Infrarot-Emitter LTE-4208M Datenblatt - 940nm Wellenlänge - T-1 3/4 Gehäuse (5mm) - 1,6V Durchlassspannung - 100mW Verlustleistung - Technisches Dokument

1. Produktübersicht

Der LTE-4208M ist eine hochleistungsfähige Infrarot (IR)-Emittierende Diode, konzipiert für Anwendungen, die zuverlässige und effiziente Emission von nicht sichtbarem Licht erfordern. Ihre Kernfunktion ist die Umwandlung elektrischer Energie in Infrarotstrahlung mit einer Spitzenwellenlänge von 940 Nanometern (nm). Diese Wellenlänge ist ideal für Anwendungen, bei denen Störungen durch sichtbares Licht minimiert werden müssen, da sie für das menschliche Auge weitgehend unsichtbar ist, während sie von siliziumbasierten Fotodetektoren wie Fototransistoren und Fotodioden gut detektiert werden kann.

Das Bauteil ist in einem standardmäßigen T-1 3/4 Gehäuse (ca. 5mm Durchmesser) mit einer wasserklaren Linse untergebracht. Dieses kompakte Kunststoffgehäuse bietet eine kostengünstige Lösung bei gleichzeitiger mechanischer Robustheit. Ein wesentliches Konstruktionsmerkmal ist seine spektrale und mechanische Abstimmung auf entsprechende Fototransistor-Serien (z.B. LTR-3208), was das Design optischer Systeme vereinfacht, indem eine optimale Ausrichtung und Signalübertragung zwischen Emitter- und Detektor-Paaren sichergestellt wird.

1.1 Kernvorteile und Zielmarkt

Die primären Vorteile des LTE-4208M umfassen seine hohe Strahlungsintensität, eine konsistente Leistung durch einen rigorosen Binning-Prozess und seine kompakte, kostengünstige Bauform. Er wird in spezifische Strahlungsintensitätsbereiche (Bins) vorsortiert, was Entwicklern ermöglicht, ein Bauteil zu wählen, das genau den Empfindlichkeitsanforderungen ihres Systems entspricht, ohne externe Kalibrier- oder Trimm-Schaltungen zu benötigen. Diese Vorhersagbarkeit erhöht die Fertigungsausbeute und Systemzuverlässigkeit.

Der Zielmarkt für dieses Bauteil sind primär Industrie- und Konsumelektronik, die Näherungserkennung, Objekterkennung oder optische Kodierung benötigen. Seine prominenteste Anwendung ist in Rauchmeldern, wo ein IR-Strahl verwendet wird, um Rauchpartikel durch Messung der Streuung oder Abschwächung des Lichts zu detektieren. Weitere potenzielle Anwendungen sind berührungslose Schalter, Datenübertragung über kurze Distanzen (z.B. Fernbedienungssysteme), Sensoren für die Industrieautomatisierung und Objektzähler.

2. Detaillierte Analyse der technischen Parameter

Das Verständnis der elektrischen und optischen Parameter ist entscheidend für ein zuverlässiges Schaltungsdesign und um sicherzustellen, dass die LED innerhalb ihres sicheren Arbeitsbereichs (SOA) betrieben wird.

2.1 Absolute Maximalwerte (Grenzwerte)

Diese Werte definieren die Belastungsgrenzen, jenseits derer dauerhafte Schäden am Bauteil auftreten können. Ein Betrieb bei oder nahe diesen Grenzen über längere Zeit wird nicht empfohlen.

