SMD LED LTST-C990KSKT-BL डेटाशीट - आयाम 3.2x2.8x1.9mm - वोल्टेज 1.8-2.4V - पावर 62.5mW - पीला - अंग्रेजी तकनीकी दस्तावेज़

1. उत्पाद अवलोकन

यह दस्तावेज़ LTST-C990KSKT-BL, एक सरफेस-माउंट डिवाइस (SMD) LED लैंप की पूर्ण तकनीकी विशिष्टताएँ प्रदान करता है। स्वचालित मुद्रित सर्किट बोर्ड (PCB) असेंबली के लिए डिज़ाइन किया गया, यह घटक उपभोक्ता और औद्योगिक इलेक्ट्रॉनिक्स की एक विस्तृत श्रृंखला में स्थान-सीमित अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है।

1.1 मुख्य लाभ और लक्षित बाज़ार

इस LED के प्राथमिक लाभों में इसका लघु आकार, एक AlInGaP सेमीकंडक्टर चिप से उच्च चमक उत्पादन, और स्वचालित पिक-एंड-प्लेस मशीनरी तथा इन्फ्रारेड (IR) रीफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रियाओं के साथ पूर्ण अनुकूलता शामिल है। यह RoHS अनुपालन मानकों को पूरा करने के लिए अभियांत्रिक है। इसके लक्षित अनुप्रयोग विविध हैं, जिनमें दूरसंचार उपकरण (जैसे, कॉर्डलेस और सेलुलर फोन), नोटबुक कंप्यूटर जैसे कार्यालय स्वचालन उपकरण, नेटवर्क सिस्टम, घरेलू उपकरण, और इनडोर साइनेज या प्रतीक प्रकाश शामिल हैं। विशिष्ट उपयोगों में कीपैड या कीबोर्ड बैकलाइटिंग, स्थिति संकेतक, माइक्रो-डिस्प्ले और सामान्य सिग्नल ल्यूमिनेयर शामिल हैं।

2. तकनीकी पैरामीटर: गहन वस्तुनिष्ठ व्याख्या

निम्नलिखित अनुभाग एलईडी के प्रदर्शन सीमा को परिभाषित करने वाले महत्वपूर्ण विद्युत, प्रकाशिक और तापीय पैरामीटरों का विस्तार से वर्णन करते हैं।

2.1 Absolute Maximum Ratings

ये रेटिंग उन सीमाओं को निर्दिष्ट करती हैं जिनके परे डिवाइस को स्थायी क्षति हो सकती है। ये सामान्य संचालन के लिए अभिप्रेत नहीं हैं। 25°C के परिवेश तापमान (Ta) पर: अधिकतम निरंतर DC अग्र धारा (IF) 25 mA है। डिवाइस 60 mA की उच्चतर शिखर अग्र धारा को संभाल सकता है, लेकिन केवल 1/10 ड्यूटी साइकिल और 0.1 ms के पल्स चौड़ाई वाली स्पंदित स्थितियों के तहत। अधिकतम अनुमेय विपरीत वोल्टेज (VR) 5 V है। कुल शक्ति अपव्यय 62.5 mW से अधिक नहीं होना चाहिए। संचालन तापमान सीमा -30°C से +85°C तक है, जबकि भंडारण तापमान सीमा -40°C से +85°C तक फैली हुई है। यह घटक 10 सेकंड की अवधि के लिए 260°C के शिखर तापमान के साथ इन्फ्रारेड रीफ्लो सोल्डरिंग को सहन कर सकता है।

