SMD LED LTST-C950KGKT डेटाशीट - AlInGaP ग्रीन - 25mA - 62.5mW - अंग्रेजी तकनीकी दस्तावेज़

1. उत्पाद अवलोकन

यह दस्तावेज़ स्वचालित असेंबली प्रक्रियाओं के लिए डिज़ाइन किए गए एक उच्च-चमक, सतह-माउंट एलईडी के पूर्ण तकनीकी विनिर्देश प्रदान करता है। यह उपकरण हरे प्रकाश का उत्पादन करने के लिए एक उन्नत AlInGaP (एल्यूमीनियम इंडियम गैलियम फॉस्फाइड) अर्धचालक चिप का उपयोग करता है, जो एक कॉम्पैक्ट पैकेज में श्रेष्ठ दीप्त दक्षता और विश्वसनीयता प्रदान करता है। इसे सीमित स्थान वाले इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों में एकीकरण के लिए इंजीनियर किया गया है, जहाँ सुसंगत प्रदर्शन और निर्माण में सुगमता महत्वपूर्ण है।

1.1 विशेषताएँ

• RoHS (Restriction of Hazardous Substances) निर्देशों का अनुपालन।
• अनुकूलित प्रकाश उत्पादन और दृश्य कोण के लिए एक गुंबद लेंस डिजाइन शामिल करता है।
• एक अल्ट्रा-ब्राइट AlInGaP चिप तकनीक का उपयोग करता है।
• स्वचालित पिक-एंड-प्लेस उपकरणों के लिए 7-इंच व्यास के रील्स पर उद्योग-मानक 8mm टेप में आपूर्ति।
• मानक इन्फ्रारेड (IR) रीफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रियाओं के साथ संगत।
• लॉजिक-लेवल संगत ड्राइव करंट।

1.2 अनुप्रयोग

यह LED कई उद्योगों में संकेतक और बैकलाइटिंग कार्यों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त है, जिनमें शामिल हैं:

• दूरसंचार उपकरण (उदाहरणार्थ, सेल्युलर फोन, नेटवर्क स्विच)।
• कार्यालय स्वचालन उपकरण (उदाहरणार्थ, प्रिंटर, स्कैनर)।
• उपभोक्ता गृह उपकरण।
• औद्योगिक नियंत्रण पैनल और उपकरण।
• कीपैड और कीबोर्ड बैकलाइटिंग।
• स्थिति और शक्ति संकेतक।
• सूक्ष्म-प्रदर्शन और प्रतीकात्मक प्रकाश स्रोत।

2. पैकेज आयाम

एलईडी एक मानक सरफेस-माउंट डिवाइस (एसएमडी) पैकेज में रखी गई है। लेंस का रंग वाटर क्लियर है, और प्रकाश स्रोत एक एलिनगैप चिप है जो हरी रोशनी उत्सर्जित करती है। अन्यथा निर्दिष्ट न होने पर सभी आयामी सहनशीलताएं ±0.1 मिमी हैं। घटक बॉडी, कैथोड पहचानकर्ता और पैड लेआउट के सटीक माप के लिए मूल डेटाशीट में दिए गए आयामी चित्रों का संदर्भ लें।

3. रेटिंग्स और विशेषताएँ

3.1 Absolute Maximum Ratings

इन सीमाओं से अधिक तनाव डिवाइस को स्थायी क्षति पहुंचा सकता है। सभी रेटिंग 25°C के परिवेश तापमान (Ta) पर निर्दिष्ट हैं।

• Power Dissipation (Pd): 62.5 mW
• Peak Forward Current (I_F(peak)): 60 mA (1/10 ड्यूटी साइकल पर, 0.1ms पल्स चौड़ाई)
• Continuous Forward Current (I_F): 25 mA DC
• Reverse Voltage (V_R): 5 V
• ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -30°C से +85°C
• स्टोरेज तापमान रेंज: -40°C से +85°C
• इन्फ्रारेड रीफ्लो सोल्डरिंग स्थिति: 260°C शिखर तापमान अधिकतम 10 सेकंड के लिए।

