LTE-S9511T-E IR एमिटर और डिटेक्टर डेटाशीट - 940nm पीक वेवलेंथ - 25deg व्यूइंग एंगल - 100mW पावर डिसिपेशन - अंग्रेजी तकनीकी दस्तावेज़

1. उत्पाद अवलोकन

LTE-S9511T-E एक विविक्त इन्फ्रारेड घटक है जो ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह उपकरणों के एक परिवार से संबंधित है जो उच्च शक्ति, उच्च गति और विशिष्ट प्रकाशीय विशेषताओं की आवश्यकता वाले समाधान प्रदान करने के लिए इंजीनियर किए गए हैं। घटक को GaAs प्रौद्योगिकी का उपयोग करके निर्मित किया गया है, जो इन्फ्रारेड एमिटर के लिए मानक है, ताकि इसके लक्षित प्रदर्शन मेट्रिक्स प्राप्त किए जा सकें।

1.1 मुख्य विशेषताएँ और लाभ

यह उपकरण कई प्रमुख विशेषताओं को शामिल करता है जो इसे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक असेंबली और पर्यावरणीय मानकों के लिए उपयुक्त बनाती हैं। यह RoHS निर्देशों का अनुपालन करता है, जिससे इसे एक ग्रीन उत्पाद के रूप में वर्गीकृत किया जाता है। पैकेजिंग उच्च-मात्रा विनिर्माण के साथ संगतता के लिए डिज़ाइन की गई है, जो 7-इंच व्यास के रील पर 8mm टेप में आपूर्ति की जाती है, जो स्वचालित प्लेसमेंट उपकरणों के साथ संगत है। इसके अलावा, घटक इन्फ्रारेड रीफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रियाओं को सहन कर सकता है, जो सतह-माउंट प्रौद्योगिकी (SMT) असेंबली लाइनों के लिए एक महत्वपूर्ण आवश्यकता है। पैकेज स्वयं EIA मानकों के अनुरूप है, जो यांत्रिक संगतता सुनिश्चित करता है।

1.2 लक्षित अनुप्रयोग और बाजार

इस घटक का प्राथमिक अनुप्रयोग एक इन्फ्रारेड एमिटर के रूप में है। इसकी विशेषताएं इसे उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए रिमोट कंट्रोल, आईआर-आधारित वायरलेस डेटा ट्रांसमिशन लिंक, सुरक्षा अलार्म और अन्य संवेदन अनुप्रयोगों जैसी प्रणालियों में एकीकरण के लिए उपयुक्त बनाती हैं। यह पीसीबी-माउंटेड कॉन्फ़िगरेशन के लिए अभिप्रेत है, जो इन्फ्रारेड प्रकाश का एक कॉम्पैक्ट और विश्वसनीय स्रोत प्रदान करता है।

2. तकनीकी विशिष्टताएँ और वस्तुनिष्ठ व्याख्या

यह खंड डेटाशीट में परिभाषित डिवाइस के विद्युत, प्रकाशीय और तापीय मापदंडों का विस्तृत, वस्तुनिष्ठ विश्लेषण प्रस्तुत करता है।

2.1 Absolute Maximum Ratings

ये रेटिंग्स उन तनाव सीमाओं को परिभाषित करती हैं जिनके परे डिवाइस को स्थायी क्षति हो सकती है। ये सामान्य संचालन के लिए अभिप्रेत नहीं हैं।

• Power Dissipation (Pd): 100 mW. यह डिवाइस की अधिकतम शक्ति है जिसे उसकी तापीय सीमाओं को पार किए बिना ऊष्मा के रूप में व्यय किया जा सकता है।
• पीक फॉरवर्ड करंट (I_FP): 1 A. यह पल्स्ड स्थितियों (प्रति सेकंड 300 पल्स, 10 μs पल्स चौड़ाई) के तहत अधिकतम अनुमेय धारा है। यह DC रेटिंग से काफी अधिक है, जो डेटा ट्रांसमिशन और रिमोट कंट्रोल में आम पल्स्ड ऑपरेशन के लिए डिवाइस की क्षमता को उजागर करता है।
• DC Forward Current (I_F): 50 mA. डिवाइस द्वारा संभाली जा सकने वाली अधिकतम निरंतर फॉरवर्ड धारा।
• Reverse Voltage (V_R): 5 V. इससे अधिक रिवर्स वोल्टेज लगाने से सेमीकंडक्टर जंक्शन टूट सकता है।
• Operating Temperature Range (T_op): -40°C to +85°C. The ambient temperature range within which the device is specified to operate correctly.
• Storage Temperature Range (T_stg): -55°C से +100°C. गैर-परिचालन भंडारण के लिए तापमान सीमा।
• इन्फ्रारेड सोल्डरिंग स्थिति: 260°C पर अधिकतम 10 सेकंड तक सहन करता है। यह रीफ्लो सोल्डरिंग प्रोफाइल सहनशीलता को परिभाषित करता है।

