস্টরের মাধ্যমে চালিত করতে হবে। সিরিজ রেজিস্টর মান (R_s) ওহমের সূত্র ব্যবহার করে গণনা করা যেতে পারে: R_s = (V_supply - V_F) / I_F, যেখানে V_F হল কাঙ্ক্ষিত কারেন্ট I_F (যেমন, ২০ mA) এ এলইডির ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ। সর্বোচ্চ V_F ২.৪ V ব্যবহার করে নিশ্চিত করে যে রেজিস্টরটি রক্ষণশীলভাবে আকার দেওয়া হয়েছে যাতে সমস্ত বিন শর্তের অধীনে কারেন্ট সীমিত করা যায়।

৮.২ ডিজাইন বিবেচনা এবং সতর্কতা

ESD সংবেদনশীলতা:এলইডিটি ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ডিসচার্জ (ESD) এর প্রতি সংবেদনশীল। হ্যান্ডলিং এবং সমাবেশের সময় যথাযথ ESD নিয়ন্ত্রণ থাকতে হবে, যার মধ্যে গ্রাউন্ডেড রিস্ট স্ট্র্যাপ, অ্যান্টি-স্ট্যাটিক ম্যাট এবং ESD-সেফ সরঞ্জাম ব্যবহার অন্তর্ভুক্ত।
কারেন্ট নিয়ন্ত্রণ:কারেন্ট লিমিটিং ছাড়া কখনই এলইডিকে সরাসরি একটি ভোল্টেজ উৎসের সাথে সংযুক্ত করবেন না, কারণ এটি অত্যধিক কারেন্ট প্রবাহ, তাৎক্ষণিক ওভারহিটিং এবং বিপর্যয়কর ব্যর্থতার কারণ হবে।
তাপ ব্যবস্থাপনা:নিশ্চিত করুন যে পিসিবি লেআউট পর্যাপ্ত তাপীয় ত্রাণ প্রদান করে, বিশেষ করে সর্বোচ্চ ডিসি কারেন্টে বা তার কাছাকাছি অপারেটিং করার সময়। এলইডিকে অন্যান্য উল্লেখযোগ্য তাপ উৎসের কাছাকাছি রাখা এড়িয়ে চলুন।
প্রয়োগের সুযোগ:এই উপাদানটি সাধারণ-উদ্দেশ্য ইলেকট্রনিক সরঞ্জামের জন্য নকশা করা হয়েছে। এটি এমন প্রয়োগের জন্য রেট করা হয়নি যেখানে ব্যর্থতা জীবন বা নিরাপত্তার জন্য সরাসরি ঝুঁকি তৈরি করতে পারে, যেমন বিমান চলাচল, চিকিৎসা জীবন-সমর্থন, বা সম্মতি এবং যোগ্যতা ছাড়া সমালোচনামূলক পরিবহন নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থায়।

৯. প্রযুক্তিগত তুলনা এবং পার্থক্য

LTST-C990KSKT-BL আলোক-নির্গমনকারী চিপের জন্য AlInGaP (অ্যালুমিনিয়াম ইন্ডিয়াম গ্যালিয়াম ফসফাইড) সেমিকন্ডাক্টর উপাদান ব্যবহার করে নিজেকে আলাদা করে। স্ট্যান্ডার্ড GaP (গ্যালিয়াম ফসফাইড) এর মতো পুরানো প্রযুক্তির তুলনায়, AlInGaP উল্লেখযোগ্যভাবে উচ্চতর লুমিনাস দক্ষতা প্রদান করে, ফলে একটি নির্দিষ্ট কারেন্টের জন্য বৃহত্তর উজ্জ্বলতা (১১২০ mcd পর্যন্ত) হয়। ওয়াটার-ক্লিয়ার লেন্স, একটি ডিফিউজড বা রঙিন লেন্সের বিপরীতে, আলোর নিষ্কাশন সর্বাধিক করে এবং সু-সংজ্ঞায়িত ৭৫-ডিগ্রি ভিউইং অ্যাঙ্গেল অবদান রাখে। উচ্চ-ভলিউম, স্বয়ংক্রিয় এসএমটি সমাবেশ প্রক্রিয়ার সাথে এর সম্পূর্ণ সামঞ্জস্য, যার মধ্যে আক্রমণাত্মক আইআর রিফ্লো প্রোফাইল অন্তর্ভুক্ত, এটিকে আধুনিক ইলেকট্রনিক্স উৎপাদনের জন্য একটি খরচ-কার্যকর এবং নির্ভরযোগ্য পছন্দ করে তোলে।

