Hoja de Datos del Diodo Schottky de SiC TO-252-3L - Carcasa 6.6x9.84x2.3mm - Tensión 650V - Corriente 6A - Documento Técnico en Español

1. Descripción General del Producto

Este documento proporciona la especificación completa de un Diodo de Barrera Schottky de Carburo de Silicio (SiC) de alto rendimiento. El dispositivo está diseñado en un encapsulado de montaje superficial TO-252-3L (comúnmente conocido como DPAK), ofreciendo una solución robusta para circuitos de conversión de potencia de alta frecuencia y alta eficiencia. A diferencia de los diodos de unión PN de silicio convencionales, este diodo Schottky de SiC utiliza una unión metal-semiconductor, lo que elimina fundamentalmente la carga de recuperación inversa, una fuente significativa de pérdidas por conmutación e interferencia electromagnética (EMI) en sistemas de potencia.

La ventaja principal de este componente radica en sus propiedades materiales. El Carburo de Silicio ofrece un ancho de banda prohibida más amplio, una mayor conductividad térmica y una mayor resistencia al campo eléctrico crítico en comparación con el silicio. Estas ventajas materiales se traducen directamente en el rendimiento del diodo: puede operar a tensiones más altas, temperaturas más elevadas y con pérdidas por conmutación significativamente menores. Los mercados objetivo para este dispositivo son las aplicaciones modernas de electrónica de potencia donde la eficiencia, la densidad de potencia y la fiabilidad son primordiales.

1.1 Características y Beneficios Clave

El dispositivo incorpora varias características avanzadas que proporcionan beneficios distintivos en el diseño del sistema:

• Baja Tensión Directa (VF = 1.5V típico):Esto reduce las pérdidas por conducción, mejorando directamente la eficiencia general de la etapa de potencia. Una menor disipación de potencia también simplifica la gestión térmica.
• Conmutación Ultrarrápida con Corriente de Recuperación Inversa Cero:El principio de la barrera Schottky significa que no hay almacenamiento de portadores minoritarios. En consecuencia, el diodo se apaga casi instantáneamente sin pico de corriente de recuperación inversa. Esto minimiza las pérdidas por conmutación, reduce el estrés en el interruptor de control (por ejemplo, un MOSFET) y disminuye la generación de EMI.
• Operación en Alta Frecuencia:La ausencia de recuperación inversa permite que el diodo se utilice en circuitos que operan a cientos de kHz o incluso MHz, posibilitando el uso de componentes magnéticos (inductores, transformadores) y capacitores más pequeños, aumentando así la densidad de potencia.
• Alta Capacidad de Corriente de Sobretensión (IFSM = 11.8A):El dispositivo puede soportar corrientes de sobrecarga de corta duración, como las que se encuentran durante el arranque o transitorios de carga, mejorando la robustez del sistema.
• Alta Temperatura de Unión (TJ,máx = 175°C):El amplio ancho de banda prohibida del SiC permite una operación fiable a temperaturas elevadas, ofreciendo un mayor margen de seguridad en diseños de alta temperatura ambiente o compactos.
• Operación en Paralelo:El coeficiente de temperatura positivo de la caída de tensión directa ayuda a garantizar el reparto de corriente entre múltiples diodos conectados en paralelo, evitando la fuga térmica.

2. Análisis en Profundidad de Parámetros Técnicos

Esta sección proporciona una interpretación detallada y objetiva de los parámetros eléctricos y térmicos clave especificados en la hoja de datos. Comprender estos parámetros es crítico para un diseño de circuito fiable.

2.1 Límites Absolutos Máximos

Estos límites definen los valores más allá de los cuales puede ocurrir un daño permanente en el dispositivo. No se garantiza la operación en o bajo estos límites.

• Tensión Inversa Repetitiva de Pico (VRRM): 650V- Esta es la tensión inversa instantánea máxima que se puede aplicar repetidamente. La tensión de pico del circuito, incluyendo cualquier oscilación o sobreimpulso, debe permanecer por debajo de este valor.
• Tensión Inversa de Sobretensión de Pico (VRSM): 650V- Esta es una especificación no repetitiva para condiciones de sobretensión. Normalmente es igual a VRRM para diodos Schottky.
• Corriente Directa Continua (IF): 6A- Esta es la corriente continua máxima que el diodo puede conducir de forma continua. Esta especificación está limitada por la temperatura máxima permitida de la unión y la resistencia térmica de la unión a la carcasa (Rth(JC)). La corriente real utilizable en una aplicación depende en gran medida del diseño térmico (disipador, área de cobre en el PCB).
• Corriente Directa de Sobretensión No Repetitiva (IFSM): 11.8A durante 10ms de onda sinusoidal media- Esta especificación indica la capacidad del diodo para manejar sobrecargas a corto plazo, como corrientes de irrupción. El ancho de pulso de 10ms es una condición de prueba común que representa medio ciclo de CA de 50Hz.
• Temperatura de Unión (TJ): -55°C a +175°C- El rango de temperatura de operación y almacenamiento del propio chip semiconductor.