2.2 Electro-Optical Characteristics

ये विशेषताएँ मानक परीक्षण स्थितियों (Ta=25°C, IF=20 mA) के तहत मापी जाती हैं और विशिष्ट प्रदर्शन का प्रतिनिधित्व करती हैं। दीप्त तीव्रता (Iv), जो अनुभूत चमक का माप है, न्यूनतम 450.0 mcd से अधिकतम 1120.0 mcd तक होती है। देखने का कोण, जिसे 2θ1/2 के रूप में परिभाषित किया गया है जहाँ तीव्रता अक्षीय मान की आधी होती है, 75 डिग्री है, जो अपेक्षाकृत चौड़ी बीम पैटर्न को दर्शाता है। शिखर उत्सर्जन तरंगदैर्ध्य (λP) आमतौर पर 591.0 nm होता है। प्रमुख तरंगदैर्ध्य (λd), जो CIE क्रोमैटिसिटी डायग्राम पर अनुभूत रंग बिंदु को परिभाषित करता है, 584.5 nm और 594.5 nm के बीच निर्दिष्ट है, जो इसे स्पेक्ट्रम के पीले क्षेत्र में स्थापित करता है। स्पेक्ट्रल लाइन आधी-चौड़ाई (Δλ) लगभग 15 nm है। 20 mA पर अग्र वोल्टेज (VF) 1.8 V से 2.4 V तक होता है। 5 V पर विपरीत धारा (IR) अधिकतम 10 µA है।

2.3 थर्मल विचार

प्रदत्त अंश में वक्रों के भीतर स्पष्ट रूप से विस्तृत नहीं होने पर भी, 62.5 mW की अधिकतम शक्ति क्षय और निर्दिष्ट संचालन तापमान सीमा प्रमुख तापीय पैरामीटर हैं। डिजाइनरों को यह सुनिश्चित करना चाहिए कि PCB लेआउट और अनुप्रयोग वातावरण पर्याप्त ऊष्मा अपव्यय की अनुमति देते हैं ताकि जंक्शन तापमान सुरक्षित सीमा के भीतर रहे, क्योंकि अधिकतम रेटिंग से अधिक होने पर प्रदर्शन और जीवनकाल प्रभावित होगा।

3. Bin Ranking System Explanation

उत्पादन में रंग और चमक की स्थिरता सुनिश्चित करने के लिए, LEDs को मापे गए पैरामीटर्स के आधार पर बिन में वर्गीकृत किया जाता है। यह प्रणाली डिजाइनरों को विशिष्ट अनुप्रयोग आवश्यकताओं को पूरा करने वाले घटकों का चयन करने की अनुमति देती है।

3.1 फॉरवर्ड वोल्टेज (VF) बिनिंग

पीले प्रकार के लिए, 20 mA की परीक्षण धारा पर फॉरवर्ड वोल्टेज को दो बिन में वर्गीकृत किया जाता है: बिन F2 (1.80 V से 2.10 V) और बिन F3 (2.10 V से 2.40 V)। प्रत्येक बिन की सहनशीलता ±0.1 V है। एक ही VF बिन से एलईडी का चयन करने से कई उपकरणों को समानांतर में जोड़े जाने पर एकसमान धारा वितरण बनाए रखने में मदद मिलती है।

3.2 प्रदीप्त तीव्रता (Iv) बिनिंग

प्रदीप्त तीव्रता को दो बिनों में वर्गीकृत किया गया है: बिन U (450.0 mcd से 710.0 mcd) और बिन V (710.0 mcd से 1120.0 mcd)। सहनशीलता बिन रेंज का ±15% है। यह आवश्यक चमक स्तरों के आधार पर चयन की अनुमति देता है, जिसमें बिन V उच्च आउटपुट प्रदान करता है।

3.3 ह्यू (प्रमुख तरंगदैर्ध्य) बिनिंग

प्रमुख तरंगदैर्ध्य, जो पीले रंग के सटीक शेड को निर्धारित करता है, चार बिन में विभाजित है: बिन H (584.5 nm से 587.0 nm), बिन J (587.0 nm से 589.5 nm), बिन K (589.5 nm से 592.0 nm), और बिन L (592.0 nm से 594.5 nm). प्रत्येक बिन के लिए सहनशीलता ±1 nm है। यह सटीक बिनिंग उन अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण है जिनमें सख्त रंग मिलान की आवश्यकता होती है, जैसे कि मल्टी-एलईडी डिस्प्ले या स्टेटस इंडिकेटर जहां रंग स्थिरता सर्वोपरि है।

