रिवर्स माउंट SMD ब्लू एलईडी डेटाशीट - EIA पैकेज - वोल्टेज 2.8-3.8V - ल्यूमिनस इंटेंसिटी 28-180mcd - हिंदी तकनीकी दस्तावेज़

1. उत्पाद अवलोकन

यह दस्तावेज़ एक उच्च चमक, रिवर्स माउंटेड सरफेस माउंट डिवाइस (SMD) लाइट एमिटिंग डायोड (LED) के विनिर्देशों का विस्तृत वर्णन करता है। यह उपकरण इंडियम गैलियम नाइट्राइड (InGaN) सेमीकंडक्टर चिप का उपयोग करके नीला प्रकाश उत्पन्न करता है और इलेक्ट्रॉनिक इंडस्ट्रीज एलायंस (EIA) मानक के अनुरूप एक पारदर्शी लेंस के भीतर एनकैप्सुलेटेड है। यह स्वचालित असेंबली प्रक्रियाओं के लिए डिज़ाइन किया गया है और इन्फ्रारेड रिफ्लो सोल्डरिंग के साथ संगत है। प्रमुख उत्पाद विशेषताओं में RoHS निर्देश का अनुपालन, हरित उत्पाद के रूप में वर्गीकरण, और उच्च इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) थ्रेशोल्ड शामिल हैं।

2. गहन तकनीकी मापदंड विश्लेषण

2.1 पूर्ण अधिकतम रेटिंग

डिवाइस की परिचालन सीमाएं 25°C के परिवेश तापमान (Ta) की स्थिति में परिभाषित की गई हैं। इन रेटिंग से अधिक होने पर स्थायी क्षति हो सकती है।

• पावर डिसिपेशन (Pd):76 mW। यह वह अधिकतम शक्ति है जिसे पैकेज लगातार ऊष्मा के रूप में अपव्ययित कर सकता है।
• पीक फॉरवर्ड करंट (I_FP):100 mA. यह धारा केवल 1/10 ड्यूटी साइकिल और 0.1 ms पल्स चौड़ाई वाली पल्स स्थितियों में अनुमति है, ताकि अत्यधिक गर्म होने से रोका जा सके।
• निरंतर अग्र धारा (I_F):20 mA. दीर्घकालिक विश्वसनीय प्रदर्शन सुनिश्चित करने के लिए यह अनुशंसित अधिकतम DC कार्यकारी धारा है।
• इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) थ्रेशोल्ड:8000 V (ह्यूमन बॉडी मॉडल)। यह उच्च रेटिंग इंगित करती है कि डिवाइस में प्रोसेसिंग के दौरान इलेक्ट्रोस्टैटिक्स के खिलाफ मजबूत सुरक्षा क्षमता है।
• ऑपरेटिंग तापमान रेंज (T_opr):-20°C से +80°C। यह डिवाइस परिवेश के तापमान की इस सीमा के भीतर सामान्य रूप से कार्य कर सकता है।
• भंडारण तापमान सीमा (T_stg):-30°C से +100°C तक।
• इन्फ्रारेड रीफ्लो सोल्डरिंग शर्तें:260°C पीक तापमान को 10 सेकंड तक सहन कर सकता है, लीड-फ्री (Pb-free) असेंबली प्रक्रिया के लिए उपयुक्त।

2.2 विद्युत एवं प्रकाशीय विशेषताएँ

विशिष्ट प्रदर्शन Ta=25°C और I_F=20 mA की स्थितियों में मापा गया है, जब तक कि अन्यथा निर्दिष्ट न हो।