3.2 Electrical and Optical Characteristics

Ta=25°C और I पर मापे गए सामान्य प्रदर्शन पैरामीटर_F=20mA, जब तक अन्यथा न कहा गया हो।

• Luminous Intensity (I_V): 280 - 1120 mcd (millicandela). विशिष्ट मान बिन रैंक द्वारा निर्धारित किया जाता है।
• दृश्य कोण (2θ_1/2): 25 डिग्री (वह ऑफ-एक्सिस कोण जहाँ तीव्रता ऑन-एक्सिस मान की आधी होती है)।
• Peak Emission Wavelength (λ_P): 574.0 nm (typical).
• Dominant Wavelength (λ_d): 564.5 - 576.5 nm (dependent on bin).
• Spectral Line Half-Width (Δλ): 15 nm (typical).
• Forward Voltage (V_F): 1.8 - 2.4 V.
• Reverse Current (I_R): V पर अधिकतम 10 µA_R=5V.

मापन नोट्स: Luminous intensity को CIE photopic eye-response curve से मेल खाने के लिए फ़िल्टर किए गए सेंसर का उपयोग करके मापा जाता है। प्रमुख तरंगदैर्ध्य CIE chromaticity diagram से प्राप्त की जाती है।

3.3 इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) सावधानी

यह उपकरण इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज और विद्युत सर्ज के प्रति संवेदनशील है। हैंडलिंग और असेंबली के दौरान उचित ईएसडी नियंत्रण उपाय लागू किए जाने चाहिए। सिफारिशों में ग्राउंडेड रिस्ट स्ट्रैप्स, एंटी-स्टैटिक दस्तानों के उपयोग और यह सुनिश्चित करना शामिल है कि सभी उपकरण और कार्यस्थल ठीक से ग्राउंडेड हों।

4. Bin Rank System

उत्पादन में रंग और चमक की स्थिरता सुनिश्चित करने के लिए, उपकरणों को प्रमुख मापदंडों के आधार पर बिन में वर्गीकृत किया जाता है। इससे डिजाइनर अपनी विशिष्ट सहनशीलता आवश्यकताओं से मेल खाने वाले एलईडी का चयन कर सकते हैं।

4.1 Forward Voltage (V_F) Rank

I पर बिन किया गया_F=20mA. प्रति बिन सहनशीलता ±0.1V है।

• D2: 1.8V (न्यूनतम) - 2.0V (अधिकतम)
• D3: 2.0V (Min) - 2.2V (Max)
• D4: 2.2V (Min) - 2.4V (Max)

4.2 Luminous Intensity (I_V) Rank

I पर बिन किया गया_F=20mA. Tolerance per bin is ±15%.

• T: 280.0 mcd (Min) - 450.0 mcd (Max)
• U: 450.0 mcd (Min) - 710.0 mcd (Max)
• V: 710.0 mcd (न्यूनतम) - 1120.0 mcd (अधिकतम)

4.3 Hue (प्रमुख तरंगदैर्ध्य, λ_d) Rank

I पर बिन किया गया_F=20mA. प्रति बिन सहनशीलता ±1 nm है।

• B: 564.5 nm (Min) - 567.5 nm (Max)
• C: 567.5 nm (Min) - 570.5 nm (Max)
• D: 570.5 nm (Min) - 573.5 nm (Max)
• E: 573.5 nm (Min) - 576.5 nm (Max)

5. विशिष्ट प्रदर्शन वक्र

The datasheet includes graphical representations of key characteristics under typical conditions (25°C unless noted). These curves are essential for understanding device behavior under different operating conditions.

• Relative Luminous Intensity vs. Forward Current: दर्शाता है कि कैसे ड्राइव करंट के साथ प्रकाश उत्पादन बढ़ता है, आमतौर पर एक उप-रैखिक संबंध में जो दक्षता परिवर्तनों को उजागर करता है।
• Forward Voltage vs. Forward Current: डायोड की I-V विशेषता को दर्शाता है, जो करंट-लिमिटिंग सर्किट डिजाइन करने के लिए महत्वपूर्ण है।
• Relative Luminous Intensity vs. Ambient Temperature: लाइट आउटपुट के थर्मल डिरेटिंग को प्रदर्शित करता है, जो उच्च-तापमान या उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण है।
• Spectral Distribution: यह तरंगदैर्ध्य के एक फलन के रूप में सापेक्ष विकिरण शक्ति को दर्शाता है, जो शिखर तरंगदैर्ध्य के आसपास केंद्रित होता है, और AlInGaP एलईडी की विशिष्ट संकीर्ण बैंडविड्थ को प्रदर्शित करता है।

