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TO-247-2L पैकेज सिलिकॉन कार्बाइड शॉटकी डायोड डेटाशीट - 650V, 6A, 1.5V - हिंदी तकनीकी दस्तावेज़

TO-247-2L पैकेज में 650V/6A सिलिकॉन कार्बाइड शॉटकी डायोड की तकनीकी विशिष्टताओं और प्रदर्शन डेटा का विस्तृत विवरण दें, जिसमें विशेषताएं, अनुप्रयोग, विद्युत मापदंड, थर्मल प्रदर्शन और पैकेजिंग जानकारी शामिल हो।
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PDF दस्तावेज़ कवर - TO-247-2L पैकेज सिलिकॉन कार्बाइड शॉटकी डायोड डेटाशीट - 650V, 6A, 1.5V - चीनी तकनीकी दस्तावेज़

सामग्री सूची

1. उत्पाद अवलोकन

यह दस्तावेज़ TO-247-2L पैकेज में निर्मित एक उच्च-प्रदर्शन सिलिकॉन कार्बाइड शॉटकी बैरियर डायोड की तकनीकी विशिष्टताओं का विस्तृत विवरण प्रस्तुत करता है। यह उपकरण उच्च दक्षता, उच्च-आवृत्ति संचालन और उत्कृष्ट तापीय प्रदर्शन की मांग वाले पावर कन्वर्जन अनुप्रयोगों के लिए विशेष रूप से डिज़ाइन किया गया है। इसका मुख्य कार्य एकतरफा धारा चालन प्रदान करना है, साथ ही इसमें अत्यंत कम स्विचिंग हानि और रिवर्स रिकवरी चार्ज है, जो पारंपरिक सिलिकॉन PN जंक्शन डायोड की तुलना में इसका एक महत्वपूर्ण लाभ है।

1.1 मुख्य लाभ एवं लक्षित बाजार

इस सिलिकॉन कार्बाइड शॉट्की डायोड का प्रमुख लाभ सिलिकॉन कार्बाइड की सामग्री विशेषताओं से उत्पन्न होता है। मुख्य लाभों में शामिल हैं: कम फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप, जो चालन हानि को कम करता है; और अंतर्निहित तीव्र स्विचिंग क्षमता, जो मूल रूप से कोई रिवर्स रिकवरी चार्ज नहीं रखती। यह डिवाइस को उच्च आवृत्तियों पर काम करने में सक्षम बनाता है, जिससे छोटे निष्क्रिय घटकों (इंडक्टर, कैपेसिटर) के उपयोग की अनुमति मिलती है और समग्र सिस्टम आकार कम हो जाता है। 175°C तक की अधिकतम जंक्शन तापमान इसे कठिन थर्मल वातावरण में संचालित करने या छोटे हीट सिंक के उपयोग की अनुमति देता है। ये विशेषताएं इसे आधुनिक उच्च-घनत्व बिजली आपूर्ति के लिए आदर्श विकल्प बनाती हैं। इसके लक्षित अनुप्रयोग स्पष्ट रूप से स्विच-मोड बिजली आपूर्ति में पावर फैक्टर करेक्शन सर्किट, सौर इन्वर्टर, अनइंटरप्टिबल पावर सप्लाई, मोटर ड्राइव और डेटा सेंटर पावर बुनियादी ढांचे जैसे क्षेत्रों की ओर इशारा करते हैं, जहां दक्षता और पावर डेंसिटी महत्वपूर्ण पैरामीटर हैं।

2. गहन तकनीकी मापदंड विश्लेषण

डेटाशीट विश्वसनीय सर्किट डिजाइन के लिए आवश्यक व्यापक विद्युत और थर्मल रेटिंग प्रदान करती है। यह सुनिश्चित करने के लिए कि डिवाइस अपने सुरक्षित संचालन क्षेत्र के भीतर कार्य करता है, इन मापदंडों को समझना आवश्यक है।

