LTLMR4YW2DA LED लाइट बीड स्पेसिफिकेशन शीट - 4.2x4.2x6.9mm - 2.4V अधिकतम - 120mW - पीला 590nm - तकनीकी दस्तावेज़

1. उत्पाद अवलोकन

LTLMR4YW2DA एक उच्च चमक वाला सरफेस माउंट LED लैंप है जो कठोर प्रकाश अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह पीले AllnGaP (एल्यूमीनियम इंडियम गैलियम फॉस्फाइड) अर्धचालक पदार्थ का उपयोग करता है, जो 594nm की चरम तरंग दैर्ध्य वाला प्रकाश उत्पन्न करता है। डिवाइस एक फैलाव पीले एपॉक्सी राल लेंस में संलग्न है, यह पैकेजिंग डिज़ाइन अतिरिक्त द्वितीयक प्रकाशिकी घटकों की आवश्यकता के बिना एक नियंत्रित संकीर्ण विकिरण पैटर्न प्रदान करने के लिए है। यह इसे विशेष रूप से उन अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है जिनमें सटीक प्रकाश दिशा और उच्च अक्षीय प्रकाश तीव्रता की आवश्यकता होती है।

इस एलईडी के मुख्य लाभों में उच्च प्रकाश तीव्रता आउटपुट (मानक 20mA ड्राइव करंट पर 16,000 mcd तक) और कम बिजली खपत के कारण उच्च दक्षता शामिल है। पैकेजिंग उन्नत एपॉक्सी मोल्डिंग कंपाउंड तकनीक का उपयोग करती है, जो उत्कृष्ट नमी और यूवी प्रतिरोध प्रदान करती है, विभिन्न वातावरणों में दीर्घकालिक विश्वसनीयता को बढ़ाती है। उत्पाद RoHS निर्देश का पूर्ण अनुपालन करता है और सीसा और हैलोजन मुक्त है।

इस घटक का लक्षित बाजार पेशेवर साइनेज और डिस्प्ले सिस्टम के निर्माताओं को शामिल करता है। इसके प्रमुख अनुप्रयोग क्षेत्र वीडियो सूचना संकेत, यातायात संकेत और अन्य सूचना संकेत हैं जिनके लिए उच्च दृश्यता, रंग स्थिरता और विश्वसनीयता की आवश्यकता होती है। विशिष्ट 25° संकीर्ण देखने का कोण प्रकाश को आगे केंद्रित करता है, जिससे साइन के सामने सीधे देखने वाले के लिए मानी गई चमक अधिकतम हो जाती है।

2. तकनीकी मापदंड विश्लेषण

2.1 पूर्ण अधिकतम रेटिंग

विश्वसनीयता सुनिश्चित करने के लिए, डिवाइस में कठोर संचालन सीमाएं निर्धारित की गई हैं। 25°C परिवेश तापमान (TA) पर, अधिकतम शक्ति अपव्यय 120 mW है। DC अग्र धारा 50 mA से अधिक नहीं होनी चाहिए। पल्स संचालन के लिए, विशिष्ट शर्तों के तहत 120 mA की शिखर अग्र धारा की अनुमति है: ड्यूटी साइकिल ≤1/10 और पल्स चौड़ाई 10ms से अधिक नहीं। संचालन तापमान सीमा -40°C से +85°C है, और भंडारण तापमान सीमा -40°C से +100°C है। असेंबली के लिए एक महत्वपूर्ण रेटिंग रिफ्लो सोल्डरिंग की स्थिति है, जो 260°C शिखर तापमान पर 10 सेकंड तक की अनुमति देती है, जो मानक लीड-फ्री रिफ्लो सोल्डरिंग प्रोफाइल के साथ संगत है।

