6-पिन DIP फोटोट्रांजिस्टर फोटोकपलर डेटाशीट - 4N2X, 4N3X, H11AX सीरीज़ - आइसोलेशन वोल्टेज 5000Vrms - ऑपरेटिंग तापमान -55 से +110°C - अंग्रेजी तकनीकी दस्तावेज़

1. उत्पाद अवलोकन

4N2X, 4N3X, और H11AX श्रृंखलाएँ 6-पिन ड्यूल इन-लाइन पैकेज (DIP) फोटोट्रांजिस्टर फोटोकपलर (जिन्हें ऑप्टोकपलर या ऑप्टो-आइसोलेटर भी कहा जाता है) के परिवार हैं। प्रत्येक डिवाइस में एक गैलियम आर्सेनाइड इन्फ्रारेड लाइट-एमिटिंग डायोड (LED) होता है, जो एक सिलिकॉन फोटोट्रांजिस्टर डिटेक्टर से प्रकाशीय रूप से युग्मित होता है। यह विन्यास इनपुट और आउटपुट सर्किट के बीच पूर्ण विद्युत अलगाव प्रदान करता है, जिससे ये इलेक्ट्रॉनिक प्रणालियों में सुरक्षा, शोर प्रतिरक्षा और वोल्टेज स्तर परिवर्तन के लिए आवश्यक घटक बन जाते हैं।

मूल कार्य प्रकाश के माध्यम से संकेत संचरण है, जो प्रत्यक्ष विद्युत कनेक्शन को समाप्त करता है। इनपुट धारा इन्फ्रारेड LED को ऊर्जित करती है, जो धारा के समानुपाती प्रकाश उत्सर्जित करती है। यह प्रकाश फोटोट्रांजिस्टर के बेस क्षेत्र पर पड़ता है, जिससे एक बेस धारा उत्पन्न होती है और कलेक्टर-एमिटर धारा को प्रवाहित होने देती है, जिससे पृथक आउटपुट पक्ष पर इनपुट संकेत की प्रतिकृति बन जाती है।

1.1 मुख्य लाभ और लक्षित बाजार

ये फोटोकपलर विश्वसनीय सिग्नल अलगाव की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। इनके प्रमुख लाभों में 5000V का उच्च अलगाव वोल्टेज शामिल है_rms, which is critical for protecting low-voltage control circuits (like microprocessors) from high-voltage mains या motor drive sections. The extended creepage distance of >7.62mm further enhances safety and reliability इन high-voltage environments. With an operating temperature range of -55°C to +110°C, they are suitable for industrial, automotive, and harsh environment applications.

कॉम्पैक्ट DIP पैकेज स्टैंडर्ड, वाइड-लीड स्पेसिंग (0.4 इंच), और सरफेस-माउंट (SMD) वेरिएंट में उपलब्ध है, जो थ्रू-होल और स्वचालित असेंबली प्रक्रियाओं के लिए लचीलापन प्रदान करता है। इन उपकरणों में प्रमुख अंतरराष्ट्रीय सुरक्षा एजेंसियों जैसे UL, cUL, VDE, SEMKO, NEMKO, DEMKO, FIMKO, और CQC से अनुमोदन प्राप्त हैं, जो उन्हें वैश्विक रूप से विपणित उपकरणों में उपयोग के लिए सुविधाजनक बनाता है जिन्हें कठोर सुरक्षा मानकों का पालन करना होता है।

2. गहन तकनीकी पैरामीटर विश्लेषण

डेटाशीट व्यापक विद्युत और प्रकाशीय विशिष्टताएँ प्रदान करती है, जो उचित सर्किट डिजाइन और विश्वसनीयता आश्वासन के लिए महत्वपूर्ण हैं।

2.1 Absolute Maximum Ratings

ये रेटिंग्स उन तनाव सीमाओं को परिभाषित करती हैं जिनके परे स्थायी डिवाइस क्षति हो सकती है। ये सामान्य संचालन के लिए अभिप्रेत नहीं हैं।