2.1 पूर्ण अधिकतम रेटिंग

ये रेटिंग उन तनाव सीमाओं को परिभाषित करती हैं जो डिवाइस को स्थायी क्षति पहुंचा सकती हैं और सामान्य संचालन स्थितियों के लिए लागू नहीं हैं। प्रमुख रेटिंग में शामिल हैं: दोहराव चरम रिवर्स वोल्टेज और डीसी ब्लॉकिंग वोल्टेज दोनों 650V हैं, जो अधिकतम अनुमेय रिवर्स बायस को परिभाषित करते हैं। निरंतर फॉरवर्ड करंट रेटिंग 6A है, जो अधिकतम जंक्शन तापमान और थर्मल प्रतिरोध द्वारा सीमित है। एक महत्वपूर्ण पैरामीटर 10ms हाफ-साइन वेव के तहत नॉन-रिपीटिंग सर्ज करंट 24A है, जो दर्शाता है कि डिवाइस अल्पकालिक अधिभार को सहन कर सकता है। अधिकतम जंक्शन तापमान 175°C है। केस तापमान 25°C पर, कुल पावर डिसिपेशन 71W निर्धारित है, लेकिन यह थर्मल प्रबंधन पर अत्यधिक निर्भर करता है।

2.2 Electrical Characteristics

यह खंड विशिष्ट परीक्षण स्थितियों के तहत विशिष्ट और अधिकतम प्रदर्शन मूल्यों का विस्तार से वर्णन करता है। फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप कंडक्शन लॉस की गणना के लिए एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है; 6A, 25°C पर, इसका विशिष्ट मूल्य 1.5V है, जो 175°C के उच्च जंक्शन तापमान पर बढ़कर अधिकतम 1.9V हो जाता है। रिवर्स लीकेज करंट बहुत कम है, 520V, 25°C पर विशिष्ट मूल्य केवल 0.8µA है, जो सिलिकॉन कार्बाइड शॉटकी जंक्शन की उत्कृष्ट ब्लॉकिंग क्षमता को प्रदर्शित करता है। शायद सबसे निर्णायक विशेषता टोटल कैपेसिटिव चार्ज है, जो 400V पर 10nC निर्धारित है। यह अत्यंत कम मूल्य इसके लगभग शून्य रिवर्स रिकवरी व्यवहार की पुष्टि करता है, जो इस डायोड की उच्च-गति स्विचिंग क्षमता और कम स्विचिंग लॉस का मूल कारण है। कैपेसिटिव स्टोर्ड एनर्जी भी तदनुरूप कम है, 1.5µJ।

2.3 Thermal Characteristics

विश्वसनीयता के लिए प्रभावी थर्मल प्रबंधन महत्वपूर्ण है। यहाँ मुख्य पैरामीटर जंक्शन-टू-केस थर्मल प्रतिरोध है, जिसका विशिष्ट मान 2.1°C/W है। यह कम मान अर्धचालक चिप से डिवाइस केस तक ऊष्मा हस्तांतरण की उच्च दक्षता को दर्शाता है, जिसके बाद ऊष्मा को हीट सिंक के माध्यम से दूर किया जाना चाहिए। वास्तविक जंक्शन तापमान की गणना सूत्र TJ = TC + (PD * Rth(JC)) का उपयोग करके थर्मल प्रतिरोध मान को बिजली अपव्यय और परिवेश/केस तापमान के साथ संयोजित करके की जाती है। दीर्घकालिक विश्वसनीयता सुनिश्चित करने के लिए TJ को 175°C से नीचे बनाए रखना महत्वपूर्ण है।

3. Performance Curve Analysis

Graphical data provides insights into the device's behavior under various operating conditions, complementing the tabular data.

3.1 Forward Voltage Drop vs. Forward Current Characteristic

फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप बनाम फॉरवर्ड करंट का संबंध वक्र डायोड के चालन व्यवहार को दर्शाता है। आमतौर पर बहुत कम धारा पर यह एक घातीय संबंध होता है, जबकि रेटेड 6A जैसी उच्च धाराओं पर, यह श्रृंखला प्रतिरोध द्वारा प्रभावित अधिक रैखिक संबंध में बदल जाता है। फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप का सकारात्मक तापमान गुणांक (तापमान बढ़ने के साथ बढ़ता है) समानांतर संचालन के लिए एक लाभकारी विशेषता है, क्योंकि यह करंट शेयरिंग को बढ़ावा देता है और थर्मल रनवे को रोकता है।

