EL253X Series Photocoupler Datasheet - 8-Pin DIP Package - High Speed 1Mbit/s - 5000Vrms Isolation - English Technical Document

1. उत्पाद अवलोकन

EL253X श्रृंखला में दो-चैनल, उच्च-गति ट्रांजिस्टर फोटोकपलर शामिल हैं। प्रत्येक डिवाइस एक अवरक्त उत्सर्जक डायोड को एक उच्च-गति फोटोडिटेक्टर ट्रांजिस्टर से प्रकाशीय रूप से युग्मित करता है। एक प्रमुख वास्तुशिल्प विशेषता फोटोडायोड बायस और आउटपुट-ट्रांजिस्टर कलेक्टर के लिए अलग कनेक्शन है। यह डिज़ाइन पारंपरिक फोटोट्रांजिस्टर कपलर की तुलना में इनपुट ट्रांजिस्टर की बेस-कलेक्टर कैपेसिटेंस को कम करके परिचालन गति को काफी बढ़ाता है। डिवाइस एक मानक 8-पिन ड्यूल इन-लाइन पैकेज (DIP) में पेश किए जाते हैं और इन्हें वाइड-लीड स्पेसिंग और सरफेस-माउंट कॉन्फ़िगरेशन के विकल्पों के साथ उपलब्ध कराया जाता है।

1.1 मुख्य लाभ और लक्षित बाजार

EL253X श्रृंखला का प्राथमिक लाभ उच्च-गति डेटा ट्रांसमिशन क्षमता (प्रति सेकंड 1 मेगाबिट तक) और मजबूत विद्युत इन्सुलेशन का संयोजन है। यह इसे विभिन्न ग्राउंड पोटेंशियल या वोल्टेज स्तरों वाले सर्किटों के बीए विश्वसनीय सिग्नल ट्रांसफर की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है। इसे समर्थन देने वाली प्रमुख विशेषताओं में EL2611 वेरिएंट के लिए 10kV/μs न्यूनतम की उच्च कॉमन-मोड ट्रांजिएंट इम्यूनिटी (CMTI) शामिल है, जो शोर वाले विद्युत वातावरण में स्थिर संचालन सुनिश्चित करती है, और इनपुट और आउटपुट के बीच 5000 Vrms का उच्च इन्सुलेशन वोल्टेज है। डिवाइस -40°C से +85°C तक के व्यापक तापमान रेंज में प्रदर्शन करने की गारंटी है, जो औद्योगिक और ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों को पूरा करता है। लॉजिक गेट आउटपुट डिजिटल सर्किटों के साथ इंटरफेस को सरल बनाता है। Pb-free और RoHS निर्देशों के अनुपालन, साथ ही प्रमुख अंतरराष्ट्रीय सुरक्षा एजेंसियों (UL, cUL, VDE, SEMKO, NEMKO, DEMKO, FIMKO) से अनुमोदन, वैश्विक बाजारों के लिए उनकी विश्वसनीयता और उपयुक्तता को रेखांकित करते हैं। लक्षित अनुप्रयोगों में लाइन रिसीवर, दूरसंचार उपकरण, मोटर ड्राइव में पावर ट्रांजिस्टर के लिए इन्सुलेशन, स्विच-मोड पावर सप्लाई (SMPS) में फीडबैक लूप, घरेलू उपकरण और कम-गति फोटोट्रांजिस्टर कपलर के अपग्रेड शामिल हैं।

2. गहन तकनीकी पैरामीटर विश्लेषण

यह खंड डेटाशीट में निर्दिष्ट विद्युत और प्रदर्शन विशेषताओं की एक विस्तृत, वस्तुनिष्ठ व्याख्या प्रदान करता है।

