SMD LED LTST-S115KGKFKT-5A डेटाशीट - साइड लुकिंग ड्यूल कलर (ग्रीन/ऑरेंज) - 5mA - अंग्रेजी तकनीकी दस्तावेज़

1. उत्पाद अवलोकन

यह दस्तावेज़ LTST-S115KGKFKT-5A के लिए पूर्ण तकनीकी विशिष्टताएं प्रदान करता है, जो एक साइड-लुकिंग, ड्यूल-कलर सरफेस-माउंट डिवाइस (SMD) लाइट एमिटिंग डायोड (LED) है। यह घटक एक ही पैकेज के भीतर दो अलग-अलग सेमीकंडक्टर चिप्स को एकीकृत करता है: एक हरे प्रकाश का उत्सर्जन करने वाला और दूसरा नारंगी प्रकाश का उत्सर्जन करने वाला। इसे ऐसे अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है जिनमें कॉम्पैक्ट, विश्वसनीय और चमकीले संकेतक लाइट्स या बैकलाइटिंग की आवश्यकता होती है, जहां स्थान की कमी होती है और एक ही घटक स्थान से कई रंग स्थितियों की आवश्यकता होती है।

LED दोनों चिप्स के लिए उन्नत अल्युमिनियम इंडियम गैलियम फॉस्फाइड (AlInGaP) सेमीकंडक्टर तकनीक का उपयोग करता है, जो उच्च दीप्तिमान दक्षता और उत्कृष्ट रंग शुद्धता उत्पन्न करने के लिए जानी जाती है। डिवाइस एक मानक EIA-अनुपालन पैकेज में रखा गया है, जो इसे स्वचालित पिक-एंड-प्लेस असेंबली उपकरण और उच्च-मात्रा इलेक्ट्रॉनिक्स विनिर्माण में उपयोग की जाने वाली मानक इन्फ्रारेड (IR) रीफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रियाओं के साथ संगत बनाता है। उत्पाद RoHS (रेस्ट्रिक्शन ऑफ हैजरडस सब्सटेंसेज) निर्देशों का अनुपालन करता है, जो इसे एक ग्रीन उत्पाद के रूप में वर्गीकृत करता है।

2. पूर्ण अधिकतम रेटिंग्स

पूर्ण अधिकतम रेटिंग्स उन तनाव सीमाओं को परिभाषित करती हैं जिनके परे डिवाइस को स्थायी क्षति हो सकती है। ये रेटिंग्स 25°C के परिवेश तापमान (Ta) पर निर्दिष्ट हैं और पैकेज के भीतर हरे और नारंगी दोनों चिप्स के लिए समान हैं।

• शक्ति अपव्यय (Pd): प्रति चिप अधिकतम 75 mW। इस सीमा से अधिक होने पर अत्यधिक गर्मी और विनाशकारी विफलता हो सकती है।
• शिखर अग्र धारा (I_FP): 80 mA अधिकतम। यह रेटिंग 1/10 ड्यूटी साइकिल और 0.1 ms पल्स चौड़ाई वाली पल्स्ड स्थितियों के तहत लागू होती है। इसे निरंतर DC संचालन के लिए उपयोग नहीं किया जाना चाहिए।
• DC Forward Current (I_F): निरंतर संचालन के लिए 30 mA अधिकतम। विश्वसनीय दीर्घकालिक प्रदर्शन के लिए यह अनुशंसित अधिकतम धारा है।
• Operating Temperature Range: -30°C to +85°C. The device is designed to function within this ambient temperature range.
• Storage Temperature Range: -40°C से +85°C. ये सीमाओं के भीतर डिवाइस को बिना क्षति के संग्रहित किया जा सकता है।
• इन्फ्रारेड सोल्डरिंग स्थिति: रीफ्लो सोल्डरिंग के दौरान पैकेज 260°C के शिखर तापमान को अधिकतम 10 सेकंड तक सहन कर सकता है, जो लीड-मुक्त (Pb-free) असेंबली प्रक्रियाओं के लिए विशिष्ट है।

3. Electrical and Optical Characteristics

निम्नलिखित मापदंड Ta=25°C पर अग्र धारा (I) 5 mA के साथ मापे जाते हैं, जब तक कि अन्यथा न कहा गया हो। ये डिवाइस की सामान्य प्रदर्शन क्षमता को दर्शाते हैं।_F3.1 दीप्त तीव्रता और दृश्य कोण