2.2 विद्युत और प्रकाशीय विशेषताएँ

ये विशिष्ट परीक्षण स्थितियों के तहत परिवेश के तापमान (T_A) 25°C पर मापे गए सामान्य प्रदर्शन पैरामीटर हैं।

• Radiant Intensity (I_E): 6.0 mW/sr (Typical) at I_F = 20mA. This measures the optical power emitted per unit solid angle (steradian). It is a key parameter for determining the effective range and signal strength in an application.
• Peak Emission Wavelength (λ_p): 940 nm (Typical). The wavelength at which the emitted optical power is maximum. This is in the near-infrared spectrum, invisible to the human eye but detectable by silicon photodiodes and phototransistors.
• स्पेक्ट्रल लाइन हाफ-विड्थ (Δλ): 50 nm (Typical). यह स्पेक्ट्रल बैंडविड्थ, या उत्सर्जित तरंगदैर्ध्य की सीमा को दर्शाता है। 50 nm का मान मानक GaAs IREDs के लिए सामान्य है।
• फॉरवर्ड वोल्टेज (V_F): 1.2 V (Typical), 1.5 V (Max) at I_F = 20mA. डिवाइस के पार वोल्टेज ड्रॉप जब यह करंट संचालित कर रहा होता है। यह ड्राइविंग सर्किटरी डिजाइन करने और बिजली की खपत की गणना करने के लिए महत्वपूर्ण है।
• रिवर्स करंट (I_R): 10 μA (Max) at V_R = 5V. डिवाइस रिवर्स-बायस्ड होने पर प्रवाहित होने वाली छोटी लीकेज करंट।
• व्यूइंग एंगल (2θ_1/2): 25 डिग्री (सामान्य)। इसे वह पूर्ण कोण परिभाषित किया गया है जिस पर विकिरण तीव्रता केंद्रीय अक्ष पर अपने मान से आधी हो जाती है। 25 डिग्री का कोण अपेक्षाकृत केंद्रित बीम को दर्शाता है, जो निर्देशित संचार या संवेदन के लिए लाभकारी हो सकता है।

3. Performance Curve Analysis

डेटाशीट में कई ग्राफ़ शामिल हैं जो प्रमुख पैरामीटर्स के बीच संबंध को दर्शाते हैं। ये कर्व्स गैर-मानक स्थितियों में डिवाइस के व्यवहार को समझने के लिए आवश्यक हैं।

3.1 Spectral Distribution

स्पेक्ट्रल डिस्ट्रीब्यूशन कर्व (Fig.1) तरंगदैर्ध्य के एक फ़ंक्शन के रूप में सापेक्ष विकिरण तीव्रता दर्शाती है। यह लगभग 940nm पर शिखर और लगभग 50nm की हाफ-विड्थ की पुष्टि करती है, जो उत्सर्जित प्रकाश की स्पेक्ट्रल शुद्धता का एक दृश्य प्रतिनिधित्व प्रदान करती है।

3.2 फॉरवर्ड करंट बनाम फॉरवर्ड वोल्टेज (I-V कर्व)

यह वक्र (चित्र.3) किसी भी अर्धचालक उपकरण के लिए मौलिक है। यह IRED के माध्यम से प्रवाहित धारा और उसके सिरों पर वोल्टेज के बीच अरेखीय संबंध दर्शाता है। यह वक्र तापमान के साथ विस्थापित होगा, जो डिजाइन में थर्मल प्रबंधन के लिए महत्वपूर्ण है।

