IR LED 5.0mm IR533C Datenblatt - 5mm Gehäuse - 940nm Spitzenwellenlänge - 100mA Durchlassstrom - Technisches Dokument

1. Produktübersicht

Die IR533C ist eine hochintensive Infrarot-Emissionsdiode in einem standardmäßigen 5,0-mm-(T-1 3/4)-blauen Kunststoffgehäuse. Sie ist für Anwendungen konzipiert, die eine zuverlässige und leistungsstarke Infrarot-Emission im 940-nm-Spektrum erfordern. Das Bauteil ist spektral auf gängige Silizium-Fototransistoren, Fotodioden und Infrarot-Empfängermodule abgestimmt, was es zu einer idealen Quelle für geschlossene optische Systeme macht.

Die Kernpositionierung dieser Komponente liegt in kostengünstigen, hochvolumigen Anwendungen, bei denen eine konstante Infrarot-Ausgangsleistung und die Kompatibilität mit Standardgehäusen von größter Bedeutung sind. Ihre Hauptvorteile umfassen hohe Zuverlässigkeit, eine signifikante Strahlungsstärke und eine niedrige Durchlassspannung, was zu einem effizienten System-Energiemanagement beiträgt.

Der Zielmarkt umfasst Unterhaltungselektronik, industrielle Sensorik und Sicherheitsausrüstung. Sie eignet sich besonders für Entwickler von Infrarot-Fernbedienungen, optischen Freiraum-Datenverbindungen, Rauchmeldesystemen und verschiedenen anderen infrarotbasierten Anwendungssystemen.

2. Detaillierte Analyse der technischen Parameter

2.1 Absolute Maximalwerte

Diese Werte definieren die Belastungsgrenzen, jenseits derer dauerhafte Schäden am Bauteil auftreten können. Ein Betrieb unter oder an diesen Grenzen wird nicht garantiert.

• Dauer-Durchlassstrom (IF):100 mA. Dies ist der maximale Gleichstrom, der bei einer Umgebungstemperatur von 25°C dauerhaft durch die LED fließen darf.
• Spitzen-Durchlassstrom (IFP):1,0 A. Dieser hohe Strom ist nur unter gepulsten Bedingungen mit einer Pulsbreite ≤100μs und einem Tastverhältnis ≤1% zulässig. Dieser Wert ist entscheidend für Anwendungen, die kurze, hochintensive IR-Lichtimpulse erfordern.
• Sperrspannung (VR):5 V. Das Überschreiten dieser Sperrspannung kann zum Durchbruch des Übergangs führen.
• Verlustleistung (Pd):150 mW bei oder unter 25°C freier Lufttemperatur. Dieser Parameter bestimmt zusammen mit dem thermischen Widerstand die maximal zulässige Leistung im Dauerbetrieb.
• Temperaturbereiche:Das Bauteil ist für den Betrieb von -40°C bis +85°C ausgelegt und kann von -40°C bis +100°C gelagert werden.
• Löttemperatur (Tsol):260°C für eine Dauer von maximal 5 Sekunden, konform mit typischen bleifreien Reflow-Profilen.

2.2 Elektro-optische Eigenschaften

Diese Parameter werden bei einer Standard-Umgebungstemperatur von 25°C gemessen und definieren die Leistung des Bauteils unter spezifizierten Bedingungen.