4. प्रदर्शन वक्र विश्लेषण

हालांकि विशिष्ट ग्राफिकल वक्रों का उल्लेख किया गया है लेकिन पाठ में प्रदर्शित नहीं किया गया है, ऐसे उपकरण के लिए विशिष्ट प्लॉट्स में निम्नलिखित शामिल होंगे, जो विभिन्न परिस्थितियों में प्रदर्शन में गहरी अंतर्दृष्टि प्रदान करते हैं।

4.1 Forward Current vs. Forward Voltage (I-V Curve)

यह वक्र एलईडी के माध्यम से प्रवाहित होने वाली धारा और उसके पार वोल्टेज ड्रॉप के बीच गैर-रैखिक संबंध दर्शाता है। वांछित चमक स्तर पर स्थिर संचालन सुनिश्चित करने के लिए अधिकतम धारा रेटिंग को पार किए बिना करंट-लिमिटिंग सर्किटरी (जैसे, श्रृंखला रोकनेवाला या स्थिर धारा ड्राइवर) को डिजाइन करने के लिए यह आवश्यक है।

4.2 Luminous Intensity vs. Forward Current

यह प्लॉट दर्शाता है कि प्रकाश उत्पादन अग्र धारा के साथ कैसे बढ़ता है। यह एक सीमा तक आम तौर पर रैखिक होता है लेकिन उच्च धाराओं पर संतृप्त हो जाएगा। अधिकतम डीसी धारा के निकट संचालन से उच्च चमक प्राप्त हो सकती है, लेकिन इससे दक्षता कम हो सकती है और समय के साथ लुमेन ह्रास तेज हो सकता है।

4.3 Luminous Intensity vs. Ambient Temperature

यह विशेषता वक्र प्रकाश उत्पादन पर बढ़ते जंक्शन तापमान के नकारात्मक प्रभाव को प्रदर्शित करता है। तापमान बढ़ने के साथ, दीप्त तीव्रता आम तौर पर कम हो जाती है। इस डीरेटिंग को समझना उन्नत तापमान वाले वातावरण में संचालित होने वाले अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण है ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि पर्याप्त चमक बनी रहे।

4.4 Spectral Distribution

एक स्पेक्ट्रल प्लॉट तरंगदैर्ध्य के एक फ़ंक्शन के रूप में उत्सर्जित सापेक्ष विकिरण शक्ति दिखाएगा, जो लगभग 15 nm अर्ध-चौड़ाई के साथ 591 nm शिखर के आसपास केंद्रित है। यह AlInGaP चिप के एकवर्णी पीले उत्सर्जन की पुष्टि करता है।

5. Mechanical and Package Information

5.1 पैकेज आयाम

LED एक मानक EIA-अनुपालन SMD पैकेज में रखा गया है। मुख्य आयामों में 3.2 मिमी लंबाई, 2.8 मिमी चौड़ाई और 1.9 मिमी ऊंचाई शामिल है। अन्यथा निर्दिष्ट न होने पर सभी आयामी सहनशीलताएं ±0.1 मिमी हैं। डिवाइस में एक वाटर-क्लियर डोम लेंस है जो 75-डिग्री के व्यूइंग एंगल को प्राप्त करने में सहायता करता है।

5.2 अनुशंसित PCB अटैचमेंट पैड लेआउट

विश्वसनीय सोल्डरिंग और उचित यांत्रिक संरेखण सुनिश्चित करने के लिए PCB डिज़ाइन के लिए एक सुझाया गया लैंड पैटर्न (फुटप्रिंट) प्रदान किया गया है। अच्छे सोल्डर फिलेट प्राप्त करने और रीफ्लो के दौरान टॉम्बस्टोनिंग को रोकने के लिए इस अनुशंसित पैड ज्यामिति का पालन करना महत्वपूर्ण है।

