এসএমডি নীল এলইডি ডাটাশিট - ০.৮ মিমি উচ্চতা - ৩.৮ ভি সর্বোচ্চ - ৭৬ মিলিওয়াট ক্ষমতা - ওয়াটার ক্লিয়ার লেন্স - বাংলা প্রযুক্তিগত নথি

১. পণ্য সংক্ষিপ্ত বিবরণ

এই নথিটি একটি অতিপাতলা, সারফেস-মাউন্ট নীল এলইডি উপাদানের স্পেসিফিকেশন বিস্তারিতভাবে বর্ণনা করে। ডিভাইসটি আধুনিক, কমপ্যাক্ট ইলেকট্রনিক অ্যাসেম্বলির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যেখানে নিম্ন-প্রোফাইল আলোর উৎস প্রয়োজন। এর প্রাথমিক প্রয়োগ হলো কনজিউমার ইলেকট্রনিক্স, অফিস সরঞ্জাম এবং যোগাযোগ ডিভাইসের মধ্যে ব্যাকলাইটিং, স্ট্যাটাস নির্দেশক এবং সজ্জামূলক আলোকসজ্জা।

এই উপাদানের মূল সুবিধাগুলির মধ্যে রয়েছে এর অসাধারণ পাতলা প্রোফাইল ০.৮০ মিমি, যা সীমিত স্থানের ডিজাইনে সংহতকরণের অনুমতি দেয়। এটি ইনগ্যান (ইন্ডিয়াম গ্যালিয়াম নাইট্রাইড) ডাইস চিপ ব্যবহার করে, যা উচ্চ-উজ্জ্বলতা নীল আলো উৎপাদনের জন্য পরিচিত। পণ্যটি RoHS (বিপজ্জনক পদার্থ সীমাবদ্ধতা) নির্দেশিকাগুলির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, যা এটিকে একটি সবুজ পণ্য হিসাবে শ্রেণীবদ্ধ করে। এটি ৭ ইঞ্চি ব্যাসের রিলে ৮ মিমি টেপে প্যাকেজ করা হয়, যা ভলিউম উৎপাদনে ব্যবহৃত উচ্চ-গতির স্বয়ংক্রিয় পিক-এন্ড-প্লেস অ্যাসেম্বলি সরঞ্জামের সাথে সম্পূর্ণ সামঞ্জস্যপূর্ণ।

২. প্রযুক্তিগত প্যারামিটার গভীর উদ্দেশ্যমূলক ব্যাখ্যা

২.১ পরম সর্বোচ্চ রেটিং

ডিভাইসের অপারেশনাল সীমা ২৫°C পরিবেষ্টিত তাপমাত্রায় (Ta) সংজ্ঞায়িত করা হয়েছে। এই রেটিং অতিক্রম করলে স্থায়ী ক্ষতি হতে পারে।

• ক্ষমতা অপচয় (Pd):৭৬ মিলিওয়াট। এটি এলইডি প্যাকেজ দ্বারা তাপ হিসাবে অপচয় করা সর্বোচ্চ পরিমাণ শক্তি, কর্মক্ষমতা বা নির্ভরযোগ্যতা হ্রাস না করে।
• পিক ফরোয়ার্ড কারেন্ট (I_FP):১০০ মিলিঅ্যাম্পিয়ার। এটি পালসড অবস্থার অধীনে অনুমোদিত সর্বোচ্চ তাত্ক্ষণিক কারেন্ট, ১/১০ ডিউটি সাইকেল এবং ০.১ মিলিসেকেন্ড পালস প্রস্থে নির্দিষ্ট করা। এটি অবিচ্ছিন্ন কারেন্ট রেটিং থেকে উল্লেখযোগ্যভাবে বেশি।
• ডিসি ফরোয়ার্ড কারেন্ট (I_F):২০ মিলিঅ্যাম্পিয়ার। এটি স্বাভাবিক অপারেশনের জন্য সুপারিশকৃত সর্বোচ্চ অবিচ্ছিন্ন ফরোয়ার্ড কারেন্ট, যা দীর্ঘমেয়াদী নির্ভরযোগ্যতা এবং স্থিতিশীল আলোর আউটপুট নিশ্চিত করে।
• অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা:-২০°C থেকে +৮০°C। ডিভাইসটি এই পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা পরিসীমার মধ্যে কাজ করার নিশ্চয়তা দেওয়া হয়।
• সংরক্ষণ তাপমাত্রা পরিসীমা:-৩০°C থেকে +১০০°C। প্রয়োগকৃত শক্তি ছাড়াই ডিভাইসটি এই বিস্তৃত তাপমাত্রা পরিসীমার মধ্যে সংরক্ষণ করা যেতে পারে।
• ইনফ্রারেড সোল্ডারিং শর্ত:২৬০°C ১০ সেকেন্ডের জন্য। এটি সীসা-মুক্ত (Pb-free) রিফ্লো সোল্ডারিং প্রক্রিয়ার জন্য সর্বোচ্চ তাপমাত্রা এবং সময় সহনশীলতা সংজ্ঞায়িত করে।