• Verlustleistung (Pd):100 mW. Dies ist die maximale Leistung, die das Bauteil bei einer Umgebungstemperatur (TA) von 25°C als Wärme abführen kann. Das Überschreiten dieses Limits riskiert thermisches Durchgehen und Ausfall.
• Spitzen-Durchlassstrom (I_FP):3 A. Dies ist der maximal zulässige Momentanstrom unter gepulsten Bedingungen (300 Pulse pro Sekunde, 10μs Pulsbreite). Er ist deutlich höher als der Dauerstrom-Nennwert und unterstreicht die Fähigkeit des Bauteils für kurze, hochintensive Impulse.
• Dauer-Durchlassstrom (I_F):50 mA. Dies ist der maximale Gleichstrom, der kontinuierlich angelegt werden kann, ohne die Verlustleistungsgrenze zu überschreiten, unter Annahme einer typischen Durchlassspannung.
• Sperrspannung (V_R):5 V. Das Bauteil hat eine sehr geringe Toleranz für Sperrspannung. Das Anlegen einer Sperrspannung größer als 5V kann einen sofortigen Durchbruch verursachen. Das Datenblatt weist ausdrücklich darauf hin, dass das Bauteil nicht für den Betrieb in Sperrrichtung ausgelegt ist.
• Betriebs- & Lagertemperatur:-40°C bis +85°C bzw. -55°C bis +100°C. Diese Bereiche definieren die Umgebungsbedingungen für zuverlässigen Betrieb und Lagerung im nicht betriebsbereiten Zustand.
• Löttemperatur der Anschlüsse:260°C für 5 Sekunden in einem Abstand von 4,0mm vom Gehäuse. Dies ist kritisch für Wellen- oder Reflow-Lötprozesse, um Schäden am internen Halbleiter-Chip oder am Kunststoffgehäuse zu verhindern.

2.2 Elektrische & Optische Kenngrößen

Diese Parameter werden unter Standard-Testbedingungen gemessen (TA=25°C, I_F=20mA, sofern nicht anders angegeben) und definieren die typische Leistung des Bauteils.

• Strahlungsintensität (I_E):Dies ist der zentrale optische Ausgangsparameter, gemessen in Milliwatt pro Steradiant (mW/sr). Er gibt die pro Raumwinkeleinheit emittierte optische Leistung an. Das Bauteil wird in Bins (A bis G) sortiert, mit Minimal- und Typwerten von 3,6/13,2 mW/sr (Bin A) bis 28,8 mW/sr (Bin G). Dieses Binning ermöglicht eine Auswahl basierend auf der benötigten Signalstärke.
• Spitzen-Emissionswellenlänge (λ_Peak):940 nm. Dies ist die Wellenlänge, bei der die emittierte optische Leistung maximal ist. Sie liegt im nahen Infrarotspektrum.
• Spektrale Halbwertsbreite (Δλ):50 nm. Dieser Parameter, auch als Full Width at Half Maximum (FWHM) bekannt, definiert die spektrale Bandbreite. Eine Breite von 50nm bedeutet, dass das emittierte Licht Wellenlängen von etwa 915nm bis 965nm bei halber Spitzenintensität abdeckt.
• Durchlassspannung (V_F):1,2V (Min), 1,6V (Typ). Dies ist der Spannungsabfall über der Diode bei einem Strom von 20mA. Er ist essenziell für die Berechnung des Vorwiderstandswerts in einer Treiberschaltung: R = (V_Versorgung- V_F) / I_F.
• Sperrstrom (I_R):100 μA (Max) bei V_R=5V. Dies ist der kleine Leckstrom, der fließt, wenn die Diode mit ihrer maximalen Sperrspannung betrieben wird.
• Abstrahlwinkel (2θ_1/2):20 Grad. Dies ist der volle Winkel, bei dem die Strahlungsintensität auf die Hälfte ihres Maximalwerts (auf der Achse) abfällt. Ein Winkel von 20° deutet auf einen relativ schmalen, fokussierten Strahl hin, was für gerichtete Sensoranwendungen vorteilhaft ist.

3. Erläuterung des Binning-Systems

Der LTE-4208M verwendet einen einzigen, kritischen Binning-Parameter: Strahlungsintensität. Bauteile werden getestet und basierend auf ihrer gemessenen Ausgangsleistung beim Standard-Teststrom von 20mA in Gruppen (Bins A bis G) sortiert. Dieses System bietet mehrere Vorteile:

1. Designkonsistenz:Ingenieure können ein spezifisches Bin auswählen, um konsistente optische Signalpegel über alle Einheiten einer Produktionscharge sicherzustellen, was die Produktgleichmäßigkeit verbessert.
2. Leistungsabstimmung:Bei Verwendung mit einem abgestimmten Fotodetektor ermöglicht die Auswahl von Emitter-Bins eine präzisere Kontrolle über die Gesamtempfindlichkeit und den Dynamikbereich des optischen Sensorsystems.
3. Kostenoptimierung:Anwendungen mit weniger strengen Empfindlichkeitsanforderungen können potenziell niedriger gebinnte Teile (z.B. Bin A, B) verwenden, die möglicherweise kostengünstiger sind.

