LTW-C230DS रिवर्स माउंट SMD LED डेटाशीट - InGaN व्हाइट लाइट - 20mA - 72mW - हिंदी तकनीकी दस्तावेज़

1. उत्पाद अवलोकन

यह दस्तावेज़ एक उच्च चमक, रिवर्स माउंट सरफेस माउंट डिवाइस (SMD) LED की संपूर्ण तकनीकी विशिष्टताएँ प्रदान करता है। यह घटक स्वचालित असेंबली प्रक्रियाओं के लिए डिज़ाइन किया गया है और RoHS तथा ग्रीन उत्पाद मानकों का अनुपालन करता है। इसका मुख्य अनुप्रयोग उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, कार्यालय उपकरण और संचार उपकरणों में विश्वसनीय, कॉम्पैक्ट प्रकाश व्यवस्था की आवश्यकता वाले बैकलाइट और संकेतक कार्यों के लिए है।

2. गहन तकनीकी मापदंड विश्लेषण

2.1 पूर्ण अधिकतम रेटिंग

दीर्घकालिक विश्वसनीयता सुनिश्चित करने के लिए, यह उपकरण कठोर पर्यावरणीय और विद्युत सीमाओं के भीतर काम करने के लिए सीमित है। पूर्ण अधिकतम रेटिंग उस सीमा को परिभाषित करती है जिसके परे स्थायी क्षति हो सकती है।

• शक्ति खपत:72 mW। यह एलईडी पैकेज द्वारा किसी भी कार्य स्थिति में ऊष्मा के रूप में अपव्यय की जा सकने वाली अधिकतम शक्ति है।
• पीक फॉरवर्ड करंट:100 mA। यह करंट केवल 1/10 ड्यूटी साइकिल और 0.1 ms पल्स चौड़ाई की पल्स स्थितियों में अनुमत है, जो आमतौर पर संक्षिप्त परीक्षण या विशिष्ट ड्राइव परिदृश्यों के लिए उपयोग किया जाता है।
• डीसी फॉरवर्ड करंट:20 mA। यह मानक संचालन के तहत अनुशंसित निरंतर फॉरवर्ड करंट है, जो चमक और जीवनकाल के बीच संतुलन बनाता है।
• कार्य तापमान सीमा:-30°C से +85°C। एलईडी को इस परिवेश तापमान सीमा के भीतर सामान्य रूप से कार्य करने के लिए डिज़ाइन किया गया है।
• भंडारण तापमान सीमा:-55°C से +105°C। इस सीमा में भंडारित करने पर डिवाइस के प्रदर्शन में गिरावट नहीं होती है।
• इन्फ्रारेड सोल्डरिंग शर्तें:260°C, 10 सेकंड के लिए। यह मानक इन्फ्रारेड रीफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रिया के दौरान LED द्वारा सहन किए जा सकने वाले शिखर तापमान और अवधि को परिभाषित करता है।

महत्वपूर्ण ध्यान देने योग्य बातें:यह डिवाइस रिवर्स वोल्टेज बायस के तहत काम करने के लिए डिज़ाइन नहीं किया गया है। निरंतर रिवर्स वोल्टेज लगाने से तत्काल विफलता हो सकती है।

2.2 विद्युत और प्रकाशीय विशेषताएँ

ये पैरामीटर 25°C के परिवेश तापमान (Ta) पर मापे गए हैं, जो LED के विशिष्ट प्रदर्शन को परिभाषित करते हैं।