১০. প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন (প্রযুক্তিগত প্যারামিটারের ভিত্তিতে)

প্র: পিক ওয়েভলেংথ এবং প্রভাবশালী ওয়েভলেংথের মধ্যে পার্থক্য কী?
উ: পিক ওয়েভলেংথ (λP) হল সেই একক তরঙ্গদৈর্ঘ্য যেখানে নির্গত অপটিক্যাল পাওয়ার সর্বোচ্চ (৫৯১ nm সাধারণ)। প্রভাবশালী ওয়েভলেংথ (λd) CIE কালার কোঅর্ডিনেট থেকে উদ্ভূত এবং একটি বিশুদ্ধ একরঙা আলোর একক তরঙ্গদৈর্ঘ্য উপস্থাপন করে যা এলইডির অনুভূত রঙের সাথে মিলবে (৫৮৪.৫-৫৯৪.৫ nm)। কালার স্পেসিফিকেশনের জন্য λd বেশি প্রাসঙ্গিক।

প্র: আমি কি এই এলইডিটি একটি ৩.৩V সরবরাহ দিয়ে চালাতে পারি?
উ: হ্যাঁ, কিন্তু একটি সিরিজ রেজিস্টর বাধ্যতামূলক। সর্বোচ্চ V_F ২.৪V এবং লক্ষ্য I_F ২০mA ব্যবহার করে, রেজিস্টর মান হবে R = (৩.৩V - ২.৪V) / ০.০২A = ৪৫ Ohms। একটি স্ট্যান্ডার্ড ৪৭ Ohm রেজিস্টর একটি উপযুক্ত পছন্দ হবে, ফলে সামান্য কম কারেন্ট হবে।

প্র: বিনিং কেন গুরুত্বপূর্ণ?
উ: বিনিং উৎপাদনে সামঞ্জস্য নিশ্চিত করে। উদাহরণস্বরূপ, লুমিনাস ইনটেনসিটির জন্য বিন V এবং ওয়েভলেংথের জন্য বিন K থেকে সমস্ত এলইডি ব্যবহার করা নিশ্চিত করে যে একটি প্যানেলে সমস্ত নির্দেশকের প্রায় অভিন্ন উজ্জ্বলতা এবং হলুদের একই শেড থাকবে, যা পণ্যের গুণমান এবং নান্দনিকতার জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

প্র: স্টোরেজের জন্য \"MSL ৩\" এর অর্থ কী?
উ: ময়েশ্চার সেনসিটিভিটি লেভেল ৩ নির্দেশ করে যে প্যাকেজড ডিভাইসটি উচ্চ-তাপমাত্রার রিফ্লো সোল্ডারিং প্রক্রিয়ার সময় অভ্যন্তরীণ ক্ষতি করতে পারে এমন আর্দ্রতা অপসারণের জন্য বেকিং প্রয়োজন হওয়ার আগে পর্যন্ত কারখানার মেঝের অবস্থার (≤ ৩০°C/৬০% RH) মধ্যে ১৬৮ ঘন্টা (৭ দিন) পর্যন্ত প্রকাশ করা যেতে পারে।