3.2 Maximum Forward Current vs. Case Temperature Relationship

यह डिरेटिंग वक्र दर्शाता है कि अधिकतम अनुमत निरंतर फॉरवर्ड करंट केस तापमान बढ़ने के साथ कैसे कम होता है। डिजाइनरों को अपने विशिष्ट थर्मल वातावरण में सुरक्षित ऑपरेटिंग करंट निर्धारित करने के लिए इस ग्राफ का उपयोग करना चाहिए। अधिकतम केस तापमान पर (जो अधिकतम जंक्शन तापमान से कम होगा), अनुमत करंट 25°C पर रेटेड 6A से काफी कम हो सकता है।

3.3 क्षणिक तापीय प्रतिबाधा

पल्स लोड स्थितियों के तहत थर्मल प्रदर्शन का मूल्यांकन करने के लिए, जो स्विचिंग अनुप्रयोगों में आम हैं, ट्रांजिएंट थर्मल रेजिस्टेंस बनाम पल्स विड्थ कर्व महत्वपूर्ण है। यह दर्शाता है कि बहुत छोटे पल्स के लिए, जंक्शन से केस तक प्रभावी थर्मल रेजिस्टेंस स्थिर-अवस्था थर्मल रेजिस्टेंस से कम होता है, जिसका अर्थ है कि एकल छोटे पल्स के कारण जंक्शन तापमान में वृद्धि समान शक्ति के निरंतर अपव्यय की तुलना में कम होती है। यह डेटा स्विचिंग कन्वर्टर के लॉस एनालिसिस में उपयोग किया जाता है।

4. Mechanical and Packaging Information

4.1 Pin Configuration and Polarity

यह डिवाइस TO-247-2L पैकेज में आता है, जिसमें दो पिन हैं। पिन 1 को कैथोड के रूप में पहचाना जाता है और पिन 2 एनोड है। महत्वपूर्ण बात यह है कि पैकेज का धातु माउंटिंग टैब (केस) भी कैथोड से जुड़ा हुआ है। इंस्टॉलेशन के दौरान इस बात का ध्यान रखना आवश्यक है, क्योंकि माउंटिंग टैब को आमतौर पर हीटसिंक से विद्युत रूप से अलग करने (इंसुलेटिंग वॉशर का उपयोग करके) की आवश्यकता होती है, जब तक कि हीटसिंक कैथोड पोटेंशियल पर न हो।

4.2 पैकेज आयाम और स्थापना

डेटाशीट में TO-247-2L पैकेज का विस्तृत मैकेनिकल ड्राइंग शामिल है, जिसकी इकाई मिलीमीटर है। इसमें सतह माउंट पिन फॉर्म के लिए अनुशंसित पैड पैटर्न भी प्रदान किया गया है, जो पीसीबी डिजाइन के लिए उपयोगी है यदि पिनों को सतह माउंटिंग के लिए बनाया गया हो। डिवाइस को हीट सिंक पर सुरक्षित करने के लिए उपयोग किए जाने वाले स्क्रू (M3 या 6-32 स्पेसिफिकेशन) के लिए अधिकतम माउंटिंग टॉर्क 8.8 Nm (या समकक्ष पाउंड-फोर्स इंच) निर्धारित है। अच्छे थर्मल संपर्क को सुनिश्चित करने और पैकेज को क्षतिग्रस्त किए बिना सही टॉर्क लगाना महत्वपूर्ण है।

5. एप्लिकेशन गाइड और डिज़ाइन विचार

5.1 विशिष्ट अनुप्रयोग परिपथ

प्रमुख अनुप्रयोग जिस पर ध्यान केंद्रित किया गया है, वह है पावर फैक्टर करेक्शन, विशेष रूप से बूस्ट कन्वर्टर टोपोलॉजी में। PFC बूस्ट परिपथ में, जब मुख्य स्विच ऑफ होता है, तो डायोड प्रेरक धारा का वहन करता है। इस सिलिकॉन कार्बाइड डायोड की तीव्र स्विचिंग और कम कैपेसिटेंस चार्ज रिवर्स रिकवरी से संबंधित स्विच-ऑफ नुकसान को न्यूनतम कर देता है, जिससे उच्च स्विचिंग आवृत्तियाँ संभव होती हैं। इसके परिणामस्वरूप चुंबकीय घटक (बूस्ट इंडक्टर) छोटे होते हैं और पावर डेंसिटी अधिक होती है। सौर इन्वर्टर और UPS सिस्टम जैसे अन्य अनुप्रयोगों को भी उनके डीसी बस या आउटपुट रेक्टिफिकेशन चरण में इसी प्रकार के लाभ प्राप्त होते हैं।