• दीप्त तीव्रता (Iv):20 mA अग्र धारा (IF) पर, यह 180 - 450 mcd (मिलीकैंडेला) होती है। व्यक्तिगत यूनिट का मापा गया मान इस सीमा के भीतर होता है और बिनिंग कोड के माध्यम से वर्गीकृत किया जाता है।
• दृश्य कोण (2θ1/2):130 डिग्री। यह विस्तृत दृश्य कोण लैम्बर्ट या निकट-लैम्बर्ट उत्सर्जन पैटर्न को इंगित करता है, जो क्षेत्र प्रकाश व्यवस्था के लिए उपयुक्त है।
• वर्णिकता निर्देशांक (x, y):विशिष्ट मान x=0.294, y=0.286 (IF=20mA पर मापा गया) हैं। CIE 1931 वर्णिकता आरेख पर ये निर्देशांक LED के श्वेत बिंदु को परिभाषित करते हैं। इन निर्देशांकों की सहनशीलता ±0.02 है।
• अग्र वोल्टेज (VF):IF=20mA पर, 2.8 - 3.6 वोल्ट। LED के संचालन के दौरान वोल्टेज ड्रॉप, ड्राइव सर्किट डिजाइन के लिए।
• रिवर्स करंट (IR):5V के रिवर्स वोल्टेज (VR) पर, अधिकतम 10 μA। यह परीक्षण स्थिति केवल विशेषता वर्णन के लिए है; डिवाइस को रिवर्स बायस में संचालित नहीं किया जाना चाहिए।

मापन विवरण:दीप्त तीव्रता को CIE फोटोपिक प्रतिक्रिया वक्र के लिए कैलिब्रेट किए गए उपकरण का उपयोग करके मापा जाता है। क्षति को रोकने के लिए संचालन के दौरान इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) सुरक्षा उपाय अपनाने चाहिए।

3. ग्रेडिंग प्रणाली विवरण

बड़े पैमाने पर उत्पादन में स्थिरता सुनिश्चित करने के लिए, LED को उनके प्रदर्शन के आधार पर बिन किया जाता है। यह डिजाइनरों को विशिष्ट वोल्टेज, चमक और रंग आवश्यकताओं को पूरा करने वाले घटकों का चयन करने में सक्षम बनाता है।

3.1 फॉरवर्ड वोल्टेज (VF) ग्रेडिंग

LED को 20mA पर उसके फॉरवर्ड वोल्टेज के आधार पर वर्गीकृत किया जाता है। प्रत्येक ग्रेड की सहनशीलता ±0.1V है।

• D7:2.80V - 3.00V
• D8:3.00V - 3.20V
• D9:3.20V - 3.40V
• D10:3.40V - 3.60V

3.2 ल्यूमिनस इंटेंसिटी (IV) ग्रेडिंग

LED को उनके न्यूनतम प्रकाश उत्पादन के आधार पर ग्रेड किया जाता है, प्रत्येक ग्रेड के भीतर ±15% सहनशीलता होती है।

• S ग्रेड:180 mcd - 280 mcd
• T ग्रेड:280 mcd - 450 mcd

3.3 ह्यू (रंग) ग्रेडिंग

सफेद बिंदु रंग निर्देशांक CIE 1931 आरेख पर विशिष्ट चतुर्भुज क्षेत्रों में परिभाषित किए गए हैं, जिन्हें S1, S2, S3 और S4 के रूप में चिह्नित किया गया है। प्रत्येक ग्रेड की सटीक (x, y) निर्देशांक सीमाएँ हैं, जिनकी सहनशीलता ±0.01 है। यह प्रणाली घटक में कई एलईडी के रंग की एकरूपता सुनिश्चित करती है।

4. प्रदर्शन वक्र विश्लेषण

हालांकि डेटाशीट में विशिष्ट ग्राफिकल वक्रों का उल्लेख किया गया है (उदाहरण के लिए, चित्र 6 व्यूिंग एंगल वक्र है), लेकिन डिजाइन के लिए उनकी व्याख्या महत्वपूर्ण है।