3.1 दीप्त तीव्रता और दृश्य कोण

• ग्रीन चिप ल्यूमिनस इंटेंसिटी (I_V): न्यूनतम 9.0 mcd, विशिष्ट मान निर्दिष्ट नहीं, अधिकतम 22.4 mcd.
• ऑरेंज चिप ल्यूमिनस इंटेंसिटी (I_V): न्यूनतम 11.2 mcd, विशिष्ट मान निर्दिष्ट नहीं, अधिकतम 28.0 mcd.
• व्यूइंग एंगल (2θ_1/2): दोनों रंगों के लिए 120 डिग्री (सामान्य)। देखने का कोण उस पूर्ण कोण के रूप में परिभाषित किया गया है जिस पर दीप्त तीव्रता, केंद्रीय अक्ष (0°) पर मापी गई तीव्रता की आधी होती है। यह व्यापक देखने का कोण साइड-लुकिंग LED पैकेजों की विशेषता है।

3.2 Spectral Characteristics

• ग्रीन चिप पीक वेवलेंथ (λ_P): 575 nm (typical).
• ऑरेंज चिप पीक वेवलेंथ (λ_P): 611 nm (typical).
• ग्रीन चिप डॉमिनेंट वेवलेंथ (λ_d): I=5mA पर 567.5 nm (न्यूनतम) से 576.5 nm (अधिकतम) तक होता है।_Fप्रमुख तरंगदैर्ध्य वह एकल तरंगदैर्ध्य है जिसे मानव आँख द्वारा अनुभव किया जाता है और जो रंग को परिभाषित करता है।
• Orange Chip Dominant Wavelength (λ_d): I=5mA पर 600.5 nm (न्यूनतम) से 612.5 nm (अधिकतम) तक होता है।_F=5mA.
• स्पेक्ट्रल लाइन हाफ-विड्थ (Δλ): हरे रंग के लिए लगभग 20 nm (सामान्य) और नारंगी के लिए 17 nm (सामान्य)। यह पैरामीटर उत्सर्जित प्रकाश की स्पेक्ट्रल शुद्धता को दर्शाता है।

3.3 विद्युत पैरामीटर्स

• फॉरवर्ड वोल्टेज (V_F): हरे और नारंगी दोनों चिप्स के लिए, V_F I पर 1.7 V (न्यूनतम) से 2.4 V (अधिकतम) तक होता है_F=5mA.
• रिवर्स करंट (I_R): दोनों चिप्स के लिए अधिकतम 10 μA जब रिवर्स वोल्टेज (V_R5V का वोल्टेज लगाया जाता है। महत्वपूर्ण नोट: यह LED रिवर्स बायस के तहत संचालन के लिए डिज़ाइन नहीं है। I_R परीक्षण केवल विशेषता निर्धारण के लिए है; सर्किट में रिवर्स वोल्टेज लगाने से डिवाइस क्षतिग्रस्त हो सकता है।

4. बिनिंग सिस्टम स्पष्टीकरण

चमक और रंग में एकरूपता सुनिश्चित करने के लिए, एलईडी को मापी गई चमकदार तीव्रता और प्रमुख तरंगदैर्ध्य के आधार पर बिन में वर्गीकृत किया जाता है। यह डिजाइनरों को ऐसे भागों का चयन करने की अनुमति देता है जो एकरूपता के लिए विशिष्ट अनुप्रयोग आवश्यकताओं को पूरा करते हैं।

4.1 चमकदार तीव्रता बिनिंग

Green Chip: Binned at I_F=5mA.
- Bin Code KL: 9.0 mcd (Min) से 14.0 mcd (Max).
- Bin Code LM: 14.0 mcd (Min) से 22.4 mcd (Max).
प्रत्येक तीव्रता बिन के भीतर सहनशीलता +/-15% है।

Orange Chip: Binned at I_F=5mA.
- Bin Code L: 11.2 mcd (Min) से 18.0 mcd (Max).
- Bin Code M: 18.0 mcd (Min) से 28.0 mcd (Max).
प्रत्येक तीव्रता बिन के भीतर सहनशीलता +/-15% है।

4.2 Dominant Wavelength Binning

Green Chip: Binned at I_F=5mA.
- Bin Code C: 567.5 nm से 570.5 nm.
- Bin Code D: 570.5 nm से 573.5 nm तक।
- Bin Code E: 573.5 nm से 576.5 nm तक।
प्रत्येक तरंगदैर्ध्य बिन की सहनशीलता +/- 1 nm है।

