SMD LED LTST-C150KDKT-10A डेटाशीट - 1.6x0.8x0.6mm - 2.4V - 50mW - रेड AllnGaP - अंग्रेजी तकनीकी दस्तावेज़

1. उत्पाद अवलोकन

यह दस्तावेज़ एक सरफेस-माउंट डिवाइस (SMD) एलईडी लैंप के लिए पूर्ण तकनीकी विशिष्टताएं प्रदान करता है। स्वचालित मुद्रित सर्किट बोर्ड (PCB) असेंबली के लिए डिज़ाइन किया गया, यह घटक इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की एक विस्तृत श्रृंखला में स्थान-सीमित अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है।

1.1 विशेषताएँ

• RoHS पर्यावरण निर्देशों के अनुपालन में।
• लाल प्रकाश उत्सर्जित करने वाली अल्ट्रा-ब्राइट एल्यूमीनियम इंडियम गैलियम फॉस्फाइड (AllnGaP) सेमीकंडक्टर चिप का उपयोग करता है।
• स्वचालित हैंडलिंग के लिए 7-इंच व्यास के रील पर लपेटी गई 8mm टेप पर पैकेज किया गया है।
• Standard EIA package footprint.
• Input compatible with standard integrated circuit (IC) logic levels.
• Designed for compatibility with automated pick-and-place assembly equipment.
• मानक इन्फ्रारेड (आईआर) रीफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रियाओं को सहन करता है।

1.2 लक्षित अनुप्रयोग

यह एलईडी कॉम्पैक्ट, विश्वसनीय संकेतक या बैकलाइट स्रोत की आवश्यकता वाले व्यापक अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है, जिसमें शामिल हैं लेकिन इन्हीं तक सीमित नहीं:

• दूरसंचार उपकरण, कार्यालय स्वचालन उपकरण, घरेलू उपकरण और औद्योगिक नियंत्रण प्रणालियाँ।
• कीपैड और कीबोर्ड के लिए बैकलाइटिंग।
• स्थिति और शक्ति संकेतक।
• माइक्रो-डिस्प्ले और पैनल संकेतक।
• Signal and symbolic illumination.

2. Technical Parameters: In-Depth Objective Interpretation

The following sections provide a detailed analysis of the device's electrical, optical, and environmental specifications.

2.1 Absolute Maximum Ratings

ये मान उन सीमाओं का प्रतिनिधित्व करते हैं जिनके परे डिवाइस को स्थायी क्षति हो सकती है। इन स्थितियों में संचालन की गारंटी नहीं है। सभी रेटिंग्स 25°C के परिवेश तापमान (Ta) पर निर्दिष्ट हैं।

• Power Dissipation (Pd): 50 mW. यह डिवाइस द्वारा ऊष्मा के रूप में व्यय की जा सकने वाली अधिकतम शक्ति की मात्रा है।
• Peak Forward Current (I_F(PEAK)): 40 mA. यह अधिकतम अनुमेय तात्कालिक अग्र धारा है, जो आमतौर पर स्पंदित स्थितियों (1/10 ड्यूटी साइकिल, 0.1ms स्पंद चौड़ाई) के तहत निर्दिष्ट की जाती है ताकि अधिक गर्म होने से रोका जा सके।
• Continuous Forward Current (I_F): 20 mA. यह निरंतर संचालन के लिए अनुशंसित अधिकतम DC धारा है।
• Reverse Voltage (V_R): 5 V. इस मान से अधिक रिवर्स बायस वोल्टेज लगाने पर जंक्शन ब्रेकडाउन हो सकता है।
• Operating Temperature Range: -30°C to +85°C. यह वह परिवेश तापमान सीमा है जिसमें डिवाइस के कार्य करने के लिए डिज़ाइन किया गया है।
• भंडारण तापमान सीमा: -40°C से +85°C. गैर-परिचालन भंडारण के लिए तापमान सीमा।
• इन्फ्रारेड रीफ्लो सोल्डरिंग स्थिति: 260°C शिखर तापमान अधिकतम 10 सेकंड के लिए। यह उस थर्मल प्रोफाइल को परिभाषित करता है जिसे पैकेज असेंबली के दौरान सहन कर सकता है।