6. उपयोगकर्ता मार्गदर्शिका और असेंबली जानकारी

6.1 सफाई

अनिर्दिष्ट रासायनिक सफाई उत्पाद एलईडी पैकेज को क्षतिग्रस्त कर सकते हैं। यदि सोल्डरिंग के बाद सफाई आवश्यक हो, तो एलईडी को कमरे के तापमान पर एथिल अल्कोहल या आइसोप्रोपाइल अल्कोहल में एक मिनट से अधिक नहीं डुबोएं।

6.2 अनुशंसित PCB पैड लेआउट

प्रिंटेड सर्किट बोर्ड के लिए एक सुझाया गया लैंड पैटर्न (फुटप्रिंट) उचित सोल्डर जोड़ गठन, यांत्रिक स्थिरता और रीफ्लो के दौरान ऊष्मा अपव्यय सुनिश्चित करने के लिए प्रदान किया गया है। इस लेआउट का पालन विश्वसनीय असेंबली को बढ़ावा देता है।

6.3 टेप और रील पैकेजिंग

एलईडी को उभरी हुई वाहक टेप (8 मिमी चौड़ाई) में आपूर्ति की जाती है, जिसे 7-इंच (178 मिमी) व्यास की रीलों पर लपेटा जाता है। यह पैकेजिंग स्वचालित हैंडलिंग के लिए EIA-481 मानकों के अनुरूप है।

• रील क्षमता: प्रति रील 2000 टुकड़े।
• अवशेषों के लिए न्यूनतम आर्डर मात्रा: 500 टुकड़े।
• The tape is sealed with a cover tape to protect components.
• A maximum of two consecutive empty pockets is allowed.

7. सावधानियाँ और हैंडलिंग निर्देश

7.1 अनुप्रयोग दायरा

ये एलईडी मानक वाणिज्यिक और औद्योगिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए डिज़ाइन की गई हैं। बिना पूर्व परामर्श और विशिष्ट योग्यता के, ये उन सुरक्षा-महत्वपूर्ण अनुप्रयोगों के लिए अभिप्रेत नहीं हैं जहाँ विफलता जीवन या स्वास्थ्य के लिए सीधा जोखिम पैदा कर सकती है (जैसे, विमानन, चिकित्सा जीवन-समर्थन, परिवहन नियंत्रण)।

7.2 भंडारण की शर्तें

• सीलबंद नमी रोधी थैली (MBB): ≤ 30°C और ≤ 90% सापेक्ष आर्द्रता (RH) पर भंडारित करें। सीलबंद थैली में सिलिका जेल के साथ शेल्फ लाइफ एक वर्ष है।
• बैग खोलने के बाद: भंडारण वातावरण 30°C / 60% RH से अधिक नहीं होना चाहिए। MBB से निकाले गए घटकों को एक सप्ताह के भीतर IR रीफ्लो सोल्डरिंग के अधीन किया जाना चाहिए (Moisture Sensitivity Level 3, MSL 3)। मूल बैग के बाहर लंबे समय तक भंडारण के लिए, डिसिकेंट के साथ एक सीलबंद कंटेनर में या नाइट्रोजन डिसिकेटर में संग्रहित करें। MBB के बाहर एक सप्ताह से अधिक समय तक संग्रहीत घटकों को सोल्डरिंग से पहले लगभग 60°C पर कम से कम 20 घंटे तक बेकिंग की आवश्यकता होती है ताकि रीफ्लो के दौरान "पॉपकॉर्न" डिलैमिनेशन को रोका जा सके।

7.3 सोल्डरिंग सिफारिशें

यह डिवाइस इन्फ्रारेड रीफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रियाओं के साथ संगत है। एक लीड-मुक्त (Pb-मुक्त) प्रक्रिया प्रोफ़ाइल की सिफारिश की जाती है।