• Strahlungsstärke (Ie):Dies ist das primäre Maß für die optische Ausgangsleistung pro Raumwinkel (Steradiant).
  • Bei einem Standard-Treibstrom von 20mA DC beträgt die typische Strahlungsstärke 7,8 mW/sr, mit einem Minimum von 4,0 mW/sr.
  • Unter gepulstem Betrieb bei 100mA (≤100μs, ≤1% Tastverhältnis) steigt die Ausgangsleistung signifikant an.
  • Beim maximalen Pulsstrom von 1A erreicht die typische Strahlungsstärke 350 mW/sr, was ihre Fähigkeit für hochleistungsfähige, kurze Emissionen zeigt.
• Spitzenwellenlänge (λp):940 nm (typisch). Diese Wellenlänge ist ideal, da sie in einem Hochtransmissionsfenster für viele Kunststoffe und Gläser liegt und gut auf die maximale Empfindlichkeit von Silizium-Detektoren abgestimmt ist, während sie für das menschliche Auge weitgehend unsichtbar ist.
• Spektrale Bandbreite (Δλ):Ca. 45 nm (typisch). Dies definiert die spektrale Breite des emittierten Lichts bei halber maximaler Intensität (FWHM).
• Durchlassspannung (VF):Ein Schlüsselparameter für den Schaltungsentwurf.
  • Bei 20mA beträgt VF typisch 1,5V mit einem Maximum von 1,5V.
  • Bei 100mA gepulst steigt sie auf typisch 1,4V (max. 1,85V).
  • Bei 1A gepulst beträgt die typische VF 2,6V (max. 4,0V), was auf einen erhöhten Spannungsabfall am Übergang bei sehr hohen Strömen hinweist.
• Abstrahlwinkel (2θ1/2):25 Grad (typisch). Dies ist der volle Winkel, bei dem die Strahlungsstärke auf die Hälfte ihres Wertes bei 0 Grad (auf der Achse) abfällt. Ein 25-Grad-Winkel bietet einen mäßig fokussierten Strahl.
• Sperrstrom (IR):Maximal 10 μA bei VR=5V, was auf eine gute Übergangsqualität hinweist.

3. Erklärung des Binning-Systems

Das Datenblatt enthält eine Binning-Tabelle für die Strahlungsstärke bei IF=20mA. Binning ist ein Qualitätskontrollprozess, bei dem LEDs nach der Herstellung basierend auf gemessenen Leistungsparametern sortiert (gebinned) werden.

Strahlungsstärke-Binning:LEDs werden basierend auf ihrer gemessenen Strahlungsstärke in Bins (K, L, M, N, P) kategorisiert. Zum Beispiel umfasst Bin 'K' LEDs mit einer Intensität zwischen 4,0 und 6,4 mW/sr, während Bin 'P' solche zwischen 15,0 und 24,0 mW/sr umfasst. Dies ermöglicht es Entwicklern, Bauteile mit garantierten Mindest- (und Höchst-) Ausgangspegeln für ihre Anwendung auszuwählen, um die Konsistenz der Systemleistung sicherzustellen, insbesondere in Multi-LED-Arrays oder empfindlichen Empfängersystemen. Das spezifische Bin für eine bestimmte Charge ist auf dem Verpackungsetikett angegeben.

4. Analyse der Leistungskurven

Das Datenblatt enthält mehrere Kennlinien, die Leistungstrends über die Ein-Punkt-Daten in den Tabellen hinaus veranschaulichen.

• Durchlassstrom vs. Umgebungstemperatur (Abb.1):Diese Kurve zeigt, wie der maximal zulässige Dauer-Durchlassstrom mit steigender Umgebungstemperatur über 25°C reduziert werden muss. Um Überhitzung zu verhindern, muss der Treiberstrom bei höheren Temperaturen reduziert werden.
• Spektrale Verteilung (Abb.2):Ein Diagramm, das die relative Intensität über der Wellenlänge aufträgt und visuell das 940-nm-Maximum und die ~45-nm-Bandbreite bestätigt.
• Spitzen-Emissionswellenlänge vs. Umgebungstemperatur (Abb.3):Veranschaulicht die Verschiebung der Spitzenwellenlänge (typischerweise eine leichte Zunahme) bei Änderung der Übergangstemperatur. Dies ist wichtig für Anwendungen mit strenger spektraler Filterung.
• Durchlassstrom vs. Durchlassspannung (IV-Kurve) (Abb.4):Zeigt die nichtlineare Beziehung zwischen Strom und Spannung. Die Kurve wird bei höheren Strömen aufgrund des Serienwiderstands im Halbleiter und Gehäuse steiler.
• Relative Intensität vs. Durchlassstrom (Abb.5):Demonstriert die sublineare Beziehung zwischen Treiberstrom und Lichtausgang. Der Wirkungsgrad (Lichtausgang pro Stromeinheit) nimmt bei sehr hohen Strömen oft ab.
• Relative Strahlungsstärke vs. Winkelabweichung (Abb.6):Dies ist das räumliche Abstrahlungsdiagramm, das den 25-Grad-Abstrahlwinkel grafisch definiert. Es zeigt, wie die Intensität mit zunehmender Abweichung von der Mittelachse abfällt.
• Relative Intensität vs. Umgebungstemperatur (Abb.7):Zeigt die Abnahme der Lichtausbeute bei steigender Umgebungs- (und somit Übergangs-) Temperatur, ein Phänomen, das als thermisches Quenchen bekannt ist.
• Durchlassspannung vs. Umgebungstemperatur (Abb.8):Zeigt, wie der Durchlassspannungsabfall mit steigender Temperatur abnimmt, was eine Eigenschaft des Halbleiterübergangs ist.