• IV वक्र (करंट बनाम वोल्टेज):यह वक्र गैर-रैखिक है। निर्दिष्ट फॉरवर्ड वोल्टेज (VF) विशिष्ट कार्यशील धारा (20mA) पर मान है। एलईडी को कम धारा पर चलाने से कम VF होगा, और इसके विपरीत। यह एक स्थिर धारा ड्राइवर डिजाइन करने के लिए महत्वपूर्ण है।
• प्रकाश तीव्रता बनाम धारा (LI-I वक्र):एक निश्चित सीमा के भीतर, प्रकाश उत्पादन लगभग अग्र धारा के समानुपाती होता है। अधिकतम DC धारा (20mA) से अधिक होने पर आउटपुट अस्थायी रूप से बढ़ सकता है, लेकिन इससे जीवनकाल तेजी से कम हो जाता है और विनाशकारी विफलता हो सकती है।
• तापमान निर्भरता:LED प्रदर्शन तापमान के प्रति संवेदनशील होता है। आम तौर पर, अग्र वोल्टेज जंक्शन तापमान बढ़ने के साथ घटता है, और प्रकाश दक्षता (प्रति वाट विद्युत शक्ति प्रकाश उत्पादन) भी कम हो जाती है। निर्दिष्ट पैरामीटर 25°C पर मापे गए हैं; उच्च तापमान वातावरण में डीरेटिंग की आवश्यकता हो सकती है।

5. यांत्रिक एवं पैकेजिंग जानकारी

5.1 पैकेज आयाम

यह LED रिवर्स माउंट घटकों के लिए EIA मानक पैकेज आकृति का अनुपालन करता है। जब तक अन्यथा न कहा गया हो, महत्वपूर्ण आयाम सहिष्णुता ±0.10mm है। पैकेज में पीला लेंस है और आंतरिक रूप से InGaN सेमीकंडक्टर चिप से सील किया गया है।

5.2 ध्रुवीयता पहचान

एक रिवर्स माउंट घटक के रूप में, ध्रुवीयता (एनोड/कैथोड) पैकेज संरचना या कैरियर टेप पर चिह्न द्वारा इंगित की जाती है। सर्किट कार्यक्षमता के लिए माउंटिंग के दौरान सही अभिविन्यास महत्वपूर्ण है।

5.3 अनुशंसित पैड लेआउट

रिफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रिया के दौरान अच्छे सोल्डर जोड़ों, यांत्रिक स्थिरता और ताप प्रबंधन को सुनिश्चित करने के लिए अनुशंसित पैड पैटर्न (पैकेज आयाम) प्रदान किए गए हैं। इस लेआउट का पालन करने से टॉम्बस्टोनिंग को कम से कम किया जा सकता है और विश्वसनीयता में सुधार हो सकता है।

6. सोल्डरिंग एवं असेंबली गाइड

6.1 रीफ्लो सोल्डरिंग तापमान प्रोफाइल

यह एलईडी इन्फ्रारेड (आईआर) रीफ्लो प्रक्रिया के साथ संगत है। JEDEC मानक के अनुरूप अनुशंसित तापमान प्रोफ़ाइल प्रदान की गई है।

• प्रीहीटिंग:150°C से 200°C.
• प्रीहीटिंग समय:समान तापन और सोल्डर पेस्ट सक्रियण के लिए अधिकतम 120 सेकंड।
• पीक तापमान:अधिकतम 260°C.
• लिक्विडस तापमान से ऊपर का समय (पीक पर):अधिकतम 10 सेकंड। घटक को इस शिखर तापमान का सामना दो बार से अधिक नहीं करना चाहिए।

ध्यान दें:वास्तविक तापमान प्रोफ़ाइल को विशिष्ट PCB डिज़ाइन, सोल्डर पेस्ट और उपयोग किए गए ओवन के आधार पर चरित्रित किया जाना चाहिए।

6.2 हैंड सोल्डरिंग (यदि आवश्यक हो)

यदि हैंड सोल्डरिंग की आवश्यकता है, तो अत्यधिक सावधानी बरतनी चाहिए:

• सोल्डरिंग आयरन तापमान:अधिकतम 300°C।
• वेल्डिंग समय:प्रत्येक पैड के लिए अधिकतम 3 सेकंड।
• आवृत्ति:एपॉक्सी लेंस और सेमीकंडक्टर चिप को तापीय क्षति से बचाने के लिए केवल एक वेल्डिंग चक्र की अनुमति है।

