इन्फ्रारेड एमिटर और डिटेक्टर डेटाशीट - ट्रांसपेरेंट पैकेजिंग - फॉरवर्ड वोल्टेज 1.6V - रेडिएंट इंटेंसिटी अधिकतम 7.669 mW/sr - हिंदी तकनीकी दस्तावेज़

1. उत्पाद अवलोकन

यह दस्तावेज़ एक मिनिएचर, कम लागत वाले इन्फ्रारेड एमिशन और डिटेक्शन असेंबली के विनिर्देशों का विस्तृत विवरण देता है, जो पारदर्शी प्लास्टिक पैकेजिंग में निर्मित है। डिवाइस को एंड-व्यू एप्लिकेशन के लिए डिज़ाइन किया गया है, जहाँ इसका प्रभावी सेंसिंग/उत्सर्जन क्षेत्र पैकेज के सिरे पर स्थित होता है। इसे विशिष्ट विकिरण तीव्रता और एपर्चर विकिरण घटना रेंज के आधार पर चयनित और ग्रेड किया जाता है, ताकि उन अनुप्रयोगों में सुसंगत प्रदर्शन सुनिश्चित हो सके जिनमें सटीक ऑप्टिकल आउटपुट या संवेदनशीलता की आवश्यकता होती है। पारदर्शी पैकेजिंग इन्फ्रारेड प्रकाश को प्रभावी ढंग से संचारित करते हुए सेमीकंडक्टर चिप को भौतिक सुरक्षा प्रदान करती है।

2. गहन तकनीकी मापदंड विश्लेषण

2.1 पूर्ण अधिकतम रेटिंग

डिवाइस निम्नलिखित पूर्ण सीमाओं के भीतर विश्वसनीय संचालन की गारंटी देता है, इन सीमाओं से परे स्थायी क्षति हो सकती है। इसकी बिजली अपव्यय रेटिंग 90 mW है। पल्स ऑपरेशन मोड में, 300Hz की पल्स आवृत्ति और 10 माइक्रोसेकंड की पल्स चौड़ाई पर, यह 1 एम्पीयर की पीक फॉरवर्ड करंट को सहन कर सकता है। अधिकतम निरंतर फॉरवर्ड करंट 60 mA है। असेंबली 5 वोल्ट तक के रिवर्स वोल्टेज को सहन कर सकती है। ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40°C से +85°C है, और भंडारण तापमान रेंज -55°C से +100°C है। असेंबली के दौरान, लीड्स को 260°C के तापमान पर सोल्डर किया जा सकता है, अधिकतम 5 सेकंड की अवधि के लिए, माप बिंदु पैकेज बॉडी से 1.6mm की दूरी पर है।

2.2 विद्युत एवं प्रकाशीय विशेषताएँ

सभी विद्युत और प्रकाशिक मापदंड परिवेशी तापमान (T_A) 25°C पर निर्दिष्ट हैं। मुख्य मापदंड मानक परीक्षण स्थितियों में डिवाइस के प्रदर्शन को परिभाषित करते हैं।

• एपर्चर विकिरण आपतन (E_e):यह पैरामीटर mW/cm² में व्यक्त किया जाता है और डिटेक्टर के सक्रिय क्षेत्र पर आपतित प्रकाश शक्ति घनत्व को दर्शाता है। परीक्षण स्थिति फॉरवर्ड करंट (I_F) 20mA है। इसका मान ग्रेड के अनुसार वर्गीकृत है, जो न्यूनतम 0.096 mW/cm² (ग्रेड A1) से लेकर विशिष्ट अधिकतम 1.020 mW/cm² (ग्रेड C) तक है।
• विकिरण तीव्रता (I_E):) mW/sr (मिलीवाट प्रति स्टेरेडियन) में व्यक्त की जाती है, जो इन्फ्रारेड एमिटर द्वारा प्रति इकाई ठोस कोण उत्सर्जित प्रकाश शक्ति को परिभाषित करती है। यह भी I_F=20mA स्थिति में परीक्षित है, और इसका मान 0.722 mW/sr (ग्रेड A1) से 7.669 mW/sr (ग्रेड C) तक है।
• शिखर उत्सर्जन तरंगदैर्ध्य (λ_शिखर):इन्फ्रारेड एमिटर का आउटपुट केंद्रीय तरंगदैर्ध्य नाममात्र 940 नैनोमीटर है।
• स्पेक्ट्रल लाइन हाफ-विड्थ (Δλ):आमतौर पर 50 nm का स्पेक्ट्रल बैंडविड्थ, जहां तीव्रता शिखर के कम से कम आधी है, यह दर्शाता है कि यह एक अपेक्षाकृत संकीर्ण-बैंड इन्फ्रारेड स्रोत है।
• फॉरवर्ड वोल्टेज (V_F):20mA करंट चालू होने पर डिवाइस के पार वोल्टेज ड्रॉप का विशिष्ट मान 1.6 वोल्ट है, अधिकतम मान 1.6V है।
• रिवर्स करंट (I_R):5V रिवर्स बायस लगाए जाने पर, अधिकतम लीकेज करंट 100 µA है।
• व्यूइंग एंगल (2θ_1/2):विकिरण तीव्रता 0 डिग्री (अक्षीय) मान के आधे तक कम होने पर कोणीय चौड़ाई 60 डिग्री है। यह बीम पैटर्न या दृश्य क्षेत्र को परिभाषित करता है।