2.2 Características Eléctricas

Estos son los parámetros de rendimiento típicos y máximos/mínimos garantizados bajo condiciones de prueba especificadas.

• Tensión Directa (VF):Típicamente 1.5V a IF=6A y TJ=25°C, con un máximo de 1.85V. Aumenta con la temperatura, alcanzando aproximadamente 1.9V a TJ=175°C. Este coeficiente de temperatura positivo es crucial para la operación en paralelo.
• Corriente de Fuga Inversa (IR):Un parámetro crítico para la eficiencia, especialmente a altas temperaturas. Es típicamente 0.8µA a VR=520V y TJ=25°C, pero puede aumentar a 9µA a TJ=175°C. Los diseñadores deben tener en cuenta esta fuga en aplicaciones de alta temperatura y alta tensión.
• Capacitancia Total (C) y Carga Capacitiva (QC):El diodo presenta capacitancia de unión. La hoja de datos muestra que disminuye al aumentar la tensión inversa (de 173pF a 1V a 15pF a 400V). LaCarga Capacitiva Total (QC)es un parámetro más útil para el cálculo de pérdidas por conmutación, dado como 10nC típico a VR=400V. Esta carga debe disiparse durante cada ciclo de conmutación, contribuyendo a una pequeña pérdida capacitiva por conmutación.

3. Características Térmicas

Una gestión térmica efectiva es esencial para alcanzar la especificación de corriente del dispositivo y su fiabilidad a largo plazo.

• Resistencia Térmica, Unión-Carcasa (Rth(JC)): 4.2°C/W típico.Esta es la resistencia al flujo de calor desde el chip de silicio hasta la almohadilla metálica expuesta (carcasa) del encapsulado. Un valor más bajo significa que el calor se transfiere más fácilmente fuera del chip. Este parámetro es vital para calcular el aumento de temperatura de la unión por encima de la temperatura de la carcasa: ΔTJ = PD * Rth(JC).
• Disipación de Potencia (PD): 36W.Esta es la disipación de potencia máxima permitida, vinculada a la Rth(JC) y la TJ máxima. En la práctica, la disipación alcanzable está limitada por la capacidad del sistema para enfriar la carcasa.

4. Análisis de Curvas de Rendimiento

Los gráficos de rendimiento típicos proporcionan una visión visual del comportamiento del dispositivo bajo diversas condiciones de operación.

4.1 Características VF-IF

Este gráfico muestra la relación entre la caída de tensión directa y la corriente directa a diferentes temperaturas de unión. Observaciones clave: La curva es relativamente lineal en el rango de operación, confirmando su comportamiento Schottky. La caída de tensión aumenta con la corriente y la temperatura. Este gráfico se utiliza para estimar las pérdidas por conducción (Pcond = VF * IF).

4.2 Características VR-IR

Este gráfico representa la corriente de fuga inversa frente a la tensión inversa, típicamente a múltiples temperaturas. Demuestra el aumento exponencial de la corriente de fuga tanto con la tensión como con la temperatura. Esto es crítico para evaluar las pérdidas en espera y la estabilidad térmica en estados de bloqueo de alta tensión.

4.3 Características Máximas IF-TC

Esta curva de reducción de potencia muestra cómo la corriente directa continua máxima permitida disminuye a medida que aumenta la temperatura de la carcasa (TC). Se deriva de la fórmula: IF(máx) = sqrt((TJ,máx - TC) / (Rth(JC) * VF)). Los diseñadores deben usar este gráfico para seleccionar un disipador o diseño de PCB apropiado para mantener una temperatura de carcasa lo suficientemente baja para la corriente requerida.

4.4 Resistencia Térmica Transitoria

Este gráfico muestra la impedancia térmica (Zth) en función del ancho del pulso. Para pulsos de corriente cortos, la resistencia térmica efectiva es menor que la Rth(JC) en estado estacionario porque el calor no tiene tiempo de propagarse por todo el sistema. Este gráfico es esencial para evaluar la respuesta térmica del diodo a corrientes de conmutación repetitivas o eventos de sobretensión de corta duración.