2.1 Absolute Maximum Ratings

ये रेटिंग्स उन तनाव सीमाओं को परिभाषित करती हैं जिनके परे डिवाइस को स्थायी क्षति हो सकती है। ये अनुशंसित संचालन स्थितियाँ नहीं हैं। महत्वपूर्ण सीमाओं में शामिल हैं: 25mA का एक निरंतर अग्र धारा (I_F), 50mA का एक शिखर अग्र धारा (I_FP) (50% ड्यूटी साइकिल, 1ms पल्स चौड़ाई), और बहुत कम अवधि के पल्स (≤1μs) के लिए 1A की एक बहुत उच्च शिखर क्षणिक धारा (I_Ftrans)। आउटपुट -0.5V से 20V तक का वोल्टेज (V_O) सहन कर सकता है, और आपूर्ति वोल्टेज (V_CC) -0.5V से 30V तक हो सकता है। विशिष्ट आर्द्रता स्थितियों के तहत परीक्षण किए जाने पर, एक मिनट के लिए अलगाव वोल्टेज (V_ISO) 5000 Vrms पर रेटेड है। डिवाइस को -40°C से +100°C के परिवेश तापमान (T_OPR) में संचालित किया जा सकता है और -40°C से +125°C के बीच संग्रहीत (T_STG) किया जा सकता है। सोल्डरिंग तापमान (T_SOL) 10 सेकंड के लिए 260°C निर्दिष्ट किया गया है, जो एक मानक लीड-फ्री रीफ्लो प्रोफाइल है।

2.2 Electrical Characteristics

ये पैरामीटर सामान्य संचालन स्थितियों में डिवाइस के प्रदर्शन को परिभाषित करते हैं, जब तक कि अन्यथा नोट न किया गया हो, आमतौर पर 25°C पर।

2.2.1 इनपुट विशेषताएँ

फॉरवर्ड वोल्टेज (V_F) आमतौर पर 16mA के फॉरवर्ड करंट (I_F) पर 1.45V होता है। इसका नकारात्मक तापमान गुणांक लगभग -1.9 mV/°C है, जिसका अर्थ है कि तापमान बढ़ने पर V_F थोड़ा कम हो जाता है। अधिकतम रिवर्स वोल्टेज (V_R) 5V है। इनपुट कैपेसिटेंस (C_IN) आमतौर पर 60pF होता है, जो हाई-स्पीड स्विचिंग परफॉर्मेंस में एक कारक है।

2.2.2 Output Characteristics

लॉजिक हाई आउटपुट करंट (I_OH) बहुत कम है (V_CC=5.5V पर typ. 0.001µA), जो ऑफ-स्टेट में उत्कृष्ट आउटपुट लीकेज विशेषताओं को दर्शाता है। लॉजिक स्टेट्स के बीच सप्लाई करंट में काफी अंतर होता है: लॉजिक लो सप्लाई करंट (I_CCL) आमतौर पर 140µA होता है जब इनपुट LED ड्राइव किया जाता है (I_F=16mA), जबकि लॉजिक हाई सप्लाई करंट (I_CCH) आमतौर पर केवल 0.01µA होता है जब इनपुट ऑफ होता है। यह आइडल स्टेट में कम बिजली खपत को उजागर करता है।

2.3 ट्रांसफर विशेषताएँ

यह इनपुट और आउटपुट के बीच संबंध को परिभाषित करता है।

2.3.1 Current Transfer Ratio (CTR)

CTR, फोटोकपलर के लिए एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आउटपुट कलेक्टर करंट और इनपुट LED करंट का अनुपात है, जिसे प्रतिशत में व्यक्त किया जाता है। EL2530 का CTR रेंज 7% से 50% है, जबकि EL2531 का उच्च रेंज 19% से 50% है (दोनों I_F=16mA, V_O=0.4V, V_CC=4.5V, 25°C पर)। इसलिए EL2531 उच्च-लाभ वाला प्रकार है। थोड़े अलग स्थितियों (V_O=0.5V) के तहत EL2530 के लिए न्यूनतम CTR मान 5% और EL2531 के लिए 15% की गारंटी है।

2.3.2 Logic Low Output Voltage (V_OL)

यह वह वोल्टेज है जब डिवाइस 'ऑन' या लो स्टेट में होता है। EL2530 के लिए, V_OL आमतौर पर 0.18V होता है जब आउटपुट करंट (I_O) 1.1mA हो। EL2531 के लिए, यह आमतौर पर 0.25V होता है जब I_O=3mA हो। दोनों के लिए अधिकतम V_OL उनकी संबंधित टेस्ट शर्तों के तहत 0.5V है, जो इंटरफेसिंग के लिए मजबूत लॉजिक-लो लेवल सुनिश्चित करता है।