5. Mechanische und Gehäuseinformationen

5.1 Gehäuseabmessungen

Die IR533C verwendet das industrieübliche 5,0-mm-(T-1 3/4)-Radialgehäuse mit Anschlussdrähten. Wichtige Abmessungsspezifikationen aus der Zeichnung sind:

• Gesamtdurchmesser: 5,0 mm (nominal).
• Anschlussabstand: 2,54 mm (0,1 Zoll), kompatibel mit Standard-Lochrasterplatinen und Sockeln.
• Das Gehäuse ist aus blau getöntem Kunststoff geformt, was typisch für Infrarot-LEDs ist, um die Funktion anzuzeigen und möglicherweise eine gewisse Filterung zu bieten.
• Die Linse ist wasserklar.
• Das Chipmaterial ist Gallium-Aluminium-Arsenid (GaAlAs).
• Alle Maßtoleranzen betragen ±0,25 mm, sofern nicht anders angegeben.

5.2 Polaritätskennzeichnung

Wie bei den meisten Radial-LEDs ist ein Anschlussdraht länger als der andere. Der längere Draht ist die Anode (positiv, A+), und der kürzere Draht ist die Kathode (negativ, K-). Das Gehäuse kann auch eine abgeflachte Stelle am Rand in der Nähe des Kathodenanschlusses haben. Die korrekte Polarität ist für den Betrieb unerlässlich.

6. Löt- und Montagerichtlinien

• Handlöten:Verwenden Sie eine temperaturgeregelte Lötspitze. Begrenzen Sie die Lötzeit pro Anschluss auf maximal 3-5 Sekunden bei einer Temperatur von nicht mehr als 350°C, um thermische Schäden am Kunststoffgehäuse und den internen Bonddrähten zu verhindern.
• Wellenlöten:Ist möglich, erfordert jedoch eine sorgfältige Kontrolle der Vorwärm- und Lötwellen-Temperaturprofile, um innerhalb der maximalen Grenzwerte von 260°C für 5 Sekunden zu bleiben.
• Reinigung:Wenn nach dem Löten eine Reinigung erforderlich ist, verwenden Sie geeignete Lösungsmittel, die mit dem blauen Kunststoffgehäusematerial kompatibel sind. Vermeiden Sie Ultraschallreinigung, da diese die interne Chipstruktur beschädigen kann.
• Biegen der Anschlüsse:Wenn eine Anschlussformung erforderlich ist, biegen Sie die Anschlüsse an einer Stelle, die nicht näher als 3 mm am Gehäuse liegt, um Belastungen der Dichtung zu vermeiden. Verwenden Sie geeignete Werkzeuge, um Beschädigungen der Anschlüsse zu vermeiden.
• Lagerbedingungen:Lagern Sie in einer trockenen, antistatischen Umgebung bei Temperaturen zwischen -40°C und +100°C. Die Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) ist nicht explizit angegeben, aber eine Behandlung als MSL 2A oder besser (Bodenlebensdauer >1 Jahr) ist für diesen Gehäusetyp typisch.

7. Verpackungs- und Bestellinformationen

• Verpackungsspezifikation:Die LEDs sind typischerweise in Beuteln mit 200 bis 500 Stück verpackt. Fünf Beutel werden in einer Box platziert, und zehn Boxen bilden einen Versandkarton.
• Etiketteninformationen:Das Verpackungsetikett enthält wichtige Informationen für Rückverfolgbarkeit und Identifikation:
  • CPN (Kundenteilenummer): Vom Käufer zugewiesen.
  • P/N (Produktionsnummer): Die Hersteller-Teilenummer (IR533C).
  • QTY (Packmenge): Anzahl der Stücke im Beutel/Box.
  • CAT (Ränge): Der Leistungs-Bin-Code (z.B. M für Strahlungsstärke).
  • HUE: Der Spitzenwellenlängen-Bin.
  • LOT No: Die eindeutige Fertigungslosnummer für die Rückverfolgbarkeit.

