LTL2W3TGPCK LED लैंप डेटाशीट - T-1 3/4 पैकेज - 3.2V - 20mA - 519nm ग्रीन - अंग्रेजी तकनीकी दस्तावेज़

1. उत्पाद अवलोकन

LTL2W3TGPCK एक थ्रू-होल माउंटेड एलईडी लैंप है जो विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों में स्थिति संकेत और सामान्य प्रकाश व्यवस्था के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसमें T-1 3/4 (लगभग 5mm) व्यास का पैकेज और वाटर-क्लियर लेंस है, जो हरे रंग का प्रकाश उत्पन्न करता है। इसके प्रमुख लाभों में कम बिजली की खपत, उच्च दक्षता और मानक पीसीबी माउंटिंग प्रक्रियाओं के साथ संगतता शामिल है, जो इसे डिजाइनरों के लिए एक बहुमुखी घटक बनाती है।

1.1 मुख्य विशेषताएँ

• लीड (Pb)-मुक्त और RoHS अनुपालन निर्माण।
• कम धारा संचालन के लिए उच्च दीप्तिमान दक्षता।
• मुद्रित सर्किट बोर्ड या पैनलों पर बहुमुखी माउंटिंग के लिए डिज़ाइन किया गया।
• कम करंट आवश्यकता, जो इसे इंटीग्रेटेड सर्किट (IC) ड्राइव के साथ संगत बनाती है।
• हरे एमिटर के लिए InGaN (इंडियम गैलियम नाइट्राइड) तकनीक का उपयोग करता है।

1.2 लक्षित अनुप्रयोग

यह एलईडी विश्वसनीय और कुशल संकेतक रोशनी की आवश्यकता वाले विभिन्न क्षेत्रों के लिए उपयुक्त है, जिसमें कंप्यूटर सिस्टम, संचार उपकरण, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, घरेलू उपकरण और औद्योगिक नियंत्रण पैनल शामिल हैं।

2. Technical Parameters: In-Depth Objective Interpretation

2.1 Absolute Maximum Ratings

ये मापदंड उन सीमाओं को परिभाषित करते हैं जिनके परे डिवाइस को स्थायी क्षति हो सकती है। इन स्थितियों में संचालन की गारंटी नहीं है।

• शक्ति अपव्यय: अधिकतम 72 mW। यह वह कुल शक्ति है जिसे LED पैकेज ऊष्मा के रूप में अपव्ययित कर सकता है।
• DC अग्र धारा (I_F): 20 mA निरंतर। यह मानक संचालन धारा है।
• शिखर अग्र धारा: 60 mA, लेकिन केवल स्पंदित स्थितियों में (कार्य चक्र ≤ 1/10, स्पंद चौड़ाई ≤ 10ms)।
• Derating: अधिक गर्म होने से बचाने के लिए, 30°C परिवेश तापमान से ऊपर प्रत्येक डिग्री सेल्सियस के लिए अधिकतम फॉरवर्ड करंट को 0.3 mA रैखिक रूप से कम किया जाना चाहिए।
• Operating Temperature: -30°C से +85°C। यह डिवाइस इस सीमा के भीतर कार्यात्मक है।
• भंडारण तापमान: -40°C से +100°C।
• लीड सोल्डरिंग तापमान: एलईडी बॉडी से 2.0 मिमी की दूरी पर मापे जाने पर अधिकतम 5 सेकंड के लिए 260°C।

2.2 Electrical & Optical Characteristics

ये परिवेश के तापमान (T_A) 25°C और फॉरवर्ड करंट (I_F) 20 mA.