• रीफ्लो सोल्डरिंग:
  • प्री-हीट तापमान: 150°C – 200°C
  • प्री-हीट समय: अधिकतम 120 सेकंड
  • पीक बॉडी तापमान: अधिकतम 260°C
  • 260°C से ऊपर समय: अधिकतम 10 सेकंड
  • रीफ्लो चक्रों की अधिकतम संख्या: दो
• Hand Soldering (Iron):
  • Iron Tip Temperature: Maximum 300°C
  • Contact Time: Maximum 3 seconds per joint
  • हाथ से सोल्डर करने की अधिकतम संख्या: एक

नोट: इष्टतम रीफ्लो प्रोफाइल विशिष्ट PCB डिज़ाइन, सोल्डर पेस्ट और ओवन पर निर्भर करती है। प्रदान की गई शर्तें JEDEC मानकों पर आधारित दिशानिर्देश हैं। विशिष्ट असेंबली लाइन के लिए चरित्र-चित्रण की सलाह दी जाती है।

8. डिज़ाइन विचार और एप्लिकेशन नोट्स

8.1 वर्तमान चालन

एलईडी को हमेशा एक स्थिर करंट स्रोत या श्रृंखला करंट-लिमिटिंग रेसिस्टर के माध्यम से ड्राइव करें। दीर्घायु के लिए अधिकतम निरंतर फॉरवर्ड करंट (25mA) पर या उससे नीचे संचालन करना आवश्यक है। फॉरवर्ड वोल्टेज बिन (1.8V से 2.4V) के साथ बदलता है, इसलिए करंट-लिमिटिंग सर्किट को अधिकतम V के लिए डिज़ाइन किया जाना चाहिए।_F सभी स्थितियों में उचित धारा सुनिश्चित करने के लिए चयनित बिन में।

8.2 थर्मल प्रबंधन

हालांकि शक्ति क्षय अपेक्षाकृत कम है (62.5mW), PCB पर प्रभावी थर्मल प्रबंधन अभी भी महत्वपूर्ण है, विशेष रूप से उच्च परिवेश तापमान वाले वातावरण में या जब कई LEDs को पास-पास रखा जाता है। PCB पैड लेआउट एक हीट सिंक का कार्य करता है। थर्मल पैड से जुड़े पर्याप्त तांबे के क्षेत्र को सुनिश्चित करने से जंक्शन तापमान को कम बनाए रखने में मदद मिलती है, जिससे प्रकाशमान आउटपुट और परिचालन जीवन संरक्षित रहता है।

8.3 ऑप्टिकल डिज़ाइन

25-डिग्री का व्यूइंग एंगल अपेक्षाकृत केंद्रित बीम प्रदान करता है। व्यापक प्रकाश व्यवस्था की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए, सेकेंडरी ऑप्टिक्स (जैसे डिफ्यूज़र, लाइट गाइड) पर विचार किया जाना चाहिए। वॉटर-क्लियर लेंस उन अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है जहां एलईडी बंद होने पर चिप का रंग कोई समस्या नहीं है।

9. Technical Principle: AlInGaP Technology

यह एलईडी एक सब्सट्रेट पर उगाए गए अल्युमिनियम इंडियम गैलियम फॉस्फाइड (AlInGaP) सेमीकंडक्टर मटेरियल का उपयोग करता है। सक्रिय क्षेत्र में इन तत्वों के अनुपात को समायोजित करके, बैंडगैप ऊर्जा को हरे-पीले-नारंगी-लाल स्पेक्ट्रम में प्रकाश उत्सर्जित करने के लिए ट्यून किया जाता है। AlInGaP तकनीक अपनी उच्च आंतरिक क्वांटम दक्षता और GaAsP जैसी पुरानी तकनीकों की तुलना में उच्च तापमान पर उत्कृष्ट प्रदर्शन के लिए जानी जाती है, जिसके परिणामस्वरूप उच्च चमक और बेहतर रंग स्थिरता प्राप्त होती है।