2.2 विद्युत एवं प्रकाशीय विशेषताएँ

प्रमुख प्रदर्शन मापदंड TA=25°C और IF=20mA की स्थितियों में मापे गए हैं। प्रकाश उत्सर्जन तीव्रता (Iv) की विशिष्ट सीमा 7,200 से 16,000 मिलीकैंडेला (mcd) है, जिसका विशिष्ट मान बिनिंग प्रक्रिया द्वारा निर्धारित किया जाता है। दृश्य कोण (2θ1/2) को वह पूर्ण कोण के रूप में परिभाषित किया गया है जिस पर प्रकाश तीव्रता अक्षीय मान के आधे तक गिर जाती है, इसका विशिष्ट मान 25° है, जिसकी सहनशीलता ±2° है। पीले प्रकाश की शिखर तरंगदैर्ध्य (λd) 583.5 nm से 593.5 nm के बीच निर्धारित की गई है, विशिष्ट शिखर उत्सर्जन तरंगदैर्ध्य (λP) 594 nm है, और वर्णक्रमीय अर्ध-चौड़ाई (Δλ) 15 nm है। परीक्षण धारा पर, अग्र वोल्टेज (VF) की सीमा न्यूनतम 1.8V से अधिकतम 2.4V तक है। पश्च धारा (IR) को पश्च वोल्टेज (VR) 5V पर अधिकतम 10 μA तक सीमित किया गया है, कृपया ध्यान दें कि यह उपकरण पश्च अभिनति संचालन के लिए डिज़ाइन नहीं किया गया है।

3. बिनिंग प्रणाली विनिर्देश

उत्पादन बैच के भीतर रंग और चमक की एकरूपता सुनिश्चित करने के लिए एलईडी को बिनिंग के आधार पर वर्गीकृत किया जाता है। यह डिजाइनरों को विशिष्ट अनुप्रयोग की एकरूपता आवश्यकताओं को पूरा करने वाले घटकों का चयन करने में सक्षम बनाता है।

3.1 प्रकाश तीव्रता (Iv) ग्रेडिंग

LED को 20mA पर मापी गई उनकी चमकदार तीव्रता के आधार पर ग्रेड किया जाता है। ग्रेड कोड हैं: कोड X (7,200 - 9,300 mcd), कोड Y (9,300 - 12,000 mcd), और कोड Z (12,000 - 16,000 mcd)। प्रत्येक ग्रेड सीमा के लिए ±15% सहनशीलता लागू होती है।

3.2 शिखर तरंगदैर्ध्य (Wd) ग्रेडिंग

रंग एकरूपता को नियंत्रित करने के लिए, LED को पीक वेवलेंथ के आधार पर ग्रेड किया जाता है। ग्रेड हैं: Y1 (583.5 - 586.0 nm), Y2 (586.0 - 588.5 nm), Y3 (588.5 - 591.0 nm), और Y4 (591.0 - 593.5 nm)। प्रत्येक ग्रेड सीमा के लिए ±1nm सहनशीलता लागू होती है।

3.3 फॉरवर्ड वोल्टेज (Vf) ग्रेडिंग

करंट रेगुलेशन सर्किट डिज़ाइन में सहायता के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज को भी ग्रेड किया जाता है। ग्रेड हैं: 1A (1.8 - 2.0V), 2A (2.0 - 2.2V) और 3A (2.2 - 2.4V)। प्रत्येक सीमा पर ±0.1V का सहनशीलता मान लागू होता है।

4. मैकेनिकल और पैकेजिंग जानकारी

4.1 Physical Dimensions

The package body is square, with each side measuring 4.2mm ±0.2mm. The overall height, including the lens, is 6.9mm ±0.5mm. Leads protrude from the bottom of the package, with a lead pitch (at the point of lead protrusion) of 3.65mm ±0.2mm. The maximum resin protrusion below the flange is allowed to be 1.0mm. Unless otherwise specified, all dimensions include a general tolerance of ±0.25mm.