5.2 Thermal Design and Heat Dissipation

एक महत्वपूर्ण डिजाइन कार्य उपयुक्त हीट सिंक का चयन करना है। इस प्रक्रिया में शामिल है: 1) डायोड में कुल बिजली अपव्यय (कंडक्शन लॉस + स्विचिंग लॉस, हालांकि स्विचिंग लॉस बहुत कम है) की गणना करना। 2) परिवेश के तापमान, आवश्यक सुरक्षा मार्जिन और जंक्शन-टू-केस थर्मल प्रतिरोध के आधार पर अधिकतम अनुमेय केस तापमान निर्धारित करना। 3) इसके आधार पर हीट सिंक के लिए आवश्यक थर्मल प्रतिरोध की गणना करना। सूत्र है: Rth(SA) = (TC - TA) / PD - Rth(JC) - Rth(CS), जहां Rth(CS) इंटरफेस मटेरियल (थर्मल ग्रीस/पैड) का थर्मल प्रतिरोध है। कम कैपेसिटिव चार्ज सीधे स्विचिंग लॉस को कम करता है, जिससे हीट सिंक की आवश्यकता कम हो जाती है, जैसा कि विशेषताओं में बताया गया है, जिससे लागत और आकार में बचत संभव होती है।

5.3 Parallel Operation

फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप का सकारात्मक तापमान गुणांक उच्च धारा क्षमता प्राप्त करने के लिए कई उपकरणों के सुरक्षित समानांतर संचालन के लिए अनुकूल है। जब एक डायोड गर्म होकर अपना फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप बढ़ाता है, तो धारा स्वाभाविक रूप से ठंडे समानांतर उपकरण की ओर स्थानांतरित हो जाती है, जिससे धारा संतुलन को बढ़ावा मिलता है। यह उन डायोड्स की तुलना में एक महत्वपूर्ण लाभ है जिनमें नकारात्मक तापमान गुणांक होता है और जो समानांतर विन्यास में थर्मल रनवे का अनुभव कर सकते हैं।

6. तकनीकी तुलना एवं विभेदीकरण

मानक सिलिकॉन फास्ट रिकवरी डायोड या यहाँ तक कि अल्ट्रा फास्ट रिकवरी डायोड की तुलना में, यह सिलिकॉन कार्बाइड शॉट्की डायोड मौलिक लाभ प्रदान करता है। सिलिकॉन डायोड में पर्याप्त रिवर्स रिकवरी चार्ज होता है, जिससे महत्वपूर्ण स्विचिंग लॉस, वोल्टेज स्पाइक्स और स्विच-ऑफ पर इलेक्ट्रोमैग्नेटिक इंटरफेरेंस (EMI) होता है। सिलिकॉन कार्बाइड शॉट्की डायोड का कैपेसिटिव चार्ज कई गुना कम होता है, जो इन समस्याओं को लगभग समाप्त कर देता है। हालांकि ऐतिहासिक रूप से सिलिकॉन कार्बाइड शॉट्की डायोड का फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप सिलिकॉन PN डायोड की तुलना में अधिक था, लेकिन इस उत्पाद जैसे आधुनिक उपकरणों ने स्विचिंग लाभ बनाए रखते हुए भी प्रतिस्पर्धी फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप मान हासिल कर लिए हैं। उच्चतम अधिकतम कार्य तापमान भी उच्च तापमान वाले वातावरण में विश्वसनीयता प्रदान करता है।

7. सामान्य प्रश्न (तकनीकी मापदंडों पर आधारित)

7.1 "मूलतः कोई स्विचिंग हानि नहीं" से क्या तात्पर्य है?

यह लगभग नगण्य रिवर्स रिकवरी हानि को संदर्भित करता है। स्विचिंग सर्किट में, जब एक डायोड फॉरवर्ड कंडक्शन से रिवर्स ब्लॉकिंग में स्विच करता है, तो पारंपरिक डायोड में संग्रहीत चार्ज को हटाया जाना चाहिए, जिससे रिवर्स करंट पल्स और संबंधित ऊर्जा हानि उत्पन्न होती है। सिलिकॉन कार्बाइड शॉट्की डायोड का केवल 10nC का कैपेसिटिव चार्ज इस चार्ज की मात्रा को अत्यंत कम बनाता है, जिससे इसकी स्विचिंग हानि कंडक्शन हानि की तुलना में नगण्य हो जाती है।

7.2 कम कैपेसिटिव चार्ज उच्च आवृत्ति संचालन कैसे सक्षम करता है?