5.3 पोलैरिटी पहचान

कैथोड (नकारात्मक) टर्मिनल आमतौर पर डिवाइस बॉडी पर चिह्नित होता है, अक्सर लेंस या पैकेज पर एक खांचे, हरे बिंदु या कटे हुए कोने द्वारा। सही कार्य सुनिश्चित करने के लिए असेंबली के दौरान सही ध्रुवता अभिविन्यास का पालन किया जाना चाहिए।

6. Soldering and Assembly Guidelines

6.1 Infrared Reflow Soldering Parameters

लीड-फ्री (Pb-free) सोल्डर प्रक्रियाओं के लिए, एक विशिष्ट रिफ्लो प्रोफाइल की सिफारिश की जाती है। पीक बॉडी तापमान 260°C से अधिक नहीं होना चाहिए, और 260°C से ऊपर का समय अधिकतम 10 सेकंड तक सीमित होना चाहिए। इन शर्तों के तहत डिवाइस को अधिकतम दो रिफ्लो चक्रों के अधीन ही किया जाना चाहिए। थर्मल शॉक को कम करने के लिए 150°C और 200°C के बीच 120 सेकंड तक की प्री-हीट अवस्था की सलाह दी जाती है। ये पैरामीटर JEDEC मानकों के अनुरूप हैं ताकि LED पैकेज को क्षति पहुंचाए बिना विश्वसनीय सोल्डर जोड़ सुनिश्चित किया जा सके।

6.2 हैंड सोल्डरिंग निर्देश

यदि हाथ से सोल्डरिंग आवश्यक हो, तो सोल्डरिंग आयरन की नोक का तापमान 300°C या उससे कम रखा जाना चाहिए। प्रत्येक सोल्डर जोड़ के लिए संपर्क समय अधिकतम 3 सेकंड तक सीमित होना चाहिए, और यह प्रत्येक जोड़ पर केवल एक बार किया जाना चाहिए ताकि सेमीकंडक्टर डाई में अत्यधिक ऊष्मा स्थानांतरण को रोका जा सके।

6.3 भंडारण की शर्तें

अनओपन्ड मॉइस्चर-सेंसिटिव बैग (MSL 3) को ≤ 30°C और ≤ 90% सापेक्ष आर्द्रता (RH) पर संग्रहित किया जाना चाहिए और एक वर्ष के भीतर उपयोग किया जाना चाहिए। एक बार मूल सीलबंद पैकेजिंग खोलने के बाद, एलईडी को 30°C और 60% RH से अधिक नहीं वाले वातावरण में संग्रहित किया जाना चाहिए। खोलने के एक सप्ताह के भीतर आईआर रीफ्लो प्रक्रिया पूरी करने की दृढ़ता से सिफारिश की जाती है। मूल बैग के बाहर लंबे समय तक भंडारण के लिए, घटकों को डिसिकेंट के साथ एक सीलबंद कंटेनर में या नाइट्रोजन-पर्ज्ड डिसिकेटर में रखा जाना चाहिए। यदि मूल पैकेजिंग के बाहर एक सप्ताह से अधिक समय तक संग्रहित किया जाता है, तो सोल्डरिंग से पहले अवशोषित नमी को हटाने और रीफ्लो के दौरान "पॉपकॉर्निंग" को रोकने के लिए लगभग 60°C पर कम से कम 20 घंटे के लिए बेक-आउट आवश्यक है।