4.2 ध्रुवीयता पहचान

इस डिवाइस में तीन पिन (P1, P2, P3) हैं। P1 और P3 को एनोड (+) के रूप में निर्दिष्ट किया गया है, और P2 को कैथोड (-) के रूप में निर्दिष्ट किया गया है। PCB लेआउट और असेंबली प्रक्रिया के दौरान सही ध्रुवीयता का ध्यान रखना आवश्यक है।

5. वेल्डिंग और असेंबली मार्गदर्शिका

5.1 रीफ्लो वेल्डिंग प्रोफाइल

यह एलईडी लीड-फ्री रीफ्लो वेल्डिंग प्रक्रिया के लिए उपयुक्त है। अनुशंसित प्रोफाइल पैरामीटर हैं: प्रीहीट/सोक तापमान 150°C से 200°C, अधिकतम 120 सेकंड। लिक्विडस तापमान (T_L= 217°C) के बीच का समय 60 से 150 सेकंड के बीच होना चाहिए। एनकैप्सुलेशन बॉडी का पीक तापमान (T_P) 260°C से अधिक नहीं होना चाहिए, और निर्दिष्ट ग्रेड तापमान (T_C= 255°C) ±5°C की सीमा के भीतर का समय अधिकतम 30 सेकंड होना चाहिए। 25°C से पीक तापमान तक का कुल समय 5 मिनट से अधिक नहीं होना चाहिए।

5.2 हैंड वेल्डिंग

यदि हाथ से सोल्डरिंग करनी ही पड़े, तो ऐसा सोल्डरिंग आयरन प्रयोग करें जिसका टिप तापमान 315°C से अधिक न हो। प्रत्येक पिन की सोल्डरिंग का समय अधिकतम 3 सेकंड तक सीमित रखें, और एलईडी को तापीय क्षति से बचाने के लिए प्रत्येक सोल्डर जोड़ पर केवल एक बार ही सोल्डरिंग करें।

5.3 सफाई

यदि सोल्डरिंग के बाद सफाई की आवश्यकता हो, तो केवल अल्कोहल आधारित सॉल्वेंट्स जैसे आइसोप्रोपाइल अल्कोहल का ही प्रयोग करें। कठोर या संक्षारक रासायनिक सफाई एजेंटों के उपयोग से बचें, क्योंकि वे एपॉक्सी लेंस या पैकेज मार्किंग को क्षतिग्रस्त कर सकते हैं।

6. भंडारण एवं संचालन

6.1 आर्द्रता संवेदनशीलता

根据JEDEC标准J-STD-020，该元件被归类为湿度敏感等级3（MSL3）。LED以密封的防潮袋（MBB）供应，袋内装有干燥剂和湿度指示卡。当在未开封的MBB中，存储条件为<30°C和<90%相对湿度（RH）时，保质期为12个月。

6.2 शॉप फ्लोर लाइफ एवं बेकिंग

防潮袋打开后，"车间寿命"即开始计算。LED必须在<30°C和<60% RH的条件下存储，并且所有焊接或高温工艺必须在168小时（7天）内完成。在以下情况下需要进行烘烤：湿度指示卡显示>10% RH、车间寿命超过168小时，或元件已暴露在>30°C和>60% RH的环境中。推荐的烘烤条件为60°C ±5°C下烘烤20小时，且烘烤只能进行一次。长时间暴露在环境空气中会使引脚上的银镀层氧化，影响可焊性。未使用的LED应重新与干燥剂一起密封在防潮袋中。