3. ग्रेडिंग प्रणाली विवरण

यह घटक मुख्य रूप से इसकी प्रकाशिक आउटपुट विशेषताओं पर आधारित एक ग्रेडिंग प्रणाली का उपयोग करता है। यह सुनिश्चित करता है कि एक विशिष्ट ग्रेड के भीतर उपकरणों का प्रदर्शन अत्यधिक मेल खाता है, जो उन अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण है जिनमें एकरूपता की आवश्यकता होती है (जैसे सरणियाँ या युग्मित एमिटर-डिटेक्टर प्रणालियाँ)।

• विकिरण तीव्रता / एपर्चर विकिरण आपतन ग्रेडिंग:उपकरणों को A1, A, B, C और D ग्रेड में वर्गीकृत किया गया है। प्रत्येक ग्रेड विकिरण तीव्रता (I_E) और एपर्चर विकिरण आपतन (E_e) के न्यूनतम और विशिष्ट/अधिकतम मानों की सीमा से मेल खाता है। उदाहरण के लिए, C ग्रेड उपकरण, 20mA ड्राइव करंट पर, इसका I_Eमान 3.910 से 7.669 mW/sr के बीच होता है, E_eमान 0.520 से 1.020 mW/cm² के बीच है। यह डिजाइनरों को अनुप्रयोग की आवश्यक प्रकाश शक्ति स्तर के आधार पर घटकों का सटीक चयन करने में सक्षम बनाता है, जिससे सिग्नल शक्ति और सिस्टम प्रदर्शन का अनुकूलन होता है।

4. परफॉर्मेंस कर्व विश्लेषण

डेटाशीट में कई चार्ट शामिल हैं जो विभिन्न परिस्थितियों में डिवाइस के व्यवहार को दर्शाते हैं।