2.4 Switching Characteristics

ये पैरामीटर हाई-स्पीड एप्लिकेशन्स के लिए महत्वपूर्ण हैं। परीक्षण I_F=16mA और V_CC=5V पर किए जाते हैं।

2.4.1 Propagation Delay

Propagation delay to logic low (t_PHL) और logic high (t_PLH) को मापा जाता है। 4.1kΩ लोड रेसिस्टर (R_L) वाले EL2530 के लिए, t_PHL आम तौर पर 0.35µs (अधिकतम 2.0µs) और t_PLH आम तौर पर 0.5µs (अधिकतम 2.0µs) होता है। 1.9kΩ R_L वाले EL2531 के लिए, दोनों विलंब आम तौर पर क्रमशः 0.35µs और 0.3µs (अधिकतम 1.0µs) होते हैं। EL2531 तेज़ स्विचिंग समय प्रदर्शित करता है, जिसका आंशिक कारण इसका उच्च CTR है जो एक छोटे पुल-अप रेसिस्टर के उपयोग की अनुमति देता है।

2.4.2 Common Mode Transient Immunity (CMTI)

CMTI measures the device's ability to reject fast voltage transients between the input and output grounds. It is specified in Volts per microsecond (V/µs). Both EL2530 and EL2531 have a minimum CMTI of 1000 V/µs and a typical value of 10,000 V/µs for both logic high (CM_H) and logic low (CM_L) states. The test conditions differ: EL2530 uses a 10V p-p common-mode pulse, while EL2531 uses a 1000V p-p pulse, indicating potentially more robust testing for the latter variant in this aspect.

3. Performance Curve Analysis

डेटाशीट में विशिष्ट विद्युत-प्रकाशीय अभिलक्षण वक्रों का संदर्भ दिया गया है। हालांकि प्रदत्त पाठ में विशिष्ट ग्राफ़ पुनरुत्पादित नहीं किए गए हैं, वे आम तौर पर करंट ट्रांसफर रेशियो (CTR) बनाम फॉरवर्ड करंट (I_F), CTR बनाम परिवेश तापमान (T_A), प्रसार विलंब बनाम लोड प्रतिरोध (R_L), और फॉरवर्ड वोल्टेज (V_F) बनाम I_F के प्लॉट शामिल होते हैं। ये वक्र डिजाइनरों के लिए यह समझने के लिए आवश्यक हैं कि गैर-आदर्श या परिवर्तनशील परिस्थितियों में, जैसे कि कम ड्राइव धाराएं, उच्च तापमान, या भिन्न लोड विन्यास, मापदंड कैसे बदलते हैं, जो निर्दिष्ट कार्यशील सीमा में मजबूत सर्किट डिजाइन की अनुमति देते हैं।

4. Mechanical and Package Information

डिवाइस एक 8-पिन DIP पैकेज का उपयोग करता है। पिन कॉन्फ़िगरेशन इस प्रकार है: पिन 1: एनोड (चैनल 1), पिन 2: कैथोड (चैनल 1), पिन 3: कैथोड (चैनल 2), पिन 4: एनोड (चैनल 2), पिन 5: ग्राउंड (GND), पिन 6: आउटपुट 2 (V_OUT2), पिन 7: आउटपुट 1 (V_OUT1), पिन 8: सप्लाई वोल्टेज (V_CC)। यह पैकेज कई लीड फॉर्म विकल्पों में उपलब्ध है: मानक DIP, वाइड-लीड बेंड (0.4-इंच स्पेसिंग, विकल्प 'M'), और सरफेस-माउंट लीड फॉर्म (विकल्प 'S' और लो-प्रोफाइल 'S1')।

5. सोल्डरिंग और असेंबली दिशानिर्देश

सोल्डरिंग तापमान के लिए पूर्ण अधिकतम रेटिंग 10 सेकंड के लिए 260°C है। यह सामान्य लीड-मुक्त रीफ्लो सोल्डरिंग प्रोफाइल के अनुरूप है। वेव सोल्डरिंग या हैंड सोल्डरिंग के लिए, थ्रू-होल या SMD घटकों के लिए मानक प्रथाओं का पालन किया जाना चाहिए, पैकेज क्षति या आंतरिक सामग्रियों के अवक्रमण को रोकने के लिए अधिकतम तापमान और समय सीमा का सम्मान करते हुए। डिवाइस को भंडारण तापमान सीमा (-40°C से +125°C) के भीतर स्थितियों में और यदि लागू हो तो SMD वेरिएंट के लिए नमी-संवेदनशील पैकेजिंग में संग्रहीत किया जाना चाहिए ताकि रीफ्लो के दौरान 'पॉपकॉर्निंग' को रोका जा सके।