• ल्यूमिनस इंटेंसिटी (I_V): 700 mcd (न्यूनतम), 1150 mcd (सामान्य), 1900 mcd (अधिकतम)। CIE फोटोपिक आई रिस्पांस का अनुमान लगाने वाले सेंसर/फिल्टर के साथ मापा गया। गारंटीकृत मूल्यों पर ±15% परीक्षण सहनशीलता लागू की जाती है।
• व्यूइंग एंगल (2θ_1/2): 120 degrees (typical). यह वह पूर्ण कोण है जिस पर दीप्त तीव्रता अपने अक्षीय (ऑन-एक्सिस) मान से आधी हो जाती है।
• Peak Emission Wavelength (λ_P): 519 nm (typical). वह तरंगदैर्ध्य जिस पर वर्णक्रमीय आउटपुट सबसे प्रबल होता है।
• प्रमुख तरंगदैर्ध्य (λ_d): 512 nm से 535 nm तक की सीमा में है। यह मानव आँख द्वारा अनुभव की जाने वाली एकल तरंगदैर्ध्य है, जो CIE क्रोमैटिसिटी आरेख से प्राप्त होती है।
• स्पेक्ट्रल लाइन अर्ध-चौड़ाई (Δλ): 35 nm (सामान्य)। अधिकतम तीव्रता के आधे पर उत्सर्जन स्पेक्ट्रम की चौड़ाई।
• Forward Voltage (V_F): 20mA पर 2.6V (न्यूनतम), 3.2V (सामान्य), 3.8V (अधिकतम). यह LED के संचालन के दौरान इसके पार वोल्टेज ड्रॉप है।
• Reverse Current (I_R): 5V के रिवर्स वोल्टेज (V_R) पर अधिकतम 10 μA. महत्वपूर्ण: यह उपकरण रिवर्स-बायस ऑपरेशन के लिए डिज़ाइन नहीं किया गया है; यह पैरामीटर केवल परीक्षण उद्देश्यों के लिए है।

3. Bin Table Specification

उत्पाद को एक उत्पादन बैच के भीतर एकरूपता सुनिश्चित करने के लिए प्रमुख प्रकाशीय मापदंडों के आधार पर बिन में वर्गीकृत किया जाता है। इससे डिजाइनरों को निकटतम मेल खाने वाले प्रदर्शन वाले एलईडी का चयन करने की सुविधा मिलती है।

3.1 Luminous Intensity Binning

Binning is performed at I_F = 20 mA. प्रत्येक बिन सीमा के लिए सहनशीलता ±15% है।

• बिन N: 700 mcd (न्यूनतम) से 880 mcd (अधिकतम)
• बिन P: 880 mcd से 1150 mcd
• Bin Q: 1150 mcd से 1500 mcd
• Bin R: 1500 mcd से 1900 mcd

3.2 Dominant Wavelength Binning

Binning is performed at I_F = 20 mA. प्रत्येक बिन सीमा के लिए सहनशीलता ±1 nm है।

• बिन G08: 512.0 nm से 516.0 nm
• बिन G09: 516.0 nm से 520.0 nm
• Bin G10: 520.0 nm से 527.0 nm
• Bin G11: 527.0 nm से 535.0 nm

4. प्रदर्शन वक्र विश्लेषण

हालांकि डेटाशीट में विशिष्ट ग्राफिकल वक्रों का उल्लेख किया गया है, प्रदान की गई विशिष्टताओं से निम्नलिखित विशिष्ट व्यवहारों का अनुमान लगाया जा सकता है:

4.1 फॉरवर्ड करंट बनाम फॉरवर्ड वोल्टेज (I-V कर्व)

LED एक डायोड की विशिष्ट गैर-रैखिक I-V विशेषता प्रदर्शित करता है। फॉरवर्ड वोल्टेज (V_F) धारा के साथ बढ़ता है लेकिन मानक 20mA ऑपरेटिंग पॉइंट पर एक निर्दिष्ट रेंज (2.6V से 3.8V) रखता है। अनुशंसित रूप से, LED को एक स्थिर धारा स्रोत से चलाना, V में मामूली उतार-चढ़ाव के बावजूद स्थिर प्रकाशमान आउटपुट सुनिश्चित करता है।_F व्यक्तिगत इकाइयों के बीच भिन्नताएं।

4.2 ल्यूमिनस इंटेंसिटी बनाम फॉरवर्ड करंट

प्रकाश आउटपुट (प्रकाशमान तीव्रता) इसके सामान्य ऑपरेटिंग रेंज में फॉरवर्ड करंट के लगभग आनुपातिक होता है। पूर्ण अधिकतम रेटिंग्स, विशेष रूप से DC फॉरवर्ड करंट को पार करने से, अत्यधिक गर्मी और करंट घनत्व के कारण LED चिप और एपॉक्सी लेंस के त्वरित क्षरण का कारण बन सकता है।