Das Datenblatt zeigt für dieses Modell kein Binning für Durchlassspannung oder Wellenlänge an, was auf eine enge Prozesskontrolle bei diesen Parametern hindeutet oder darauf, dass sie für die Zielanwendungen keine kritischen Unterscheidungsmerkmale sind.

4. Analyse der Leistungskennlinien

Die typischen Kennlinien bieten visuelle Einblicke in das Verhalten des Bauteils unter variierenden Bedingungen, was für ein robustes Systemdesign über den Nennpunkt von 25°C hinaus entscheidend ist.

4.1 Spektrale Verteilung (Abb.1)

Die Kurve zeigt eine gaußähnliche Verteilung, zentriert bei 940nm mit einer FWHM von etwa 50nm. Dies bestätigt die monochromatische Natur der LED-Ausgabe, was für das Herausfiltern von Umgebungslichtstörungen in Sensoranwendungen entscheidend ist. Die Kurvenform ist typisch für eine auf AlGaAs basierende IR-LED.

4.2 Durchlassstrom vs. Umgebungstemperatur (Abb.2)

Diese Entlastungskurve ist essenziell für das thermische Management. Sie zeigt, wie der maximal zulässige Dauer-Durchlassstrom mit steigender Umgebungstemperatur abnimmt. Bei 85°C (der maximalen Betriebstemperatur) ist der zulässige Strom deutlich geringer als der Nennwert von 50mA bei 25°C. Entwickler müssen dieses Diagramm verwenden, um sicherzustellen, dass der Betriebsstrom bei der maximal erwarteten Umgebungstemperatur des Systems die Kurve nicht überschreitet.

4.3 Durchlassstrom vs. Durchlassspannung (Abb.3)

Dies ist die Standard-I-V-Kennlinie einer Diode. Sie zeigt die exponentielle Beziehung zwischen Strom und Spannung. Die Kurve ermöglicht es Entwicklern, die V_Fbei Strömen abzuschätzen, die von der 20mA-Testbedingung abweichen, was für das Netzteil-Design und Effizienzberechnungen wichtig ist.

4.4 Relative Strahlungsintensität vs. Umgebungstemperatur (Abb.4)

Dieses Diagramm veranschaulicht die Temperaturabhängigkeit der optischen Ausgangsleistung. Die relative Strahlungsintensität nimmt mit steigender Temperatur ab. Bei 85°C kann die Ausgangsleistung beispielsweise nur noch etwa 60-70% ihres Wertes bei 25°C betragen. Dieser negative Temperaturkoeffizient muss in Systemen, die über einen weiten Temperaturbereich arbeiten sollen, berücksichtigt werden, um Signalverluste bei hohen Temperaturen zu vermeiden.

4.5 Relative Strahlungsintensität vs. Durchlassstrom (Abb.5)

Diese Kurve zeigt, dass die optische Ausgangsleistung im typischen Arbeitsbereich (z.B. bis 50mA) in etwa proportional zum Durchlassstrom ist. Die Beziehung ist jedoch nicht perfekt linear, und die Effizienz (Strahlungsintensität pro mA) kann bei sehr hohen Strömen aufgrund erhöhter thermischer Effekte und anderer Nichtidealitäten im Halbleiter leicht abnehmen.

4.6 Strahlungsdiagramm (Abb.6)

Dieses Polardiagramm definiert visuell den Abstrahlwinkel. Die normierte Intensität ist über dem Winkel von der Mittelachse (0°) aufgetragen. Das Diagramm bestätigt den Halbwinkel von 20° und zeigt einen schnellen Abfall der Intensität außerhalb von etwa ±10° vom Zentrum. Dieses Muster ist charakteristisch für eine LED mit einer einfachen Kuppellinse, die einen fokussierten Strahl für gerichtete Anwendungen liefert.

5. Mechanische & Verpackungsinformationen

5.1 Abmessungen

Das Bauteil entspricht den Standardabmessungen des T-1 3/4 Durchsteckgehäuses. Wichtige Maße umfassen einen Gehäusedurchmesser von ca. 5mm, einen typischen Anschlussabstand von 2,54mm (0,1") an der Austrittsstelle aus dem Gehäuse und eine Gesamtlänge. Eine maximale Harzüberstehung von 1,0mm unter dem Flansch wird angegeben. Die Anschlüsse sind typischerweise aus verzinntem Kupferlegierungsdraht. Das Gehäuse verfügt über eine klare, farblose Epoxidlinse.