7. पैकेजिंग विनिर्देश

LED स्वचालित पिक-एंड-प्लेस असेंबली के लिए उपयुक्त एम्बॉस्ड कैरियर टेप में आपूर्ति की जाती है। कैरियर टेप आयाम मानकीकृत हैं: पॉकेट पिच 8.0mm ±0.1mm, कैरियर टेप चौड़ाई 16.0mm ±0.3mm। प्रत्येक रील में 1,000 LED होते हैं। रील को सुरक्षात्मक सामग्री में पैक किया जाता है: एक रील को डिसिकेंट और ह्यूमिडिटी इंडिकेटर कार्ड के साथ एक मॉइस्चर बैरियर बैग में रखा जाता है। ऐसे तीन मॉइस्चर बैरियर बैग एक इनर बॉक्स में पैक किए जाते हैं, कुल 3,000 टुकड़े। अंत में, दस इनर बॉक्स एक आउटर शिपिंग कार्टन में पैक किए जाते हैं, प्रत्येक आउटर कार्टन में कुल 30,000 टुकड़े। पैकेजिंग पर स्पष्ट रूप से इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) चेतावनी अंकित होती है, जो इंगित करती है कि डिवाइस संवेदनशील है और सुरक्षित हैंडलिंग प्रक्रियाओं की आवश्यकता है।

8. अनुप्रयोग नोट और डिजाइन विचार

8.1 विशिष्ट अनुप्रयोग परिपथ

स्थिर संचालन और लंबी आयु सुनिश्चित करने के लिए, LED को कॉन्स्टेंट वोल्टेज स्रोत के बजाय कॉन्स्टेंट करंट स्रोत द्वारा संचालित किया जाना चाहिए। बुनियादी करंट सीमित करने के लिए एक साधारण श्रृंखला रोकनेवाला का उपयोग किया जा सकता है, जिसकी गणना सूत्र R = (V_{पावर सप्लाई}- V_F) / I_Fहालाँकि, ऐसे अनुप्रयोगों के लिए जहाँ तापमान या पावर सप्लाई वोल्टेज में परिवर्तन के बावजूद चमक स्थिर रखने की आवश्यकता होती है, विशेष LED ड्राइवर IC या ट्रांजिस्टर-आधारित स्थिर धारा सर्किट के उपयोग की सिफारिश की जाती है। अधिकतम DC धारा 50 mA से अधिक नहीं होनी चाहिए। बिजली अपव्यय सीमा के करीब डिज़ाइन के लिए, डिरेटिंग कर्व पर सावधानीपूर्वक ध्यान देना चाहिए, जो 45°C से अधिक परिवेश के तापमान पर प्रति डिग्री सेल्सियस 0.75 mA की रैखिक डिरेटिंग निर्दिष्ट करता है।

8.2 ताप प्रबंधन

हालांकि यह पैकेज मुख्य रूप से हाई-पावर LED के लिए डिज़ाइन नहीं किया गया है, फिर भी प्रदर्शन और आयु बनाए रखने के लिए PCB पर प्रभावी थर्मल प्रबंधन महत्वपूर्ण है। PCB पैड डिज़ाइन को अनुशंसित पैकेज आयामों का पालन करना चाहिए ताकि अच्छी सोल्डर जोड़ बनाना और LED से गर्मी का संचालन सुनिश्चित हो सके। LED के थर्मल पैड (यदि लागू हो) के नीचे थर्मल वाया वाला PCB उपयोग करना, या कैथोड/एनोड पैड से जुड़े पर्याप्त कॉपर पोरिंग सुनिश्चित करना, गर्मी अपव्यय में सहायता करता है। उच्च परिवेश तापमान पर LED को उसके अधिकतम रेटेड मान के करीब या उस तक चलाने से उसकी प्रभावी आयु कम हो जाएगी और रंग विस्थापन या प्रकाश तीव्रता में कमी हो सकती है।

8.3 ऑप्टिकल डिज़ाइन विचार

अंतर्निहित विसरित लेंस और संकीर्ण देखने का कोण कई साइनेज अनुप्रयोगों में द्वितीयक प्रकाशिकी तत्वों की आवश्यकता को समाप्त करते हैं, जिससे असेंबली सरल होती है और लागत कम होती है। विकिरण पैटर्न अपेक्षाकृत चिकना होता है। डिजाइनरों को एलईडी के बीच की दूरी की योजना बनाते समय, समान प्रकाश व्यवस्था और बिना डार्क स्पॉट के प्राप्त करने के लिए कोणीय प्रकाश तीव्रता वितरण पर विचार करना चाहिए। लेंस का विसरित गुण पिक्सेलेशन या व्यक्तिगत एलईडी हॉटस्पॉट को कम करने में मदद करता है, जिससे सूचना बोर्ड पर अधिक सहज दृश्य उपस्थिति बनती है।