4.3 Temperature Dependence

LED की दीप्त तीव्रता आम तौर पर जंक्शन तापमान बढ़ने के साथ घटती है। डीरेटिंग विशिष्टता (30°C से ऊपर 0.3 mA/°C) इस तापीय प्रभाव का प्रबंधन करने और दीर्घकालिक विश्वसनीयता बनाए रखने के लिए एक महत्वपूर्ण डिज़ाइन नियम है। उच्च-धारा या उच्च-परिवेश-तापमान अनुप्रयोगों के लिए ऊष्मा अपव्यय हेतु उचित PCB लेआउट आवश्यक है।

5. Mechanical & Packaging Information

5.1 Outline Dimensions

The device conforms to the standard T-1 3/4 through-hole LED package profile. Key dimensional notes include:

• सभी आयाम मिलीमीटर में हैं (संदर्भ के लिए इंच दिए गए हैं)।
• सामान्य सहनशीलता ±0.25mm है, जब तक कि अन्यथा निर्दिष्ट न हो।
• फ्लैंज के नीचे रेजिन का अधिकतम उभार 1.0 मिमी है।
• लीड स्पेसिंग उस स्थान पर मापी जाती है जहां लीड्स पैकेज बॉडी से बाहर निकलती हैं।

5.2 Polarity Identification

Through-hole LEDs के लिए, cathode आमतौर पर lens rim पर एक सपाट स्थान या छोटे lead द्वारा पहचानी जाती है। Reverse connection को रोकने के लिए installation से पहले polarity की पुष्टि करने के लिए हमेशा device marking या package documentation देखें।

6. Soldering & Assembly Guidelines

6.1 Storage Conditions

इष्टतम शेल्फ लाइफ के लिए, एलईडी को 30°C और 70% सापेक्ष आर्द्रता से अधिक नहीं वाले वातावरण में संग्रहित करें। यदि मूल नमी-रोधी बैग से निकाला जाता है, तो तीन महीने के भीतर उपयोग करें। मूल पैकेजिंग के बाहर लंबे समय तक भंडारण के लिए, डिसिकेंट के साथ एक सीलबंद कंटेनर या नाइट्रोजन-भरा डिसिकेटर का उपयोग करें।

6.2 Cleaning

यदि सफाई आवश्यक हो, तो आइसोप्रोपिल अल्कोहल जैसे अल्कोहल-आधारित सॉल्वेंट्स का उपयोग करें। कठोर रसायनों से बचें जो एपॉक्सी लेंस को नुकसान पहुंचा सकते हैं।

6.3 लीड फॉर्मिंग

एलईडी लेंस के आधार से कम से कम 3 मिमी दूर एक बिंदु पर लीड को मोड़ें। पैकेज बॉडी को फुलक्रम के रूप में उपयोग न करें। सभी मोड़ने का कार्य कमरे के तापमान पर और सोल्डरिंग प्रक्रिया से पहले करें। पीसीबी सम्मिलित करते समय न्यूनतम बल लगाएं ताकि लीड या एपॉक्सी सील पर यांत्रिक तनाव से बचा जा सके।

6.4 सोल्डरिंग प्रक्रिया

Critical Rule: लेंस के आधार से सोल्डर बिंदु तक न्यूनतम 2mm की दूरी बनाए रखें। लेंस को कभी भी सोल्डर में डुबोएं नहीं।

• सोल्डरिंग आयरन: अधिकतम तापमान 350°C। प्रति लीड अधिकतम सोल्डरिंग समय 3 सेकंड (केवल एक बार)।
• Wave Soldering: अधिकतम 100°C तक 60 सेकंड तक प्री-हीट करें। अधिकतम 260°C पर 5 सेकंड तक सोल्डर वेव करें।
• महत्वपूर्ण: इस थ्रू-होल प्रकार के LED उत्पाद के लिए इन्फ्रारेड (IR) रीफ्लो सोल्डरिंग उपयुक्त नहीं है। अत्यधिक गर्मी या समय डिवाइस को क्षति पहुंचाएगा।