• चित्र 1 - स्पेक्ट्रम वितरण:यह वक्र तरंगदैर्ध्य के साथ सापेक्ष विकिरण तीव्रता में परिवर्तन दर्शाता है। यह 940nm पर शिखर उत्सर्जन और लगभग 50nm की अर्ध-चौड़ाई की पुष्टि करता है, जो अवरक्त आउटपुट की वर्णक्रमीय शुद्धता को समझने में सहायक है।
• चित्र 2 - फॉरवर्ड करंट बनाम परिवेश तापमान:यह ग्राफ परिवेश तापमान में वृद्धि के साथ अधिकतम अनुमत निरंतर फॉरवर्ड करंट में कमी (डेरेशन) को दर्शाता है। यह थर्मल प्रबंधन और डिवाइस को उसके सुरक्षित ऑपरेटिंग क्षेत्र के भीतर चलाने सुनिश्चित करने के लिए महत्वपूर्ण है।
• चित्र 3 - फॉरवर्ड करंट बनाम फॉरवर्ड वोल्टेज:यह करंट-वोल्टेज विशेषता वक्र है। यह लागू फॉरवर्ड वोल्टेज और उत्पन्न करंट के बीच संबंध दर्शाता है, डिवाइस के विशिष्ट टर्न-ऑन वोल्टेज और डायनेमिक प्रतिरोध को उजागर करता है।
• चित्र 4 - सापेक्ष विकिरण तीव्रता बनाम परिवेश तापमान संबंध:यह वक्र दर्शाता है कि प्रकाश आउटपुट शक्ति (20mA और 25°C पर इसके मान के सापेक्ष) तापमान के साथ कैसे बदलती है। आमतौर पर, LED आउटपुट तापमान बढ़ने के साथ घटता है, यह ग्राफ़ इस संबंध को मात्रात्मक रूप से दर्शाता है।
• चित्र 5 - सापेक्ष विकिरण तीव्रता बनाम फॉरवर्ड करंट संबंध:यह ड्राइविंग करंट में परिवर्तन के फलन के रूप में प्रकाश आउटपुट शक्ति को दर्शाता है। यह आमतौर पर सुपरलीनियर संबंध होता है, लेकिन यह वक्र डिजाइनरों को विभिन्न करंट स्तरों पर दक्षता और संतृप्ति बिंदु को समझने में मदद करता है।
• चित्र 6 - विकिरण पैटर्न:यह ध्रुवीय आरेख दृश्य कोण या विकिरण पैटर्न का दृश्य प्रतिनिधित्व करता है। संकेंद्रित वृत्त सापेक्ष तीव्रता दर्शाते हैं (केंद्र में 0 से बाहरी किनारे पर 1.0 तक), और कोणीय रेखाएं वितरण दिखाती हैं। वक्र और 0.5 सापेक्ष तीव्रता वृत्त के प्रतिच्छेदन बिंदु 2θ की पुष्टि करते हैं।_1/2= 60° की स्पेसिफिकेशन।

5. मैकेनिकल और पैकेजिंग जानकारी

5.1 पैकेज आयाम

डिवाइस एक मिनिएचर प्लास्टिक एंड-व्यू पैकेज में आता है। मुख्य आयाम संबंधी नोट्स में शामिल हैं: सभी आयाम मिलीमीटर में हैं (इंच कोष्ठक में); जब तक अन्यथा निर्दिष्ट न हो, मानक सहनशीलता ±0.25mm है; फ्लैंज के नीचे रेजिन का अधिकतम प्रोट्रूजन 1.5mm है; लीड पिच उस स्थान पर मापी जाती है जहां लीड पैकेज बॉडी से बाहर निकलती है। डेटाशीट में सटीक आयामी चित्र संदर्भित हैं, जो कुल लंबाई, बॉडी व्यास, लीड व्यास और पिच को परिभाषित करते हैं, जो पीसीबी पैड डिजाइन के लिए महत्वपूर्ण हैं।

5.2 पोलैरिटी पहचान

रेडियल लीड पैकेज वाले IR एमिटर/डिटेक्टर के लिए, पोलैरिटी आमतौर पर डिवाइस की भौतिक विशेषताओं द्वारा इंगित की जाती है, जैसे पैकेज बॉडी पर एक फ्लैट या एक लीड दूसरी से छोटी होना। विशिष्ट पहचान विधि का विस्तृत पैकेज ड्राइंग के साथ क्रॉस-रेफरेंस किया जाना चाहिए। सही ऑपरेशन के लिए सही पोलैरिटी कनेक्शन महत्वपूर्ण है।

6. वेल्डिंग और असेंबली गाइड

यह घटक मानक वेल्डिंग प्रक्रियाओं के लिए उपयुक्त है। निर्दिष्ट महत्वपूर्ण पैरामीटर पिन वेल्डिंग तापमान है: 260°C, अधिकतम 5 सेकंड, माप बिंदु को पैकेज बॉडी से 1.6 मिमी (0.063 इंच) की दूरी पर परिभाषित किया गया है। यह मार्गदर्शन वेव सोल्डरिंग या हैंड सोल्डरिंग के लिए महत्वपूर्ण है, ताकि आंतरिक सेमीकंडक्टर चिप या प्लास्टिक पैकेज को थर्मल क्षति से बचाया जा सके। रिफ्लो सोल्डरिंग के लिए, समान थर्मल सीमा वाले थ्रू-होल घटकों के लिए मानक तापमान प्रोफ़ाइल का उपयोग किया जाना चाहिए। नमी अवशोषण को रोकने के लिए घटक को निर्दिष्ट -55°C से +100°C तापमान सीमा में, शुष्क वातावरण में संग्रहीत किया जाना चाहिए, जिससे रिफ्लो सोल्डरिंग के दौरान "पॉपकॉर्न" प्रभाव हो सकता है।