• दीप्ति तीव्रता (I_V):28.0 - 180.0 mcd (मिलीकैंडेला)। CIE फोटोपिक प्रतिक्रिया वक्र से फ़िल्टर किए गए सेंसर का उपयोग करके मापा गया। यह विस्तृत श्रेणी बिनिंग के माध्यम से प्रबंधित की जाती है।
• दृष्टिकोण (2θ)_1/2):130 डिग्री। यह वह पूर्ण कोण है जिस पर प्रकाश की तीव्रता अपने अक्षीय (केंद्रीय) मान की आधी हो जाती है, जो एक विस्तृत प्रकाशन पैटर्न को इंगित करता है।
• शिखर उत्सर्जन तरंगदैर्ध्य (λ_P):468 nm। यह स्पेक्ट्रम का सबसे मजबूत विशिष्ट तरंगदैर्ध्य आउटपुट है।
• प्रमुख तरंगदैर्ध्य (λ_d):465.0 - 475.0 nm। यह CIE क्रोमैटिसिटी डायग्राम से प्राप्त, रंग को परिभाषित करने के लिए उपयोग किया जाने वाला, मानव आँख द्वारा अनुभव किया जाने वाला एकल तरंगदैर्ध्य है।
• स्पेक्ट्रल लाइन हाफ-विड्थ (Δλ):25 nm. यह उत्सर्जन स्पेक्ट्रम की अधिकतम तीव्रता के आधे पर बैंडविड्थ (फुल विड्थ हाफ मैक्सिमम - FWHM) है।
• फॉरवर्ड वोल्टेज (V_F):2.80 - 3.80 V (I_F=20 mA पर)। LED के चालू होने पर इसके सिरों पर वोल्टेज ड्रॉप।
• रिवर्स वोल्टेज (V_R):0.6 - 1.2 V (at I_R=20 mA). This is for test conditions only; the device is not designed for reverse bias operation.

3. ग्रेडिंग प्रणाली विवरण

To ensure color and brightness consistency in production, devices are sorted into different bins based on key parameters. The part number typically contains a code specifying its bin.

3.1 Forward Voltage Binning

इकाई वोल्ट (V) में है, 20 mA पर मापी गई। प्रत्येक ग्रेड की सहनशीलता ±0.1V है।
ग्रेड D7: 2.80 - 3.00V
गियर D8: 3.00 - 3.20V
गियर D9: 3.20 - 3.40V
गियर D10: 3.40 - 3.60V
गियर D11: 3.60 - 3.80V

3.2 Luminous Intensity Binning

इकाई मिलिकैंडेला (mcd), 20 mA पर मापी गई। प्रत्येक ग्रेड की सहनशीलता ±15% है।
ग्रेड N: 28.0 - 45.0 mcd
ग्रेड P: 45.0 - 71.0 mcd
ग्रेड Q: 71.0 - 112.0 mcd
रेंज R: 112.0 - 180.0 mcd

3.3 प्रमुख तरंगदैर्ध्य ग्रेडिंग

इकाई नैनोमीटर (nm) में है, 20 mA पर मापी गई। प्रत्येक रेंज की सहनशीलता ±1nm है।
रेंज AC: 465.0 - 470.0 nm
AD बैंड: 470.0 - 475.0 nm

4. प्रदर्शन वक्र विश्लेषण

डेटाशीट डिज़ाइन के लिए महत्वपूर्ण विशिष्ट परफॉर्मेंस कर्व का संदर्भ देती है। हालांकि विशिष्ट चार्ट्स पाठ में पुन: प्रस्तुत नहीं किए गए हैं, लेकिन उनमें आम तौर पर शामिल हैं:

• सापेक्ष चमक तीव्रता बनाम अग्र धारा (I_V/ I_Fवक्र):यह दर्शाता है कि प्रकाश उत्पादन धारा में वृद्धि के साथ कैसे बदलता है, आमतौर पर एक गैर-रैखिक संबंध दिखाता है और उच्च धारा पर संतृप्ति की ओर प्रवृत्त होता है।
• अग्र वोल्टेज बनाम अग्र धारा (V_F/ I_Fवक्र):डायोड की I-V विशेषता प्रदर्शित करना, करंट-लिमिटिंग सर्किट डिजाइन के लिए महत्वपूर्ण है।
• सापेक्ष चमक तीव्रता बनाम परिवेश तापमान:यह प्रदर्शित करना कि जंक्शन तापमान बढ़ने पर प्रकाश उत्पादन कैसे कम होता है, यह थर्मल प्रबंधन का एक महत्वपूर्ण कारक है।
• स्पेक्ट्रम वितरण:468 nm शिखर तरंगदैर्ध्य पर केंद्रित, 25 nm पूर्ण चौड़ाई आधी अधिकतम (FWHM) के साथ, विभिन्न तरंगदैर्ध्य पर सापेक्ष शक्ति वितरण दर्शाने वाला आरेख।