6.4 सफाई प्रक्रियाएं

यदि सोल्डरिंग के बाद सफाई आवश्यक है, तो केवल निर्दिष्ट अल्कोहल-आधारित सॉल्वेंट्स जैसे आइसोप्रोपाइल अल्कोहल (IPA) या एथिल अल्कोहल का उपयोग किया जाना चाहिए। एलईडी को सामान्य कमरे के तापमान पर एक मिनट से कम समय के लिए डुबोया जाना चाहिए। अनिर्दिष्ट रासायनिक क्लीनर एपॉक्सी लेंस या पैकेज को नुकसान पहुंचा सकते हैं।

7. पैकेजिंग और ऑर्डरिंग जानकारी

7.1 टेप और रील विशिष्टताएँ

एलईडी को ANSI/EIA-481 मानकों के अनुसार, 7-इंच (178 मिमी) व्यास की रीलों पर उभरी हुई वाहक टेप में आपूर्ति की जाती है। प्रत्येक रील में 3000 टुकड़े होते हैं। टेप पॉकेट के आयाम 3.2x2.8 मिमी घटक को सुरक्षित रूप से रखने के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। एक शीर्ष कवर टेप पॉकेट को सील करती है। टेप में लगातार गुम घटकों की अधिकतम अनुमेय संख्या दो है। एक पूरी रील से कम मात्रा के लिए, शेष ऑर्डर के लिए न्यूनतम पैकिंग मात्रा 500 टुकड़े उपलब्ध है।

8. अनुप्रयोग सिफारिशें

8.1 विशिष्ट अनुप्रयोग सर्किट

LED को एक स्थिर धारा द्वारा या वोल्टेज स्रोत के साथ श्रृंखला में जुड़े एक करंट-लिमिटिंग रेसिस्टर के माध्यम से संचालित किया जाना चाहिए। श्रृंखला रेसिस्टर मान (R_s) की गणना ओम के नियम का उपयोग करके की जा सकती है: R_s = (V_supply - V_F) / I_F, जहां V_F वांछित धारा I_F (उदाहरण के लिए, 20 mA) पर LED का फॉरवर्ड वोल्टेज है। 2.4 V के अधिकतम V_F का उपयोग यह सुनिश्चित करता है कि रेसिस्टर को रूढ़िवादी रूप से आकार दिया गया है ताकि सभी बिन स्थितियों में धारा को सीमित किया जा सके।

8.2 डिज़ाइन विचार और सावधानियाँ

ESD Sensitivity: LED इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) के प्रति संवेदनशील है। हैंडलिंग और असेंबली के दौरान उचित ESD नियंत्रण लागू होने चाहिए, जिसमें ग्राउंडेड रिस्ट स्ट्रैप, एंटी-स्टैटिक मैट और ESD-सुरक्षित उपकरणों का उपयोग शामिल है।
करंट नियंत्रण: करंट लिमिटिंग के बिना LED को कभी भी सीधे वोल्टेज स्रोत से न जोड़ें, क्योंकि इससे अत्यधिक करंट प्रवाह, तत्काल ओवरहीटिंग और विनाशकारी विफलता होगी।
Heat Management: Ensure the PCB layout provides adequate thermal relief, especially when operating at or near the maximum DC current. Avoid placing the LED near other significant heat sources.
Application Scope: यह घटक सामान्य-उद्देश्य इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह उन अनुप्रयोगों के लिए रेटेड नहीं है जहां विफलता जीवन या सुरक्षा के लिए प्रत्यक्ष जोखिम पैदा कर सकती है, जैसे कि विमानन, चिकित्सा जीवन-समर्थन, या महत्वपूर्ण परिवहन नियंत्रण प्रणालियों में, बिना पूर्व परामर्श और योग्यता के।