5. Información Mecánica y del Encapsulado

5.1 Contorno y Dimensiones del Encapsulado

El dispositivo está alojado en un encapsulado de montaje superficial TO-252-3L (DPAK). Las dimensiones clave de la hoja de datos incluyen:

• Tamaño Total del Encapsulado (D x E): 6.10mm x 6.60mm (típico).
• Altura del Encapsulado (A): 2.30mm (típico).
• Paso de las Patillas (e): 2.28mm (básico).
• Longitud de las Patillas (L): 1.52mm (típico).
• Tamaño de la Almohadilla Expuesta (D1 x E1): 5.23mm x 4.83mm (típico).

Se especifican todas las tolerancias, y los diseñadores deben consultar el dibujo detallado para el diseño de la huella en el PCB.

5.2 Configuración de Pines y Polaridad

El encapsulado tiene tres conexiones externas: dos patillas y la almohadilla térmica expuesta.

• Pin 1: Cátodo.
• Pin 2: Ánodo.
• Carcasa (Almohadilla Expuesta): Cátodo.La almohadilla expuesta está conectada eléctricamente al cátodo. Esto es crucial tanto para la conexión del circuito eléctrico como para la gestión térmica. La almohadilla debe soldarse a un área de cobre conectada al cátodo en el PCB para actuar como disipador y proporcionar resistencia mecánica.

  5.3 Diseño Recomendado de la Huella en el PCB

  La hoja de datos proporciona una huella recomendada para el montaje superficial. Este diseño está optimizado para la fiabilidad de la soldadura y el rendimiento térmico. Normalmente incluye una almohadilla grande y central para el cátodo expuesto, con conexiones de alivio térmico si son necesarias para la soldadura, y almohadillas de tamaño apropiado para las patillas del ánodo y cátodo. Seguir este diseño recomendado es esencial para un buen rendimiento de fabricación y fiabilidad operativa.

  6. Guías de Soldadura y Montaje

  Aunque en esta hoja de datos no se proporcionan perfiles de reflujo específicos, se aplican las guías estándar para el montaje SMT sin plomo (Pb-free).

  • Soldadura por Reflujo:Utilice un perfil de reflujo sin plomo estándar (por ejemplo, IPC/JEDEC J-STD-020). La temperatura máxima del cuerpo del encapsulado no debe exceder los 260°C. La gran masa térmica de la almohadilla expuesta puede requerir un ajuste cuidadoso del perfil para garantizar una correcta soldadura por reflujo bajo la almohadilla sin sobrecalentar otros componentes.
  • Manejo:Observe las precauciones estándar contra descargas electrostáticas (ESD), ya que los dispositivos de SiC pueden ser sensibles a la ESD.
  • Almacenamiento:Almacene en un entorno seco e inerte según los requisitos estándar del nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) para encapsulados SMT. Es probable que el dispositivo esté clasificado como MSL 3 o similar, lo que significa que debe hornearse antes de su uso si se expone al aire ambiente más allá de su vida útil en el suelo.

  7. Sugerencias de Aplicación

  7.1 Circuitos de Aplicación Típicos

  Este diodo Schottky de SiC es idealmente adecuado para las siguientes aplicaciones:

  • Diodo Elevador de Corrección del Factor de Potencia (PFC):En etapas PFC de modo de conducción continua (CCM), el diodo debe conmutar a frecuencia de línea (50/60Hz) y alta frecuencia (frecuencia de conmutación, por ejemplo, 100kHz). La característica de recuperación inversa cero elimina las pérdidas de apagado y la EMI asociada, haciéndolo superior a los diodos ultrafast de silicio.
  • Rectificador de Salida de Convertidor DC-DC:En convertidores elevadores, reductores o flyback, especialmente aquellos que operan a altas frecuencias para reducir el tamaño de los componentes magnéticos.
  • Diodos de Libre Circulación/Bloqueo en Inversores Solares:Utilizados para gestionar el flujo de corriente desde paneles fotovoltaicos o dentro de las etapas de potencia del inversor.
  • Circuitos de Accionamiento de Motores:En etapas inversoras para controlar motores de CA o BLDC.
  • Convertidores AC/DC y DC/AC de Alta Eficiencia:Para servidores, telecomunicaciones y fuentes de alimentación industriales.