5.2 Polaritätskennzeichnung

Bei Durchsteckgehäusen wie dem T-1 3/4 wird die Polarität üblicherweise durch die Länge der Anschlüsse angezeigt (der längere Anschluss ist typischerweise die Anode oder Plus-Seite) und/oder durch eine abgeflachte Stelle am Kunststoffflansch in der Nähe des Kathoden- (Minus-) Anschlusses. Für die spezifische Kennzeichnung an diesem Bauteil sollte die Zeichnung im Datenblatt konsultiert werden.

6. Löt- & Montagerichtlinien

Die Einhaltung der Lötvorschriften ist entscheidend, um thermischen Schock und latente Ausfälle zu verhindern.

• Handlöten:Verwenden Sie eine temperaturgeregelte Lötspitze. Begrenzen Sie die Lötzeit pro Anschluss auf 3-5 Sekunden bei einer Temperatur von maximal 350°C. Wenden Sie die Hitze am Anschluss an, nicht am Gehäuse.
• Wellen-/Reflow-Löten:Die spezifizierte Bedingung ist 260°C für 5 Sekunden, gemessen 4,0mm vom Gehäuse entfernt. Dies impliziert, dass das Bauteil typische Infrarot- oder Konvektions-Reflow-Profile aushalten kann, jedoch muss die thermische Masse der Anschlüsse berücksichtigt werden, um sicherzustellen, dass das Gehäuse selbst nicht überhitzt.
• Reinigung:Wenn nach dem Löten eine Reinigung erforderlich ist, verwenden Sie Lösungsmittel, die mit dem Epoxid-Gehäusematerial kompatibel sind. Vermeiden Sie Ultraschallreinigung, es sei denn, sie wurde als sicher für das Bauteil verifiziert.
• Lagerung:Lagern Sie das Bauteil in einer trockenen, antistatischen Umgebung innerhalb des spezifizierten Temperaturbereichs (-55°C bis +100°C). Feuchtigkeitsempfindliche Bauteile sollten in versiegelten Beuteln mit Trockenmittel aufbewahrt werden, wenn sie vor der Verwendung nicht getrocknet (gebaked) werden.

7. Anwendungsvorschläge & Designüberlegungen

7.1 Typische Anwendung: Rauchmelder

In einem fotoelektrischen Rauchmelder ist der LTE-4208M in einer Kammer so platziert, dass sein Strahl unter klaren Luftbedingungen nicht direkt auf den gepaarten Fototransistor trifft. Wenn Rauchpartikel in die Kammer eindringen, streuen sie das IR-Licht, wodurch ein Teil davon auf den Fototransistor abgelenkt wird. Der resultierende Anstieg des Detektorstroms löst den Alarm aus. Für diese Anwendung gilt:

• Wählen Sie ein Strahlungsintensitäts-Bin, das ein ausreichendes Signal für eine zuverlässige Raucherkennung liefert, während der Stromverbrauch minimiert wird.
• Betreiben Sie die LED mit einem gepulsten Strom (z.B. ein kurzer, hoher Impuls wie 100mA für 10μs) anstelle von Gleichstrom, um das Spitzensignal für ein besseres Signal-Rausch-Verhältnis zu erhöhen und den durchschnittlichen Stromverbrauch zu reduzieren, was die Batterielebensdauer verlängert.
• Berücksichtigen Sie die Temperaturabhängigkeit sowohl der Strahlungsintensität als auch des maximalen Stroms, da Melder in Dachböden oder anderen Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen installiert sein können.

7.2 Allgemeine Designüberlegungen

• Strombegrenzung:Verwenden Sie stets einen Vorwiderstand oder eine Konstantstromquelle, um den Durchlassstrom zu begrenzen. Schließen Sie die LED niemals direkt an eine Spannungsquelle an.
• Sperrspannungsschutz:In Schaltungen, in denen Sperrspannungstransienten möglich sind (z.B. induktive Lasten, Hot-Plugging), erwägen Sie das Hinzufügen einer Schutzdiode parallel zur LED (Kathode an Anode), um jede Sperrspannung unter 0,7V zu begrenzen.
• Wärmeableitung:Für Dauerbetrieb nahe dem maximalen Strom-Nennwert sollten Sie das PCB-Layout berücksichtigen. Eine ausreichende Kupferfläche um die Anschlüsse herum hilft bei der Wärmeableitung.
• Optisches Design:Der schmale Abstrahlwinkel von 20° vereinfacht das optische Design für Kollimation, erfordert jedoch eine sorgfältige mechanische Ausrichtung mit dem Empfänger. Für eine breitere Abdeckung können Diffusoren oder Linsen erforderlich sein.