9. Technical Comparison and Differentiation

LTST-C990KSKT-BL स्वयं को प्रकाश-उत्सर्जक चिप के लिए AlInGaP (एल्यूमीनियम इंडियम गैलियम फॉस्फाइड) अर्धचालक सामग्री के उपयोग के माध्यम से अलग करता है। मानक GaP (गैलियम फॉस्फाइड) जैसी पुरानी तकनीकों की तुलना में, AlInGaP काफी अधिक दीप्त दक्षता प्रदान करता है, जिसके परिणामस्वरूप दी गई धारा के लिए अधिक चमक (1120 mcd तक) होती है। फैलाव या रंगीन लेंस के विपरीत, वाटर-क्लियर लेंस प्रकाश निष्कर्षण को अधिकतम करता है और सुस्पष्ट 75-डिग्री व्यूइंग एंगल में योगदान देता है। उच्च-मात्रा, स्वचालित SMT असेंबली प्रक्रियाओं, जिसमें आक्रामक IR रीफ्लो प्रोफाइल शामिल हैं, के साथ इसकी पूर्ण संगतता इसे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स विनिर्माण के लिए एक लागत-प्रभावी और विश्वसनीय विकल्प बनाती है।

10. अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न (तकनीकी मापदंडों के आधार पर)

प्र: शिखर तरंगदैर्ध्य और प्रमुख तरंगदैर्ध्य में क्या अंतर है?
उ: शिखर तरंगदैर्ध्य (λP) वह एकल तरंगदैर्ध्य है जिस पर उत्सर्जित प्रकाश शक्ति अधिकतम होती है (आमतौर पर 591 nm)। प्रमुख तरंगदैर्ध्य (λd) CIE रंग निर्देशांक से प्राप्त होता है और शुद्ध एकवर्णी प्रकाश की उस एकल तरंगदैर्ध्य का प्रतिनिधित्व करता है जो LED के माने गए रंग से मेल खाएगी (584.5-594.5 nm)। रंग विनिर्देशन के लिए λd अधिक प्रासंगिक है।

Q: क्या मैं इस LED को 3.3V की आपूर्ति से चला सकता हूँ?
A: हाँ, लेकिन एक श्रृंखला रोकनेवाला अनिवार्य है। अधिकतम V_F 2.4V और लक्ष्य I_F 20mA का उपयोग करते हुए, रोकनेवाला मान R = (3.3V - 2.4V) / 0.02A = 45 Ohms होगा। एक मानक 47 Ohm रोकनेवाला एक उपयुक्त विकल्प होगा, जिससे धारा थोड़ी कम होगी।

Q: Binning महत्वपूर्ण क्यों है?
A: बिनिंग उत्पादन में एकरूपता सुनिश्चित करती है। उदाहरण के लिए, चमकदार तीव्रता के लिए सभी एलईडी को बिन V से और तरंगदैर्ध्य के लिए बिन K से उपयोग करने से गारंटी मिलती है कि एक पैनल के सभी संकेतक लगभग समान चमक और पीले रंग के समान शेड होंगे, जो उत्पाद की गुणवत्ता और सौंदर्यशास्त्र के लिए महत्वपूर्ण है।

Q: भंडारण के लिए "MSL 3" का क्या अर्थ है?
A: Moisture Sensitivity Level 3 इंगित करता है कि पैकेज्ड डिवाइस को फैक्ट्री फ्लोर की स्थितियों (≤ 30°C/60% RH) में 168 घंटे (7 दिन) तक उजागर किया जा सकता है, इससे पहले कि उसे उच्च-तापमान रीफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रिया के दौरान आंतरिक क्षति का कारण बन सकने वाली नमी को हटाने के लिए बेकिंग की आवश्यकता हो।