Orange Chip: Binned at I_F=5mA.
- Bin Code P: 600.5 nm से 603.5 nm तक।
- Bin Code Q: 603.5 nm से 606.5 nm तक।
- Bin Code R: 606.5 nm से 609.5 nm.
- Bin Code S: 609.5 nm से 612.5 nm.
प्रत्येक तरंगदैर्ध्य बिन की सहनशीलता +/- 1 nm है।

5. Performance Curve Analysis

The datasheet references typical performance curves which are essential for understanding device behavior under different conditions. While the specific graphs are not reproduced in text, their implications are critical for design.

• फॉरवर्ड करंट बनाम फॉरवर्ड वोल्टेज (I-V कर्व): यह वक्र एलईडी से प्रवाहित होने वाली धारा और उसके पार वोल्टेज ड्रॉप के बीच संबंध दर्शाता है। यह गैर-रैखिक है, जो एक डायोड की विशिष्ट विशेषता है। डिज़ाइनर इसे किसी दिए गए आपूर्ति वोल्टेज के लिए वांछित ऑपरेटिंग करंट (जैसे, 5mA या 30mA DC तक) प्राप्त करने हेतु उपयुक्त करंट-लिमिटिंग रेसिस्टर मान निर्धारित करने के लिए उपयोग करते हैं।
• ल्यूमिनस इंटेंसिटी बनाम फॉरवर्ड करंट: यह ग्राफ दर्शाता है कि कैसे प्रकाश उत्पादन धारा के साथ बढ़ता है। यह सामान्यतः अनुशंसित संचालन सीमा के भीतर रैखिक होता है, लेकिन बहुत अधिक धारा पर संतृप्त हो जाएगा। यह आवश्यक चमक के लिए ड्राइव धारा का चयन करने में सहायता करता है।
• Luminous Intensity vs. Ambient Temperature: एलईडी का प्रकाश उत्पादन जंक्शन तापमान बढ़ने के साथ घटता है। उच्च तापमान वाले वातावरण में काम करने वाले अनुप्रयोगों के लिए यह वक्र इसलिए महत्वपूर्ण है ताकि पर्याप्त चमक बनाए रखी जा सके।
• Spectral Distribution: ये वक्र तरंगदैर्ध्य के विरुद्ध सापेक्ष विकिरण शक्ति को आलेखित करते हैं, जो शिखर और प्रमुख तरंगदैर्ध्य तथा वर्णक्रमीय अर्ध-चौड़ाई दर्शाते हैं, जिससे रंग की शुद्धता की पुष्टि होती है।

6. Mechanical and Package Information

6.1 पैकेज आयाम और पिन असाइनमेंट

डिवाइस एक मानक EIA पैकेज फुटप्रिंट का उपयोग करता है। विशिष्ट आयामी चित्र PCB (प्रिंटेड सर्किट बोर्ड) लैंड पैटर्न डिजाइन के लिए महत्वपूर्ण माप प्रदान करता है। पिन असाइनमेंट इस प्रकार है: ऑरेंज चिप के लिए कैथोड पिन C1 से जुड़ा है, और ग्रीन चिप के लिए कैथोड पिन C2 से जुड़ा है। कॉमन एनोड आमतौर पर चित्र में परिभाषित अन्य पिन होता है। असेंबली के दौरान सही पोलैरिटी का पालन किया जाना चाहिए।

6.2 सुझाया गया सोल्डरिंग पैड लेआउट

रिफ्लो के दौरान विश्वसनीय सोल्डर जोड़ बनाने के लिए एक अनुशंसित सोल्डर पैड फुटप्रिंट प्रदान किया गया है। इन आयामों का पालन करने से टॉम्बस्टोनिंग (एक छोर पर घटक का खड़ा होना) को रोकने में मदद मिलती है और उचित वेटिंग तथा यांत्रिक शक्ति सुनिश्चित होती है।