7. अनुप्रयोग सुझाव

7.1 विशिष्ट अनुप्रयोग परिदृश्य

यह इन्फ्रारेड एमिटर/डिटेक्टर जोड़ी proximity सेंसिंग, वस्तु पहचान और डेटा ट्रांसमिशन के व्यापक अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है। सामान्य उपयोगों में शामिल हैं:

• वस्तु/प्रॉक्सिमिटी सेंसिंग:वेंडिंग मशीन, प्रिंटर या औद्योगिक उपकरणों में वस्तु की उपस्थिति या अनुपस्थिति का पता लगाने के लिए।
• स्लॉट सेंसर:प्रिंटर में कागज या वैलिडेटर में टिकट का पता लगाने के लिए उपयोग किया जाता है।
• सिंपल डेटा लिंक:रिमोट कंट्रोल या आइसोलेटेड कम्युनिकेशन चैनलों के लिए कम गति, छोटी दूरी की इन्फ्रारेड डेटा ट्रांसमिशन।
• एनकोडर:रोटरी या लीनियर एनकोडर में पोजीशन फीडबैक के लिए उपयोग किया जाता है, जहां एक लाइट इंटरप्टर ट्रांसमीटर और डिटेक्टर के बीच से गुजरता है।

7.2 डिज़ाइन विचार

इस घटक का उपयोग करके डिज़ाइन करते समय, निम्नलिखित कारकों पर विचार किया जाना चाहिए:

• करंट लिमिटिंग:ट्रांसमीटर के लिए, फॉरवर्ड करंट को आवश्यक स्तर (≤60mA निरंतर, ≤1A पल्स) तक सीमित करने के लिए एक रोकनेवाला को श्रृंखला में जोड़ा जाना चाहिए। रोकनेवाला मान की गणना पावर सप्लाई वोल्टेज (V_CC), आवश्यक I_Fऔर विशिष्ट V_Fका उपयोग करके की जाती है (उदाहरण के लिए, R = (V_CC- V_F) / I_F)।
• डिटेक्टर बायस एवं एम्प्लिफिकेशन:फोटोडिटेक्टर को आमतौर पर रिवर्स बायस (अधिकतम 5V) की आवश्यकता होती है, और इसकी आउटपुट धारा बहुत कम होती है (E के साथ_eसंबंधित)। आमतौर पर इस छोटी फोटोकरंट को उपयोगी वोल्टेज सिग्नल में बदलने के लिए एक ट्रांसइम्पीडेंस एम्पलीफायर की आवश्यकता होती है।
• ऑप्टिकल संरेखण:जोड़ीदार ट्रांसमीटर-डिटेक्टर अनुप्रयोगों के लिए, अधिकतम सिग्नल शक्ति प्राप्त करने हेतु सटीक यांत्रिक संरेखण महत्वपूर्ण है। 60 डिग्री का दृष्टिकोण एक निश्चित सहनशीलता प्रदान करता है।
• Ambient Light Suppression:चूंकि यह उपकरण 940nm प्रकाश के प्रति संवेदनशील है, यह सूर्य के प्रकाश या अन्य अवरक्त प्रकाश स्रोतों से प्रभावित हो सकता है। मॉड्यूलेटेड अवरक्त संकेत और सिंक्रोनस डिटेक्शन (जैसे रिमोट कंट्रोल में आम 38kHz वाहक) का उपयोग करके शोर प्रतिरोध क्षमता को काफी बढ़ाया जा सकता है।
• थर्मल प्रबंधन:उच्च तापमान वाले वातावरण में, अधिकतम बिजली खपत से बचने के लिए डेरेटिंग कर्व (चित्र 2) का संदर्भ लेना आवश्यक है।