6. पैकेजिंग और ऑर्डरिंग जानकारी

पार्ट नंबर इस प्रारूप का अनुसरण करता है: EL253XY(Z)-V। 'X' पार्ट नंबर को दर्शाता है (EL2530 के लिए 0, EL2531 के लिए 1)। 'Y' लीड फॉर्म विकल्प को इंगित करता है: मानक DIP के लिए रिक्त, चौड़े लीड बेंड के लिए 'M', सतह माउंट के लिए 'S', लो-प्रोफाइल सतह माउंट के लिए 'S1'। 'Z' टेप और रील विकल्प निर्दिष्ट करता है: 'TA' या 'TB' (विभिन्न रील प्रकार), या ट्यूब पैकेजिंग के लिए रिक्त। 'V' VDE अनुमोदन के लिए एक वैकल्पिक प्रत्यय है। पैकिंग मात्राएं थ्रू-होल संस्करणों के लिए प्रति ट्यूब 45 इकाइयां और टेप-एंड-रील SMD संस्करणों के लिए प्रति रील 1000 इकाइयां हैं।

7. अनुप्रयोग सिफारिशें

7.1 विशिष्ट अनुप्रयोग परिदृश्य

• लाइन रिसीवर्स: ग्राउंड लूप और शोर को रोकने के लिए डिजिटल संचार लाइनों (जैसे, RS-485, RS-422) को अलग करना।
• मोटर ड्राइव अलगाव: वेरिएबल फ्रीक्वेंसी ड्राइव्स में पावर ट्रांजिस्टर (IGBTs, MOSFETs) को गेट ड्राइव सिग्नल प्रदान करना, लो-वोल्टेज कंट्रोल लॉजिक को हाई-वोल्टेज पावर स्टेज से अलग करना।
• स्विच-मोड पावर सप्लाई (SMPS) फीडबैक: फीडबैक एरर सिग्नल को सेकेंडरी (आउटपुट) साइड से प्राइमरी (इनपुट) साइड कंट्रोलर तक अलग करना, एक महत्वपूर्ण सुरक्षा और कार्यात्मक आवश्यकता।
• लॉजिक ग्राउंड आइसोलेशन: शोरगुल वाले डिजिटल उपतंत्रों (जैसे, माइक्रोकंट्रोलर और मोटर ड्राइवर IC के बीच) के ग्राउंड को अलग करना, ताकि शोर युग्मन को रोका जा सके।
• Telecom Equipment: रिंगिंग सर्किट, लाइन इंटरफेस या डेटा लाइन सुरक्षा में सिग्नल अलगाव।

7.2 डिज़ाइन विचार

• करंट लिमिटिंग रेसिस्टर: इनपुट LED के साथ श्रृंखला में एक बाहरी रेसिस्टर का उपयोग अग्र धारा (I_F) निर्धारित करने के लिए किया जाना चाहिए, आमतौर पर इष्टतम गति और CTR के लिए अनुशंसित 16mA तक।
• पुल-अप रेसिस्टर: आउटपुट को V_CC से जोड़ने के लिए एक पुल-अप रेसिस्टर (R_L) की आवश्यकता होती है। इसका मान स्विचिंग गति और बिजली की खपत को प्रभावित करता है। डेटाशीट EL2530 के लिए 4.1kΩ और EL2531 के लिए 1.9kΩ के साथ परीक्षण की शर्तों को निर्दिष्ट करती है।
• पावर सप्लाई डिकपलिंग: V_CC पिन (पिन 8) और ग्राउंड के पास एक बाईपास कैपेसिटर (जैसे, 0.1µF) लगाएं ताकि स्थिर संचालन सुनिश्चित हो और स्विचिंग नॉइज़ कम से कम हो।
• उच्च CMTI के लिए लेआउट: उच्च CMTI बनाए रखने के लिए, PCB लेआउट के इनपुट और आउटपुट सेक्शन के बीच परजीवी धारिता को न्यूनतम करें। सुरक्षा मानकों के अनुसार पर्याप्त क्रीपेज और क्लीयरेंस दूरी प्रदान करें।
• EL2530 बनाम EL2531 चुनना: ऐसे अनुप्रयोगों के लिए EL2531 का चयन करें जिनमें तेज़ स्विचिंग गति की आवश्यकता हो या जहाँ कम मूल्य का पुल-अप रोकनेवाला स्वीकार्य हो। EL2530 का चुनाव उन अनुप्रयोगों के लिए किया जा सकता है जहाँ गति की कम सख्त आवश्यकताएँ हों या जहाँ चालू अवस्था में कम आपूर्ति धारा (उच्च R_L के कारण) प्राथमिकता हो।