7. सोल्डरिंग और असेंबली दिशानिर्देश

7.1 रीफ्लो सोल्डरिंग प्रोफाइल

लीड-मुक्त असेंबली प्रक्रियाओं के लिए एक विस्तृत सुझाई गई आईआर रीफ्लो प्रोफाइल प्रदान की गई है। मुख्य पैरामीटर में शामिल हैं:
- प्री-हीट ज़ोन: 150-200°C तक धीरे-धीरे बढ़ाएँ।
- सोक/प्री-हीट समय: अधिकतम 120 सेकंड।
- शीर्ष तापमान: अधिकतम 260°C.
- द्रवीय अवस्था से ऊपर का समय (TAL): शिखर तापमान के 5°C के भीतर का समय सीमित होना चाहिए, आमतौर पर पूर्ण रेटिंग के अनुसार अधिकतम 10 सेकंड तक।
महत्वपूर्ण टिप्पणी: डेटाशीट स्पष्ट रूप से बताती है कि 245°C से कम चरम तापमान वाले सोल्डरिंग प्रोफाइल अपर्याप्त हो सकते हैं, जब तक कि PCB पर टिन प्लेटिंग न हो, जो लीड-मुक्त सोल्डर के साथ उचित सोल्डर जोड़ बनाने के लिए पर्याप्त तापीय ऊर्जा की आवश्यकता को रेखांकित करती है।

7.2 Hand Soldering

यदि हाथ से सोल्डरिंग आवश्यक है, तो इसे तापमान-नियंत्रित आयरन से किया जाना चाहिए।
- आयरन तापमान: अधिकतम 300°C।
- सोल्डरिंग समय: प्रति जोड़ अधिकतम 3 सेकंड।
- Frequency: LED पैकेज या वायर बॉन्ड्स को थर्मल स्ट्रेस क्षति से बचाने के लिए यह कार्य केवल एक बार किया जाना चाहिए।

7.3 सफाई

यदि सोल्डरिंग के बाद सफाई की आवश्यकता हो, तो केवल निर्दिष्ट सॉल्वेंट्स का ही उपयोग करना चाहिए। डेटाशीट सामान्य कमरे के तापमान पर LED को एक मिनट से कम समय के लिए एथिल अल्कोहल या आइसोप्रोपिल अल्कोहल में डुबाने की सिफारिश करती है। अनिर्दिष्ट रसायनों का उपयोग प्लास्टिक लेंस या पैकेज सामग्री को नुकसान पहुंचा सकता है।

8. पैकेजिंग और हैंडलिंग

8.1 टेप और रील विनिर्देश

एलईडी को 7-इंच (178mm) व्यास की रीलों पर उद्योग-मानक 8mm वाहक टेप में आपूर्ति की जाती है। यह पैकेजिंग स्वचालित एसएमडी असेंबली उपकरणों के साथ संगत है।
- Quantity per Reel: 3000 pieces.
- Minimum Pack Quantity: 500 pieces for remainder quantities.
पैकेजिंग ANSI/EIA-481 विनिर्देशों का पालन करती है। टेप में खाली पॉकेट्स को एक कवर टेप से सील किया जाता है।

8.2 भंडारण की स्थितियाँ

सोल्डर क्षमता और प्रदर्शन बनाए रखने के लिए उचित भंडारण महत्वपूर्ण है।
- सीलबंद पैकेज: ≤30°C और ≤90% सापेक्ष आर्द्रता (RH) पर संग्रहित करें। मूल नमी-रोधी बैग में डिसिकेंट के साथ संग्रहित करने पर, घटक डेट कोड की तारीख से एक वर्ष तक उपयोग योग्य हैं।
- खुला हुआ पैकेज: यदि नमी रोधी बैग खोला जाता है, तो संग्रहण का परिवेश 30°C / 60% RH से अधिक नहीं होना चाहिए। घटकों को एक्सपोजर के एक सप्ताह के भीतर IR रीफ्लो सोल्डरिंग के अधीन किया जाना चाहिए। लंबे समय तक एक्सपोजर के लिए, अवशोषित नमी को हटाने और "पॉपकॉर्निंग" (रीफ्लो के दौरान पैकेज क्रैकिंग) को रोकने के लिए असेंबली से पहले लगभग 60°C पर कम से कम 20 घंटे बेकिंग की सिफारिश की जाती है।

8.3 इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ईएसडी) सावधानियाँ

AlInGaP एलईडी इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज के प्रति संवेदनशील हैं। हैंडलिंग संबंधी सावधानियाँ बरतनी चाहिए:
- ग्राउंडेड कलाई पट्टियाँ या एंटी-स्टैटिक दस्ताने का उपयोग करें।
- सुनिश्चित करें कि सभी वर्कस्टेशन, उपकरण और सामग्री ठीक से ग्राउंडेड हैं।
ESD-सुरक्षित पैकेजिंग में घटकों का परिवहन और भंडारण करें।