5. यांत्रिक और पैकेजिंग जानकारी

5.1 डिवाइस आयाम

यह एलईडी मानक ईआईए पैकेज आकृति के अनुरूप है। सभी आयाम मिलीमीटर में हैं, और मानक सहनशीलता ±0.10 मिमी है, जब तक कि अन्यथा निर्दिष्ट न हो। पैकेज रिवर्स माउंट डिज़ाइन का उपयोग करता है, जिसका अर्थ है कि मुख्य प्रकाश पीसीबी पर लगे सब्सट्रेट की ओर से उत्सर्जित होता है, जो पीसीबी पैड लेआउट और प्रकाशीय डिज़ाइन को प्रभावित करता है।

5.2 अनुशंसित सोल्डर पैड लेआउट

PCB के लिए सही सोल्डरिंग, यांत्रिक स्थिरता और ताप अपव्यय सुनिश्चित करने हेतु अनुशंसित पैड पैटर्न (फुटप्रिंट आयाम) प्रदान किया गया है। रिफ्लो प्रक्रिया के दौरान विश्वसनीय सोल्डर जोड़ प्राप्त करने के लिए इस पैटर्न का पालन करना अत्यंत महत्वपूर्ण है।

5.3 ध्रुवीयता पहचान

सभी डायोड की तरह, LED में एनोड (+) और कैथोड (-) होते हैं। असेंबली के दौरान सही पोलैरिटी का ध्यान रखना आवश्यक है। डेटाशीट के फुटप्रिंट ड्रॉइंग में डिवाइस पर पोलैरिटी मार्किंग दर्शाई गई है, जिसे PCB पैड पैटर्न पर संबंधित मार्किंग के साथ संरेखित किया जाना चाहिए।

6. सोल्डरिंग और असेंबली गाइड

6.1 रीफ्लो वेल्डिंग प्रोफाइल

Lead-free process ke liye suggested infrared (IR) reflow profile pradaan kiya gaya hai. Mukhya parameters shamil hain:
- Preheating:150-200°C.
- Preheating time:अधिकतम 120 सेकंड, ताकि सर्किट बोर्ड और घटकों को धीरे-धीरे गर्म किया जा सके, फ्लक्स सक्रिय हो और थर्मल शॉक न्यूनतम रहे।
- पीक तापमान:अधिकतम 260°C.
- लिक्विडस लाइन से ऊपर का समय:वक्र यह सुनिश्चित करना चाहिए कि सोल्डर पेस्ट ठीक से पिघल जाए। घटक 10 सेकंड तक की चरम तापमान सहन कर सकते हैं, और रीफ्लो सोल्डरिंग अधिकतम दो बार की जानी चाहिए।

ध्यान दें:इष्टतम वक्र विशिष्ट PCB डिज़ाइन, सोल्डर पेस्ट और ओवन पर निर्भर करता है। विशिष्ट अनुप्रयोग के लिए विशेषता विश्लेषण करने की सिफारिश की जाती है।

6.2 मैन्युअल वेल्डिंग

यदि हैंड सोल्डरिंग आवश्यक है (जैसे कि रिपेयर), तो 300°C से अधिक तापमान वाले सोल्डरिंग आयरन का उपयोग न करें। प्रत्येक सोल्डर जोड़ को अधिकतम 3 सेकंड तक सीमित रखें और पैकेज क्षति को रोकने के लिए केवल एक बार ही सोल्डर करें।

6.3 भंडारण की शर्तें

नमी अवशोषण को रोकने के लिए उचित भंडारण महत्वपूर्ण है, जिससे रिफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रिया के दौरान "पॉपकॉर्न" प्रभाव (पैकेज दरार) हो सकता है।
- सीलबंद पैकेजिंग:30°C से कम या बराबर और 90% से कम सापेक्ष आर्द्रता (RH) पर संग्रहित करें। एक वर्ष के भीतर उपयोग करें।
- खोला गया पैकेज:नमी-रोधी बैग से निकाले गए घटकों को 30°C या 60% RH से अधिक के वातावरण में संग्रहित नहीं किया जाना चाहिए। 672 घंटे (28 दिन, MSL 2a) के भीतर इन्फ्रारेड रीफ्लो सोल्डरिंग पूरी करने की सिफारिश की जाती है।
- दीर्घकालिक भंडारण (खोला गया):सीलबंद कंटेनर या नाइट्रोजन ड्रायर में डिसिकेंट के साथ संग्रहित करें।
- पुनः बेकिंग:यदि घटक 672 घंटे से अधिक समय तक उजागर रहा है, तो सोल्डरिंग से पहले लगभग 60°C पर कम से कम 20 घंटे तक बेक करें।