9. तकनीकी तुलना एवं विभेदीकरण

मानक SMD (सरफेस माउंट डिवाइस) या PLCC (प्लास्टिक लीडेड चिप कैरियर) पैकेज्ड LED की तुलना में, इस लैंप-स्टाइल पैकेजिंग में दिशात्मक प्रकाश व्यवस्था के लिए स्पष्ट लाभ हैं। मानक SMD LED में आमतौर पर व्यापक देखने का कोण (जैसे 120°) होता है, जो प्रकाश को एक बड़े क्षेत्र में फैला देता है, जो उन अनुप्रयोगों के लिए अक्षम है जहाँ प्रकाश को एक विशिष्ट दिशा से देखने की आवश्यकता होती है। LTLMR4YW2DA का 25° देखने का कोण लुमेन फ्लक्स को केंद्रित करता है, जिससे समान कुल प्रकाश उत्पादन (लुमेन) पर काफी अधिक अक्षीय चमकदार तीव्रता (कैंडेला) प्राप्त होती है। यह इसे यातायात संकेतों जैसे अनुप्रयोगों में अधिक कुशल बनाता है, क्योंकि दर्शक आमतौर पर संकेत के सामने एक संकीर्ण शंक्वाकार क्षेत्र में स्थित होते हैं। SMD बॉडी में एकीकृत लेंस और मजबूत थ्रू-होल पिन, प्रकाशीय नियंत्रण, यांत्रिक शक्ति और स्वचालित असेंबली संगतता के बीच एक अच्छा संतुलन प्रदान करते हैं।

10. सामान्य प्रश्न (FAQ)

प्रश्न: पीक वेवलेंथ और डोमिनेंट वेवलेंथ में क्या अंतर है?
उत्तर: पीक वेवलेंथ (λP) उत्सर्जन स्पेक्ट्रम की तीव्रता के अधिकतम मान पर एकल तरंगदैर्ध्य है। डोमिनेंट वेवलेंथ (λd) CIE क्रोमैटिसिटी डायग्राम से प्राप्त होती है और एक मोनोक्रोमैटिक प्रकाश की एकल तरंगदैर्ध्य का प्रतिनिधित्व करती है जो मानव पर्यवेक्षक को LED के रंग के समान प्रतीत होती है। इस पीले AllnGaP प्रकार के संकीर्ण स्पेक्ट्रम LED जैसे उपकरणों के लिए, वे आमतौर पर बहुत करीब होते हैं, लेकिन रंग विनिर्देश में λd अधिक प्रासंगिक पैरामीटर है।

प्रश्न: क्या मैं इस LED को वोल्टेज स्रोत से चला सकता हूँ?
उत्तर: ऐसा करने की दृढ़ता से अनुशंसा नहीं की जाती है। LED करंट-चालित उपकरण हैं। उनका फॉरवर्ड वोल्टेज सहनशीलता के अंतर्गत आता है और तापमान के साथ बदलता रहता है। वोल्टेज स्रोत से सीधे जोड़ने पर, भले ही एक विशिष्ट V_Fगणना की गई प्रतिरोध, यदि वास्तविक V_Fअपनी सीमा के निचले सिरे पर हो, तो भी अत्यधिक धारा का कारण बन सकता है, जिससे LED क्षतिग्रस्त हो सकती है। करंट सीमित करने वाली व्यवस्था का उपयोग अवश्य करें।