8. Technical Comparison and Differentiation

The EL253X series differentiates itself from standard phototransistor couplers primarily through its high speed (1Mbit/s vs. typically <100kbit/s for standard types). The separate photodiode bias connection is the key architectural difference enabling this. Compared to other high-speed optocouplers (like those with integrated logic gates or higher-speed digital isolators), the EL253X offers a simple, robust transistor output, which can be advantageous in certain analog or level-shifting applications, and typically comes at a lower cost. Its dual-channel configuration in a single 8-pin package saves board space compared to using two single-channel devices.

9. अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न (तकनीकी मापदंडों के आधार पर)

प्र: EL2530 और EL2531 के बीच मुख्य अंतर क्या है?
A: प्राथमिक अंतर गारंटीकृत न्यूनतम करंट ट्रांसफर रेशियो (CTR) है। EL2530 (5-7%) की तुलना में EL2531 में उच्च न्यूनतम CTR (परीक्षण स्थिति के आधार पर 15-19%) होता है। यह आम तौर पर EL2531 को दिए गए लोड रेसिस्टर के साथ तेजी से स्विच करने या समान गति के लिए एक बड़े पुल-अप रेसिस्टर का उपयोग करने की अनुमति देता है, जिससे बिजली की खपत और ड्राइव क्षमता प्रभावित होती है।

Q: क्या मैं इनपुट LED को सीधे वोल्टेज स्रोत से ड्राइव कर सकता हूं?
A: नहीं। LED को करंट-लिमिटेड स्रोत से ड्राइव किया जाना चाहिए, जो आमतौर पर वोल्टेज सप्लाई से श्रृंखला रेसिस्टर के साथ लागू किया जाता है। डेटाशीट वांछित I_F (जैसे, 16mA) के लिए उपयुक्त रेसिस्टर मान की गणना करने में मदद करने के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज (V_F) विशेषताएं प्रदान करता है।

Q: 10kV/µs का कॉमन मोड ट्रांजिएंट इम्यूनिटी (CMTI) का क्या अर्थ है?
A: इसका अर्थ है कि इनपुट और आउटपुट सर्किट ग्राउंड के बीच वोल्टेज अंतर प्रति माइक्रोसेकंड 10,000 वोल्ट की उच्च दर से बदलने पर भी आउटपुट स्थिति सही बनी रहेगी (गलती से टॉगल नहीं होगी)। यह मोटर ड्राइव या पावर सप्लाई में महत्वपूर्ण है जहां तेज हाई-वोल्टेज स्विचिंग से बड़े ग्राउंड ट्रांजिएंट पैदा होते हैं।

Q: क्या हीटसिंक की आवश्यकता है?
A: पावर डिसिपेशन (P_IN=45mW, P_O=35mW) के लिए निरपेक्ष अधिकतम रेटिंग के भीतर सामान्य ऑपरेटिंग स्थितियों में, हीटसिंक की आवश्यकता नहीं है। विद्युत क्षय अपेक्षाकृत कम है। थर्मल डिसिपेशन के लिए उचित PCB लेआउट आमतौर पर पर्याप्त होता है।

10. व्यावहारिक डिज़ाइन और उपयोग उदाहरण

Case 1: Isolated GPIO Expander. एक माइक्रोकंट्रोलर को एक औद्योगिक पैनल में 12V लिमिट स्विचों की निगरानी करने की आवश्यकता है। छह EL2531 चैनलों का उपयोग करते हुए, माइक्रोकंट्रोलर के 3.3V GPIO करंट-लिमिटिंग रेसिस्टर्स के माध्यम से एलईडी को ड्राइव कर सकते हैं। 12V तक पुल-अप किए गए आउटपुट स्विचों को एक साफ लॉजिक सिग्नल प्रदान करते हैं। 5000Vrms इंसुलेशन माइक्रोकंट्रोलर को 12V औद्योगिक लाइनों पर संभावित ट्रांसिएंट्स से बचाता है।