6.4 सफाई

अनिर्दिष्ट रसायनों का उपयोग न करें। यदि सोल्डरिंग के बाद सफाई की आवश्यकता हो, तो LED को कमरे के तापमान पर इथेनॉल या आइसोप्रोपिल अल्कोहल में एक मिनट से अधिक न डुबोएं। प्रबल विलायक पैकेजिंग सामग्री या लेंस को क्षतिग्रस्त कर सकते हैं।

7. पैकेजिंग और आर्डर जानकारी

7.1 टेप और रील विनिर्देश

यह डिवाइस 8mm चौड़ी एम्बॉस्ड कैरियर टेप में पैक किया जाता है, जो 7 इंच (178mm) व्यास की रील पर लपेटा जाता है। यह स्वचालित प्लेसमेंट मशीनों के लिए एक मानक प्रारूप है।
- प्रति रील मात्रा: 3000.
- न्यूनतम पैकेजिंग मात्रा:शेष मात्रा न्यूनतम 500 टुकड़े।
- Cover Tape:The empty positions on the carrier tape are sealed with top cover tape.
- Missing Component:रील विनिर्देश के अनुसार, अधिकतम दो लगातार लापता एलईडी (खाली स्थान) की अनुमति है।
- मानक:पैकेजिंग ANSI/EIA-481 विनिर्देश के अनुरूप है।

8. अनुप्रयोग विवरण और डिज़ाइन विचार

8.1 अपेक्षित उपयोग

यह LED सामान्य इलेक्ट्रॉनिक उपकरण अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है, जिसमें कार्यालय उपकरण, संचार उपकरण और घरेलू उपकरण शामिल हैं। पूर्व परामर्श और प्रमाणन के बिना, यह उन सुरक्षा-महत्वपूर्ण अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त नहीं है जहां विफलता जीवन या स्वास्थ्य को खतरे में डाल सकती है (उदाहरण के लिए, विमानन, चिकित्सा जीवन समर्थन, यातायात सुरक्षा प्रणाली)।

8.2 सर्किट डिज़ाइन

बाहरी करंट-सीमित रोकनेवाला या स्थिर-धारा ड्राइव सर्किट का उपयोग करना आवश्यक है। फॉरवर्ड वोल्टेज की एक सीमा (2.8-3.8V) होती है, इसलिए डिज़ाइन एक निश्चित V मानकर नहीं चलना चाहिए।_F। सर्किट को सभी परिचालन स्थितियों (बिजली आपूर्ति भिन्नता और तापमान प्रभावों को ध्यान में रखते हुए) में I को सीमित करने के लिए डिज़ाइन किया जाना चाहिए।_F20 mA DC या उससे कम तक सीमित करना चाहिए।

8.3 थर्मल प्रबंधन

हालांकि पैकेज 76 mW का अपव्यय कर सकता है, कम जंक्शन तापमान बनाए रखने के लिए PCB पैड के माध्यम से प्रभावी ऊष्मा अपव्यय महत्वपूर्ण है। उच्च जंक्शन तापमान प्रकाश उत्पादन (ल्यूमेन डिप्रेशन) को कम करता है और कार्यशील आयु को छोटा करता है। सुनिश्चित करें कि PCB लेआउट पर्याप्त थर्मल वाया और कॉपर क्षेत्र प्रदान करता है, विशेष रूप से उच्च परिवेश तापमान या अधिकतम धारा के निकट कार्य करते समय।

8.4 ESD रोकथाम उपाय

8000V HBM की उच्च रेटिंग होने के बावजूद, इन उपकरणों को संभालते समय हमेशा मानक ESD हैंडलिंग रोकथाम उपायों का पालन करना चाहिए। ग्राउंडेड रिस्ट स्ट्रैप, एंटीस्टैटिक मैट और ठीक से ग्राउंडेड उपकरणों का उपयोग करें।