• Input (LED) Side: अधिकतम निरंतर फॉरवर्ड करंट (I_F) 60mA है। एक संक्षिप्त पीक फॉरवर्ड करंट (I_FM10µs के लिए 1A की एक चरम रिवर्स करंट (I_R) की अनुमति है, जो क्षणिक दमन के लिए प्रासंगिक है। अधिकतम रिवर्स वोल्टेज (V_R) मात्र 6V है, जो दर्शाता है कि LED उच्च रिवर्स बायस के लिए डिज़ाइन नहीं किया गया है और AC सर्किट में उपयोग किए जाने पर सुरक्षा की आवश्यकता है।
• आउटपुट (फोटोट्रांजिस्टर) साइड: कलेक्टर-एमिटर और कलेक्टर-बेस ब्रेकडाउन वोल्टेज (V_सीईओ, वी_{सीबीओ}) दोनों 80V हैं, जो ट्रांजिस्टर के बंद अवस्था में लगाए जा सकने वाले अधिकतम वोल्टेज को परिभाषित करते हैं। एमिटर-बेस और एमिटर-कलेक्टर वोल्टेज (V_EBO, वी_ECO) 7V तक सीमित हैं।
• शक्ति और तापीय: कुल डिवाइस शक्ति अपव्यय (P_TOT) 25°C पर 200mW है। डिरेटिंग फैक्टर प्रदान किए गए हैं: इनपुट साइड के लिए 100°C से ऊपर 3.8 mW/°C और आउटपुट साइड के लिए 100°C से ऊपर 9.0 mW/°C। ये ऊंचे परिवेश के तापमान पर अधिकतम स्वीकार्य शक्ति की गणना करने और थर्मल रनअवे को रोकने के लिए महत्वपूर्ण हैं।
• इंसुलेशन: इंसुलेशन वोल्टेज (V_ISO) of 5000V_rms for 1 minute is a key safety parameter, tested with pins 1-2-3 shorted together and pins 4-5-6 shorted together.

2.2 Electro-Optical Characteristics

ये मापदंड सामान्य परिस्थितियों (T_a=25°C) में मापे जाते हैं और डिवाइस के प्रदर्शन को परिभाषित करते हैं।

• इनपुट LED विशेषताएँ: फॉरवर्ड वोल्टेज (V_F) आमतौर पर I_F=10mA पर 1.2V होता है, अधिकतम 1.5V तक। इसका उपयोग आवश्यक करंट-लिमिटिंग रेसिस्टर की गणना के लिए किया जाता है। रिवर्स करंट (I_R) is very low (<10µA at V_R=6V). इनपुट कैपेसिटेंस (C_इन) आमतौर पर 30pF होती है।
• आउटपुट फोटोट्रांजिस्टर विशेषताएँ: Dark currents (I_{सीबीओ}, I_सीईओ) are in the nanoampere range, indicating very low leakage when the LED is off. Breakdown voltages (BV_सीईओ, BV_{सीबीओ}, etc.) confirm the 80V and 7V limits from the absolute ratings.

2.3 Transfer Characteristics

These parameters describe the coupling efficiency and switching performance between the input and output.