8. तकनीकी तुलना एवं विभेदीकरण

अन्य इन्फ्रारेड घटकों की तुलना में, इस उपकरण का मुख्य विभेदक इसकापारदर्शी प्लास्टिक पैकेजिंग和सटीक ऑप्टिकल ग्रेडिंग। कई इन्फ्रारेड एलईडी और फोटोडायोड दृश्य प्रकाश को फ़िल्टर करने के लिए रंगीन (जैसे नीला, काला) पैकेजिंग का उपयोग करते हैं, लेकिन इससे आवश्यक इन्फ्रारेड तरंगदैर्ध्य भी थोड़ा कम हो सकता है। पारदर्शी पैकेजिंग 940nm पर उच्चतर संचरण दक्षता प्रदान कर सकती है। विकिरण तीव्रता और आपतन के लिए सख्त ग्रेडिंग पूर्वानुमेय और सुसंगत सिस्टम प्रदर्शन सुनिश्चित करती है, जो उन घटकों से बेहतर है जिनकी ग्रेडिंग नहीं की गई है या ढीली ग्रेडिंग की गई है, जिनका प्रदर्शन विभिन्न इकाइयों के बीच काफी भिन्न हो सकता है। लघु आकार और कम लागत इसे बड़े पैमाने पर उपभोक्ता और वाणिज्यिक अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाती है।

9. सामान्य प्रश्न (तकनीकी मापदंडों पर आधारित)

प्रश्न: एपर्चर विकिरण आपतन (E_e) और विकिरण तीव्रता (I_E) में क्या अंतर है?
उत्तर: E_eयह सतह (डिटेक्टर के सक्रिय क्षेत्र) पर आपतित शक्ति घनत्व (mW/cm²) का माप है। I_Eयह उत्सर्जक की प्रति इकाई ठोस कोण शक्ति आउटपुट (mW/sr) का माप है। दोनों संबंधित हैं, लेकिन क्रमशः डिटेक्टर और उत्सर्जक पक्ष के प्रदर्शन का वर्णन करते हैं।

प्रश्न: क्या मैं उत्सर्जक को सीधे 5V बिजली आपूर्ति से चला सकता हूं?
उत्तर: नहीं। एक विशिष्ट V_F1.6V होने पर, सीधे 5V से जोड़ने से अत्यधिक धारा प्रवाहित होगी और संभवतः LED क्षतिग्रस्त हो जाएगी। एक करंट-लिमिटिंग रेसिस्टर का उपयोग करना आवश्यक है।

प्रश्न: मैं अपने एप्लिकेशन के लिए सही ग्रेड कैसे चुनूं?
उत्तर: आवश्यक सिग्नल शक्ति के आधार पर चुनें। लंबी दूरी या कम परावर्तकता संवेदन के लिए, उच्च ग्रेड (C, D) अधिक प्रकाश शक्ति प्रदान करते हैं। कम दूरी या उच्च संवेदनशीलता वाले डिटेक्टर सर्किट के लिए, निम्न ग्रेड पर्याप्त और अधिक लागत-प्रभावी हो सकते हैं। सिस्टम में कई इकाइयों के बीच एकरूपता भी ग्रेड चुनाव को प्रभावित कर सकती है।

प्रश्न: डिटेक्टर के लिए व्यू एंगल स्पेसिफिकेशन का क्या अर्थ है?
उत्तर: डिटेक्टर के लिए, 60 डिग्री का दृश्य कोण (2θ_1/2) इसके दृश्य क्षेत्र को परिभाषित करता है। अक्ष से ±30 डिग्री शंकु कोण के भीतर आपतित प्रकाश को उचित संवेदनशीलता के साथ पता लगाया जाएगा। इस कोण के बाहर का प्रकाश मूल रूप से नजरअंदाज कर दिया जाता है, जो अवांछित दिशाओं से आने वाले परावर्तित प्रकाश को दबाने में मदद करता है।

10. व्यावहारिक अनुप्रयोग उदाहरण

डिजाइन केस: प्रिंटर पेपर-आउट सेंसर
इस अनुप्रयोग में, इन्फ्रारेड एमिटर और डिटेक्टर पेपर पथ के दोनों ओर स्थापित किए जाते हैं। जब पेपर मौजूद होता है, तो पेपर एमिटर के इन्फ्रारेड बीम को डिटेक्टर पर परावर्तित करता है। जब पेपर ट्रे खाली होती है, तो बीम बिना किसी रुकावट के गुजरती है और डिटेक्टर पर वापस परावर्तित नहीं होती (या एक अलग परावर्तक सतह पर पड़ती है)। डिटेक्टर सर्किट प्राप्त सिग्नल स्तर की निगरानी करता है। एक महत्वपूर्ण डिजाइन चरण उपयुक्त ग्रेड (जैसे ग्रेड B) का चयन करना है, ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि पेपर परावर्तन में भिन्नता के बावजूद, पेपर से परावर्तित सिग्नल "नो-पेपर" स्थिति से विश्वसनीय रूप से अलग करने के लिए पर्याप्त मजबूत हो। एमिटर का ड्राइव करंट एक रोकनेवाला के माध्यम से 20mA पर सेट किया जाता है, जो संदर्भ प्रकाश आउटपुट प्रदान करता है। डिटेक्टर का आउटपुट एक तुलनित्र को दिया जाता है, जिसकी सीमा "पेपर" और "नो-पेपर" वोल्टेज स्तरों के बीच सेट की जाती है। 60 डिग्री का दृश्य कोण यह सुनिश्चित करने में मदद करता है कि प्रिंटर असेंबली के दौरान मामूली गलत संरेखण होने पर भी सेंसर ठीक से काम करे।