8. Technischer Vergleich & Differenzierung

Im Vergleich zu generischen, nicht gebinnten IR-LEDs ist das Hauptunterscheidungsmerkmal des LTE-4208M seine garantierte Strahlungsintensität durch Binning, was eine vorhersagbare Leistung bietet. Im Vergleich zu oberflächenmontierbaren (SMD) IR-LEDs bietet das T-1 3/4 Durchsteckgehäuse aufgrund seiner größeren thermischen Masse und längeren Anschlüsse eine möglicherweise höhere Verlustleistung, was potenziell höhere Dauer- oder Pulsströme ermöglicht. Sein klares Gehäuse ist gegenüber getönten oder diffundierenden Gehäusen vorteilhaft, wenn maximale Vorwärts-Lichtausgabe und Strahldefinition erforderlich sind, obwohl es keinen inhärenten Schutz vor sichtbarem Licht bietet.

9. Häufig gestellte Fragen (basierend auf technischen Parametern)

F: Kann ich diese LED mit 3A kontinuierlich betreiben, da der Spitzenwert 3A beträgt?

A: Nein. Der 3A-Wert gilt für sehr kurze Pulse (10μs) unter einem spezifischen Tastverhältnis. Der maximale Dauerstrom beträgt 50mA. Das Überschreiten dieses Wertes wird das Bauteil aufgrund von Überhitzung schnell zerstören.

F: Warum beträgt die Sperrspannungsfestigkeit nur 5V?

A: Infrarot-LEDs sind für den Vorwärtsbetrieb optimiert. Die Halbleiterstruktur ist nicht für das Aushalten hoher Sperrspannungen ausgelegt. Stellen Sie stets sicher, dass die Schaltung das Anlegen von Sperrspannung verhindert.

F: Wie wähle ich das richtige Bin (A bis G)?

A: Wählen Sie basierend auf der erforderlichen Signalstärke Ihres Systems am Empfänger. Wenn Ihre Detektorschaltung eine hohe Verstärkung hat und Sie den Stromverbrauch minimieren möchten, kann ein niedrigeres Bin (A, B) ausreichen. Für größere Entfernungen, schwächere Detektoren oder Systeme, die ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis benötigen, wählen Sie ein höheres Bin (E, F, G). Ein Test mit Ihrem spezifischen optischen Pfad wird empfohlen.

F: Die Durchlassspannung beträgt typisch 1,6V. Welchen Widerstand sollte ich bei einer 5V-Versorgung für 20mA verwenden?

A: R = (V_Versorgung- V_F) / I_F= (5V - 1,6V) / 0,020A = 170 Ohm. Verwenden Sie den nächstgelegenen Standardwert (z.B. 180 Ohm) und überprüfen Sie den tatsächlichen Strom: I_F= (5V - 1,6V) / 180 = ~18,9mA, was akzeptabel ist.

10. Praktische Design-Fallstudie

Szenario:Entwurf eines energiesparenden, batteriebetriebenen Objektzählers für ein industrielles Förderband. Das System verwendet einen Lichttaster, bei dem der LTE-4208M einem LTR-3208 Fototransistor gegenüber dem Band ausgerichtet ist.

Designschritte:

1. Ziel:Maximierung der Batterielebensdauer bei gleichzeitiger sicherer Erkennung aller Objekte.
2. Betriebsart:Verwendung von gepulstem Betrieb. Ein Mikrocontroller erzeugt einen 100Hz-Puls mit 10% Tastverhältnis (1ms EIN, 9ms AUS).
3. Stromberechnung:Um innerhalb der durchschnittlichen Leistungsgrenzen zu bleiben, wird ein Pulsstrom gewählt. Mit Pd=100mW und V_F~1,6V kann der durchschnittliche I_F~62,5mA betragen. Bei einem Tastverhältnis von 10% kann der Pulsstrom I_Fbis zu 625mA betragen. Ein konservativer Pulsstrom von 100mA wird für ein starkes Signal gewählt.
4. Bauteilauswahl:Wählen Sie LTE-4208M aus Bin D oder E für eine gute Signalstärke. Wählen Sie den passenden LTR-3208 Fototransistor.
5. Schaltung:Verwenden Sie einen Mikrocontroller-GPIO-Pin, um einen Transistor (z.B. NPN-BJT oder N-Kanal-MOSFET) anzusteuern, der den 100mA-Puls durch die LED schaltet. Ein Vorwiderstand setzt den Strom: R = (3,3V_GPIO- V_CE(sat)- V_F) / I_F. Der Ausgang des Fototransistors wird an einen Komparator oder den ADC des Mikrocontrollers angeschlossen.
6. Überlegungen:Berücksichtigen Sie Umgebungslicht durch Synchronisation der Detektion mit dem LED-Puls (synchrone Detektion). Berücksichtigen Sie Temperatureffekte auf die Ausgangsintensität.

Dieser Ansatz reduziert den durchschnittlichen Stromverbrauch auf etwa 10mA (100mA * 10%) anstelle eines kontinuierlichen Stroms von 20-50mA, verlängert die Batterielebensdauer erheblich und behält gleichzeitig einen starken, detektierbaren Lichtimpuls bei.

11. Funktionsprinzip

Der LTE-4208M ist eine Halbleiter-p-n-Diode, hergestellt aus Materialien wie Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs). Wenn eine Durchlassspannung angelegt wird, die die Bandlückenenergie des Materials übersteigt, werden Elektronen aus dem n-Gebiet und Löcher aus dem p-Gebiet in den Übergangsbereich injiziert. Wenn diese Ladungsträger rekombinieren, setzen sie Energie frei. In einer lichtemittierenden Diode (LED) wird diese Energie hauptsächlich als Photonen (Licht) freigesetzt. Die Wellenlänge (Farbe) des emittierten Lichts wird durch die Bandlückenenergie des Halbleitermaterials bestimmt. Für AlGaAs, abgestimmt auf 940nm, beträgt die Bandlückenenergie etwa 1,32 Elektronenvolt (eV). Das klare Epoxidgehäuse fungiert als Linse, formt das Abstrahlmuster und bietet Umweltschutz.

12. Technologietrends

Die Infrarot-Emitter-Technologie entwickelt sich weiter. Trends, die für Bauteile wie den LTE-4208M relevant sind, umfassen:

• Erhöhte Effizienz:Laufende Materialforschungen zielen darauf ab, die Wandlereffizienz (optische Leistung aus / elektrische Leistung ein) von IR-LEDs zu verbessern, um die Wärmeentwicklung und den Stromverbrauch bei gleicher optischer Ausgangsleistung zu reduzieren.
• Höhere Modulationsgeschwindigkeit:Entwicklung von LEDs, die schneller schalten können, für Anwendungen in der optischen Datenkommunikation (z.B. IrDA, Li-Fi) und Hochgeschwindigkeits-Sensorik.
• Integration:Trend zu integrierten optoelektronischen Baugruppen, die Emitter, Detektor und manchmal auch Treiberschaltungen in einem einzigen Modul kombinieren, was das Design vereinfacht und Ausrichtung sowie Leistungskonsistenz verbessert.
• Alternative Wellenlängen:Ausweitung auf andere nahe IR-Wellenlängen (z.B. 850nm, 880nm) für spezifische Anwendungen wie Eye-Tracking (wo 940nm bevorzugt wird, da es weniger sichtbar ist) oder Kompatibilität mit verschiedenen Silizium-Detektorempfindlichkeiten.
• Gehäuse-Miniaturisierung:Während Durchsteckgehäuse für Hochleistungs- oder Hochzuverlässigkeitsanwendungen beliebt bleiben, gibt es einen starken Trend hin zur Oberflächenmontagetechnik (SMD) für automatisierte Bestückung und platzbeschränkte Designs.

Der LTE-4208M mit seinem bewährten T-1 3/4 Gehäuse, hoher Strahlungsleistung und rigorosem Binning repräsentiert eine ausgereifte und zuverlässige Lösung, die gut für seine primären Anwendungen geeignet ist, insbesondere dort, wo Durchsteckmontage bevorzugt oder erforderlich ist.