6.3 भंडारण की शर्तें

आर्द्रता संवेदनशीलता SMD घटकों का एक महत्वपूर्ण कारक है।

• सीलबंद पैकेजिंग:≤30°C और ≤90% RH की स्थितियों में संग्रहित करें। पैकेजिंग तिथि के एक वर्ष के भीतर उपयोग करें।
• खोला गया पैकेज:≤30°C और ≤60% RH की स्थितियों में संग्रहित करें। घटकों को एक्सपोजर के 672 घंटे (28 दिन) के भीतर इन्फ्रारेड रीफ्लो सोल्डरिंग के लिए उपयोग किया जाना चाहिए। लंबे समय तक भंडारण के लिए, ड्रायर युक्त सील कंटेनर या नाइट्रोजन ड्राय कैबिनेट का उपयोग करें। एक सप्ताह से अधिक समय तक एक्सपोज किए गए घटकों को सोल्डरिंग से पहले कम से कम 20 घंटे के लिए 60°C पर बेक किया जाना चाहिए।

6.4 सफाई

LED पैकेज या लेंस को नुकसान से बचाने के लिए केवल निर्दिष्ट क्लीनर का उपयोग करें।

• अनुशंसित सॉल्वेंट:एथेनॉल या आइसोप्रोपिल अल्कोहल।
• चरण:यदि सफाई आवश्यक हो, तो कृपया कमरे के तापमान पर एक मिनट से कम समय के लिए भिगोएं।
• परहेज करें:अनिर्दिष्ट रासायनिक तरल पदार्थों का उपयोग।

7. पैकेजिंग और आर्डर जानकारी

7.1 कैरियर टेप और रील विनिर्देश

LED स्वचालित प्लेसमेंट मशीनों के लिए उपयुक्त उद्योग-मानक पैकेजिंग में आपूर्ति की जाती है।

• कैरियर टेप:चौड़ाई 8 मिमी।
• रील व्यास:7 इंच।
• प्रति रील मात्रा:3000 पीस।
• न्यूनतम आदेश मात्रा (शेष के लिए):500 पीस।
• कैविटी कवर:खाली स्थान को कवर टेप से सील किया जाता है।
• घटक अनुपस्थित:ANSI/EIA 481 विनिर्देश के अनुसार, अधिकतम दो LED की निरंतर अनुपस्थिति की अनुमति है।

8. अनुप्रयोग नोट और डिजाइन विचार

8.1 अपेक्षित उपयोग

यह LED सामान्य इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए डिज़ाइन किया गया है, जिसमें ऑफिस ऑटोमेशन उपकरण, संचार उपकरण और घरेलू उपकरण शामिल हैं। यह उन सुरक्षा-महत्वपूर्ण अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त नहीं है जहां विफलता जीवन या स्वास्थ्य को खतरे में डाल सकती है (उदाहरण के लिए, एविएशन, चिकित्सा जीवन समर्थन)। ऐसे अनुप्रयोगों के लिए, उच्च विश्वसनीयता ग्रेड उत्पाद प्राप्त करने के लिए निर्माता से परामर्श करना आवश्यक है।

8.2 सर्किट डिज़ाइन

• करंट लिमिटिंग:फॉरवर्ड करंट को 20mA DC या उससे कम पर सीमित करने के लिए सीरीज़ रेसिस्टर या कॉन्स्टेंट-करंट ड्राइवर का उपयोग अवश्य करें। सीधे वोल्टेज स्रोत से न जोड़ें।
• थर्मल मैनेजमेंट:हालांकि पावर डिसिपेशन कम है (72mW), पैड के आसपास पर्याप्त PCB कॉपर फ़ॉयल एरिया सुनिश्चित करना हीट डिसिपेशन में मदद करता है, खासकर उच्च परिवेश तापमान पर या अधिकतम करंट पर चलाते समय।
• ESD प्रोटेक्शन:यदि LED एक्सपोज़्ड लोकेशन पर है (जैसे, फ्रंट पैनल इंडिकेटर), तो इनपुट लाइनों पर ESD प्रोटेक्शन जोड़ें। असेंबली के दौरान ESD सुरक्षित संचालन प्रक्रियाओं का पालन अवश्य करें।