3.3 तापमान पर निर्भरता

चित्र 2 और 4 यह दर्शाते हैं कि परिवेश के तापमान के साथ उपकरण का प्रदर्शन कैसे बदलता है। आमतौर पर, एक डायोड के फॉरवर्ड वोल्टेज का तापमान गुणांक नकारात्मक होता है (यह तापमान बढ़ने के साथ घटता है), जबकि ऑप्टिकल आउटपुट पावर भी आम तौर पर बढ़ते तापमान के साथ कम हो जाती है। ये ग्राफ़ डिज़ाइनरों को उच्च-तापमान वाले वातावरण के लिए प्रदर्शन को डीरेट करने की अनुमति देते हैं।

3.4 Relative Radiant Intensity vs. Forward Current

चित्र 5 दर्शाता है कि ड्राइव करंट के साथ प्रकाश उत्पादन कैसे बदलता है। यह आमतौर पर उप-रैखिक होता है; करंट को दोगुना करने से प्रकाशिक आउटपुट दोगुना नहीं होता। वांछित चमक या सिग्नल शक्ति को कुशलतापूर्वक प्राप्त करने के लिए ऑपरेटिंग पॉइंट सेट करने में यह संबंध महत्वपूर्ण है।

3.5 Radiation Pattern

ध्रुवीय आरेख (चित्र.6) केंद्रीय अक्ष से कोण के फलन के रूप में उत्सर्जित तीव्रता का एक विस्तृत मानचित्र प्रदान करता है। यह 25-डिग्री दृश्य कोण वाला उपकरण एक बीम पैटर्न दर्शाता है जो केंद्र में सबसे मजबूत होता है और किनारों की ओर कम हो जाता है, जो प्रकाशीय प्रणाली डिजाइन के लिए महत्वपूर्ण है, जैसे कि रिसीवर के दृश्य क्षेत्र के साथ संरेखित करना।

4. Mechanical and Packaging Information

4.1 Outline Dimensions

डेटाशीट घटक की विस्तृत यांत्रिक ड्राइंग प्रदान करती है। मुख्य आयामों में बॉडी का आकार, लीड स्पेसिंग और समग्र ऊंचाई शामिल हैं। घटक में एक साइड-व्यू लेंस के साथ वाटर-क्लियर प्लास्टिक पैकेज है, जो उत्सर्जित प्रकाश के विकिरण पैटर्न को आकार देता है। सभी महत्वपूर्ण आयाम, जब तक अन्यथा निर्दिष्ट न हो, ±0.15 मिमी की मानक सहनशीलता के साथ प्रदान किए गए हैं।

4.2 सुझाया गया सोल्डरिंग पैड लेआउट

PCB डिज़ाइन के लिए एक अनुशंसित लैंड पैटर्न (फुटप्रिंट) शामिल है। रीफ्लो के दौरान उचित सोल्डर जोड़ बनाने, अच्छी यांत्रिक शक्ति प्राप्त करने और डिवाइस से ताप अपव्यय को सुविधाजनक बनाने के लिए इन आयामों का पालन करना महत्वपूर्ण है।

4.3 Polarity Identification

Standard LED polarity conventions apply. The cathode is typically indicated by a flat edge on the package body, a notch, or a shorter lead. Correct polarity must be observed during assembly to prevent damage.

5. Assembly, Handling, and Reliability Guidelines

5.1 Soldering and Assembly Guide

यह डिवाइस इन्फ्रारेड रीफ्लो सोल्डरिंग के लिए रेटेड है। डेटाशीट में महत्वपूर्ण प्रोफ़ाइल पैरामीटर निर्दिष्ट हैं:

• प्री-हीट: 150–200°C.
• प्री-हीट समय: अधिकतम 120 सेकंड।
• शिखर तापमान: अधिकतम 260°C।
• Time Above Liquidus: अधिकतम 10 सेकंड (अधिकतम दो रीफ्लो चक्रों के लिए)।

हाथ से सोल्डरिंग आयरन के साथ करने के लिए, अनुशंसा है कि प्रति जोड़ अधिकतम 3 सेकंड के लिए 300°C से अधिक तापमान न हो। डेटाशीट इस बात पर जोर देती है कि इष्टतम प्रोफ़ाइल विशिष्ट PCB डिज़ाइन, सोल्डर पेस्ट और ओवन पर निर्भर करती है, और शुरुआती बिंदु के रूप में JEDEC-मानक प्रोफ़ाइल का उपयोग करने की सलाह देती है।