7. Packaging & Ordering Information

7.1 पैकेजिंग विशिष्टता

एलईडी को एंटी-स्टैटिक बैग में पैक किया जाता है।

• मूल इकाई: प्रति पैकिंग बैग में 500, 200, या 100 टुकड़े।
• आंतरिक कार्टन: इसमें 10 पैकिंग बैग हैं, कुल 5,000 टुकड़े।
• बाहरी कार्टन (शिपिंग लॉट): इसमें 8 आंतरिक कार्टन हैं, कुल 40,000 टुकड़े। एक लॉट में अंतिम पैक में पूर्ण मात्रा नहीं हो सकती है।

8. अनुप्रयोग सुझाव

8.1 विशिष्ट अनुप्रयोग सर्किट

LED एक करंट-चालित डिवाइस है। समान चमक सुनिश्चित करने के लिए, विशेष रूप से जब कई LED को समानांतर में जोड़ा जाता है, तो यह दृढ़ता से अनुशंसित है प्रत्येक LED के साथ श्रृंखला में एक करंट-सीमित रोकनेवाला (सर्किट A) का उपयोग करना।

सर्किट A (अनुशंसित): [Vcc] — [Resistor] — [LED] — [GND]. प्रत्येक LED का अपना समर्पित रोकनेवाला होता है। यह फॉरवर्ड वोल्टेज (V_F) व्यक्तिगत एलईडी के बीच, यह सुनिश्चित करते हुए कि प्रत्येक को सही धारा प्राप्त हो और प्रकाश समान रूप से उत्सर्जित करे।

सर्किट बी (समानांतर के लिए अनुशंसित नहीं): एकल धारा-सीमित रोकनेवाला के लिए कई एलईडी को सीधे समानांतर में जोड़ना अनुशंसित नहीं है। प्रत्येक एलईडी की आई-वी विशेषताओं में छोटे अंतर महत्वपूर्ण धारा असंतुलन पैदा कर सकते हैं, जिससे असमान चमक और सबसे कम Vf वाले एलईडी की संभावित अधिक-धारा विफलता हो सकती है।_F.

8.2 इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) सुरक्षा

एलईडी इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज के प्रति संवेदनशील होते हैं। हैंडलिंग और असेंबली के दौरान क्षति को रोकने के लिए:

• ऑपरेटरों को ग्राउंडेड रिस्ट स्ट्रैप या एंटी-स्टैटिक दस्ताने पहनने चाहिए।
• सभी उपकरण, कार्यक्षेत्र और भंडारण रैक को उचित रूप से ग्राउंडेड किया जाना चाहिए।
• प्लास्टिक लेंस पर जमा हो सकने वाले स्थैतिक आवेश को बेअसर करने के लिए आयनकारी का उपयोग करें।
• कर्मियों के लिए प्रशिक्षण और नियमित प्रमाणीकरण के साथ एक ESD नियंत्रण कार्यक्रम लागू करें।

8.3 डिज़ाइन संबंधी विचार

• ऊष्मा प्रबंधन: शक्ति अपव्यय और डेरेटिंग विनिर्देशों का पालन करें। एलईडी लीड्स को हीट सिंक के रूप में कार्य करने के लिए पीसीबी पर पर्याप्त तांबे का क्षेत्र प्रदान करें।
• करंट ड्राइव: हमेशा एक स्थिर धारा ड्राइवर या श्रृंखला प्रतिरोधक के साथ वोल्टेज स्रोत का उपयोग करें। करंट लिमिटिंग के बिना एलईडी को सीधे वोल्टेज स्रोत से कभी न जोड़ें।
• ऑप्टिकल डिज़ाइन: 120-डिग्री का व्यूइंग एंगल एक विस्तृत बीम प्रदान करता है, जो विभिन्न कोणों से दिखाई देने वाले स्टेटस इंडिकेटर्स के लिए उपयुक्त है।