2.2 Electro-Optical Characteristics

ये पैरामीटर सामान्य संचालन स्थितियों (Ta=25°C, I) के तहत डिवाइस के विशिष्ट प्रदर्शन को परिभाषित करते हैं।_F=10mA जब तक अन्यथा नोट न किया गया हो।

• Luminous Intensity (I_V): 2.8 से 28.0 mcd (millicandela). प्रकाश उत्पादन की मानी गई चमक। व्यापक सीमा को एक बिनिंग प्रणाली के माध्यम से प्रबंधित किया जाता है।
• Viewing Angle (2θ_1/2): 130 डिग्री। यह वह पूर्ण कोण है जिस पर प्रकाश की तीव्रता अक्ष पर मापे गए मान की आधी हो जाती है। इस तरह का एक विस्तृत दृश्य कोण संकेतकों के लिए उपयुक्त एक विस्तृत, विसरित प्रकाश पैटर्न प्रदान करता है।
• Peak Emission Wavelength (λ_P): 650.0 nm (नैनोमीटर)। वह तरंगदैर्ध्य जिस पर वर्णक्रमीय शक्ति आउटपुट अधिकतम होता है।
• Dominant Wavelength (λ_d): 630.0 से 645.0 nm। यह वह एकल तरंगदैर्ध्य है जिसे मानव आँख द्वारा देखा जाता है और जो रंग (इस मामले में, लाल) को परिभाषित करता है। यह CIE क्रोमैटिसिटी डायग्राम से प्राप्त होता है।
• Spectral Line Half-Width (Δλ): 20 nm (typical). यह उत्सर्जित प्रकाश की वर्णक्रमीय शुद्धता या बैंडविड्थ को दर्शाता है, जिसे अधिकतम शक्ति के आधे पर वर्णक्रम की चौड़ाई के रूप में मापा जाता है।
• Forward Voltage (V_F): 1.6 to 2.4 V. निर्दिष्ट परीक्षण धारा (10mA) पर संचालित होने पर LED के पार वोल्टेज ड्रॉप।
• रिवर्स करंट (I_R): अधिकतम 10 μA (माइक्रोएम्पीयर)। अधिकतम रिवर्स वोल्टेज (5V) लगाने पर बहने वाली छोटी लीकेज करंट।

3. बिनिंग सिस्टम स्पष्टीकरण

उत्पादन अनुप्रयोगों में चमक की एकरूपता सुनिश्चित करने के लिए, एलईडी को प्रदर्शन समूहों या "बिन" में वर्गीकृत किया जाता है।

3.1 Luminous Intensity Bin Code

इस उत्पाद का प्राथमिक बिनिंग 10mA पर मापी गई दीप्त तीव्रता पर आधारित है। प्रत्येक बिन के भीतर सहनशीलता +/-15% है।

• Bin H: 2.8 - 4.5 mcd
• Bin J: 4.5 - 7.1 mcd
• Bin K: 7.1 - 11.2 mcd
• Bin L: 11.2 - 18.0 mcd
• Bin M: 18.0 - 28.0 mcd

यह प्रणाली डिज़ाइनरों को उनके विशिष्ट अनुप्रयोग के लिए एक उपयुक्त चमक ग्रेड चुनने की अनुमति देती है, जिससे लागत और प्रदर्शन के बीच संतुलन बनाया जा सके।

4. Performance Curve Analysis

हालांकि स्रोत दस्तावेज़ में विशिष्ट ग्राफ़िकल डेटा संदर्भित है, मुख्य संबंधों का वर्णन यहाँ मानक LED भौतिकी और प्रदान किए गए पैरामीटर्स के आधार पर किया गया है।

4.1 करंट बनाम वोल्टेज (I-V) विशेषता

एक LED एक डायोड है। इसका फॉरवर्ड वोल्टेज (V_F) का फॉरवर्ड करंट (I_F). निर्दिष्ट V_F 10mA पर 1.6V से 2.4V की सीमा एक लाल AllnGaP LED के लिए विशिष्ट है। अनुशंसित निरंतर धारा (20mA) से ऊपर संचालन करने से V_F थोड़ा बढ़ जाएगा, लेकिन मुख्य रूप से अत्यधिक ऊष्मा उत्पन्न करेगा, जिससे दक्षता और जीवनकाल कम हो जाएगा।

4.2 Luminous Intensity vs. Forward Current

The light output (I_V) is approximately proportional to the forward current over a significant range. However, efficiency tends to drop at very high currents due to increased thermal effects and other non-ideal semiconductor behaviors. Driving the LED at the typical 10mA or 20mA ensures optimal efficiency and reliability.