২.২ বৈদ্যুতিক ও অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য

এই প্যারামিটারগুলি Ta=২৫°C এ পরিমাপ করা হয় এবং ডিভাইসের সাধারণ কর্মক্ষমতা সংজ্ঞায়িত করে।

• উজ্জ্বলতা তীব্রতা (I_V):২৮.০ - ১৮০.০ মিলিক্যান্ডেলা (mcd) I_F=২০mA এ। এই বিস্তৃত পরিসীমা নির্দেশ করে যে ডিভাইসটি বিভিন্ন উজ্জ্বলতা বিনে (বিভাগ ৩ দেখুন) পাওয়া যায়। পরিমাপ CIE ফটোপিক চোখের প্রতিক্রিয়া বক্ররেখার অনুরূপ একটি সেন্সর/ফিল্টার দিয়ে করা হয়।
• দৃশ্যমান কোণ (2θ_১/২):১৩০ ডিগ্রি। এটি সম্পূর্ণ কোণ যেখানে কেন্দ্রীয় অক্ষে (০°) এর মানের অর্ধেক পর্যন্ত উজ্জ্বলতা তীব্রতা হ্রাস পায়। একটি বিস্তৃত দৃশ্যমান কোণ একটি ওয়াটার-ক্লিয়ার লেন্সের জন্য সাধারণ, যেখানে কোনো ডিফিউজিং গম্বুজ নেই।
• পিক নির্গমন তরঙ্গদৈর্ঘ্য (λ_P):৪৬৮ ন্যানোমিটার। এটি সেই তরঙ্গদৈর্ঘ্য যেখানে বর্ণালী শক্তি আউটপুট সর্বোচ্চ।
• প্রধান তরঙ্গদৈর্ঘ্য (λ_d):৪৬৫.০ - ৪৭৫.০ ন্যানোমিটার I_F=২০mA এ। এটি সেই একক তরঙ্গদৈর্ঘ্য যা মানুষের চোখ দ্বারা অনুভূত হয় এবং আলোর রঙ সংজ্ঞায়িত করে, যা CIE ক্রোমাটিসিটি ডায়াগ্রাম থেকে প্রাপ্ত।
• বর্ণালী রেখা অর্ধ-প্রস্থ (Δλ):২৫ ন্যানোমিটার। এটি বর্ণালী বিশুদ্ধতা নির্দেশ করে; একটি ছোট মান মানে আরও একরঙা আলো। ২৫nm একটি নীল ইনগ্যান এলইডির জন্য সাধারণ।
• ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ (V_F):২.৮ - ৩.৮ ভোল্ট I_F=২০mA এ। এলইডি চালু হলে এর ওপর ভোল্টেজ ড্রপ। এই পরিসীমা বিভিন্ন ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ বিনের সাথে মিলে যায়।
• রিভার্স কারেন্ট (I_R):১০ μA (সর্বোচ্চ) V_R=৫V এ। রিভার্স বায়াস প্রয়োগ করা হলে ছোট লিকেজ কারেন্ট।গুরুত্বপূর্ণ:ডিভাইসটি বিপরীত অপারেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়নি; এই পরীক্ষার শর্তটি শুধুমাত্র চরিত্রায়নের জন্য।