8. Anwendungsempfehlungen

8.1 Typische Anwendungsschaltungen

Grundschaltung zur Ansteuerung:Die einfachste Schaltung besteht aus einem in Reihe geschalteten strombegrenzenden Widerstand an einer Versorgungsspannung. Der Widerstandswert (R) wird mit dem Ohmschen Gesetz berechnet: R = (Vcc - VF) / IF, wobei Vcc die Versorgungsspannung, VF die LED-Durchlassspannung beim gewünschten Strom IF und IF der Ziel-Durchlassstrom (z.B. 20mA) ist. Stellen Sie stets sicher, dass die Belastbarkeit des Widerstands ausreicht (P = IF² * R).

Gepulster Betrieb für hohe Intensität:Für Anwendungen wie Fernbedienungen mit großer Reichweite nutzen Sie die gepulsten Grenzwerte. Ein Transistor (BJT oder MOSFET) kann verwendet werden, um den hohen Pulsstrom (bis zu 1A) von einem Kondensator oder einer höheren Versorgungsspannung zu schalten. Der Serienwiderstand muss basierend auf der gepulsten VF und dem gewünschten Pulsstrom berechnet werden. Stellen Sie sicher, dass die Einschränkungen für Pulsbreite und Tastverhältnis (≤100μs, ≤1%) strikt eingehalten werden.

8.2 Designüberlegungen

• Wärmeableitung:Obwohl das Gehäuse nur eine begrenzte Wärmeableitungsfähigkeit hat, sollten Sie für Dauerbetrieb nahe dem Maximalstrom (100mA) die Umgebungstemperatur berücksichtigen und für ausreichende Belüftung sorgen. Die Reduktionskurve (Abb.1) muss befolgt werden.
• Optisches Design:Der 25-Grad-Abstrahlwinkel bietet eine natürliche Fokussierung. Für schmalere Strahlen können externe Linsen oder Reflektoren verwendet werden. Für eine breitere Abdeckung können mehrere LEDs oder Diffusoren erforderlich sein.
• Empfängerabstimmung:Stellen Sie sicher, dass der Empfänger (Fototransistor, Fotodiode oder IC) im 940-nm-Bereich empfindlich ist. Die Verwendung eines passenden IR-Filters am Empfänger kann das Signal-Rausch-Verhältnis durch Blockierung von Umgebungslicht erheblich verbessern.
• Elektrische Störungen:In empfindlichen analogen Sensoranwendungen steuern Sie die LED mit einer Konstantstromquelle anstelle eines einfachen Widerstands für eine stabilere Ausgangsleistung. Für digitale gepulste Systeme sorgen Sie für schnelle Anstiegs-/Abfallzeiten des Ansteuersignals.

9. Technischer Vergleich und Differenzierung

Die IR533C positioniert sich im breiten Markt für 5-mm-IR-LEDs durch spezifische Eigenschaften:

• Hohe Strahlungsstärke:Ihre typischen 7,8 mW/sr bei 20mA und die Fähigkeit für sehr hohe gepulste Ausgangsleistung (350 mW/sr bei 1A) machen sie für Anwendungen geeignet, die im Vergleich zu Standard-Niedrigleistungs-IR-LEDs eine größere Reichweite oder höhere Signalstärke erfordern.
• 940-nm-Wellenlänge:Dies ist die gebräuchlichste und vielseitigste IR-Wellenlänge. Sie bietet eine gute Balance zwischen der Empfindlichkeit von Siliziumdetektoren, der Verfügbarkeit passender Filter und der relativen Augensicherheit im Vergleich zu kürzeren Nah-IR-Wellenlängen.
• Standardgehäuse:Das allgegenwärtige 5-mm-Formfaktor gewährleistet eine einfache Integration in bestehende Designs, Prototypenplatinen und Standard-Panelausschnitte.
• Niedrige Durchlassspannung:Eine typische VF von 1,5V bei 20mA ermöglicht einen effizienten Betrieb mit Niederspannungs-Logikversorgungen (3,3V, 5V) mit minimalem Spannungsabfall am strombegrenzenden Widerstand, was mehr Spielraum für einen stabilen Betrieb lässt.
• Konformität:Die angegebene Konformität mit RoHS (bleifrei), EU REACH und halogenfreien Standards adressiert moderne Umwelt- und regulatorische Anforderungen für elektronische Bauteile.

10. Häufig gestellte Fragen (basierend auf technischen Parametern)

F1: Kann ich diese LED dauerhaft mit 100mA betreiben?