9. अनुप्रयोग सुझाव और डिज़ाइन विचार

विशिष्ट अनुप्रयोग: यह द्वि-रंगी, पार्श्व-उत्सर्जक एलईडी उन स्थान-सीमित अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है जहाँ स्थिति संकेतन आवश्यक है। उदाहरणों में शामिल हैं:
- उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, नेटवर्किंग उपकरण या औद्योगिक नियंत्रणों पर पैनल-माउंटेड स्थिति संकेतक।
- सामने के पैनलों पर प्रतीकों या आइकनों के लिए बैकलाइटिंग, जहाँ प्रकाश को पीसीबी के समानांतर निर्देशित करने की आवश्यकता होती है।
- एकल घटक फुटप्रिंट का उपयोग करके बहु-अवस्था संकेतक (उदाहरण के लिए, \"चालू/तैयार\" के लिए हरा, \"स्टैंडबाय/चेतावनी\" के लिए नारंगी)।

डिज़ाइन संबंधी विचार:
1. करंट लिमिटिंग: फॉरवर्ड करंट को वांछित मान (जैसे, मानक चमक के लिए 5mA, अधिकतम के लिए 30mA तक) तक सीमित करने के लिए हमेशा एक सीरीज़ रेसिस्टर का उपयोग करें। R = (V_{आपूर्ति} - V_F) / I_F, अधिकतम V का उपयोग करते हुए_F एक रूढ़िवादी डिजाइन के लिए डेटाशीट से।
2. थर्मल प्रबंधन: हालांकि बिजली अपव्यय कम है, सुनिश्चित करें कि पीसीबी लेआउट एलईडी के आसपास गर्मी न फंसाए, खासकर यदि अधिकतम डीसी करंट के निकट चल रहा हो। पर्याप्त तांबे का क्षेत्र गर्मी को दूर करने में मदद कर सकता है।
3. ड्राइविंग सर्किट: दोनों चिप्स के अलग-अलग कैथोड (C1, C2) और एक सामान्य एनोड होते हैं। सामान्य एनोड को एक पॉजिटिव सप्लाई से जोड़कर और ट्रांजिस्टर या माइक्रोकंट्रोलर जीपीआईओ पिन के माध्यम से संबंधित कैथोड पिन से करंट सिंक करके उन्हें स्वतंत्र रूप से संचालित किया जा सकता है, जिन्हें करंट सिंक के रूप में कॉन्फ़िगर किया गया है।
4. ऑप्टिकल डिज़ाइन: 120-डिग्री साइड-एमिटिंग पैटर्न व्यापक-कोण दृश्यता के लिए उपयोगी है। वांछित दृश्य प्रभाव प्राप्त करने के लिए लाइट पाइप या डिफ्यूज़र के सापेक्ष प्लेसमेंट पर विचार करें।

10. तकनीकी तुलना और विभेदन

इस एलईडी की प्रमुख विशिष्ट विशेषताएं इसकी हैं साइड-लुकिंग पैकेज में द्वि-रंग क्षमता और इसका उपयोग AlInGaP technology.

• बनाम एकल-रंग साइड-लुकिंग एलईडी: यह उपकरण दो अलग-अलग एकल-रंग एलईडी को एक घटक से बदलकर पीसीबी स्थान और असेंबली लागत बचाता है, जिससे सामग्री सूची और लेआउट सरल हो जाता है।
• AlInGaP बनाम अन्य प्रौद्योगिकियाँ: पारंपरिक GaP (Gallium Phosphide) एलईडी की तुलना में, AlInGaP काफी अधिक चमकदार दक्षता प्रदान करता है, जिससे समान ड्राइव करंट पर अधिक चमकदार आउटपुट मिलता है। यह कुछ पुरानी प्रौद्योगिकियों की तुलना में तापमान और जीवनकाल में श्रेष्ठ रंग संतृप्ति और स्थिरता भी प्रदान करता है।
• पैकेज संगतता: मानक EIA फुटप्रिंट कई मौजूदा डिज़ाइनों और स्वचालित असेंबली लाइनों के साथ ड्रॉप-इन संगतता सुनिश्चित करता है, जिससे योग्यता प्रयास कम हो जाता है।

11. अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न (FAQ)