8.3 ऑप्टिकल डिज़ाइन

• 130 डिग्री का व्यापक दृश्य कोण अच्छी ऑफ-एक्सिस दृश्यता प्रदान करता है, जो इसे उन स्थिति संकेतकों के लिए उपयुक्त बनाता है जिन्हें विभिन्न कोणों से देखने की आवश्यकता होती है।
• बैकलाइट अनुप्रयोगों के लिए, पूरी सतह पर समान प्रकाश व्यवस्था प्राप्त करने के लिए लाइट गाइड प्लेट या डिफ्यूज़र की आवश्यकता हो सकती है।

9. तकनीकी तुलना एवं विभेदीकरण

इस घटक की प्रमुख विभेदक विशेषता इसकीरिवर्स माउंटडिज़ाइन औरInGaN-आधारित सफेद प्रकाश उत्सर्जन।

• रिवर्स माउंट बनाम टॉप व्यू:रिवर्स माउंट (या बॉटम व्यू) एलईडी सब्सट्रेट के माध्यम से प्रकाश उत्सर्जित करती है, जहाँ प्रकाश माउंट सतह के विपरीत दिशा से निकलता है। यह उन अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है जहाँ एलईडी पीसीबी के नीचे स्थापित की जाती है और प्रकाश को एक छिद्र या लाइट गाइड प्लेट के माध्यम से चमकना होता है, जिससे एक चिकनी, समतल उपस्थिति प्राप्त होती है।
• InGaN व्हाइट लाइट टेक्नोलॉजी:InGaN (इंडियम गैलियम नाइट्राइड) अर्धचालक का उपयोग नीला प्रकाश उत्पन्न करने के लिए किया जाता है। सफेद प्रकाश आमतौर पर नीले चिप पर पीले फॉस्फर को लेपित करके प्राप्त किया जाता है। यह तकनीक पुरानी तकनीकों की तुलना में उच्च दक्षता, अच्छी रंग प्रतिपादन क्षमता और लंबी आयु प्रदान करती है।
• RoHS और ग्रीन कंप्लायंस:यह उपकरण सीसा, पारा आदि प्रतिबंधित खतरनाक पदार्थों से मुक्त है, जो पर्यावरणीय नियमों वाले वैश्विक बाजारों के लिए उपयुक्त है।

10. सामान्य प्रश्न (FAQ)

10.1 क्या मैं इस LED को बिना रेसिस्टर के 3.3V पावर स्रोत से चला सकता हूँ?

No.फॉरवर्ड वोल्टेज रेंज 2.8V से 3.6V है। 3.3V पावर स्रोत को सीधे कई यूनिट्स (विशेष रूप से D7 या D8 वोल्टेज बिन वाली) से जोड़ने से करंट 20mA से अधिक हो सकता है, जिससे तेजी से गिरावट या विफलता हो सकती है। करंट-लिमिटिंग रेसिस्टर या करंट रेगुलेटर हमेशा आवश्यक है।

10.2 पैकेजिंग बैग पर बिनिंग कोड का क्या अर्थ है?

बिन कोड उस विशिष्ट बैच के LED के प्रदर्शन समूह को दर्शाता है। इसमें आमतौर पर ल्यूमिनस इंटेंसिटी (IV), फॉरवर्ड वोल्टेज (VF) और ह्यू (रंग) के कोड शामिल होते हैं। उदाहरण के लिए, कोड "T-D8-S2" हो सकता है, जो T ल्यूमिनेंस बिन, D8 वोल्टेज बिन और S2 कलर बिन को दर्शाता है। यह रंग या चमक के लिए सख्त आवश्यकताओं वाले अनुप्रयोगों के लिए सटीक चयन की अनुमति देता है।

10.3 क्रोमैटिसिटी डायग्राम और S1-S4 बिनिंग की व्याख्या कैसे करें?