A1: Der absolute Maximalwert für den Dauer-Durchlassstrom beträgt 100mA bei Ta=25°C. Sie müssen jedoch die Reduktionskurve (Abb.1) konsultieren. Bei erhöhten Umgebungstemperaturen verringert sich der maximal zulässige Dauerstrom erheblich, um das Überschreiten der maximalen Übergangstemperatur und der 150-mW-Verlustleistungsgrenze zu verhindern. Für einen zuverlässigen Langzeitbetrieb ist es oft ratsam, für einen niedrigeren Strom (z.B. 50-75mA) zu dimensionieren.

F2: Was ist der Unterschied zwischen Strahlungsstärke (mW/sr) und Strahlungsleistung (mW)?

A2: Strahlungsstärke ist die optische Leistung, die pro Raumwinkeleinheit (Steradiant) abgegeben wird. Strahlungsleistung (oder Fluss) ist die gesamte in alle Richtungen abgegebene optische Leistung. Um die Gesamtleistung abzuschätzen, müssten Sie die Intensität über das gesamte räumliche Abstrahldiagramm (Abb.6) integrieren. Für eine LED mit einem Abstrahlwinkel von 25 Grad ist die Gesamtleistung deutlich geringer als der Achsen-Intensitätswert multipliziert mit 4π Steradiant.

F3: Wie wähle ich den richtigen strombegrenzenden Widerstand?

A3: Verwenden Sie die Formel R = (Vs - VF) / IF. Verwenden Sie den *maximalen* VF-Wert aus dem Datenblatt für Ihren gewählten IF, um sicherzustellen, dass unter allen Bedingungen genügend Spannung am Widerstand abfällt und ein Überstrom verhindert wird. Beispiel: Für eine 5-V-Versorgung und 20mA Zielstrom: R = (5V - 1,5V) / 0,02A = 175 Ohm. Verwenden Sie den nächsthöheren Normwert (180 Ohm). Leistung am Widerstand: P = (0,02A)² * 180Ω = 0,072W, daher ist ein 1/8W- oder 1/4W-Widerstand sicher.

F4: Warum ist die Durchlassspannung in der Tabelle bei 100mA gepulst niedriger als bei 20mA DC?

A4: Dies scheint eine Diskrepanz in den bereitgestellten Daten zu sein (typ. 1,4V bei 100mA gepulst vs. 1,5V bei 20mA). In der Realität sollte VF aufgrund des Serienwiderstands mit dem Strom ansteigen. Die gepulste Messung bei 100mA könnte einen geringeren Übergangstemperaturanstieg haben als eine DC-Messung bei 20mA, was VF leicht beeinflussen könnte. Entwerfen Sie stets unter Verwendung des *maximal* spezifizierten VF für Ihren Betriebszustand, um auf der sicheren Seite zu sein.

11. Praktische Design- und Anwendungsbeispiele

Beispiel 1: Infrarot-Fernbedienungssender mit großer Reichweite.

Ziel: Erreichen einer Reichweite von 30 Metern unter Innenraumbedingungen.

Design: Verwenden Sie gepulsten Betrieb mit den Maximalwerten. Steuern Sie die IR533C mit 1A-Pulsen von 50μs Breite bei einem Tastverhältnis von 1/40 an (z.B. 50μs ein, 1950μs aus, erfüllt ≤100μs, ≤1% Spezifikation). Eine einfache Schaltung verwendet einen Mikrocontroller-GPIO-Pin, um über einen kleinen Basiswiderstand die Basis eines NPN-Transistors (z.B. 2N2222) anzusteuern. Der Kollektor des Transistors ist mit der LED-Anode verbunden, und die LED-Kathode ist über einen niedrigen strombegrenzenden Widerstand, berechnet für 1A, mit Masse verbunden. Die LED-Anode ist auch mit einem geladenen Kondensator (z.B. 100μF) in der Nähe der LED verbunden, um den hohen Spitzenstrom zu liefern. Dieser Aufbau nutzt die hohe gepulste Strahlungsstärke (350 mW/sr typ.) für maximale Reichweite.

Beispiel 2: Näherungs- oder Objekterkennungssensor.

Ziel: Erkennen eines Objekts innerhalb von 10 cm.