केस 2: हाफ-ब्रिज MOSFET के लिए गेट ड्राइवर। एक कम-शक्ति DC मोटर नियंत्रक में, हाई-साइड MOSFET को चलाने के लिए एकल EL2531 चैनल का उपयोग किया जा सकता है। इनपुट को नियंत्रक से PWM सिग्नल द्वारा संचालित किया जाता है। आउटपुट, जो एक उपयुक्त गेट रेसिस्टर के माध्यम से MOSFET गेट से जुड़ा होता है और एक बूटस्ट्रैप आपूर्ति से ऊपर खींचा जाता है, अलग गेट ड्राइव प्रदान करता है। उच्च CMTI यह सुनिश्चित करता है कि हाफ-ब्रिज के तीव्र स्विचिंग के दौरान गेट सिग्नल स्थिर रहे।

11. ऑपरेटिंग प्रिंसिपल

मूलभूत सिद्धांत ऑप्टो-इलेक्ट्रॉनिक रूपांतरण है। इनपुट इन्फ्रारेड एमिटिंग डायोड (IRED) पर लगाया गया विद्युत प्रवाह उसे प्रकाश उत्सर्जित करने का कारण बनता है। यह प्रकाश एक प्रकाशिक रूप से पारदर्शी लेकिन विद्युत रूप से अवरोधक अवरोध (आमतौर पर सिलिकॉन या समान सामग्री) से होकर गुजरता है। प्रकाश एकीकृत डिटेक्टर के फोटोडायोड पर पड़ता है, जिससे एक फोटोकरंट उत्पन्न होता है। EL253X में, यह फोटोकरंट आउटपुट NPN ट्रांजिस्टर के बेस को सीधे बायस करता है, उसे चालू करता है और आउटपुट पिन (कलेक्टर) को निम्न स्तर पर खींचता है। फोटोडायोड के लिए अलग कनेक्शन स्विचिंग के लिए फोटोकरंट का अधिक कुशलता से उपयोग करने की अनुमति देता है, बजाय इसके कि वह ट्रांजिस्टर की बेस-कलेक्टर कैपेसिटेंस द्वारा आंशिक रूप से शंट हो जाए, जो पारंपरिक फोटोट्रांजिस्टर में गति-सीमित कारक है।

12. Technology Trends

सिग्नल आइसोलेशन का क्षेत्र विकसित हो रहा है। EL253X जैसे ट्रांजिस्टर-आउटपुट फोटोकपलर अपनी सरलता, मजबूती और लागत-प्रभावशीलता के लिए अत्यधिक प्रासंगिक बने हुए हैं, कई रुझान उल्लेखनीय हैं। उच्च एकीकरण की ओर एक बढ़त है, जैसे कि IGBTs/GaN FETs के लिए एकीकृत ड्राइवरों वाले उपकरण। CMOS प्रौद्योगिकी और RF या कैपेसिटिव कपलिंग पर आधारित डिजिटल आइसोलेटर काफी उच्च डेटा दर (दसियों से सैकड़ों Mbps), कम बिजली की खपत और उच्च विश्वसनीयता (कोई LED एजिंग नहीं) प्रदान करते हैं। हालांकि, फोटोकपलर कुछ क्षेत्रों में फायदे बनाए रखते हैं: बहुत उच्च आइसोलेशन वोल्टेज क्षमता, उत्कृष्ट कॉमन-मोड ट्रांजिएंट इम्युनिटी, और चुंबकीय क्षेत्रों के प्रति अंतर्निहित प्रतिरक्षा। फोटोकपलर के लिए विकास फोकस में गति में और सुधार, पैकेज आकार को कम करना (विशेष रूप से SMD के लिए), उच्च-तापमान प्रदर्शन को बढ़ाना और दीर्घकालिक CTR स्थिरता जैसे विश्वसनीयता मेट्रिक्स को बढ़ाना शामिल है।