• Current Transfer Ratio (CTR): यह सबसे महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जिसे (I_C / I_F) * 100% के रूप में परिभाषित किया गया है। यह पार्ट नंबर के अनुसार काफी भिन्न होता है, जिससे एक प्रदर्शन ग्रेडिंग प्रणाली बनती है:
  • High CTR (>100%): 4N35, 4N36, 4N37.
  • मध्यम-उच्च CTR (50%): H11A1.
  • मध्यम CTR (30%): H11A5.
  • मानक CTR (20%): 4N25, 4N26, 4N38, H11A2, H11A3.
  • Lower CTR (10%): 4N27, 4N28, H11A4.
  यह ग्रेडिंग डिजाइनरों को उनके विशिष्ट अनुप्रयोग और वांछित आउटपुट करंट स्तर के लिए आवश्यक संवेदनशीलता वाला उपकरण चुनने की अनुमति देती है।
• संतृप्ति वोल्टेज (V_CE(sat)): यह फोटोट्रांजिस्टर के पार वोल्टेज ड्रॉप है जब वह पूरी तरह से चालू होता है। कम मान (उदाहरण के लिए, 4N3X श्रृंखला के लिए अधिकतम 0.3V, I_F=10mA, I_C=0.5mA पर) बेहतर प्रदर्शन दर्शाते हैं, जो आउटपुट स्टेज में बिजली की हानि को कम करते हैं।
• स्विचिंग गति: Turn-on (t_on) and turn-off (t_off) विशिष्ट परीक्षण स्थितियों (V के तहत विभिन्न श्रृंखलाओं के लिए समय निर्दिष्ट किए गए हैं_CC=10V, R_L=100Ω). 4N2X/H11AX श्रृंखला आम तौर पर 4N3X श्रृंखला (t_on, t_offके लिए 9µs typ.) की तुलना में तेज़ (3µs typ.) होती है। यह डिजिटल सिग्नल ट्रांसमिशन और PWM अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण है।
• Isolation Parameters: अलगाव प्रतिरोध (R_IO) is extremely high (>10¹¹ Ω), और इनपुट-आउटपुट कैपेसिटेंस (C_IO) बहुत कम है (0.2pF typ.), जो आइसोलेशन बैरियर के पार उच्च-आवृत्ति शोर की कैपेसिटिव कपलिंग को न्यूनतम करता है।

3. Performance Curve Analysis

हालांकि PDF "टिपिकल इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल कैरेक्टरिस्टिक्स कर्व्स" के लिए प्लेसहोल्डर टेक्स्ट दिखाता है, ऐसे कर्व्स फोटोकपलर के लिए मानक हैं और आम तौर पर शामिल होते हैं:

• करंट ट्रांसफर रेशियो (CTR) बनाम फॉरवर्ड करंट (I_F): दिखाता है कि दक्षता LED ड्राइव करंट के साथ कैसे बदलती है, जो अक्सर एक विशिष्ट करंट पर चरम पर होती है।
• CTR बनाम तापमान: उच्च तापमान पर CTR के क्षरण को दर्शाता है, जो उच्च-तापमान संचालन के लिए एक महत्वपूर्ण डीरेटिंग कारक है।
• कलेक्टर करंट (I_C) बनाम कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज (V_CE): आउटपुट विशेषता वक्र जो फोटोट्रांजिस्टर के व्यवहार को विभिन्न क्षेत्रों (संतृप्ति, सक्रिय) में दर्शाते हैं।
• स्विचिंग समय बनाम लोड प्रतिरोध (R_L): दर्शाता है कि पुल-अप रेसिस्टर के चयन से राइज और फॉल टाइम कैसे प्रभावित होते हैं।

डिज़ाइनरों को अपनी विशिष्ट गति और आउटपुट आवश्यकताओं के लिए LED करंट, लोड रेसिस्टर और ऑपरेटिंग तापमान जैसे पैरामीटर को अनुकूलित करने के लिए पूर्ण डेटाशीट से इन वक्रों का परामर्श लेना चाहिए।

4. Mechanical and Package Information

डिवाइस विभिन्न असेंबली आवश्यकताओं के अनुरूप कई 6-पिन DIP पैकेज वेरिएंट में पेश किए जाते हैं।

4.1 Package Dimensions and Variants

डेटाशीट में प्रत्येक विकल्प के लिए विस्तृत यांत्रिक चित्र शामिल हैं। मुख्य आयामों में कुल लंबाई, चौड़ाई, पिन अंतराल और लीड आयाम शामिल हैं।