प्रश्न: MSL3 रेटिंग और बेकिंग प्रक्रिया महत्वपूर्ण क्यों हैं?
उत्तर: प्लास्टिक पैकेजिंग द्वारा अवशोषित नमी, उच्च तापमान रिफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रिया के दौरान तेजी से वाष्पित हो जाती है, जिससे आंतरिक परतों का अलग होना, दरार पड़ना या "पॉपकॉर्न" प्रभाव हो सकता है, जिससे तत्काल या संभावित विफलता होती है। MSL3 हैंडलिंग प्रक्रियाओं (168 घंटे की फ्लोर लाइफ, उचित भंडारण और आवश्यकता पड़ने पर बेकिंग) का पालन करना, असेंबली यील्ड और दीर्घकालिक क्षेत्र विश्वसनीयता सुनिश्चित करने के लिए महत्वपूर्ण है।

प्रश्न: ऑर्डर करते समय ग्रेडिंग कोड की व्याख्या कैसे करें?
उत्तर: ग्रेडिंग कोड (उदाहरण के लिए, Iv=Z, Wd=Y3, Vf=2A) आपको एप्लिकेशन के लिए आवश्यक प्रदर्शन सीमा निर्दिष्ट करने की अनुमति देते हैं। उन संकेतों के लिए जिन्हें बहुत उच्च और समान चमक की आवश्यकता होती है, आप Iv=Z निर्दिष्ट कर सकते हैं। कई संकेतों के बीच या बड़े ऐरे के भीतर महत्वपूर्ण रंग मिलान के लिए, आपको Y2 या Y3 जैसी सख्त Wd ग्रेडिंग निर्दिष्ट करने की आवश्यकता होती है। उपलब्ध ग्रेडिंग संयोजनों के लिए आपूर्तिकर्ता से परामर्श लें।

11. कार्य सिद्धांत

LTLMR4YW2DA, AllnGaP (aluminium indium gallium phosphide) semiconductor technology par aadharit hai. Jab diode ke chalu hone ki seema se adhik aage ka voltage lagaya jaata hai, to n-type kshetr se electrons aur p-type kshetr se holes sakriya kshetr mein pravesh karaye jaate hain. Yahan, ve punarmilan karte hain, aur photon ke roop mein energy utsargit karte hain. Sakriya kshetr mein AllnGaP alloy ki vishisht band gap energy utsargit prakash ki wavelength nirdharit karti hai, jo is udaharan mein drshya spectrum ke peele kshetr (lagbhag 590nm) mein sthit hai. Semiconductor chip ke aas-paas sthit vikshep epoxy resin lens ka upyog uchch apavartanank dravya se prakash nikaalne, vikiran pattern ko sankeern kiran-punja mein rupantarit karne, aur sutratmak semiconductor sanrachna ko yantrik aur pariveshiy kshati se bachane ke liye kiya jaata hai.

12. उद्योग पृष्ठभूमि और रुझान

LTLMR4YW2DA jaise surface-mount LED beads, LED bazaar mein ek paripakv aur optimised niche ko pratinidhit karte hain, jo kam-shakti sucheak LED aur uchch-shakti prakashak LED ke beech ka antaraal poora karte hain. Is kshetr ki pravrittiyan adhik kushalta (prati watt adhik lumen ya candela), kadee grading ke maadhyam se rang samanyata mein vriddhi, aur vibhinn kaary karne ki sthitiyon mein vishwasniyata maanakon (jaise adhik lambi aayu L70, L90) ko badhane ki or jaari hain. Saath hi, uchch-resolution displays aur sign boards mein adhik bareek pixel spacing praapt karne ke liye, prakash utpadan ko banaaye rakhkar ya badhakar lagatar laghu-karan ko aage badhaya ja raha hai. Iske alawa, adhik kadee pariveshiy niyamon (RoHS se aage, REACH jaise padarthon ko dhyan mein rakhkar) ke saath anukoolta, aur unnceet PCB assembly ke liye aavashyak uchch-tapman reflow soldering profile ko sahane ki kshamata, ab bhi mukhya vikaas prerak hain.