৩. বিনিং সিস্টেম ব্যাখ্যা

উৎপাদনের ধারাবাহিকতা নিশ্চিত করতে, এলইডিগুলিকে মূল প্যারামিটারের ভিত্তিতে বিনে সাজানো হয়। এটি ডিজাইনারদের নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশন প্রয়োজনীয়তা পূরণকারী উপাদান নির্বাচন করতে দেয়, যেমন রঙ এবং বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা।

৩.১ ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ বিনিং

একক: ভোল্ট (V) @ ২০mA। প্রতিটি বিনের সহনশীলতা ±০.১V।
বিন D7: ২.৮০ - ৩.০০V
বিন D8: ৩.০০ - ৩.২০V
বিন D9: ৩.২০ - ৩.৪০V
বিন D10: ৩.৪০ - ৩.৬০V
বিন D11: ৩.৬০ - ৩.৮০V

৩.২ উজ্জ্বলতা তীব্রতা বিনিং

একক: মিলিক্যান্ডেলা (mcd) @ ২০mA। প্রতিটি বিনের সহনশীলতা ±১৫%।
বিন N: ২৮.০ - ৪৫.০ mcd
বিন P: ৪৫.০ - ৭১.০ mcd
বিন Q: ৭১.০ - ১১২.০ mcd
বিন R: ১১২.০ - ১৮০.০ mcd

৩.৩ প্রধান তরঙ্গদৈর্ঘ্য বিনিং

একক: ন্যানোমিটার (nm) @ ২০mA। প্রতিটি বিনের সহনশীলতা ±১nm।
বিন AC: ৪৬৫.০ - ৪৭০.০ nm (সামান্য সবুজাভ নীল)
বিন AD: ৪৭০.০ - ৪৭৫.০ nm (সামান্য বিশুদ্ধ নীল)

৪. কর্মক্ষমতা বক্ররেখা বিশ্লেষণ

যদিও ডাটাশিটে নির্দিষ্ট গ্রাফিকাল বক্ররেখাগুলির উল্লেখ করা হয়েছে (যেমন, Fig.1, Fig.6), প্রযুক্তির উপর ভিত্তি করে তাদের সাধারণ আচরণ বর্ণনা করা যেতে পারে।

৪.১ ফরোয়ার্ড কারেন্ট বনাম ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ (I-V কার্ভ)

ইনগ্যান সেমিকন্ডাক্টরের একটি বৈশিষ্ট্যগত টার্ন-অন ভোল্টেজ প্রায় ২.৮V। এই থ্রেশহোল্ডের উপরে, ভোল্টেজের একটি ছোট বৃদ্ধির সাথে কারেন্ট সূচকীয়ভাবে বৃদ্ধি পায়। বক্ররেখাটি একটি তীক্ষ্ণ হাঁটু দেখাবে, যা ডায়োড আচরণের জন্য সাধারণ। সুপারিশকৃত ২০mA এ অপারেশন নিশ্চিত করে যে ডিভাইসটি স্থিতিশীল আলো নির্গমনের জন্য হাঁটু বিন্দুটি ভালোভাবে অতিক্রম করেছে।

৪.২ উজ্জ্বলতা তীব্রতা বনাম ফরোয়ার্ড কারেন্ট (L-I কার্ভ)

আলোর আউটপুট (উজ্জ্বলতা তীব্রতা) একটি নির্দিষ্ট বিন্দু পর্যন্ত ফরোয়ার্ড কারেন্টের সাথে আনুপাতিক। তবে, চিপের মধ্যে তাপ উৎপাদন বৃদ্ধির কারণে (ড্রুপ ইফেক্ট) খুব উচ্চ কারেন্টে দক্ষতা কমে যেতে পারে। ২০mA রেটিংটি উজ্জ্বলতা, দক্ষতা এবং দীর্ঘায়ুকে ভারসাম্য বজায় রাখার জন্য বেছে নেওয়া হয়েছে।