11. Practical Use Case Example

परिदृश्य: एक नेटवर्क राउटर के लिए एक स्थिति संकेतक पैनल डिजाइन करना।
पैनल को "पावर," "इंटरनेट," "Wi-Fi," और "ईथरनेट" स्थिति दर्शाने के लिए चार पीले एलईडी की आवश्यकता है। एक समान रूप सुनिश्चित करने के लिए, डिजाइनर Bin V (उच्च, समान चमक के लिए) और Bin J (एक विशिष्ट पीले रंग के लिए) से एलईडी निर्दिष्ट करता है। सर्किट राउटर की 5V रेल से संचालित होता है। सुरक्षित रहने के लिए अधिकतम V_F का उपयोग करके एक श्रृंखला अवरोधक की गणना की जाती है: R = (5V - 2.4V) / 0.02A = 130 ओम। प्रत्येक एलईडी के साथ श्रृंखला में एक 130 ओम, 1/8W अवरोधक लगाया जाता है। पीसीबी लेआउट अनुशंसित पैड फुटप्रिंट का उपयोग करता है और कैथोड पैड पर छोटे थर्मल रिलीफ स्पोक्स शामिल करता है। असेंबली हाउस प्रदान की गई IR रीफ्लो प्रोफाइल का पालन करता है। अंतिम उत्पाद चार चमकीले, पूरी तरह से मेल खाते पीले संकेतक प्रदर्शित करता है जो एक विस्तृत कोण से स्पष्ट रूप से दिखाई देते हैं।

12. संचालन सिद्धांत परिचय

इस एलईडी में प्रकाश उत्सर्जन AlInGaP से बने एक सेमीकंडक्टर चिप में इलेक्ट्रोलुमिनेसेंस पर आधारित है। जब चिप के बैंडगैप वोल्टेज (लगभग 2V) से अधिक का फॉरवर्ड वोल्टेज लगाया जाता है, तो इलेक्ट्रॉन और होल क्रमशः n-टाइप और p-टाइप सेमीकंडक्टर परतों से सक्रिय क्षेत्र में इंजेक्ट होते हैं। ये आवेश वाहक पुनर्संयोजित होते हैं, और फोटॉन (प्रकाश) के रूप में ऊर्जा मुक्त करते हैं। AlInGaP मिश्र धातु की विशिष्ट संरचना बैंडगैप ऊर्जा निर्धारित करती है, जो सीधे उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य (रंग) को परिभाषित करती है—इस मामले में, पीला। वाटर-क्लियर एपॉक्सी लेंस चिप को एनकैप्सुलेट करता है, यांत्रिक सुरक्षा प्रदान करता है, प्रकाश आउटपुट बीम (75-डिग्री व्यूइंग एंगल) को आकार देता है, और सेमीकंडक्टर सामग्री से प्रकाश निष्कर्षण को बढ़ाता है।

13. टेक्नोलॉजी ट्रेंड्स एंड कॉन्टेक्स्ट

पीले, नारंगी और लाल एलईडी के लिए AlInGaP सामग्री का उपयोग एक स्थापित उच्च-प्रदर्शन प्रौद्योगिकी का प्रतिनिधित्व करता है, जो पुराने GaAsP और GaP समाधानों की तुलना में बेहतर दक्षता और चमक प्रदान करता है। एसएमडी एलईडी में वर्तमान रुझान दक्षता (लुमेन प्रति वाट) बढ़ाने, छोटे पैकेजों में उच्चतम अधिकतम ड्राइव धाराओं और पावर रेटिंग प्राप्त करने, रंग प्रतिपादन और संतृप्ति में सुधार करने और कठिन पर्यावरणीय परिस्थितियों में विश्वसनीयता बढ़ाने पर केंद्रित हैं। इसके अलावा, बुद्धिमान ड्राइवरों के साथ एकीकरण और चिप-स्केल पैकेज (सीएसपी) एलईडी का विकास जो पारंपरिक प्लास्टिक पैकेज को समाप्त करता है, प्रगति के चल रहे क्षेत्र हैं। यहां वर्णित घटक एक सिद्ध, विश्वसनीय प्रौद्योगिकी का उपयोग करता है जो मुख्यधारा के उपभोक्ता और औद्योगिक अनुप्रयोगों में लागत-प्रभावी, उच्च-मात्रा वाले विनिर्माण के लिए अनुकूलित है।