Design: Verwenden Sie Dauerbetrieb mit einem moderaten Strom (z.B. 50mA) für eine stabile Ausgangsleistung. Kombinieren Sie die IR533C mit einem passenden Silizium-Fototransistor, der einige Zentimeter entfernt platziert ist. Modulieren Sie den LED-Treiberstrom mit einer spezifischen Frequenz (z.B. 38kHz) über den Mikrocontroller. Die Empfängerschaltung enthält einen Bandpassfilter, der auf 38kHz abgestimmt ist. Diese Technik macht das System unempfindlich gegenüber Änderungen des Umgebungslichts (Sonnenlicht, Raumbeleuchtung). Die 940-nm-Wellenlänge minimiert sichtbare Lichtinterferenzen. Die niedrige VF ermöglicht es dem System, mit einer 3,3-V-Mikrocontroller-Versorgung zu arbeiten.

12. Funktionsprinzip

Eine Infrarot-Leuchtdiode (IR-LED) ist eine Halbleiter-p-n-Übergangsdiode. Bei Durchlassvorspannung (positive Spannung an der p-Seite relativ zur n-Seite) werden Elektronen aus dem n-Gebiet über den Übergang in das p-Gebiet injiziert, und Löcher aus dem p-Gebiet werden in das n-Gebiet injiziert. Diese injizierten Minoritätsträger (Elektronen im p-Gebiet, Löcher im n-Gebiet) rekombinieren mit den Majoritätsträgern. In einem Halbleiter mit direkter Bandlücke wie Gallium-Aluminium-Arsenid (GaAlAs) wird ein erheblicher Teil dieser Rekombinationsereignisse in Form von Photonen (Licht) freigesetzt. Die Wellenlänge (Farbe) des emittierten Lichts wird durch die Bandlückenenergie (Eg) des Halbleitermaterials bestimmt, gemäß der Gleichung λ ≈ 1240 / Eg (mit Eg in Elektronenvolt und λ in Nanometern). Für GaAlAs, das auf 940-nm-Emission abgestimmt ist, beträgt die Bandlücke etwa 1,32 eV. Die spezifische Dotierung und Schichtstruktur des Chips sind darauf ausgelegt, die Effizienz dieses strahlenden Rekombinationsprozesses im Infrarotspektrum zu maximieren.

13. Technologietrends

Die grundlegende Technologie hinter Bauteilen wie der IR533C ist ausgereift. Trends im breiteren IR-LED-Markt beeinflussen jedoch ihren Anwendungskontext und ihre Entwicklung:

• Erhöhte Leistung und Effizienz:Laufende Materialforschung zielt darauf ab, die Wandlereffizienz (optische Leistung aus / elektrische Leistung ein) von IR-LEDs zu verbessern, was hellere Ausgangsleistung oder geringeren Stromverbrauch ermöglicht. Dies wird durch Anwendungen in Time-of-Flight-(ToF-)Sensoren, LiDAR und Gesichtserkennung vorangetrieben.
• Miniaturisierung:Während 5 mm für Durchsteckmontage-Designs beliebt bleibt, werden Oberflächenmontage-(SMD-)Gehäuse (z.B. 0805, 1206 und Chip-Scale-Packages) für automatisierte Bestückung und platzbeschränkte Designs wie Smartphones und Wearables dominant.
• Integrierte Lösungen:Es gibt einen Trend hin zur Kombination der IR-LED mit einer Treiber-IC, einem Fotodetektor und manchmal sogar einem Mikrocontroller in einem einzigen Modul. Diese "Sensorfusion"-Module vereinfachen das Design für Endanwender in Anwendungen wie Gestensteuerung oder Präsenzerkennung.
• Wellenlängendiversifizierung:Während 940 nm Standard ist, werden andere Wellenlängen wie 850 nm (oft als schwaches rotes Leuchten sichtbar) verwendet, wo eine gewisse Sichtbarkeit akzeptabel ist und die Empfindlichkeit von Siliziumdetektoren etwas höher ist. Längere Wellenlängen (1050 nm, 1300 nm, 1550 nm) werden für spezielle Anwendungen wie augensicheres LiDAR und optische Kommunikation verwendet.
• Anwendungserweiterung:Das Wachstum des Internets der Dinge (IoT), der Heimautomatisierung, der Fahrerüberwachung im Automobilbereich und der biometrischen Sicherheit schafft kontinuierlich neue Anwendungen für zuverlässige, kostengünstige Infrarot-Emitter wie die IR533C.