  7.2 Consideraciones de Diseño

  • Diseño Térmico:Este es el aspecto más crítico. El PCB debe diseñarse con un área de cobre suficiente (en las capas superior e inferior, conectadas con vías) bajo la almohadilla expuesta para actuar como disipador. Utilice la Rth(JC), las curvas de reducción de potencia y las pérdidas de potencia estimadas para calcular el rendimiento térmico requerido.
  • Selección de la Tensión Nominal:Elija una especificación VRRM con un margen suficiente. Para un bus de CC de 400V, un diodo de 650V es apropiado, proporcionando margen para picos de tensión y oscilaciones.
  • Operación en Paralelo:Debido al coeficiente de temperatura positivo de VF, estos diodos pueden conectarse en paralelo para aumentar la capacidad de corriente. Sin embargo, aún se recomienda un diseño cuidadoso para garantizar un reparto de corriente simétrico a través de una inductancia y resistencia de traza coincidentes.
  • Circuitos Snubber:Aunque el diodo en sí no tiene recuperación inversa, los parásitos del circuito (inductancia parásita) aún pueden causar sobreimpulsos de tensión durante el apagado. Puede ser necesario un circuito snubber RC a través del diodo para amortiguar estas oscilaciones y proteger el diodo y el interruptor principal.

  8. Comparación y Diferenciación Técnica

  La diferenciación principal de este diodo Schottky de SiC es frente a dos alternativas comunes:

  • vs. Diodos de Recuperación Rápida/Ultrafast de Silicio PN:El diodo de SiC tiene carga de recuperación inversa cero (Qrr), mientras que los diodos de silicio tienen una Qrr significativa (decenas a cientos de nC). Esto elimina las pérdidas por conmutación de recuperación inversa y el ruido asociado, permitiendo una operación a mayor frecuencia y una mayor eficiencia.
  • vs. Diodos Schottky de Silicio:Los diodos Schottky de silicio también tienen baja Qrr pero están limitados a tensiones nominales más bajas (normalmente por debajo de 200V). Este dispositivo de SiC extiende los beneficios del principio Schottky a la clase de 650V, un rango de tensión dominado por los diodos PN de silicio con pérdidas.

  9. Preguntas Frecuentes (Basadas en Parámetros Técnicos)

  P: La tensión directa es de 1.5V, que es más alta que la de un diodo Schottky de silicio típico. ¿No es esto una desventaja?
  
  A: Para circuitos de baja tensión (<100V), sí, la pérdida por conducción sería mayor. Sin embargo, a 650V, el ahorro en pérdidas por conmutación debido a la recuperación inversa cero supera con creces la pérdida por conducción ligeramente mayor. La eficiencia general del sistema es mayor con el diodo de SiC.

  P: ¿Puedo usar este diodo para un circuito PFC de entrada de 400V?
  
  A: Sí, la especificación de 650V proporciona un buen margen de seguridad sobre el bus de CC nominal de 400V, teniendo en cuenta variaciones de línea y transitorios.

  P: La corriente de fuga a 175°C es de 9µA. ¿Es esto preocupante?
  
  A: Para la mayoría de las aplicaciones de conversión de potencia, esta potencia de fuga (Pleak = V*I = 520V * 9µA ≈ 4.7mW) es despreciable en comparación con el rendimiento total de potencia. Sin embargo, en circuitos de muy alta impedancia o de precisión, debe tenerse en cuenta.

  P: ¿Por qué la almohadilla expuesta está conectada al cátodo? ¿Cómo la disipo térmicamente?
  
  A: El cátodo es típicamente el nodo común o de tierra en muchos circuitos (por ejemplo, el diodo elevador PFC). Conectar la almohadilla al cátodo permite unirla a un plano de tierra grande en el PCB para una excelente disipación térmica sin introducir complejidad de aislamiento eléctrico. Se disipa térmicamente soldándola a un área de cobre conectada al cátodo suficientemente grande en el PCB.

  10. Caso Práctico de Diseño

  Escenario:Diseñar una etapa elevadora PFC CCM de 500W, salida de 400V, operando a 100kHz.
  
  Razón de Selección:Un diodo ultrafast de silicio con especificación comparable podría tener una Qrr de 50nC. La pérdida por recuperación inversa por ciclo sería Pérdida_rr = 0.5 * V * Qrr * fsw = 0.5 * 400V * 50nC * 100kHz = 1.0W. Esta pérdida genera calor y EMI. El diodo Schottky de SiC tiene Qrr ~ 0nC, eliminando completamente esta pérdida de 1W. Incluso con una VF ligeramente mayor, la ganancia neta de eficiencia del sistema puede ser del 0.5% o más, lo cual es significativo a este nivel de potencia. El diseño térmico también se simplifica debido a una disipación total menor.