5.2 Storage Conditions

घटक की नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) 3 है। इसका अर्थ है:

• सीलबंद थैली: इसे ≤30°C और ≤90% RH पर एक वर्ष तक संग्रहित किया जा सकता है।
• After Bag Opening: इसे ≤30°C और ≤60% RH पर संग्रहित किया जाना चाहिए। घटकों को एक सप्ताह (168 घंटे) के भीतर रीफ्लो के अधीन किया जाना चाहिए। यदि मूल बैग के बाहर अधिक समय तक संग्रहित किया जाता है, तो उन्हें एक शुष्क कैबिनेट या डिसिकेंट के साथ सीलबंद कंटेनर में संग्रहित किया जाना चाहिए। यदि एक सप्ताह से अधिक समय तक उजागर किया जाता है, तो रीफ्लो के दौरान पॉपकॉर्न क्रैकिंग को रोकने के लिए सोल्डरिंग से पहले कम से कम 20 घंटे के लिए 60°C पर बेक-आउट की आवश्यकता होती है।

5.3 Cleaning

यदि सोल्डरिंग के बाद सफाई आवश्यक हो, तो केवल आइसोप्रोपाइल अल्कोहल (IPA) जैसे अल्कोहल-आधारित सॉल्वेंट्स का उपयोग करना चाहिए। कठोर या आक्रामक रसायन प्लास्टिक पैकेज या लेंस को नुकसान पहुंचा सकते हैं।

6. Packaging and Ordering Information

6.1 Tape and Reel Specifications

घटक को उभरे हुए कैरियर टेप में एक कवर टेप के साथ आपूर्ति की जाती है, जिसे 7-इंच (178 मिमी) व्यास की रीलों पर लपेटा जाता है। प्रत्येक रील में 3000 टुकड़े होते हैं। पैकेजिंग ANSI/EIA-481-1-A-1994 मानकों का अनुपालन करती है। विनिर्देशों में पॉकेट आयाम, टेप चौड़ाई और रील हब आकार शामिल हैं ताकि स्वचालित पिक-एंड-प्लेस मशीनों के साथ संगतता सुनिश्चित की जा सके।

7. अनुप्रयोग डिजाइन विचार

7.1 ड्राइव सर्किट डिज़ाइन

एक महत्वपूर्ण डिज़ाइन नोट यह है कि एक LED एक करंट-संचालित डिवाइस है। डेटाशीट स्पष्ट रूप से एक ही वोल्टेज स्रोत और एक ही करंट-लिमिटिंग रेसिस्टर (सर्किट मॉडल B) के साथ कई एलईडी को सीधे समानांतर में जोड़ने के खिलाफ सलाह देती है। व्यक्तिगत डिवाइसों के फॉरवर्ड वोल्टेज (V) में प्राकृतिक भिन्नताओं के कारण, करंट समान रूप से साझा नहीं होगा, जिससे चमक में महत्वपूर्ण अंतर और एक डिवाइस पर संभावित अत्यधिक दबाव पैदा होगा।_Fअनुशंसित विधि (सर्किट मॉडल A) प्रत्येक LED के साथ श्रृंखला में एक अलग करंट-लिमिटिंग रेसिस्टर का उपयोग करना है। यह एकसमान करंट सुनिश्चित करता है और इसलिए, सरणी में सभी डिवाइसों में एकसमान विकिरण तीव्रता प्रदान करता है।

7.2 थर्मल मैनेजमेंट

हालांकि पूर्ण अधिकतम शक्ति अपव्यय 100mW है, व्यावहारिक संचालन इस सीमा से काफी नीचे रहना चाहिए, विशेष रूप से उच्च परिवेश तापमान पर। डीरेटिंग कर्व्स (चित्र 2, चित्र 4) का परामर्श लेना आवश्यक है। प्रदर्शन और दीर्घायु बनाए रखने के लिए डिवाइस जंक्शन से गर्मी दूर ले जाने के लिए पर्याप्त PCB कॉपर क्षेत्र (सुझाए गए पैड लेआउट का उपयोग करने से मदद मिलती है) आवश्यक है।