৪.৩ তাপমাত্রা বৈশিষ্ট্য

এলইডি কর্মক্ষমতা তাপমাত্রার উপর নির্ভরশীল। সাধারণত, জংশন তাপমাত্রা বৃদ্ধি পেলে:
- ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ (V_F) সামান্য হ্রাস পায়।
- উজ্জ্বলতা তীব্রতা হ্রাস পায়। সঠিক ডিরেটিং ফ্যাক্টর অ্যাপ্লিকেশন-নির্দিষ্ট, তবে উচ্চ পরিবেষ্টিত তাপমাত্রায় বা উচ্চ ড্রাইভ কারেন্টে অপারেটিং ডিজাইনের জন্য এটি বিবেচনা করা আবশ্যক।
- প্রধান তরঙ্গদৈর্ঘ্য সামান্য পরিবর্তিত হতে পারে (সাধারণত নীল এলইডির জন্য দীর্ঘ তরঙ্গদৈর্ঘ্যের দিকে)।

৪.৪ বর্ণালী বিতরণ

নির্গমন বর্ণালীটি একটি গাউসিয়ান-সদৃশ বক্ররেখা যা পিক তরঙ্গদৈর্ঘ্য (৪৬৮ nm) কেন্দ্র করে এবং অর্ধ-প্রস্থ ২৫ nm। ওয়াটার-ক্লিয়ার লেন্সটি এই বর্ণালীকে উল্লেখযোগ্যভাবে পরিবর্তন করে না, সাদা এলইডিতে ব্যবহৃত ফসফর কোটিংযুক্ত লেন্সের মতো নয়।

৫. যান্ত্রিক ও প্যাকেজিং তথ্য

৫.১ প্যাকেজ মাত্রা

ডিভাইসটি একটি EIA (ইলেকট্রনিক ইন্ডাস্ট্রিজ অ্যালায়েন্স) স্ট্যান্ডার্ড প্যাকেজ আউটলাইনের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ। মূল মাত্রাগুলির মধ্যে মোট উচ্চতা (H) ০.৮০mm অন্তর্ভুক্ত, যা এটিকে একটি \"অতিরিক্ত পাতলা\" উপাদান করে তোলে। পিসিবি ফুটপ্রিন্ট ডিজাইনের জন্য অন্যান্য গুরুত্বপূর্ণ মাত্রাগুলি ডাটাশিট ড্রয়িংয়ে দেওয়া হয়েছে, যেখানে সাধারণ সহনশীলতা ±০.১০mm, যদি না অন্যথায় উল্লেখ করা হয়।

৫.২ পোলারিটি শনাক্তকরণ

সমস্ত ডায়োডের মতো, এলইডির একটি অ্যানোড (ধনাত্মক) এবং ক্যাথোড (ঋণাত্মক) টার্মিনাল রয়েছে। প্যাকেজটি সাধারণত একটি ভিজুয়াল মার্কার ব্যবহার করে, যেমন ক্যাথোড পাশে একটি খাঁজ, একটি বিন্দু বা একটি চ্যামফার্ড কোণ। ডাটাশিটে প্রস্তাবিত সোল্ডারিং প্যাড লেআউট পিসিবি ডিজাইনের জন্য সঠিক অভিযোজন নির্দেশ করবে।

৫.৩ টেপ এবং রিল স্পেসিফিকেশন

উপাদানটি একটি প্রতিরক্ষামূলক কভার টেপ সহ এমবসড ক্যারিয়ার টেপে সরবরাহ করা হয়, যা ৭-ইঞ্চি (১৭৮mm) ব্যাসের রিলে পেঁচানো থাকে। স্ট্যান্ডার্ড রিল পরিমাণ ৩০০০ টুকরা। প্যাকেজিং ANSI/EIA-481 স্পেসিফিকেশন অনুসরণ করে। মূল নোটগুলির মধ্যে রয়েছে: খালি পকেট সিল করা, অবশিষ্টাংশের জন্য ন্যূনতম প্যাকিং পরিমাণ ৫০০ টুকরা, এবং প্রতি রিলে সর্বোচ্চ দুটি পরপর অনুপস্থিত উপাদান অনুমোদিত।