11. कार्य सिद्धांत संक्षिप्त परिचय

यह उपकरण दो मुख्य अर्धचालक घटकों से बना है: एक इन्फ्रारेड लाइट एमिटिंग डायोड और एक फोटोडायोड।इन्फ्रारेड LEDयह इलेक्ट्रोल्यूमिनेसेंस के सिद्धांत पर कार्य करता है। जब फॉरवर्ड बायस्ड होता है, तो इलेक्ट्रॉन और होल सेमीकंडक्टर के सक्रिय क्षेत्र में पुनर्संयोजित होते हैं और फोटॉन के रूप में ऊर्जा मुक्त करते हैं। इसकी सामग्री संरचना (आमतौर पर गैलियम आर्सेनाइड आधारित) को इस प्रकार डिज़ाइन किया गया है कि यह फोटॉन ऊर्जा इन्फ्रारेड स्पेक्ट्रम में लगभग 940nm तरंगदैर्ध्य से मेल खाती है।फोटोडायोडविपरीत तरीके से कार्य करता है। सेमीकंडक्टर बैंडगैप से अधिक ऊर्जा वाले आपतित फोटॉन अवशोषित होते हैं, जिससे इलेक्ट्रॉन-होल युग्म उत्पन्न होते हैं। ये आवेश वाहक रिवर्स बायस्ड जंक्शन के आंतरिक विद्युत क्षेत्र द्वारा अलग हो जाते हैं, जिससे आपतित प्रकाश की तीव्रता के समानुपाती एक फोटोकरंट उत्पन्न होता है। पारदर्शी प्लास्टिक एनकैप्सुलेशन एक लेंस और विंडो के रूप में कार्य करता है, जो नाजुक सेमीकंडक्टर चिप की सुरक्षा करते हुए 940nm इन्फ्रारेड विकिरण के कुशल संचरण की अनुमति देता है।

12. प्रौद्योगिकी रुझान और विकास

सेंसिंग के लिए उपयोग किए जाने वाले ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स क्षेत्र में, इस प्रकार के घटकों से संबंधित कई रुझान हैं। एक निरंतर प्रयास हैलघुरूपणकी ओर, जहाँ सतह माउंट डिवाइस पैकेजिंग स्वचालित असेंबली के अनुकूल होने के कारण थ्रू-होल प्रकार की तुलना में अधिक प्रचलित है।उच्च एकीकरणएक और प्रवृत्ति है, जहां ट्रांसमीटर, डिटेक्टर और सिग्नल कंडीशनिंग सर्किट (एम्पलीफायर, कंपेरेटर) को एकल मॉड्यूल में संयोजित किया जाता है, जिससे अंतिम उपयोगकर्ता का डिज़ाइन सरल हो जाता है।सिग्नल-टू-नॉइज़ अनुपात में सुधारऔर परिवेशी प्रकाश दमन की आवश्यकता विशिष्ट तरंगदैर्ध्य बैंड और पैकेजिंग में एकीकृत उन्नत ऑप्टिकल फ़िल्टरिंग तकनीकों के उपयोग को प्रेरित कर रही है। इसके अलावा, IoT और वियरेबल डिवाइस में अनुप्रयोगकम बिजली की खपतघटकों की मांग को प्रेरित कर रहे हैं, साथ ही पर्याप्त संवेदन सीमा और विश्वसनीयता बनाए रखते हुए। हालांकि यह विशिष्ट घटक एक परिपक्व और लागत-प्रभावी समाधान का प्रतिनिधित्व करता है, नए डिज़ाइन आमतौर पर इन विकसित हो रही आवश्यकताओं को शामिल करते हैं।