10. तुलना और चयन मार्गदर्शन

एक एसएमडी एलईडी का चयन करते समय, प्रमुख अंतर करने वाले कारकों में शामिल हैं:

• चिप प्रौद्योगिकी: AlInGaP (यहाँ प्रयुक्त) बनाम InGaN (नीले/सफेद/हरे रंग के लिए सामान्य)। AlInGaP आमतौर पर एम्बर-लाल रेंज में उच्च दक्षता प्रदान करता है, जबकि विशिष्ट हरे AlInGaP उपकरण विशिष्ट रंग बिंदु प्रदान करते हैं।
• चमक (दीप्त तीव्रता): बिनिंग सिस्टम (T, U, V) आवश्यक चमक के आधार पर चयन की अनुमति देता है, जो बिजली की खपत और दृश्यता को प्रभावित करता है।
• रंग स्थिरता (वेवलेंथ बिनिंग): तंग ह्यू बिनिंग (B से E तक) उन अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण है जहां कई एलईडी के बीच रंग मिलान आवश्यक है।
• देखने का कोण: 25 डिग्री का कोण मध्यम रूप से केंद्रित है। विभिन्न प्रसार आवश्यकताओं के लिए अन्य पैकेजों में व्यापक या संकीर्ण कोण उपलब्ध हैं।
• Package Size and Thermal Performance: कॉम्पैक्ट SMD पैकेज बोर्ड स्थान बचाता है, लेकिन अधिकतम प्रदर्शन के लिए PCB थर्मल डिज़ाइन पर ध्यान देने की आवश्यकता होती है।

11. अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न (FAQs)

11.1 पीक वेवलेंथ और डॉमिनेंट वेवलेंथ में क्या अंतर है?

शिखर तरंगदैर्ध्य (λ_P) वह एकल तरंगदैर्ध्य है जिस पर उत्सर्जित प्रकाशीय शक्ति अधिकतम होती है। प्रमुख तरंगदैर्ध्य (λ_d) एकवर्णी प्रकाश की वह एकल तरंगदैर्ध्य है जो संदर्भ श्वेत प्रकाश की तुलना में LED के अनुभूत रंग से मेल खाती है। λ_d मानव-केंद्रित अनुप्रयोगों में रंग विनिर्देशन के लिए अधिक प्रासंगिक है।

11.2 क्या मैं इस एलईडी को बिना रेसिस्टर के 3.3V सप्लाई से चला सकता हूँ?

नहीं। फॉरवर्ड वोल्टेज केवल 1.8-2.4V है। इसे सीधे 3.3V सप्लाई से जोड़ने पर अत्यधिक करंट प्रवाहित होगा, जो संभवतः पूर्ण अधिकतम रेटिंग से अधिक हो सकता है और LED को तुरंत नष्ट कर सकता है। वोल्टेज स्रोत का उपयोग करते समय एक श्रृंखला करंट-सीमित रोकनेवाला अनिवार्य है।

11.3 मैं बिन कोड (जैसे, LTST-C950KGKT) की व्याख्या कैसे करूँ?

पूर्ण पार्ट नंबर में आंतरिक कोडिंग शामिल होती है। खरीद के लिए, मुख्य चयन योग्य पैरामीटर फॉरवर्ड वोल्टेज (D2/D3/D4), ल्यूमिनस इंटेंसिटी (T/U/V), और डॉमिनेंट वेवलेंथ (B/C/D/E) बिन हैं। इन्हें आपकी डिज़ाइन की विद्युत और प्रकाशीय आवश्यकताओं के आधार पर निर्दिष्ट किया जाना चाहिए।

11.4 यदि बैग एक सप्ताह से अधिक समय तक खुला रहता है तो बेकिंग की आवश्यकता क्यों है?

SMD पैकेज वायुमंडल से नमी अवशोषित कर सकते हैं। उच्च-तापमान रीफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रिया के दौरान, यह फंसी हुई नमी तेजी से वाष्पित हो सकती है, जिससे आंतरिक दबाव बनता है जो पैकेज को फटा सकता है या आंतरिक परतों को अलग कर सकता है ("पॉपकॉर्न प्रभाव")। बेकिंग इस अवशोषित नमी को दूर कर देती है।