स्विचिंग हानि स्विचिंग आवृत्ति के समानुपाती होती है। पारंपरिक डायोड के लिए, उच्च रिवर्स रिकवरी हानि अत्यधिक ऊष्मा उत्पन्न करने के कारण व्यावहारिक रूप से उपलब्ध अधिकतम स्विचिंग आवृत्ति को सीमित कर देती है। सिलिकॉन कार्बाइड डायोड की नगण्य स्विचिंग हानि के कारण, आवृत्ति को काफी बढ़ाया जा सकता है। उच्च आवृत्ति छोटे इंडक्टर्स और ट्रांसफार्मर के उपयोग की अनुमति देती है, जिससे सीधे तौर पर पावर डेंसिटी बढ़ जाती है।

7.3 केस को कैथोड से क्यों जोड़ा जाता है? इसका क्या प्रभाव पड़ता है?

विद्युत और तापीय कारणों से, यह पावर पैकेजिंग में एक सामान्य डिज़ाइन है। इसका मतलब है कि मुख्य ताप अपवर्तन पथ के रूप में कार्य करने वाली धातु की माउंटिंग टैब विद्युत आवेशित (कैथोड पोटेंशियल पर) होती है। इसलिए, यदि विभिन्न विद्युत क्षमताओं वाले एकाधिक उपकरण एक ही हीटसिंक पर लगाए जाते हैं, तो शॉर्ट सर्किट को रोकने के लिए इंसुलेटिंग हार्डवेयर (माइका वाशर, सिलिकॉन पैड आदि) का उपयोग करना आवश्यक है। थर्मल इंटरफ़ेस मटेरियल में भी अच्छा डाइइलेक्ट्रिक स्ट्रेंथ होना चाहिए।

8. व्यावहारिक डिज़ाइन केस स्टडी

400VDC, 1kW पावर, 80kHz फ़्रीक्वेंसी के बूस्ट PFC स्टेज को डिज़ाइन करने पर विचार करें। एक सिलिकॉन अल्ट्रा-फास्ट रिकवरी डायोड का Qrr 50nC हो सकता है। प्रति चक्र रिवर्स रिकवरी लॉस का अनुमान 0.5 * Vout * Qrr * fsw के रूप में लगाया जा सकता है। यह 0.5 * 400V * 50nC * 80kHz = 0.8W तक पहुंचेगा। 10nC कैपेसिटिव चार्ज वाले सिलिकॉन कार्बाइड शॉटकी डायोड का उपयोग करके इस लॉस को 0.5 * 400V * 10nC * 80kHz = 0.16W तक कम किया जा सकता है, जिससे 0.64W की बचत होती है। कम हुई हानि जंक्शन तापमान को कम कर सकती है या छोटे हीटसिंक के उपयोग की अनुमति दे सकती है। इसके अलावा, रिवर्स रिकवरी करंट की अनुपस्थिति मुख्य स्विच पर दबाव कम करती है और EMI को न्यूनतम करती है, जिससे इनपुट फ़िल्टर डिज़ाइन सरल हो सकता है।

9. कार्य सिद्धांत

शॉट्की डायोड एक धातु-अर्धचालक जंक्शन द्वारा बनता है, जो PN जंक्शन डायोड से भिन्न होता है। सिलिकॉन कार्बाइड शॉट्की डायोड में, धातु एक विस्तृत बैंडगैप सिलिकॉन कार्बाइड अर्धचालक के संपर्क में होती है। यह संरचना दिए गए करंट डेंसिटी पर PN जंक्शन की तुलना में कम फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप की ओर ले जाती है, और महत्वपूर्ण रूप से, इसमें कोई अल्पसंख्यक वाहक भंडारण नहीं होता है। इसलिए, जब वोल्टेज रिवर्स होता है, तो रिवर्स रिकवरी करंट पैदा करने के लिए अल्पसंख्यक वाहक पुनर्संयोजन की कोई धीमी प्रक्रिया नहीं होती है; केवल जंक्शन कैपेसिटेंस डिस्चार्ज होता है। यह इसकी तेज़ स्विचिंग गति और कम कैपेसिटिव चार्ज का मूल कारण है।