7.3 ऑप्टिकल डिज़ाइन

25-डिग्री का व्यूइंग एंगल और साइड-व्यू लेंस पैकेज प्रभावित करते हैं कि आईआर ऊर्जा को कैसे निर्देशित किया जाता है। एक सेंसिंग या कम्युनिकेशन लिंक में इष्टतम प्रदर्शन के लिए, एमिटर का रेडिएशन पैटर्न रिसीवर की एंगुलर सेंसिटिविटी प्रोफाइल के साथ संरेखित होना चाहिए। यह संरेखण के लिए रेडिएशन डायग्राम (चित्र.6) आवश्यक है। एक अलग बीम पैटर्न की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए, बाहरी लेंस या रिफ्लेक्टर आवश्यक हो सकते हैं।

8. तकनीकी तुलना और विभेदन

LTE-S9511T-E, अपनी 940nm पीक वेवलेंथ के साथ, सामान्य-उद्देश्य इन्फ्रारेड अनुप्रयोगों के लिए स्थित है। प्रमुख विभेदकों में इसका साइड-व्यू पैकेज शामिल है, जो एज-लाइटिंग या विशिष्ट ऑप्टिकल पाथ आवश्यकताओं के लिए उपयोगी है, और स्वचालित असेंबली प्रक्रियाओं के साथ इसकी संगतता है। व्यापक व्यूइंग एंगल (जैसे, 60-120 डिग्री) वाले उपकरणों की तुलना में, यह घटक किसी दिए गए ड्राइव करंट के लिए उच्च अक्षीय तीव्रता प्रदान करता है, जो निर्देशित लिंक्स के लिए लंबी रेंज या कम बिजली खपत में तब्दील हो सकता है। इसकी 940nm वेवलेंथ एक सामान्य मानक है, जो उस स्पेक्ट्रम के लिए डिज़ाइन किए गए सिलिकॉन-आधारित इन्फ्रारेड रिसीवर्स और फिल्टर के साथ व्यापक संगतता सुनिश्चित करती है।

9. अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न (तकनीकी मापदंडों के आधार पर)

Q1: क्या मैं इस IRED को सीधे माइक्रोकंट्रोलर GPIO पिन से ड्राइव कर सकता हूं?
A: यह GPIO की वर्तमान सोर्सिंग क्षमता पर निर्भर करता है। 20mA की सामान्य ड्राइव धारा पर, GPIO को कम से कम इतनी आपूर्ति करने में सक्षम होना चाहिए। धारा को सीमित करने के लिए हमेशा एक श्रृंखला रोकनेवाला की आवश्यकता होती है, जिसकी गणना R = (V_supply - V_F) / I के रूप में की जाती है।_F3.3V आपूर्ति और 20mA पर 1.2V V_F के लिए, R = (3.3 - 1.2) / 0.02 = 105 ओम। एक 100 ओम रोकनेवाला एक मानक विकल्प होगा।

Q2: शिखर तरंगदैर्ध्य (λ_p) और प्रमुख तरंगदैर्ध्य (λ_d) के बीच क्या अंतर है?
A: शिखर तरंगदैर्ध्य वर्णक्रमीय शक्ति वितरण वक्र के अधिकतम बिंदु पर तरंगदैर्ध्य है। प्रमुख तरंगदैर्ध्य रंगमिति से प्राप्त होता है और अनुभूत रंग का प्रतिनिधित्व करता है। एकवर्णी IR उत्सर्जकों के लिए, वे आमतौर पर बहुत करीब होते हैं, लेकिन λ_p ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक प्रदर्शन के लिए मानक तकनीकी विशिष्टता है।

Q3: स्पंदित धारा रेटिंग (1A) DC रेटिंग (50mA) से इतनी अधिक क्यों है?
A: यह तापीय सीमाओं के कारण है। एक बहुत छोटे स्पंद (10μs) के दौरान, अर्धचालक जंक्शन के पास उल्लेखनीय रूप से गर्म होने का समय नहीं होता, जिससे अधिकतम जंक्शन तापमान को पार किए बिना बहुत अधिक तात्कालिक धारा की अनुमति मिलती है। DC संचालन में, गर्मी लगातार जमा होती रहती है, इसलिए तापमान को सुरक्षित सीमा के भीतर रखने के लिए धारा को सीमित रखना होता है।