৬. সোল্ডারিং ও অ্যাসেম্বলি নির্দেশিকা

৬.১ রিফ্লো সোল্ডারিং প্রোফাইল

ডিভাইসটি ইনফ্রারেড (IR) রিফ্লো সোল্ডারিং প্রক্রিয়ার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, যা সীসা-মুক্ত অ্যাসেম্বলির জন্য অপরিহার্য। একটি প্রস্তাবিত প্রোফাইল দেওয়া হয়েছে, যা JEDEC মানগুলির সাথে সঙ্গতিপূর্ণ। মূল প্যারামিটারগুলির মধ্যে রয়েছে:
- প্রি-হিট:১৫০–২০০°C
- প্রি-হিট সময়:সর্বোচ্চ ১২০ সেকেন্ড, যাতে অভিন্ন গরম করা এবং দ্রাবক বাষ্পীভবন সম্ভব হয়।
- পিক তাপমাত্রা:সর্বোচ্চ ২৬০°C।
- লিকুইডাসের উপরে সময় (TAL):প্রস্তাবিত প্রোফাইলটি সমালোচনামূলক রিফ্লো জোনের মধ্যে একটি নির্দিষ্ট সময় দেখায়; ডাটাশিটে পিক তাপমাত্রায় সর্বোচ্চ ১০ সেকেন্ড নির্দিষ্ট করা হয়েছে।
- পাসের সংখ্যা:সর্বোচ্চ দুটি রিফ্লো চক্র।

৬.২ হ্যান্ড সোল্ডারিং

যদি হ্যান্ড সোল্ডারিং প্রয়োজন হয়, একটি তাপমাত্রা-নিয়ন্ত্রিত আয়রন ব্যবহার করুন।
- আয়রন তাপমাত্রা:সর্বোচ্চ ৩০০°C।
- সোল্ডারিং সময়:প্রতি প্যাডে সর্বোচ্চ ৩ সেকেন্ড।
- পাসের সংখ্যা:শুধুমাত্র একবার। অত্যধিক তাপ প্লাস্টিক প্যাকেজ এবং সেমিকন্ডাক্টর ডাই ক্ষতি করতে পারে।

৬.৩ সংরক্ষণ শর্ত

আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা এসএমডি উপাদানগুলির জন্য একটি সমালোচনামূলক ফ্যাক্টর।
- সিল করা প্যাকেজ:≤৩০°C এবং ≤৯০% আপেক্ষিক আর্দ্রতা (RH) এ সংরক্ষণ করুন। ডেসিক্যান্ট সহ প্যাক করা হলে ব্যাগ সিল করার তারিখের এক বছরের মধ্যে ব্যবহার করুন।
- খোলা প্যাকেজ:আর্দ্রতা বাধা ব্যাগ থেকে সরানো উপাদানগুলির জন্য, সংরক্ষণ পরিবেষ্টন ৩০°C / ৬০% RH অতিক্রম করা উচিত নয়। খোলার এক সপ্তাহের মধ্যে IR রিফ্লো সম্পন্ন করার পরামর্শ দেওয়া হয়।
- বর্ধিত সংরক্ষণ (খোলা):ডেসিক্যান্ট সহ একটি সিল করা পাত্রে বা নাইট্রোজেন ডেসিকেটরে সংরক্ষণ করুন।
- বেকিং:যদি উপাদানগুলি এক সপ্তাহের বেশি সময় ধরে পরিবেষ্টিত অবস্থার সংস্পর্শে আসে, তাহলে সোল্ডারিংয়ের আগে প্রায় ৬০°C তাপমাত্রায় কমপক্ষে ২০ ঘন্টা বেক করুন, যাতে শোষিত আর্দ্রতা দূর হয় এবং রিফ্লোর সময় \"পপকর্নিং\" প্রতিরোধ করা যায়।