9. तकनीकी तुलना एवं विभेदीकरण

इस उपकरण में अपनी श्रेणी में कई महत्वपूर्ण लाभ हैं:
1. रिवर्स माउंट डिज़ाइन:यह अद्वितीय ऑप्टिकल एकीकरण की अनुमति देता है, जहाँ प्रकाश PCB पर लगे हुए किनारे से उत्सर्जित होता है, जिससे पतले उत्पाद डिज़ाइन या विशिष्ट लाइट गाइड युग्मन संभव होते हैं।
2. उच्च चमक (180 mcd तक):छोटे पैकेज से उच्च प्रकाश तीव्रता प्रदान करता है, जो उच्च दृश्यता की आवश्यकता वाले संकेतक प्रकाश अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।
3. विस्तृत दृश्य कोण (130°):एक विस्तृत, समान प्रकाश व्यवस्था प्रदान करता है, जो बैकलिट पैनल या स्टेटस इंडिकेटर के लिए बहुत उपयुक्त है जिन्हें कई कोणों से देखा जाता है।
4. मजबूत ESD सुरक्षा:8000V HBM रेटिंग विशिष्ट उद्योग स्तर से अधिक है, जो मजबूत प्रसंस्करण और अनुप्रयोग दृढ़ता प्रदान करती है।
5. लीड-फ्री रीफ्लो अनुकूलता:260°C शिखर तापमान रेटिंग प्रमाणन के माध्यम से, मानक लीड-मुक्त असेंबली प्रक्रियाओं के लिए उपयुक्त।

10. सामान्य प्रश्न (FAQ)

प्रश्न: शिखर तरंगदैर्ध्य और प्रमुख तरंगदैर्ध्य में क्या अंतर है?
उत्तर: शिखर तरंगदैर्ध्य (λ_P=468 nm) वह भौतिक बिंदु है जहाँ वर्णक्रमीय उत्सर्जन सर्वोच्च होता है। प्रमुख तरंगदैर्ध्य (λ_d=465-475 nm) मानव आँख के रंग बोध (CIE चार्ट) पर आधारित एक गणना मूल्य है, जो आपके द्वारा देखे जाने वाले "नीले" रंग को परिभाषित करता है।

प्रश्न: क्या मैं इस LED को बिना रोकनेवाला (रेसिस्टर) के 3.3V बिजली आपूर्ति से चला सकता हूँ?
उत्तर: नहीं। फॉरवर्ड वोल्टेज 2.8V से 3.8V के बीच भिन्न होता है। यदि V_F3.3V से कम है, तो इसे सीधे 3.3V से जोड़ने से अत्यधिक करंट प्रवाहित हो सकता है, जिससे LED क्षतिग्रस्त हो सकती है। करंट सीमित करने वाली व्यवस्था का उपयोग अवश्य करें।

प्रश्न: स्टोरेज सेक्शन में "MSL 2a" का क्या अर्थ है?
उत्तर: मॉइस्चर सेंसिटिविटी लेवल (MSL) 2a का अर्थ है कि रिफ्लो सोल्डरिंग से पहले बेकिंग की आवश्यकता होने तक, यह घटक फैक्ट्री फ्लोर कंडीशन (≤30°C/60% RH) में 4 सप्ताह (672 घंटे) तक एक्सपोज किया जा सकता है।

प्रश्न: क्या यह LED 20 mA पर निरंतर संचालन के लिए उपयुक्त है?
उत्तर: हाँ, 20 mA रेटेड निरंतर DC फॉरवर्ड करंट है। हालाँकि, दीर्घकालिक विश्वसनीयता सुनिश्चित करने के लिए जंक्शन तापमान को सुरक्षित सीमा के भीतर बनाए रखने के लिए PCB के माध्यम से थर्मल प्रबंधन महत्वपूर्ण है।