• Standard DIP Type: 0.1-inch (2.54mm) पंक्ति अंतराल वाला क्लासिक थ्रू-होल पैकेज।
• Option M Type: यह "वाइड लीड बेंड" प्रदान करता है जो 0.4-inch (10.16mm) लीड अंतराल देता है। यह इनपुट और आउटपुट पिनों के बीच क्रीपेज और क्लीयरेंस दूरी बढ़ाता है, जिससे उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए अलगाव विश्वसनीयता बढ़ती है।
• Option S & S1 Types: सरफेस-माउंट डिवाइस (SMD) संस्करण। विकल्प S1 एक "लो प्रोफाइल" संस्करण है, जिसकी पैकेज ऊंचाई मानक S विकल्प की तुलना में कम है, जो स्थान-सीमित अनुप्रयोगों के लिए लाभकारी है।

सभी पैकेज एक ढले हुए बॉडी से सुसज्जित हैं जो आवश्यक इन्सुलेशन प्रदान करती है। पिन कॉन्फ़िगरेशन मानकीकृत है: पिन 1 (एनोड), पिन 2 (कैथोड), पिन 3 (NC), पिन 4 (एमिटर), पिन 5 (कलेक्टर), पिन 6 (बेस)। बेस पिन (6) अक्सर अनकनेक्टेड छोड़ दिया जाता है लेकिन कुछ सर्किटों में बैंडविड्थ सुधार या बायस नियंत्रण के लिए उपयोग किया जा सकता है।

5. सोल्डरिंग और असेंबली दिशानिर्देश

The absolute maximum ratings specify a soldering temperature (T_SOL260°C पर 10 सेकंड के लिए (tL)। यह वेव या रीफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रियाओं के लिए एक विशिष्ट मान है। एसएमडी विकल्पों (एस, एस1) के लिए, लगभग 260°C के पीक तापमान वाले मानक इन्फ्रारेड या कन्वेक्शन रीफ्लो प्रोफाइल लागू होते हैं। प्लास्टिक पैकेज और आंतरिक वायर बॉन्ड को नुकसान से बचाने के लिए इस समय-तापमान सीमा से अधिक होने से बचना महत्वपूर्ण है। एसएमडी भागों के लिए निर्दिष्ट होने पर, रीफ्लो के दौरान "पॉपकॉर्निंग" को रोकने के लिए उपकरणों को भंडारण तापमान सीमा (-55°C से +125°C) के भीतर और नमी-संवेदनशील पैकेजिंग में संग्रहित किया जाना चाहिए।

6. पैकेजिंग और ऑर्डरिंग जानकारी

पार्ट नंबरिंग प्रणाली स्पष्ट रूप से परिभाषित है: 4NXXY(Z)-V या H11AXY(Z)-V.

• XX / X: विशिष्ट भाग संख्या (उदाहरणार्थ, 25, 35, 1, 5).
• Y (लीड फॉर्म):
  • कोई नहीं: मानक DIP (65 यूनिट/ट्यूब).
  • M: Wide lead bend (65 units/tube).
  • S: Surface mount lead form.
  • S1: लो-प्रोफाइल सरफेस माउंट लीड फॉर्म।
• Z (Tape & Reel): यह केवल SMD विकल्पों पर लागू होता है।
  • TA या TB: विभिन्न टेप और रील विनिर्देश (1000 यूनिट/रील)।
• V: VDE सुरक्षा अनुमोदन को दर्शाने वाला वैकल्पिक प्रत्यय।

यह लचीली प्रणाली उत्पादन के लिए आवश्यक सटीक यांत्रिक प्रकार की खरीद की अनुमति देती है।

7. एप्लिकेशन अनुशंसाएँ

7.1 विशिष्ट अनुप्रयोग सर्किट

As listed in the datasheet, primary applications include:

• Power Supply Regulators: स्विच-मोड पावर सप्लाई (SMPS) में सेकेंडरी (आउटपुट) साइड और प्राइमरी-साइड कंट्रोलर के बीच फीडबैक आइसोलेशन प्रदान करना। यह सुरक्षा और शोर अस्वीकृति के लिए आवश्यक है।
• डिजिटल लॉजिक इनपुट्स / माइक्रोप्रोसेसर इनपुट्स: शोरयुक्त औद्योगिक सेंसर सिग्नल (जैसे, लिमिट स्विच, एनकोडर से) या विभिन्न ग्राउंड डोमेन को संवेदनशील डिजिटल लॉजिक या माइक्रोकंट्रोलर पिन में प्रवेश करने से पहले अलग करना।
• सामान्य उद्देश्य सिग्नल आइसोलेशन: कोई भी सर्किट जहां दो उपतंत्रों को एक सामान्य ग्राउंड साझा किए बिना संचार करना हो, ग्राउंड लूप तोड़ने, कॉमन-मोड शोर समाप्त करने, या वोल्टेज स्तर अनुवाद प्रदान करने के लिए।

7.2 डिज़ाइन विचार और सर्वोत्तम प्रथाएँ

• LED करंट सीमित करना: हमेशा फॉरवर्ड करंट (I) सेट करने के लिए एक सीरीज रेसिस्टर का उपयोग करें।_FR की गणना करें।_limit = (V_{CC_input} - V_F) / I_Fअनुशंसित I के भीतर संचालित करें_F इष्टतम CTR और दीर्घायु के लिए सीमा (अक्सर 5-20mA)।
• आउटपुट साइड बायसिंग: फोटोट्रांजिस्टर को एक पुल-अप रेसिस्टर (R) की आवश्यकता होती है_L) कलेक्टर से V से जुड़ा हुआ_{CC_output}. इसका मान एक समझौता है: एक छोटा R_L तेज़ स्विचिंग प्रदान करता है लेकिन अधिक बिजली की खपत और कम आउटपुट वोल्टेज स्विंग; एक बड़ा R_L बेहतर शोर मार्जिन देता है लेकिन धीमी गति।
• गति अनुकूलन: तेज स्विचिंग के लिए, तेज श्रृंखला (4N2X/H11AX) से एक डिवाइस का उपयोग करें, R को न्यूनतम करें_L, और पर्याप्त I सुनिश्चित करें_F ड्राइव। बेस (पिन 6) और एमिटर के बीच एक रेसिस्टर (जैसे, 100kΩ से 1MΩ) जोड़ने से संग्रहीत चार्ज को निकालने और टर्न-ऑफ समय को कम करने में मदद मिल सकती है।
• शोर प्रतिरक्षा: उच्च अलगाव प्रतिरोध और कम कैपेसिटेंस स्वाभाविक रूप से कॉमन-मोड शोर को अस्वीकार करते हैं। विद्युत रूप से शोर वाले वातावरण में अतिरिक्त मजबूती के लिए, इनपुट और आउटपुट दोनों तरफ डिवाइस की आपूर्ति पिन के करीब बाईपास कैपेसिटर (जैसे, 0.1µF) लगाने की सिफारिश की जाती है।

8. तकनीकी तुलना और चयन मार्गदर्शिका

तीनों श्रृंखलाएँ (4N2X, 4N3X, H11AX) विभिन्न आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए प्रदर्शन की एक श्रृंखला प्रदान करती हैं:

• 4N3X Series (4N35-38): Generally offer the highest CTR values (>100% for 4N35-37), making them suitable for applications requiring high output current या where minimal input drive current is desired. Their saturation voltage is also very low.
• 4N2X Series (4N25-28) & H11AX Series (H11A1-A5): 10% से 50% तक एक श्रेणीबद्ध CTR रेंज प्रदान करते हैं। 4N2X श्रृंखला में आमतौर पर तेज स्विचिंग समय होता है। ये बहुमुखी, सामान्य-उद्देश्य वाले आइसोलेटर हैं। H11A5 (30% CTR) और H11A1 (50% CTR) विशिष्ट प्रदर्शन बिंदुओं को पूरा करते हैं।
• Selection Criteria: आवश्यक CTR (आउटपुट करंट गेन), स्विचिंग स्पीड, संतृप्ति वोल्टेज और लागत के आधार पर चुनें। उदाहरण के लिए, एक माइक्रोप्रोसेसर इनपुट जो धीमे स्विच को पढ़ रहा है, वह H11A4 जैसे कम-CTR, लागत-प्रभावी भाग का उपयोग कर सकता है। बिजली आपूर्ति में एक फीडबैक लूप जिसे अच्छी रैखिकता और लाभ की आवश्यकता है, वह 4N35 या 4N36 का उपयोग कर सकता है।

9. अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न (FAQ)

प्र: बेस पिन (पिन 6) का उद्देश्य क्या है?
A: बेस पिन फोटोट्रांजिस्टर के बेस क्षेत्र तक पहुंच प्रदान करता है। इसे खुला (असंयोजित) छोड़ना मानक प्रक्रिया है। बेस से एमिटर तक एक रेसिस्टर जोड़ने से संग्रहीत आवेश को हटाने का मार्ग प्रदान करके स्विचिंग गति में सुधार किया जा सकता है। कुछ डिज़ाइनों में, इसका उपयोग प्री-बायसिंग या स्पीड-अप नेटवर्क जोड़ने के लिए किया जा सकता है।

Q: मैं दीर्घकालिक विश्वसनीयता कैसे सुनिश्चित करूं?
A: LED को उसकी पूर्ण अधिकतम रेटिंग्स के भीतर, अधिमानतः डीरेटेड, संचालित करें। पावर डीरेटिंग कर्व्स का पालन करके जंक्शन तापमान को कम रखें। अपने PCB पर, विशेष रूप से उच्च-वोल्टेज अलगाव बैरियर के लिए, पर्याप्त क्रीपेज/क्लीयरेंस दूरी का उपयोग करें, जो पैकेज की 7.62mm क्षमता से मेल खाती हो या उससे अधिक हो।

Q: क्या मैं इसे AC सिग्नल आइसोलेशन के लिए उपयोग कर सकता हूँ?
A: हाँ, लेकिन इनपुट LED की रिवर्स वोल्टेज रेटिंग कम है (6V)। एक AC सिग्नल को आइसोलेट करने के लिए, आपको LED को रिवर्स बायस से बचाना होगा, आमतौर पर LED इनपुट के पार एक स्टैंडर्ड डायोड को इनवर्स पैरेलल में लगाकर, या LED से पहले ब्रिज रेक्टिफायर कॉन्फ़िगरेशन का उपयोग करके।

Q: CTR को न्यूनतम मान के रूप में क्यों निर्दिष्ट किया गया है?
A> CTR has a wide variation due to manufacturing tolerances इन LED efficiency and phototransistor gain. The datasheet guarantees a minimum CTR under specified conditions. Design must be based on this minimum value to ensure circuit functionality across all production units and over temperature.

10. व्यावहारिक डिज़ाइन उदाहरण

परिदृश्य: PLC आउटपुट से 24V डिजिटल सिग्नल को 3.3V माइक्रोकंट्रोलर इनपुट से अलग करना।