CIE 1931 डायग्राम एक रंग मानचित्र है। डेटाशीट में (x, y) निर्देशांक (जैसे, 0.294, 0.286) एक बिंदु को प्लॉट करते हैं जो LED के सफेद प्रकाश का प्रतिनिधित्व करता है। S1-S4 बिनिंग इस मानचित्र पर परिभाषित क्षेत्र (चतुर्भुज) हैं। किसी दिए गए बिन के सभी LED के क्रोमैटिसिटी निर्देशांक उसके विशिष्ट क्षेत्र के भीतर गिरेंगे, जिससे विभिन्न यूनिटों के बीच दृश्य रंग मिलान सुनिश्चित होता है।

10.4 भंडारण आर्द्रता इतनी महत्वपूर्ण क्यों है?

SMD पैकेज हवा से नमी अवशोषित करते हैं। उच्च-तापमान रिफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रिया के दौरान, यह अवशोषित नमी तेजी से भाप में बदल जाती है, जिससे पैकेज के अंदर दबाव पैदा होता है। इससे "पॉपकॉर्न" प्रभाव हो सकता है - एपॉक्सी लेंस या चिप अटैच परत के अंदर परतों का अलग होना या दरार पड़ना, जिससे तत्काल विफलता या दीर्घकालिक विश्वसनीयता में कमी आ सकती है। भंडारण दिशानिर्देश अत्यधिक नमी अवशोषण को रोकने के लिए हैं।

11. व्यावहारिक अनुप्रयोग उदाहरण

11.1 PCB स्टेटस इंडिकेटर डिज़ाइन करना

परिदृश्य:एक माइक्रोकंट्रोलर-आधारित सर्किट बोर्ड को एक पावर-ऑन इंडिकेटर की आवश्यकता है। LED को PCB के नीचे की ओर स्थापित किया जाएगा, एक छोटे ड्रिल होल के माध्यम से ऊपर की ओर प्रकाश उत्सर्जित करते हुए।

1. घटक चयन:अच्छी दृश्यता के लिए, "T" चमक ग्रेड के LED का चयन करें। डिज़ाइन को सरल बनाने के लिए, मध्यम वोल्टेज ग्रेड जैसे "D8" या "D9" चुनें। जब तक किसी विशिष्ट सफेद रंग के लिए कोई सख्त आवश्यकता न हो, रंग ग्रेड के लिए मानक ग्रेड चुना जा सकता है।
2. स्कीमैटिक डिज़ाइन:LED एनोड (करंट-लिमिटिंग रेसिस्टर के माध्यम से) को माइक्रोकंट्रोलर के एक GPIO पिन से कनेक्ट करें जिसे आउटपुट के रूप में कॉन्फ़िगर किया गया है। LED कैथोड को ग्राउंड से कनेक्ट करें। करंट-लिमिटिंग रेसिस्टर के लिए फुटप्रिंट रखें।
3. करंट-लिमिटिंग रेसिस्टर गणना:मान लें कि माइक्रोकंट्रोलर पावर सप्लाई (Vcc) 3.3V है, D8 ग्रेड से विशिष्ट VF 3.2V है, और वांछित IF 15mA है (लंबी लाइफटाइम और कम बिजली खपत के लिए)।
   R = (Vcc - VF) / IF = (3.3V - 3.2V) / 0.015A = 6.67 Ω। निकटतम मानक मान का उपयोग करें, उदाहरण के लिए 6.8 Ω। रेटेड पावर सत्यापित करें: P = I²R = (0.015)² * 6.8 = 0.00153W, इसलिए एक मानक 1/10W (0.1W) रेसिस्टर पर्याप्त से अधिक है।
4. PCB लेआउट:एलईडी को बॉटम लेयर पर रखें। डेटाशीट में अनुशंसित पैड आकार का उपयोग करें। सुनिश्चित करें कि टॉप लेयर सोल्डर मास्क पर प्रकाश उत्सर्जन के लिए खुला क्षेत्र एलईडी के प्रकाश उत्सर्जक क्षेत्र के साथ संरेखित हो। यदि पैड बड़े ग्राउंड/पावर प्लेन से जुड़े हैं, तो कुछ छोटे थर्मल रिलीफ कनेक्शन प्रदान करें।
5. असेंबली:इन्फ्रारेड रीफ्लो तापमान प्रोफाइल दिशानिर्देशों का पालन करें। असेंबली के बाद, सोल्डर जोड़ों का नेत्रहीन निरीक्षण करें।