4.3 Temperature Dependence

LED performance is temperature-sensitive. As the junction temperature increases:

• Forward Voltage (V_F): घटता है। इसका तापमान गुणांक नकारात्मक है।
• Luminous Intensity (I_V): घटता है। उच्च तापमान अर्धचालक की आंतरिक क्वांटम दक्षता को कम कर देता है, जिससे समान धारा के लिए प्रकाश उत्पादन कम हो जाता है।
• Dominant Wavelength (λ_d): थोड़ा सा खिसक सकता है, जिससे माने जाने वाले रंग के रंगत में संभावित परिवर्तन हो सकता है।

PCB डिज़ाइन में उचित तापीय प्रबंधन सुसंगत प्रदर्शन बनाए रखने के लिए महत्वपूर्ण है।

4.4 Spectral Distribution

उत्सर्जन स्पेक्ट्रम एक शिखर तरंगदैर्ध्य (λ) के आसपास केंद्रित होता है_P) 650 nm का, जिसकी विशिष्ट अर्ध-चौड़ाई (Δλ) 20 nm है। इसके परिणामस्वरूप एक संतृप्त लाल रंग प्राप्त होता है। प्रमुख तरंगदैर्ध्य (λ_d), जो अनुभूत रंग को परिभाषित करता है, 630 nm और 645 nm के बीच आता है।

5. यांत्रिक और पैकेज सूचना

5.1 Package Dimensions

The device conforms to a standard surface-mount package outline. Key dimensions include a body size of approximately 1.6mm in length, 0.8mm in width, and 0.6mm in height (specific drawing referenced in source). All dimensional tolerances are ±0.1mm unless otherwise specified. The lens is water-clear, allowing the native red color of the AllnGaP chip to be visible.

5.2 अनुशंसित पीसीबी लैंड पैटर्न

विश्वसनीय सोल्डरिंग और उचित संरेखण सुनिश्चित करने के लिए मुद्रित सर्किट बोर्ड के लिए एक सुझाया गया सोल्डर पैड लेआउट प्रदान किया गया है। यह पैटर्न रीफ्लो के दौरान अच्छे सोल्डर फिलेट गठन को सुविधाजनक बनाने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जबकि सोल्डर ब्रिजिंग के जोखिम को कम करता है।

5.3 पोलैरिटी पहचान

कैथोड (नकारात्मक टर्मिनल) आमतौर पर LED पैकेज पर एक दृश्य चिह्न द्वारा इंगित किया जाता है, जैसे कि एक खांचा, एक हरा बिंदु, या लेंस पर एक कटा हुआ कोना। असेंबली के दौरान सही पोलैरिटी का पालन किया जाना चाहिए, क्योंकि रिवर्स वोल्टेज लगाने से डिवाइस क्षतिग्रस्त हो सकता है।

6. Soldering and Assembly Guidelines

6.1 IR रीफ्लो सोल्डरिंग पैरामीटर्स

यह डिवाइस लीड-फ्री (Pb-free) सोल्डरिंग प्रक्रियाओं के साथ संगत है। JEDEC मानकों का पालन करते हुए एक अनुशंसित रीफ्लो प्रोफाइल प्रदान की गई है।

• प्री-हीट तापमान: 150°C से 200°C.
• प्री-हीट समय: अधिकतम 120 सेकंड.
• पीक बॉडी टेम्परेचर: अधिकतम 260°C.
• 260°C से ऊपर का समय: अधिकतम 10 सेकंड.
• रीफ्लो पास की संख्या: अधिकतम दो बार।

विशिष्ट प्रोफ़ाइल को वास्तविक PCB डिज़ाइन, सोल्डर पेस्ट और प्रयुक्त ओवन के लिए चरित्रित किया जाना चाहिए।

6.2 हाथ से सोल्डरिंग (यदि आवश्यक हो)