  11. Principio de Funcionamiento

  Un diodo Schottky se forma por una unión metal-semiconductor, a diferencia de un diodo de unión PN que utiliza semiconductor-semiconductor. Cuando se aplica una tensión positiva al metal (ánodo) en relación con el semiconductor (cátodo), los electrones fluyen desde el semiconductor hacia el metal, permitiendo la corriente (polarización directa). Bajo polarización inversa, el potencial incorporado de la barrera metal-semiconductor bloquea el flujo de corriente. La distinción clave es que la corriente es transportada solo por portadores mayoritarios (electrones en un sustrato de SiC tipo N). No hay portadores minoritarios (huecos) inyectados y almacenados en la región de deriva. Por lo tanto, cuando la tensión se invierte, no hay carga almacenada que deba eliminarse antes de que el diodo pueda bloquear la tensión—de ahí,recuperación inversa cero.

  12. Tendencias Tecnológicas

  Los dispositivos de potencia de Carburo de Silicio representan una tendencia importante en la electrónica de potencia, impulsada por las demandas de mayor eficiencia, mayor densidad de potencia y operación a mayor temperatura. El mercado de diodos y transistores (MOSFETs) de SiC está creciendo rápidamente, particularmente en cargadores a bordo de vehículos eléctricos, inversores de tracción, sistemas de energía renovable y fuentes de alimentación para centros de datos. A medida que aumentan los volúmenes de fabricación y disminuyen los costos, el SiC está pasando de ser una tecnología premium a aplicaciones principales más amplias. Los desarrollos futuros pueden centrarse en reducir aún más la resistencia específica en conducción (para MOSFETs), mejorar la fiabilidad del óxido de puerta e integrar dispositivos de SiC con controladores y protección en módulos avanzados.

  Terminología de especificaciones LED

  Explicación completa de términos técnicos LED

  Rendimiento fotoeléctrico

  Término	Unidad/Representación	Explicación simple	Por qué es importante
  Eficacia luminosa	lm/W (lúmenes por vatio)	Salida de luz por vatio de electricidad, más alto significa más eficiencia energética.	Determina directamente el grado de eficiencia energética y el costo de electricidad.
  Flujo luminoso	lm (lúmenes)	Luz total emitida por la fuente, comúnmente llamada "brillo".	Determina si la luz es lo suficientemente brillante.
  Ángulo de visión	° (grados), por ejemplo, 120°	Ángulo donde la intensidad de la luz cae a la mitad, determina el ancho del haz.	Afecta el rango de iluminación y uniformidad.
  CCT (Temperatura de color)	K (Kelvin), por ejemplo, 2700K/6500K	Calidez/frescura de la luz, valores más bajos amarillentos/cálidos, más altos blanquecinos/fríos.	Determina la atmósfera de iluminación y escenarios adecuados.
  CRI / Ra	Sin unidad, 0–100	Capacidad de representar colores de objetos con precisión, Ra≥80 es bueno.	Afecta la autenticidad del color, se usa en lugares de alta demanda como centros comerciales, museos.
  SDCM	Pasos de elipse MacAdam, por ejemplo, "5 pasos"	Métrica de consistencia de color, pasos más pequeños significan color más consistente.	Asegura color uniforme en el mismo lote de LEDs.
  Longitud de onda dominante	nm (nanómetros), por ejemplo, 620nm (rojo)	Longitud de onda correspondiente al color de LEDs coloreados.	Determina el tono de LEDs monocromáticos rojos, amarillos, verdes.
  Distribución espectral	Curva longitud de onda vs intensidad	Muestra distribución de intensidad a través de longitudes de onda.	Afecta la representación del color y calidad.