1. डिवाइस चयन: 4N25 (20% न्यूनतम CTR) जैसे सामान्य-उद्देश्य वाले पार्ट का चयन करें। डिजिटल I/O के लिए इसकी गति पर्याप्त है।
2. इनपुट सर्किट: PLC आउटपुट 24V है। लक्ष्य I_F = 10mA। V_F ≈ 1.2V। R_limit = (24V - 1.2V) / 0.01A = 2280Ω। एक मानक 2.2kΩ रेसिस्टर का उपयोग करें। LED इनपुट के पार एक रिवर्स प्रोटेक्शन डायोड जोड़ें।
3. आउटपुट सर्किट: माइक्रोकंट्रोलर V_CC = 3.3V. R चुनें_L = 1kΩ. जब फोटोट्रांजिस्टर बंद होता है, तो आउटपुट 3.3V (लॉजिक 1) तक उच्च खींचा जाता है। जब चालू होता है, तो मान लें कि I_C = CTR * I_F = 0.2 * 10mA = 2mA, आउटपुट वोल्टेज V होगा_CE(sat) (अधिकतम 0.5V), एक ठोस लॉजिक 0. इस एप्लिकेशन के लिए 1kΩ पुल-अप रेसिस्टर गति और करंट खपत के बीच एक अच्छा संतुलन प्रदान करता है।

11. संचालन सिद्धांत

एक फोटोकपलर विद्युत-प्रकाशिक-विद्युत रूपांतरण के सिद्धांत पर कार्य करता है। इनपुट पक्ष पर एक विद्युत संकेत लगाया जाता है, जिससे एक इन्फ्रारेड एलईडी के माध्यम से धारा प्रवाहित होती है। यह धारा उत्सर्जित प्रकाश की तीव्रता के सीधे आनुपातिक होती है। प्रकाश एक पारदर्शी इन्सुलेटिंग अंतराल (आमतौर पर एक ढला हुआ प्लास्टिक) से गुजरता है और एक फोटोडिटेक्टर के अर्धचालक पदार्थ पर पड़ता है—इस मामले में, एक एनपीएन फोटोट्रांजिस्टर के बेस-कलेक्टर जंक्शन पर। फोटॉन इलेक्ट्रॉन-होल युग्म उत्पन्न करते हैं, जिससे एक बेस करंट बनता है। इस फोटोजनरेटेड बेस करंट को तब ट्रांजिस्टर के करंट गेन (h_FE) द्वारा प्रवर्धित किया जाता है, जिसके परिणामस्वरूप एक बड़ा कलेक्टर करंट प्राप्त होता है जो विद्युत रूप से पृथक आउटपुट सर्किट पर मूल इनपुट संकेत को पुनरुत्पादित करता है। गैल्वेनिक कनेक्शन का पूर्ण अभाव ही उच्च वोल्टेज पृथक्करण और शोर प्रतिरक्षा प्रदान करता है।

12. प्रौद्योगिकी रुझान

4NXX श्रृंखला जैसे फोटोट्रांजिस्टर-आधारित फोटोकपलर एक परिपक्व और लागत-प्रभावी अलगाव तकनीक का प्रतिनिधित्व करते हैं। ऑप्टोकपलर बाजार में वर्तमान रुझानों में उच्च गति (SPI, I2C जैसे डिजिटल संचार बसों के लिए, जिन्हें विशेष रूप से इसके लिए डिज़ाइन किए गए ICs से अलग किया जाता है), उच्च एकीकरण (एकाधिक चैनलों को संयोजित करना या गेट ड्राइवरों जैसे अतिरिक्त कार्यों को जोड़ना), और बेहतर विश्वसनीयता मेट्रिक्स (उच्च तापमान संचालन, लंबी आयु) वाले उपकरणों का विकास शामिल है। कैपेसिटिव आइसोलेटर और जायंट मैग्नेटोरेसिस्टेंस (GMR)-आधारित आइसोलेटर जैसी वैकल्पिक अलगाव तकनीकों में भी वृद्धि हो रही है, जो कुछ अनुप्रयोगों के लिए आकार, गति और बिजली की खपत में लाभ प्रदान कर सकती हैं। हालांकि, फोटोट्रांजिस्टर कपलर अपनी सरलता, सिद्ध विश्वसनीयता और उत्कृष्ट कॉमन-मोड ट्रांजिएंट इम्यूनिटी (CMTI) के कारण सामान्य-उद्देश्य, लागत-संवेदनशील और उच्च-वोल्टेज अलगाव अनुप्रयोगों में प्रमुख बने हुए हैं।