10. व्यावहारिक अनुप्रयोग उदाहरण

उदाहरण 1: सरल IR रिमोट कंट्रोल ट्रांसमीटर। LTE-S9511T-E का उपयोग एक बुनियादी रिमोट में एमिटर के रूप में किया जा सकता है। एक माइक्रोकंट्रोलर एक मॉड्यूलेटेड डिजिटल सिग्नल (जैसे, 38kHz कैरियर) उत्पन्न करता है जो एक कमांड प्रोटोकॉल (जैसे, NEC, RC5) के अनुरूप होता है। यह सिग्नल एक ट्रांजिस्टर को स्विच करता है जो IRED को 1A पीक रेटिंग तक पल्स्ड करंट से ड्राइव करता है, जिससे इन्फ्रारेड प्रकाश के विस्फोट उत्पन्न होते हैं। केंद्रित 25-डिग्री बीम यह सुनिश्चित करने में मदद करता है कि सिग्नल रिसीवर की ओर निर्देशित हो।

उदाहरण 2: प्रॉक्सिमिटी या ऑब्जेक्ट डिटेक्शन सेंसर। एक अलग फोटोट्रांजिस्टर या फोटोडायोड रिसीवर के साथ जोड़कर, इस एमिटर का उपयोग किसी वस्तु की उपस्थिति या अनुपस्थिति का पता लगाने के लिए किया जा सकता है। एमिटर एक गैप के पार आईआर प्रकाश फैलाता है। जब कोई वस्तु बीम को बाधित करती है, तो रिसीवर का सिग्नल गिर जाता है, जिससे एक डिटेक्शन इवेंट ट्रिगर होता है। साइड-व्यू पैकेज कॉम्पैक्ट सेंसर असेंबली डिजाइन करने में फायदेमंद हो सकता है जहां ऑप्टिकल पाथ पीसीबी के समानांतर हो।

11. कार्यशील सिद्धांत

LTE-S9511T-E गैलियम आर्सेनाइड (GaAs) अर्धचालक पदार्थ पर आधारित एक प्रकाश उत्सर्जक डायोड (LED) है। जब P-N जंक्शन पर अग्र वोल्टेज लगाया जाता है, तो इलेक्ट्रॉन और होल सक्रिय क्षेत्र में प्रवेश करते हैं जहाँ वे पुनर्संयोजित होते हैं। GaAs जैसे प्रत्यक्ष बैंडगैप अर्धचालक में, यह पुनर्संयोजन फोटॉन (प्रकाश) के रूप में ऊर्जा मुक्त करता है। पदार्थ की विशिष्ट ऊर्जा बैंडगैप उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य निर्धारित करती है; GaAs के लिए, इसके परिणामस्वरूप लगभग 940nm पर अवरक्त उत्सर्जन होता है। साइड-व्यू लेंस वाटर-क्लियर एपॉक्सी से बना होता है जो अर्धचालक चिप को एनकैप्सुलेट करता है और उत्सर्जित प्रकाश को निर्दिष्ट विकिरण पैटर्न में आकार देता है।

12. उद्योग संदर्भ और रुझान

LTE-S9511T-E जैसे डिस्क्रीट इन्फ्रारेड घटक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत निर्माण खंड बने हुए हैं। जबकि एकीकृत सेंसर मॉड्यूल (एमिटर, डिटेक्टर और लॉजिक को एक पैकेज में संयोजित करना) विशिष्ट अनुप्रयोगों जैसे जेस्चर सेंसिंग के लिए बढ़ रहे हैं, डिस्क्रीट घटक डिज़ाइन लचीलापन, बड़े पैमाने के अनुप्रयोगों के लिए लागत-प्रभावशीलता और ऑप्टिकल पथ को स्वतंत्र रूप से अनुकूलित करने की क्षमता प्रदान करते हैं। उद्योग में रुझानों में लघुरूपण की निरंतर मांग, उच्च दक्षता (प्रति विद्युत इनपुट अधिक ऑप्टिकल आउटपुट), और लीड-मुक्त, उच्च-तापमान सोल्डरिंग प्रक्रियाओं के साथ बढ़ी हुई संगतता शामिल है। इस उपकरण की RoHS और ग्रीन प्रोडक्ट अनुपालन इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग को प्रेरित करने वाले वैश्विक पर्यावरणीय नियमों के अनुरूप है।