  Parámetros eléctricos

  Término	Símbolo	Explicación simple	Consideraciones de diseño
  Voltaje directo	Vf	Voltaje mínimo para encender LED, como "umbral de inicio".	El voltaje del controlador debe ser ≥Vf, los voltajes se suman para LEDs en serie.
  Corriente directa	If	Valor de corriente para operación normal de LED.	Generalmente accionamiento de corriente constante, la corriente determina brillo y vida útil.
  Corriente de pulso máxima	Ifp	Corriente pico tolerable por períodos cortos, se usa para atenuación o destello.	El ancho de pulso y ciclo de trabajo deben controlarse estrictamente para evitar daños.
  Voltaje inverso	Vr	Máximo voltaje inverso que LED puede soportar, más allá puede causar ruptura.	El circuito debe prevenir conexión inversa o picos de voltaje.
  Resistencia térmica	Rth (°C/W)	Resistencia a la transferencia de calor desde chip a soldadura, más bajo es mejor.	Alta resistencia térmica requiere disipación de calor más fuerte.
  Inmunidad ESD	V (HBM), por ejemplo, 1000V	Capacidad de soportar descarga electrostática, más alto significa menos vulnerable.	Se necesitan medidas antiestáticas en producción, especialmente para LEDs sensibles.

  Gestión térmica y confiabilidad

  Término	Métrica clave	Explicación simple	Impacto
  Temperatura de unión	Tj (°C)	Temperatura de operación real dentro del chip LED.	Cada reducción de 10°C puede duplicar la vida útil; demasiado alto causa decaimiento de luz, cambio de color.
  Depreciación de lúmenes	L70 / L80 (horas)	Tiempo para que el brillo caiga al 70% u 80% del inicial.	Define directamente la "vida de servicio" del LED.
  Mantenimiento de lúmenes	% (por ejemplo, 70%)	Porcentaje de brillo retenido después del tiempo.	Indica retención de brillo durante uso a largo plazo.
  Cambio de color	Δu′v′ o elipse MacAdam	Grado de cambio de color durante el uso.	Afecta la consistencia del color en escenas de iluminación.
  Envejecimiento térmico	Degradación de material	Deterioro debido a alta temperatura a largo plazo.	Puede causar caída de brillo, cambio de color o falla de circuito abierto.

  Embalaje y materiales

  Término	Tipos comunes	Explicación simple	Características y aplicaciones
  Tipo de paquete	EMC, PPA, Cerámica	Material de alojamiento que protege el chip, proporciona interfaz óptica/térmica.	EMC: buena resistencia al calor, bajo costo; Cerámica: mejor disipación de calor, vida más larga.
  Estructura del chip	Frontal, Flip Chip	Disposición de electrodos del chip.	Flip chip: mejor disipación de calor, mayor eficacia, para alta potencia.
  Revestimiento de fósforo	YAG, Silicato, Nitruro	Cubre el chip azul, convierte algo a amarillo/rojo, mezcla a blanco.	Diferentes fósforos afectan eficacia, CCT y CRI.
  Lente/Óptica	Plana, Microlente, TIR	Estructura óptica en superficie que controla distribución de luz.	Determina el ángulo de visión y curva de distribución de luz.

  Control de calidad y clasificación

  Término	Contenido de clasificación	Explicación simple	Propósito
  Clasificación de flujo luminoso	Código por ejemplo 2G, 2H	Agrupado por brillo, cada grupo tiene valores mín/máx de lúmenes.	Asegura brillo uniforme en el mismo lote.
  Clasificación de voltaje	Código por ejemplo 6W, 6X	Agrupado por rango de voltaje directo.	Facilita emparejamiento de controlador, mejora eficiencia del sistema.
  Clasificación de color	Elipse MacAdam de 5 pasos	Agrupado por coordenadas de color, asegurando rango estrecho.	Garantiza consistencia de color, evita color desigual dentro del accesorio.
  Clasificación CCT	2700K, 3000K etc.	Agrupado por CCT, cada uno tiene rango de coordenadas correspondiente.	Satisface diferentes requisitos CCT de escena.

  Pruebas y certificación

  Término	Estándar/Prueba	Explicación simple	Significado
  LM-80	Prueba de mantenimiento de lúmenes	Iluminación a largo plazo a temperatura constante, registrando decaimiento de brillo.	Se usa para estimar vida LED (con TM-21).
  TM-21	Estándar de estimación de vida	Estima vida bajo condiciones reales basado en datos LM-80.	Proporciona predicción científica de vida.
  IESNA	Sociedad de Ingeniería de Iluminación	Cubre métodos de prueba ópticos, eléctricos, térmicos.	Base de prueba reconocida por la industria.
  RoHS / REACH	Certificación ambiental	Asegura que no haya sustancias nocivas (plomo, mercurio).	Requisito de acceso al mercado internacionalmente.
  ENERGY STAR / DLC	Certificación de eficiencia energética	Certificación de eficiencia energética y rendimiento para iluminación.	Usado en adquisiciones gubernamentales, programas de subsidios, mejora competitividad.