12. कार्य सिद्धांत

इस एलईडी का प्रकाश उत्सर्जन InGaN सामग्री से बने सेमीकंडक्टर p-n जंक्शन में इलेक्ट्रोलुमिनिसेंस पर आधारित है। जब जंक्शन के अंतर्निहित विभव से अधिक फॉरवर्ड वोल्टेज लगाया जाता है, तो n-टाइप क्षेत्र से इलेक्ट्रॉन और p-टाइप क्षेत्र से होल सक्रिय क्षेत्र में इंजेक्ट होते हैं। वहां, वे पुनर्संयोजित होते हैं और फोटॉन के रूप में ऊर्जा मुक्त करते हैं। InGaN परत की विशिष्ट संरचना मुख्य उत्सर्जन तरंगदैर्ध्य (नीला) निर्धारित करती है। सफेद प्रकाश उत्पन्न करने के लिए, नीले प्रकाश का एक हिस्सा चिप पर लगे सेरियम-डोप्ड यिट्रियम एल्यूमीनियम गार्नेट (YAG:Ce) फॉस्फर द्वारा अवशोषित कर लिया जाता है और एक व्यापक स्पेक्ट्रम पीले प्रकाश के रूप में पुनः उत्सर्जित किया जाता है। शेष नीले प्रकाश और परिवर्तित पीले प्रकाश का मिश्रण मानव आंख द्वारा सफेद के रूप में माना जाता है।

13. प्रौद्योगिकी रुझान

सॉलिड-स्टेट लाइटिंग उद्योग निरंतर विकसित हो रहा है। इस प्रकार के घटकों से संबंधित सामान्य रुझानों में शामिल हैं:

• दक्षता वृद्धि (लुमेन प्रति वाट):एपिटैक्सियल विकास, चिप डिज़ाइन और फॉस्फर तकनीक में निरंतर सुधार समान विद्युत इनपुट पर उच्च प्रकाश उत्पादन को संचालित करते हैं, जिससे ऊर्जा खपत कम होती है।
• रंग गुणवत्ता सुधार:मानक सफेद बिंदु से परे उच्च कलर रेंडरिंग इंडेक्स (CRI) मान और अधिक सटीक रंग ट्यूनिंग प्राप्त करने के लिए बहु-फॉस्फर मिश्रण और नई अर्धचालक संरचनाओं (जैसे क्वांटम डॉट्स) का विकास।
• लघुरूपण:छोटे, अधिक सघन इलेक्ट्रॉनिक्स की मांग एलईडी पैकेजिंग आकार के निरंतर कम होने को प्रेरित कर रही है, जबकि प्रकाशीय प्रदर्शन को बनाए रखा या सुधारा जा रहा है।
• बढ़ी हुई विश्वसनीयता और आयु:पैकेजिंग सामग्री, चिप बॉन्डिंग विधियों और फॉस्फर स्थिरता में प्रगति एलईडी के कार्यशील जीवन और विश्वसनीयता को बढ़ा रही है, विशेष रूप से उच्च तापमान और उच्च आर्द्रता की स्थितियों में।
• बुद्धिमान एकीकरण:एक बढ़ता हुआ रुझान नियंत्रण सर्किट (ड्राइवर, सेंसर) को सीधे एलईडी चिप के साथ या पैकेजिंग के भीतर एकीकृत करना है, जिससे बुद्धिमान प्रकाश व्यवस्था कार्यक्षमता प्राप्त होती है।