11. डिज़ाइन एवं उपयोग केस स्टडी

दृश्य: फिल्म स्विच पैनल बैकलाइट
डिजाइनर को एक बड़े घुमावदार फिल्म स्विच पैनल के लिए समान नीली बैकलाइट प्रदान करने की आवश्यकता है। इस LED का रिवर्स माउंट डिजाइन आदर्श है। LED को फ्लेक्सिबल PCB (फ्लेक्स बोर्ड) पर रखा गया है, जिसका प्रकाश-उत्सर्जक सतह नीचे की ओर लाइट गाइड लेयर की ओर है। 130 डिग्री का व्यूइंग एंगल सुनिश्चित करता है कि प्रकाश लाइट गाइड लेयर में समान रूप से फैलता है। डिजाइनर आवश्यक चमक प्राप्त करने के लिए उच्च ल्यूमिनस इंटेंसिटी रेंज (जैसे Q ग्रेड या R ग्रेड) से ग्रेड का चयन करता है, और पूरे पैनल पर रंग एकरूपता सुनिश्चित करने के लिए सख्त डोमिनेंट वेवलेंथ ग्रेड (जैसे AC या AD) निर्दिष्ट करता है। स्वचालित टेप और रील पैकेजिंग पिक-एंड-प्लेस मशीन द्वारा त्वरित और विश्वसनीय प्लेसमेंट की सुविधा देती है। उच्च ESD रेटिंग फ्लेक्सिबल सर्किट हैंडलिंग के दौरान सुरक्षा प्रदान करती है।

12. तकनीकी सिद्धांत परिचय

यह एलईडी InGaN अर्धचालक प्रौद्योगिकी पर आधारित है। प्रकाश उत्सर्जक डायोड में, प्रकाश इलेक्ट्रोल्यूमिनेसेंस नामक प्रक्रिया के माध्यम से उत्पन्न होता है। जब अर्धचालक (InGaN) के p-n जंक्शन पर एक फॉरवर्ड वोल्टेज लगाया जाता है, तो n-प्रकार क्षेत्र से इलेक्ट्रॉन और p-प्रकार क्षेत्र से होल सक्रिय क्षेत्र में इंजेक्ट किए जाते हैं। जब ये इलेक्ट्रॉन और होल पुनर्संयोजित होते हैं, तो वे फोटॉन (प्रकाश) के रूप में ऊर्जा मुक्त करते हैं। प्रकाश की विशिष्ट तरंगदैर्ध्य (रंग) अर्धचालक सामग्री के बैंडगैप ऊर्जा द्वारा निर्धारित होती है। InGaN का बैंडगैप स्पेक्ट्रम के नीले और हरे क्षेत्रों में प्रकाश उत्पन्न करने के लिए उपयुक्त है। "पारदर्शी" लेंस आमतौर पर एपॉक्सी या सिलिकॉन से बना होता है, जिसे अर्धचालक चिप के अंदर उत्पन्न प्रकाश को प्रभावी ढंग से निकालने के लिए डिज़ाइन किया गया है।

13. Industry Trends and Development

SMD LED बाजार उच्च दक्षता, छोटे पैकेजिंग और उच्च एकीकरण की ओर निरंतर विकास कर रहा है। इस प्रकार के उपकरणों से संबंधित रुझानों में शामिल हैं:
1. दक्षता वृद्धि (lm/W):एपिटैक्सियल विकास और चिप डिज़ाइन में निरंतर सुधार प्रति यूनिट विद्युत शक्ति पर अधिक प्रकाश उत्पादन सक्षम करते हैं, जिससे ऊर्जा खपत और तापीय भार कम होता है।
2. लघुरूपण:छोटे टर्मिनल उत्पादों की मांग एलईडी पैकेजिंग आकार को लगातार कम करने के लिए प्रेरित कर रही है, साथ ही प्रकाश उत्पादन को बनाए रखते हुए या बढ़ाते हुए।
3. रंग एकरूपता में सुधार:निर्माण नियंत्रण में प्रगति और अधिक परिष्कृत बिनिंग रणनीतियों ने उत्पादन बैचों में रंग सहनशीलता को कम किया है, जो बहु-एलईडी सरणियों के लिए बहुत महत्वपूर्ण है।
4. विश्वसनीयता वृद्धि:एनकैप्सुलेशन सामग्री (जैसे उच्च तापमान सिलिकॉन) और चिप माउंटिंग तकनीक में सुधार ने लंबे कार्य जीवन और प्रतिकूल पर्यावरणीय परिस्थितियों में बेहतर प्रदर्शन लाया है।
5. स्मार्ट एकीकरण:हालांकि यह एक अलग घटक है, लेकिन व्यापक प्रवृत्ति एकीकृत मॉड्यूल की ओर है, जो LED को ड्राइवर, नियंत्रक और सेंसर के साथ एकल पैकेज में जोड़ती है।