10. प्रौद्योगिकी रुझान

Silicon Carbide power devices, including Schottky diodes and MOSFETs, are key enabling technologies for modern high-efficiency power electronics. The trend is towards higher voltage ratings (e.g., 1200V, 1700V) for applications such as electric vehicle traction inverters and industrial drives, lower MOSFET specific on-resistance, and higher reliability. Integration is also a trend, with the emergence of power modules that combine SiC MOSFETs and Schottky diodes in half-bridge or other configurations. With increasing manufacturing volumes and decreasing costs, SiC technology is gradually replacing silicon IGBTs and diodes in medium-power applications where efficiency, frequency, and power density are driving factors.

LED Specification Terminology Explained

LED तकनीकी शब्दावली की पूर्ण व्याख्या

1. प्रकाशविद्युत प्रदर्शन के मुख्य संकेतक

शब्दावली इकाई/प्रतिनिधित्व सामान्य व्याख्या यह महत्वपूर्ण क्यों है
ल्यूमिनस एफिकेसी (Luminous Efficacy) lm/W (लुमेन प्रति वाट) प्रति वाट विद्युत ऊर्जा से उत्सर्जित प्रकाश प्रवाह, जितना अधिक होगा उतनी ही अधिक ऊर्जा दक्षता। यह सीधे तौर पर प्रकाश उपकरण की ऊर्जा दक्षता श्रेणी और बिजली लागत निर्धारित करता है।
ल्यूमिनस फ्लक्स (Luminous Flux) lm (ल्यूमेन) प्रकाश स्रोत द्वारा उत्सर्जित कुल प्रकाश मात्रा, जिसे आमतौर पर "चमक" कहा जाता है। यह निर्धारित करता है कि प्रकाश जुड़नाक पर्याप्त रूप से चमकीला है या नहीं।
Viewing Angle ° (डिग्री), जैसे 120° वह कोण जिस पर प्रकाश तीव्रता आधी रह जाती है, जो प्रकाश पुंज की चौड़ाई निर्धारित करता है। प्रकाश के क्षेत्र और एकरूपता को प्रभावित करता है।
रंग तापमान (CCT) K (केल्विन), जैसे 2700K/6500K प्रकाश का रंग गर्म या ठंडा, कम मान पीला/गर्म, उच्च मान सफेद/ठंडा। प्रकाश व्यवस्था के वातावरण और उपयुक्त परिदृश्य को निर्धारित करता है।
रंग प्रतिपादन सूचकांक (CRI / Ra) कोई इकाई नहीं, 0–100 प्रकाश स्रोत द्वारा वस्तुओं के वास्तविक रंगों को प्रदर्शित करने की क्षमता, Ra≥80 उत्तम माना जाता है। रंग सटीकता को प्रभावित करता है, शॉपिंग मॉल, आर्ट गैलरी जैसे उच्च आवश्यकता वाले स्थानों में उपयोग किया जाता है।
Color Tolerance (SDCM) मैकएडम अंडाकार चरण संख्या, जैसे "5-step" रंग स्थिरता का मात्रात्मक मापदंड, चरण संख्या जितनी कम होगी, रंग उतना ही अधिक सुसंगत होगा। एक ही बैच के दीपकों के रंग में कोई अंतर नहीं होने की गारंटी।
प्रमुख तरंगदैर्ध्य (Dominant Wavelength) nm (नैनोमीटर), जैसे 620nm (लाल) रंगीन एलईडी रंगों के संगत तरंगदैर्ध्य मान। लाल, पीला, हरा आदि एकवर्णी एलईडी के रंगतान (ह्यू) का निर्धारण करता है।
Spectral Distribution वेवलेंथ बनाम इंटेंसिटी कर्व LED द्वारा उत्सर्जित प्रकाश की विभिन्न तरंगदैर्ध्य पर तीव्रता वितरण को दर्शाता है। रंग प्रतिपादन और रंग गुणवत्ता को प्रभावित करता है।