৬.৪ পরিষ্কার করা

অনির্দিষ্ট রাসায়নিক ক্লিনার ব্যবহার করবেন না। সোল্ডারিংয়ের পরে যদি পরিষ্কার করার প্রয়োজন হয়, তাহলে এলইডিটিকে স্বাভাবিক তাপমাত্রায় ইথাইল অ্যালকোহল বা আইসোপ্রোপাইল অ্যালকোহলে এক মিনিটের কম সময়ের জন্য ডুবিয়ে রাখুন। আক্রমণাত্মক দ্রাবক প্লাস্টিক লেন্স এবং প্যাকেজ ক্ষতি করতে পারে।

৭. অ্যাপ্লিকেশন পরামর্শ

৭.১ সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যকল্প

• ব্যাকলাইটিং:কিপ্যাড, ছোট এলসিডি ডিসপ্লে, আইকন আলোকসজ্জা।
• স্ট্যাটাস নির্দেশক:পাওয়ার-অন, স্ট্যান্ডবাই, সংযোগ, পোর্টেবল ডিভাইস, রাউটার এবং যন্ত্রপাতিতে ব্যাটারি চার্জ স্ট্যাটাস।
• সজ্জামূলক আলোকসজ্জা:কনজিউমার ইলেকট্রনিক্সে অ্যাকসেন্ট লাইটিং।
• প্যানেল নির্দেশক:সরঞ্জামের সামনের প্যানেল।

৭.২ ডিজাইন বিবেচনা

• কারেন্ট সীমাবদ্ধকরণ:সর্বদা একটি সিরিজ কারেন্ট-লিমিটিং রেজিস্টর বা একটি ধ্রুব-কারেন্ট ড্রাইভার ব্যবহার করুন। R = (V_{সাপ্লাই}- V_F) / I_Fসূত্র ব্যবহার করে রেজিস্টর মান গণনা করুন। সবচেয়ে খারাপ অবস্থার অধীনে কারেন্ট ২০mA অতিক্রম না করে তা নিশ্চিত করতে বিন বা ডাটাশিট থেকে সর্বোচ্চ V_Fব্যবহার করুন।
• ESD সুরক্ষা:এলইডিগুলি ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ডিসচার্জ (ESD) এর প্রতি সংবেদনশীল। উপযুক্ত ESD সতর্কতা (রিস্ট স্ট্র্যাপ, গ্রাউন্ডেড ওয়ার্কস্টেশন) সহ পরিচালনা করুন। যদি এলইডি একটি উন্মুক্ত অবস্থানে থাকে তবে পিসিবিতে ESD সুরক্ষা ডায়োড অন্তর্ভুক্ত করুন।
• তাপীয় ব্যবস্থাপনা:যদিও ক্ষমতা অপচয় কম, তবুও পর্যাপ্ত পিসিবি কপার এলাকা বা এলইডি প্যাডের নিচে তাপীয় ভায়া নিশ্চিত করুন, বিশেষ করে উচ্চ পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা পরিবেশে বা সর্বোচ্চ কারেন্টের কাছাকাছি চালিত হলে।
• অপটিক্যাল ডিজাইন:১৩০° দৃশ্যমান কোণ বিস্তৃত কভারেজ প্রদান করে। নির্দেশিত আলোর জন্য, বাহ্যিক লেন্স বা লাইট গাইড প্রয়োজন হতে পারে।