১১. ব্যবহারিক ব্যবহারের উদাহরণ

দৃশ্যকল্প: একটি নেটওয়ার্ক রাউটারের জন্য একটি অবস্থা নির্দেশক প্যানেল ডিজাইন করা।
প্যানেলটির জন্য \"পাওয়ার,\" \"ইন্টারনেট,\" \"Wi-Fi,\" এবং \"ইথারনেট\" অবস্থা নির্দেশ করতে চারটি হলুদ এলইডি প্রয়োজন। অভিন্ন চেহারা নিশ্চিত করতে, ডিজাইনার বিন V (উচ্চ, সামঞ্জস্যপূর্ণ উজ্জ্বলতার জন্য) এবং বিন J (একটি নির্দিষ্ট হলুদ হিউর জন্য) থেকে এলইডি নির্দিষ্ট করে। সার্কিটটি রাউটারের ৫V রেল থেকে চালিত হয়। নিরাপদ থাকার জন্য সর্বোচ্চ V_F ব্যবহার করে একটি সিরিজ রেজিস্টর গণনা করা হয়: R = (৫V - ২.৪V) / ০.০২A = ১৩০ Ohms। একটি ১৩০ Ohm, ১/৮W রেজিস্টর প্রতিটি এলইডির সাথে সিরিজে স্থাপন করা হয়। পিসিবি লেআউট সুপারিশকৃত প্যাড ফুটপ্রিন্ট ব্যবহার করে এবং ক্যাথোড প্যাডে ছোট তাপীয় ত্রাণ স্পোক অন্তর্ভুক্ত করে। সমাবেশ ঘর প্রদত্ত আইআর রিফ্লো প্রোফাইল অনুসরণ করে। চূড়ান্ত পণ্যটি চারটি উজ্জ্বল, নিখুঁতভাবে মিলানো হলুদ নির্দেশক প্রদর্শন করে যা একটি প্রশস্ত কোণ থেকে স্পষ্টভাবে দৃশ্যমান।

১২. অপারেটিং নীতি পরিচিতি

এই এলইডিতে আলোর নির্গমন AlInGaP-এর সমন্বয়ে গঠিত একটি সেমিকন্ডাক্টর চিপে ইলেক্ট্রোলুমিনেসেন্সের উপর ভিত্তি করে। যখন চিপের ব্যান্ডগ্যাপ ভোল্টেজ (প্রায় ২V) অতিক্রম করে একটি ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়, তখন ইলেকট্রন এবং হোলগুলি যথাক্রমে n-টাইপ এবং p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর স্তর থেকে সক্রিয় অঞ্চলে ইনজেক্ট করা হয়। এই চার্জ বাহকগুলি পুনর্মিলিত হয়, ফোটন (আলো) আকারে শক্তি মুক্ত করে। AlInGaP খাদটির নির্দিষ্ট গঠন ব্যান্ডগ্যাপ শক্তি নির্ধারণ করে, যা সরাসরি নির্গত আলোর তরঙ্গদৈর্ঘ্য (রঙ) সংজ্ঞায়িত করে—এই ক্ষেত্রে, হলুদ। ওয়াটার-ক্লিয়ার এপোক্সি লেন্স চিপটি এনক্যাপসুলেট করে, যান্ত্রিক সুরক্ষা প্রদান করে, আলোর আউটপুট বিমকে আকৃতি দেয় (৭৫-ডিগ্রি ভিউইং অ্যাঙ্গেল), এবং সেমিকন্ডাক্টর উপাদান থেকে আলোর নিষ্কাশন বৃদ্ধি করে।

১৩. প্রযুক্তি প্রবণতা এবং প্রসঙ্গ

হলুদ, কমলা এবং লাল এলইডির জন্য AlInGaP উপাদানের ব্যবহার একটি প্রতিষ্ঠিত উচ্চ-কর্মক্ষমতা প্রযুক্তি উপস্থাপন করে, যা পুরানো GaAsP এবং GaP সমাধানের তুলনায় উচ্চতর দক্ষতা এবং উজ্জ্বলতা প্রদান করে। এসএমডি এলইডির বর্তমান প্রবণতাগুলি দক্ষতা বৃদ্ধি (ওয়াট প্রতি লুমেন), ছোট প্যাকেজে উচ্চতর সর্বোচ্চ ড্রাইভ কারেন্ট এবং পাওয়ার রেটিং অর্জন, কালার রেন্ডারিং এবং স্যাচুরেশন উন্নতি, এবং কঠোর পরিবেশগত অবস্থার অধীনে নির্ভরযোগ্যতা বৃদ্ধির উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করে। তদুপরি, বুদ্ধিমান ড্রাইভারের সাথে একীকরণ এবং চিপ-স্কেল প্যাকেজ (CSP) এলইডির উন্নয়ন যা ঐতিহ্যগত প্লাস্টিক প্যাকেজ দূর করে চলমান অগ্রগতির ক্ষেত্র। এখানে বর্ণিত উপাদানটি মূলধারার ভোক্তা এবং শিল্প প্রয়োগে খরচ-কার্যকর, উচ্চ-ভলিউম উৎপাদনের জন্য অপ্টিমাইজ করা একটি প্রমাণিত, নির্ভরযোগ্য প্রযুক্তি ব্যবহার করে।