दो, विद्युत मापदंड

शब्दावली प्रतीक सामान्य व्याख्या डिज़ाइन विचार
फॉरवर्ड वोल्टेज (Forward Voltage) Vf एलईडी को प्रकाशित करने के लिए आवश्यक न्यूनतम वोल्टेज, एक "स्टार्ट-अप थ्रेशोल्ड" के समान। ड्राइविंग पावर सप्लाई वोल्टेज ≥ Vf होना चाहिए, कई एलईडी को श्रृंखला में जोड़ने पर वोल्टेज जुड़ जाता है।
फॉरवर्ड करंट (Forward Current) If LED को सामान्य रूप से चमकने के लिए आवश्यक धारा मान। आमतौर पर स्थिर धारा ड्राइव का उपयोग किया जाता है, धारा चमक और आयु निर्धारित करती है।
अधिकतम स्पंद धारा (Pulse Current) Ifp डिमिंग या फ्लैश के लिए उपयोग किया जाने वाला शीर्ष करंट जिसे कम समय के लिए सहन किया जा सकता है। पल्स चौड़ाई और ड्यूटी साइकिल को सख्ती से नियंत्रित किया जाना चाहिए, अन्यथा अत्यधिक गर्मी से क्षति हो सकती है।
रिवर्स वोल्टेज (Reverse Voltage) Vr LED सहन कर सकने वाला अधिकतम रिवर्स वोल्टेज, जिससे अधिक होने पर यह ब्रेकडाउन हो सकता है। सर्किट में रिवर्स कनेक्शन या वोल्टेज स्पाइक से बचाव आवश्यक है।
थर्मल रेजिस्टेंस (Thermal Resistance) Rth (°C/W) चिप से सोल्डर पॉइंट तक गर्मी के प्रवाह में प्रतिरोध, कम मान बेहतर ऊष्मा अपव्यय को दर्शाता है। उच्च तापीय प्रतिरोध के लिए मजबूत ऊष्मा अपव्यय डिज़ाइन आवश्यक है, अन्यथा जंक्शन तापमान बढ़ जाता है।
इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज सहनशीलता (ESD Immunity) V (HBM), जैसे 1000V इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) प्रतिरोध, उच्च मान का अर्थ है स्थैतिक बिजली से क्षति की कम संभावना। उत्पादन में, विशेष रूप से उच्च संवेदनशीलता वाले LED के लिए, ESD सुरक्षा उपाय किए जाने चाहिए।

तीन, ताप प्रबंधन और विश्वसनीयता

शब्दावली प्रमुख संकेतक सामान्य व्याख्या प्रभाव
जंक्शन तापमान (Junction Temperature) Tj (°C) LED चिप का आंतरिक वास्तविक कार्य तापमान। प्रत्येक 10°C कमी से, जीवनकाल दोगुना हो सकता है; अत्यधिक तापमान से प्रकाश क्षय और रंग विस्थापन होता है।
ल्यूमेन डिप्रिसिएशन (Lumen Depreciation) L70 / L80 (घंटे) चमक प्रारंभिक मान के 70% या 80% तक गिरने में लगने वाला समय। LED की "उपयोगी आयु" को सीधे परिभाषित करना।
लुमेन रखरखाव दर (Lumen Maintenance) % (जैसे 70%) एक निश्चित अवधि के उपयोग के बाद शेष चमक का प्रतिशत। दीर्घकालिक उपयोग के बाद चमक बनाए रखने की क्षमता को दर्शाता है।
रंग विस्थापन (Color Shift) Δu′v′ या मैकएडम दीर्घवृत्त उपयोग के दौरान रंग में परिवर्तन की मात्रा। प्रकाश व्यवस्था के दृश्य की रंग एकरूपता को प्रभावित करता है।
Thermal Aging सामग्री प्रदर्शन में गिरावट दीर्घकालिक उच्च तापमान के कारण एनकैप्सुलेशन सामग्री का क्षरण। इससे चमक में कमी, रंग परिवर्तन या ओपन-सर्किट विफलता हो सकती है।