৮. প্রযুক্তিগত তুলনা ও পার্থক্য

পুরানো থ্রু-হোল এলইডি বা বড় এসএমডি প্যাকেজের (যেমন, ০৬০৩, ০৮০৫) তুলনায়, এই ডিভাইসের প্রাথমিক পার্থক্যকারী হল এর ০.৮mm উচ্চতা, যা পাতলা চূড়ান্ত পণ্য সক্ষম করে। অন্যান্য \"চিপ\" এলইডির তুলনায়, ইনগ্যান প্রযুক্তির ব্যবহার পুরানো প্রযুক্তির তুলনায় নীল আলো নির্গমনের জন্য উচ্চতর উজ্জ্বলতা এবং দক্ষতা প্রদান করে। পাতলা প্রোফাইল, উচ্চ উজ্জ্বলতা এবং স্বয়ংক্রিয়, উচ্চ-তাপমাত্রা সীসা-মুক্ত অ্যাসেম্বলির সাথে সামঞ্জস্যের সংমিশ্রণ এটিকে আধুনিক, খরচ-কার্যকর এবং নির্ভরযোগ্য গণ উৎপাদনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।

৯. প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন (প্রযুক্তিগত প্যারামিটারের উপর ভিত্তি করে)

প্র: আমি কি একটি রেজিস্টর ছাড়া ৩.৩V দিয়ে এই এলইডি চালাতে পারি?
উ: না। ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ ২.৮V থেকে ৩.৮V পর্যন্ত। সরাসরি ৩.৩V সংযোগ করলে অত্যধিক কারেন্ট হতে পারে যদি এলইডির V_Fপরিসীমার নিম্ন প্রান্তে থাকে (যেমন, ২.৯V), যা সম্ভাব্যভাবে এটি ক্ষতি করতে পারে। সর্বদা একটি কারেন্ট-লিমিটিং মেকানিজম ব্যবহার করুন।

প্র: পিক তরঙ্গদৈর্ঘ্য এবং প্রধান তরঙ্গদৈর্ঘ্যের মধ্যে পার্থক্য কী?
উ: পিক তরঙ্গদৈর্ঘ্য (λ_P) হল আলোর বর্ণালীর শারীরিক শিখর (৪৬৮ nm)। প্রধান তরঙ্গদৈর্ঘ্য (λ_d) হল সেই একক তরঙ্গদৈর্ঘ্য যা মানুষের চোখ রঙ হিসাবে অনুভব করে (৪৬৫-৪৭৫ nm), যা রঙের স্থানাঙ্ক থেকে গণনা করা হয়। এই নীল এলইডির মতো একরঙা এলইডিগুলির জন্য, তারা কাছাকাছি কিন্তু অভিন্ন নয়।

প্র: খোলা প্যাকেজের জন্য সংরক্ষণ আর্দ্রতা প্রয়োজনীয়তা কেন কঠোর?
উ: প্লাস্টিক এসএমডি প্যাকেজগুলি বাতাস থেকে আর্দ্রতা শোষণ করে। রিফ্লো সোল্ডারিংয়ের উচ্চ তাপের সময়, এই আটকে থাকা আর্দ্রতা দ্রুত বাষ্পীভূত হতে পারে, অভ্যন্তরীণ চাপ তৈরি করতে পারে যা প্যাকেজ ফাটাতে পারে (\"পপকর্নিং\" বা \"ডিল্যামিনেশন\")। কঠোর সীমা এবং বেকিং পদ্ধতিগুলি এই ব্যর্থতার মোড প্রতিরোধ করে।

প্র: আমি কি এটি বিপরীত ভোল্টেজ নির্দেশের জন্য ব্যবহার করতে পারি?
উ: না। ডাটাশিটে স্পষ্টভাবে বলা হয়েছে যে ডিভাইসটি বিপরীত অপারেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়নি। ৫V বিপরীত কারেন্ট পরীক্ষা শুধুমাত্র চরিত্রায়নের জন্য। একটি অবিচ্ছিন্ন বিপরীত বায়াস প্রয়োগ করা সম্ভবত এলইডি ক্ষতি করবে।