यदि मैन्युअल सोल्डरिंग की आवश्यकता हो, तो अत्यधिक सावधानी बरतनी चाहिए:

• आयरन तापमान: अधिकतम 300°C.
• Soldering Time: Maximum 3 seconds per lead.
• Number of Soldering Attempts: प्रत्येक कनेक्शन के लिए केवल एक बार।

लंबे समय तक गर्मी लगाने से आंतरिक तार बॉन्ड और एपॉक्सी पैकेज क्षतिग्रस्त हो सकते हैं।

6.3 भंडारण की स्थितियाँ

Moisture sensitivity level (MSL) SMD घटकों के लिए एक महत्वपूर्ण कारक है।

• सीलबंद पैकेज (डेसिकेंट के साथ): ≤30°C और ≤90% RH पर संग्रहित करें। ड्राई-पैक तिथि के एक वर्ष के भीतर उपयोग करें।
• खुला हुआ पैकेज: ≤30°C और ≤60% RH पर संग्रहित करें। घटकों को एक सप्ताह के भीतर IR रीफ्लो के अधीन किया जाना चाहिए (MSL 3)।
• विस्तारित भंडारण (बैग से बाहर): एक सीलबंद कंटेनर में सिलिका जेल के साथ या नाइट्रोजन डेसिकेटर में संग्रहित करें। यदि एक सप्ताह से अधिक समय तक संग्रहित किया जाता है, तो सोल्डरिंग से पहले अवशोषित नमी को हटाने और रीफ्लो के दौरान "पॉपकॉर्निंग" को रोकने के लिए कम से कम 20 घंटे के लिए 60°C पर बेक करने की आवश्यकता होती है।

6.4 सफाई

यदि सोल्डरिंग के बाद सफाई आवश्यक है, तो केवल स्वीकृत अल्कोहल-आधारित सॉल्वेंट्स जैसे आइसोप्रोपाइल अल्कोहल (IPA) या एथिल अल्कोहल का उपयोग करें। डुबोने का काम सामान्य तापमान पर एक मिनट से कम समय के लिए होना चाहिए। अनिर्दिष्ट रासायनिक क्लीनर LED लेंस या पैकेज सामग्री को नुकसान पहुंचा सकते हैं।

7. पैकेजिंग और ऑर्डर जानकारी

7.1 टेप और रील विनिर्देश

घटक स्वचालित असेंबली के लिए उभरे हुए वाहक टेप पर आपूर्ति किए जाते हैं।

• वाहक टेप की चौड़ाई: 8 मिमी.
• रील व्यास: 7 इंच.
• प्रति रील मात्रा: 3000 pieces (standard full reel).
• Minimum Order Quantity (MOQ) for Remainders: 500 pieces.
• पॉकेट सीलिंग: खाली पॉकेट्स को कवर टेप से सील किया जाता है।
• लापता घटक: उद्योग मानकों (ANSI/EIA 481) के अनुसार, अधिकतम दो लगातार लापता लैंप की अनुमति है।

8. अनुप्रयोग सुझाव और डिजाइन विचार

8.1 विशिष्ट अनुप्रयोग सर्किट

LED एक करंट-चालित उपकरण है। समान चमक सुनिश्चित करने और करंट हॉगिंग को रोकने के लिए, विशेष रूप से जब कई LED को समानांतर में चलाया जाता है, तो प्रत्येक LED के साथ श्रृंखला में एक करंट-सीमित रोकनेवाला का उपयोग किया जाना चाहिए। रोकनेवाला मान (R) की गणना ओम के नियम का उपयोग करके की जाती है: R = (V_SUPPLY - V_F) / I_F, जहां V_F LED का फॉरवर्ड वोल्टेज वांछित करंट I पर है_F. अधिकतम V का उपयोग करते हुए_F डेटाशीट (2.4V) से गणना में इसका उपयोग यह सुनिश्चित करता है कि डिवाइस-से-डिवाइस भिन्नता के साथ भी धारा लक्ष्य से अधिक न हो।