चार। पैकेजिंग और सामग्री

शब्दावली सामान्य प्रकार सामान्य व्याख्या विशेषताएँ और अनुप्रयोग
पैकेजिंग प्रकार EMC, PPA, सिरेमिक चिप की सुरक्षा करने और प्रकाशिक एवं ऊष्मीय इंटरफेस प्रदान करने वाली आवरण सामग्री। EMC में उत्कृष्ट ताप सहनशीलता और कम लागत होती है; सिरेमिक में बेहतर ताप अपव्यय और लंबी आयु होती है।
चिप संरचना फॉरवर्ड माउंट, फ्लिप चिप (Flip Chip) चिप इलेक्ट्रोड व्यवस्था विधि। फ्लिप-चिप बेहतर ताप अपव्यय और उच्च प्रकाश दक्षता प्रदान करता है, जो उच्च शक्ति के लिए उपयुक्त है।
फॉस्फर कोटिंग YAG, सिलिकेट, नाइट्राइड ब्लू LED चिप पर लगाया जाता है, जो प्रकाश के एक भाग को पीले/लाल प्रकाश में परिवर्तित कर देता है और सफेद प्रकाश बनाने के लिए मिश्रित हो जाता है। विभिन्न फॉस्फर प्रकाश दक्षता, रंग तापमान और रंग प्रतिपादन को प्रभावित करते हैं।
लेंस/ऑप्टिकल डिज़ाइन प्लानर, माइक्रोलेंस, टोटल इंटरनल रिफ्लेक्शन प्रकाश वितरण को नियंत्रित करने के लिए पैकेजिंग सतह की प्रकाशीय संरचना। उत्सर्जन कोण और प्रकाश वितरण वक्र निर्धारित करता है।

पाँच, गुणवत्ता नियंत्रण और श्रेणीकरण

शब्दावली श्रेणीकरण सामग्री सामान्य व्याख्या उद्देश्य
ल्यूमिनस फ्लक्स ग्रेडिंग कोड जैसे 2G, 2H चमक के स्तर के अनुसार समूहीकरण करें, प्रत्येक समूह में न्यूनतम/अधिकतम लुमेन मान होता है। सुनिश्चित करें कि एक ही बैच के उत्पादों की चमक समान हो।
वोल्टेज ग्रेडिंग कोड जैसे 6W, 6X फॉरवर्ड वोल्टेज रेंज के अनुसार समूहीकरण। ड्राइविंग पावर स्रोत के साथ मिलान करने में सुविधा, सिस्टम दक्षता में सुधार।
रंग विभेदीकरण श्रेणी 5-step MacAdam ellipse रंग निर्देशांक के अनुसार समूहीकरण करें, यह सुनिश्चित करते हुए कि रंग बहुत छोटी सीमा के भीतर रहें। रंग एकरूपता सुनिश्चित करें, एक ही प्रकाश स्रोत के भीतर रंग में असमानता से बचें।
रंग तापमान श्रेणीकरण 2700K, 3000K, आदि रंग तापमान के अनुसार समूहीकृत करें, प्रत्येक समूह की संबंधित निर्देशांक सीमा होती है। विभिन्न परिदृश्यों की रंग तापमान आवश्यकताओं को पूरा करना।

VI. परीक्षण और प्रमाणन

शब्दावली Standard/Test सामान्य व्याख्या Meaning
LM-80 ल्यूमेन रखरखाव परीक्षण निरंतर तापमान की स्थिति में लंबे समय तक जलाकर, चमक क्षय डेटा रिकॉर्ड किया जाता है। LED जीवनकाल का अनुमान लगाने के लिए (TM-21 के साथ संयोजन में)।
TM-21 जीवनकाल प्रक्षेपण मानक Estimating lifespan under actual usage conditions based on LM-80 data. Providing scientific life prediction.
IESNA Standard Illuminating Engineering Society Standard यह प्रकाशिकी, विद्युत और ऊष्मा परीक्षण विधियों को शामिल करता है। उद्योग द्वारा स्वीकृत परीक्षण आधार।
RoHS / REACH पर्यावरण प्रमाणन सुनिश्चित करें कि उत्पाद में हानिकारक पदार्थ (जैसे सीसा, पारा) न हों। अंतर्राष्ट्रीय बाजार में प्रवेश की पात्रता शर्तें।
ENERGY STAR / DLC ऊर्जा दक्षता प्रमाणन प्रकाश उत्पादों के लिए ऊर्जा दक्षता और प्रदर्शन प्रमाणन। सामान्यतः सरकारी खरीद, सब्सिडी कार्यक्रमों में उपयोग किया जाता है, बाजार प्रतिस्पर्धा बढ़ाने के लिए।