১০. ব্যবহারিক ডিজাইন কেস

দৃশ্যকল্প:একটি ইউএসবি-চালিত ডিভাইসের (৫V সাপ্লাই) জন্য একটি স্ট্যাটাস নির্দেশক ডিজাইন করা।
ধাপ ১ - উপাদান নির্বাচন:একটি উজ্জ্বলতা বিন (যেমন, মাঝারি উজ্জ্বলতার জন্য বিন P) এবং একটি ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ বিন (যেমন, ডিজাইন গণনার জন্য বিন D9) নির্বাচন করুন।
ধাপ ২ - সার্কিট ডিজাইন:সিরিজ রেজিস্টর গণনা করুন। বিন D9 থেকে সর্বোচ্চ V_F(৩.৪V) এবং লক্ষ্য I_F২০mA ব্যবহার করে: R = (৫V - ৩.৪V) / ০.০২০A = ৮০ ওহম। নিকটতম স্ট্যান্ডার্ড মান (৮২ ওহম) নির্বাচন করুন। প্রকৃত কারেন্ট পুনরায় গণনা করুন: I_F= (৫V - ৩.২V*) / ৮২Ω ≈ ২১.৯৫mA (নিরাপদ)। *সাধারণ V_F.
ধাপ ৩ - পিসিবি লেআউট:৮২Ω রেজিস্টরটি এলইডি অ্যানোডের সাথে সিরিজে রাখুন। ডাটাশিট থেকে প্রস্তাবিত সোল্ডারিং প্যাড মাত্রা অনুসরণ করুন। তাপ অপচয়ের জন্য একটি ছোট তাপীয় রিলিফ বা অতিরিক্ত কপার পাউর অন্তর্ভুক্ত করুন।
ধাপ ৪ - অ্যাসেম্বলি:প্রস্তাবিত রিফ্লো প্রোফাইল অনুসরণ করুন। যদি অবিলম্বে ব্যবহার না করা হয়, খোলা রিলগুলি একটি শুকনো ক্যাবিনেটে সংরক্ষণ করুন।

১১. নীতি পরিচিতি

এই এলইডিটি ইন্ডিয়াম গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (InGaN) দিয়ে তৈরি একটি সেমিকন্ডাক্টর হেটেরোস্ট্রাকচারের উপর ভিত্তি করে। যখন একটি ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়, ইলেকট্রন এবং হোলগুলি সেমিকন্ডাক্টরের সক্রিয় অঞ্চলে ইনজেক্ট করা হয়। তারা পুনর্মিলিত হয়, ফোটন (আলো) আকারে শক্তি মুক্ত করে। InGaN খাদটির নির্দিষ্ট গঠন ব্যান্ডগ্যাপ শক্তি নির্ধারণ করে, যা ঘুরে নির্গত আলোর তরঙ্গদৈর্ঘ্য (রঙ) নির্ধারণ করে—এই ক্ষেত্রে, নীল। ওয়াটার-ক্লিয়ার ইপোক্সি লেন্স সেমিকন্ডাক্টর ডাইকে এনক্যাপসুলেট এবং রক্ষা করার পাশাপাশি আলোর আউটপুট বিমকে আকৃতিও দেয়।

১২. উন্নয়ন প্রবণতা

নির্দেশক অ্যাপ্লিকেশনের জন্য এসএমডি এলইডিগুলির প্রবণতা ছোট ফুটপ্রিন্ট, নিম্ন প্রোফাইল এবং উচ্চতর উজ্জ্বলতা দক্ষতার (বৈদ্যুতিক শক্তির প্রতি ইউনিটে আরও আলোর আউটপুট) দিকে অব্যাহত রয়েছে। সীসা-মুক্ত নির্দেশাবলী মিটমাট করার জন্য উচ্চতর তাপমাত্রা সোল্ডারিং প্রক্রিয়ার অধীনে উন্নত নির্ভরযোগ্যতার জন্য একটি শক্তিশালী চালনাও রয়েছে। সরলীকৃত অ্যাসেম্বলির জন্য অনবোর্ড ড্রাইভার বা স্মার্টার প্যাকেজিংয়ের সাথে ইন্টিগ্রেশনও উন্নয়নের ক্ষেত্র হতে পারে। অন্তর্নিহিত InGaN উপাদান প্রযুক্তি পরিপক্কতা অব্যাহত রাখছে, আরও ভাল কর্মক্ষমতা এবং স্থিতিশীলতা প্রদান করছে।