8.2 डिज़ाइन संबंधी विचार

• थर्मल प्रबंधन: हालांकि शक्ति क्षय कम है (अधिकतम 50mW), PCB पैड के माध्यम से एक अच्छा थर्मल पथ सुनिश्चित करने से स्थिर प्रकाश उत्पादन और दीर्घायु बनाए रखने में मदद मिलती है, विशेष रूप से उच्च परिवेशी तापमान या उच्च ड्राइव धाराओं पर।
• ESD (इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज) सुरक्षा: LED स्थैतिक बिजली के प्रति संवेदनशील होते हैं। हैंडलिंग और असेंबली के दौरान उचित ESD नियंत्रण (कलाई पट्टियाँ, ग्राउंडेड वर्कस्टेशन, प्रवाहकीय फर्श) लागू किए जाने चाहिए।
• ऑप्टिकल डिज़ाइन: 130-डिग्री का व्यूइंग एंगल व्यापक प्रकाश प्रदान करता है। अधिक केंद्रित प्रकाश के लिए, बाहरी लेंस या लाइट गाइड की आवश्यकता हो सकती है।

9. Technical Comparison and Differentiation

This AllnGaP red LED offers specific advantages:

• vs. Traditional GaAsP Red LEDs: AllnGaP प्रौद्योगिकी काफी अधिक चमकदार दक्षता प्रदान करती है, जिससे समान धारा पर अधिक चमकदार आउटपुट, या कम शक्ति पर समान चमक प्राप्त होती है।
• बनाम मानक थ्रू-होल एलईडी: एसएमडी पैकेज बहुत अधिक असेंबली घनत्व सक्षम करता है, पूरी तरह से स्वचालित उत्पादन लाइनों के साथ संगत है, और पीसीबी पर लीड बेंडिंग और होल ड्रिलिंग की आवश्यकता को समाप्त करता है।
• मुख्य लाभ: AllnGaP से उच्च चमक, व्यापक दृश्य कोण और एक कॉम्पैक्ट, रीफ्लो-सोल्डर करने योग्य पैकेज का संयोजन इस उपकरण को आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए अत्यधिक बहुमुखी बनाता है।

10. अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न (तकनीकी मापदंडों के आधार पर)

10.1 क्या मैं इस LED को सीधे 3.3V या 5V लॉजिक पिन से चला सकता हूँ?

नहीं, करंट-लिमिटिंग रेसिस्टर के बिना नहीं। इसे सीधे जोड़ने पर बहुत अधिक करंट खींचने का प्रयास होगा, जो केवल पिन की करंट क्षमता और LED के डायनामिक रेजिस्टेंस द्वारा सीमित होगा, जिससे संभवतः LED नष्ट हो जाएगी या ड्राइविंग IC को क्षति पहुंचेगी। हमेशा एक सीरीज रेसिस्टर का उपयोग करें।

10.2 Luminous Intensity (2.8 से 28.0 mcd) में इतना व्यापक परिसर क्यों है?

यह अर्धचालक निर्माण में प्राकृतिक भिन्नताओं के कारण है। बिनिंग प्रणाली (H से M) भागों को मापी गई चमक के आधार पर वर्गीकृत करती है। किसी अनुप्रयोग में एक समान रूप सुनिश्चित करने के लिए, एक ही तीव्रता बिन से एलईडी निर्दिष्ट करें और उपयोग करें।

10.3 यदि मैं 20mA निरंतर धारा रेटिंग से अधिक हो जाऊं तो क्या होगा?

रेटिंग से अधिक होने पर जंक्शन तापमान बढ़ जाता है। यह अर्धचालक सामग्री के क्षरण को तेज करता है, जिससे प्रकाश उत्पादन में स्थायी और तीव्र कमी (लुमेन मूल्यह्रास) आती है और संभावित रूप से विनाशकारी विफलता हो सकती है। सर्किट को हमेशा पूर्ण अधिकतम रेटिंग्स के भीतर संचालित होने के लिए डिज़ाइन करें।

11. Practical Use Case Example

11.1 Design Case: Status Indicator Panel

परिदृश्य: 5V रेल से संचालित, 10 समान लाल स्टेटस इंडिकेटर वाला एक कंट्रोल पैनल डिज़ाइन करना। एकसमान चमक महत्वपूर्ण है।
डिज़ाइन चरण:

1. ड्राइव करंट चुनें: I चुनें_F = 10mA अच्छी चमक और लंबी उम्र के लिए।
2. प्रतिरोधक मान की गणना करें: अधिकतम V का उपयोग करें_F (2.4V) सबसे खराब स्थिति डिजाइन के लिए। R = (5V - 2.4V) / 0.01A = 260 ओम। निकटतम मानक E24 मान 270 ओम है।
3. प्रतिरोधक शक्ति की गणना करें: P = I² * R = (0.01)² * 270 = 0.027W. एक मानक 1/8W (0.125W) या 1/10W प्रतिरोधक पर्याप्त है।
4. LED Bin निर्दिष्ट करें: सभी 10 संकेतकों के मेल खाने को सुनिश्चित करने के लिए, खरीद आदेश में एक ही चमकदार तीव्रता बिन (जैसे, बिन एल: 11.2-18.0 एमसीडी) से एलईडी निर्दिष्ट करें।
5. पीसीबी लेआउट: अनुशंसित लैंड पैटर्न का उपयोग करें। पैनल डिज़ाइन यह सुनिश्चित करे कि 130-डिग्री व्यूइंग एंगल की अनुमति हो ताकि इच्छित उपयोगकर्ता स्थितियों से संकेतक दिखाई दे।

12. संचालन सिद्धांत परिचय

लाइट एमिटिंग डायोड (LEDs) अर्धचालक उपकरण हैं जो विद्युत ऊर्जा को सीधे प्रकाश में परिवर्तित करते हैं, जिसे इलेक्ट्रोलुमिनेसेंस कहा जाता है। जब p-n जंक्शन पर फॉरवर्ड वोल्टेज लगाया जाता है, तो n-टाइप क्षेत्र से इलेक्ट्रॉन और p-टाइप क्षेत्र से होल सक्रिय क्षेत्र में इंजेक्ट होते हैं। जब ये आवेश वाहक पुनर्संयोजित होते हैं, तो वे ऊर्जा मुक्त करते हैं। एक AllnGaP (एल्यूमिनियम इंडियम गैलियम फॉस्फाइड) LED में, यह ऊर्जा मुख्य रूप से दृश्य स्पेक्ट्रम के लाल भाग में फोटॉन (प्रकाश) के रूप में मुक्त होती है। विशिष्ट तरंगदैर्ध्य (रंग) अर्धचालक सामग्री की बैंडगैप ऊर्जा द्वारा निर्धारित होता है, जिसे क्रिस्टल विकास प्रक्रिया के दौरान एल्यूमिनियम, इंडियम और गैलियम के अनुपात को समायोजित करके इंजीनियर किया जाता है।

13. प्रौद्योगिकी रुझान और विकास

ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स का क्षेत्र निरंतर विकसित हो रहा है। उद्योग में देखे जाने वाले सामान्य रुझानों में शामिल हैं:

• बढ़ी हुई दक्षता: सामग्री विज्ञान और चिप डिजाइन पर चल रहे शोध के कारण ऐसे एलईडी विकसित हो रहे हैं जो प्रति वाट अधिक लुमेन (lm/W) उत्पन्न करते हैं, जिससे समान प्रकाश उत्पादन के लिए बिजली की खपत कम होती है।
• लघुरूपण: पैकेज आकार लगातार छोटे होते जा रहे हैं (उदाहरण के लिए, 0402, 0201 मीट्रिक आकार) ताकि अति-संहत उपकरणों के लिए पीसीबी पर और भी अधिक घनत्व प्राप्त किया जा सके।
• बेहतर रंग स्थिरता: एपिटैक्सियल विकास और बिनिंग तकनीकों में प्रगति से प्रमुख तरंगदैर्ध्य और दीप्त तीव्रता पर सख्त सहनशीलता संभव हुई है, जिससे डिजाइनरों को रंग और चमक पर अधिक सटीक नियंत्रण मिलता है।
• एकीकरण: रुझानों में रंग मिश्रण के लिए एक ही पैकेज में कई एलईडी चिप्स (आरजीबी) को एकीकृत करना, या "स्मार्ट" प्रकाश समाधानों के लिए नियंत्रण आईसी को एलईडी के साथ जोड़ना शामिल है।

इन विकासों का उद्देश्य डिजाइनरों को अनुप्रयोगों के विस्तृत दायरे के लिए अधिक सक्षम, कुशल और विश्वसनीय घटक प्रदान करना है।