Q1: क्या मैं हरे और नारंगी चिप्स को एक साथ चला सकता हूँ?
A1: हाँ, लेकिन आपको यह सुनिश्चित करना होगा कि कुल पावर डिसिपेशन पैकेज सीमा से अधिक न हो। यदि दोनों को उनकी अधिकतम DC करंट (प्रत्येक 30mA) पर एक सामान्य V_F ~2.0V पर, शक्ति ~120mW होगी, जो प्रति चिप रेटिंग 75mW से अधिक है। इसलिए, पूर्ण धारा पर एक साथ संचालन की अनुशंसा नहीं की जाती है। एक साथ उपयोग के लिए, कुल शक्ति को सुरक्षित सीमा के भीतर रखने के लिए धारा को कम करें।

Q2: शिखर तरंगदैर्ध्य और प्रमुख तरंगदैर्ध्य में क्या अंतर है?
A2: शिखर तरंगदैर्ध्य (λ_P) वह तरंगदैर्ध्य है जिस पर उत्सर्जन स्पेक्ट्रम की तीव्रता अधिकतम होती है। प्रमुख तरंगदैर्ध्य (λ_d) वह एकल तरंगदैर्ध्य है जो मानव आँख प्रकाश के रंग के रूप में अनुभव करती है, जिसकी गणना CIE क्रोमैटिसिटी निर्देशांक से की जाती है। λ_d अनुप्रयोगों में रंग विनिर्देशन के लिए अक्सर अधिक प्रासंगिक होता है।

Q3: यदि मुझे रिवर्स वोल्टेज नहीं लगाना चाहिए, तो रिवर्स करंट रेटिंग महत्वपूर्ण क्यों है?
A3: The I_R रेटिंग निर्माता के लिए एक गुणवत्ता और लीकेज परीक्षण पैरामीटर है। आपके सर्किट में, आपको एलईडी को आकस्मिक रिवर्स वोल्टेज से बचाना चाहिए, जो हॉट-प्लगिंग के दौरान या कुछ सर्किट कॉन्फ़िगरेशन में हो सकता है। एक सीरीज़ डायोड का उपयोग करना या सही पोलैरिटी सुनिश्चित करना आवश्यक है।

Q4: ऑर्डर करते समय मैं बिन कोड्स की व्याख्या कैसे करूं?
A4: पार्ट नंबर LTST-S115KGKFKT-5A में विशिष्ट बिन कोड शामिल हैं (उदाहरण के लिए, हरे रंग की तीव्रता/तरंग दैर्ध्य के लिए KG, नारंगी के लिए KF)। ऑर्डर करते समय अपनी एकरूपता आवश्यकताओं से मेल खाने वाले पार्ट्स प्राप्त करने के लिए निर्माता की विस्तृत बिन कोड सूची से परामर्श लें या अपनी आवश्यक चमक (उदाहरण के लिए, उज्जवल हरे रंग के लिए LM बिन) और रंग (उदाहरण के लिए, विशिष्ट हरे रंग के ह्यू के लिए D बिन) निर्दिष्ट करें।

12. Operational Principles

इस एलईडी में प्रकाश उत्सर्जन AlInGaP अर्धचालक पदार्थों में विद्युत-प्रकाश उत्सर्जन पर आधारित है। जब डायोड के चालू वोल्टेज (लगभग 1.7-2.4V) से अधिक का अग्र वोल्टेज लगाया जाता है, तो इलेक्ट्रॉन और होल क्रमशः n-प्रकार और p-प्रकार की परतों से अर्धचालक चिप के सक्रिय क्षेत्र में प्रवेश करते हैं। ये आवेश वाहक पुनर्संयोजित होते हैं और फोटॉन (प्रकाश) के रूप में ऊर्जा मुक्त करते हैं। उत्सर्जित प्रकाश की विशिष्ट तरंगदैर्ध्य (रंग) AlInGaP मिश्रधातु संरचना की बैंडगैप ऊर्जा द्वारा निर्धारित होती है, जिसे चिप निर्माण के दौरान हरे (~575 nm) और नारंगी (~611 nm) प्रकाश उत्पन्न करने के लिए सावधानीपूर्वक अभियांत्रिकी की जाती है। साइड-लुकिंग पैकेज में एक ढला हुआ लेंस शामिल होता है जो उत्सर्जित प्रकाश को 120-डिग्री के चौड़े दृश्य पैटर्न में आकार देता है, इसे PCB के माउंटिंग तल के समानांतर निर्देशित करता है।