9. Technical Comparison & Differentiation

पुरानी तकनीकों जैसे कि इनकैंडिसेंट बल्ब या व्यापक-कोण वाले डिफ्यूज़्ड एलईडी की तुलना में, LTL2W3TGPCK विशिष्ट लाभ प्रदान करता है:

• Efficiency & Longevity: फिलामेंट-आधारित संकेतकों की तुलना में, ठोस-अवस्था InGaN तकनीक काफी अधिक दीप्ति दक्षता और परिचालन आयु (आमतौर पर हजारों घंटे) प्रदान करती है।
• मजबूती: कांच आधारित बल्बों की तुलना में झटके और कंपन के प्रति अधिक प्रतिरोधी।
• Color Purity: संकीर्ण स्पेक्ट्रल आधा-चौड़ाई (35nm) और विशिष्ट प्रमुख तरंगदैर्ध्य बिन लगातार, संतृप्त हरे रंग का आउटपुट संभव बनाते हैं, जो रंग-कोडित संकेतकों के लिए महत्वपूर्ण है।
• मानकीकरण: T-1 3/4 पैकेज एक उद्योग-मानक फॉर्म फैक्टर है, जो मौजूदा PCB फुटप्रिंट और पैनल कटआउट के साथ आसान प्रतिस्थापन और संगतता की अनुमति देता है।

10. अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न (तकनीकी मापदंडों के आधार पर)

10.1 क्या मैं अधिक चमक के लिए इस LED को 30mA पर चला सकता हूँ?

नहीं। DC फॉरवर्ड करंट के लिए Absolute Maximum Rating 20mA है। 30mA पर लगातार संचालन इस रेटिंग से अधिक है, जिससे अत्यधिक ऊष्मा उत्पन्न होगी, लुमेन मूल्यह्रास तेज होगा और संभवतः समय से पहले विफलता का कारण बनेगा। उच्च चमक के लिए, उच्च चमकदार तीव्रता (जैसे, Bin Q या R) वाली एलईडी बिन का चयन करें या उच्च करंट के लिए रेटेड एक अलग एलईडी मॉडल पर विचार करें।

10.2 यदि मेरी बिजली आपूर्ति 3.2V (सामान्य V_F?

फॉरवर्ड वोल्टेज की एक सीमा होती है (2.6V से 3.8V)। यदि आप V_F 2.6V की स्थिति में, धारा 20mA से कहीं अधिक होगी, जिससे यह क्षतिग्रस्त हो सकता है। रोकनेवाला एक सरल, विश्वसनीय धारा नियामक के रूप में कार्य करता है, जो आपूर्ति वोल्टेज और वास्तविक V के आधार पर धारा निर्धारित करता है।_F यह विशिष्ट एलईडी की रक्षा करता है। यह आपूर्ति वोल्टेज में उतार-चढ़ाव से भी सुरक्षा प्रदान करता है।

10.3 लाइट आउटपुट के लिए "वॉटर क्लियर" लेंस का क्या मतलब है?

एक वाटर-क्लियर (गैर-विसरित) लेंस, दूधिया या विसरित लेंस की तुलना में अधिक केंद्रित बीम पैटर्न उत्पन्न करता है। प्रकाश एक स्पष्ट बिंदु स्रोत से आता हुआ प्रतीत होता है। यह, 120-डिग्री के दृश्य कोण के साथ मिलकर, एक चमकदार केंद्रीय हॉटस्पॉट बनाता है जो एक विस्तृत क्षेत्र में दिखाई देता है, जिससे यह प्रत्यक्ष-दृश्य स्थिति संकेतकों के लिए उत्कृष्ट बन जाता है।

11. व्यावहारिक उपयोग उदाहरण

परिदृश्य: 10 हरे "सिस्टम सक्रिय" स्थिति संकेतकों के साथ एक नियंत्रण पैनल डिजाइन करना।

1. घटक चयन: Bin P से LTL2W3TGPCK एलईडी चुनें जो सुसंगत मध्यम-उच्च चमक (880-1150 mcd) प्रदान करती हैं।
2. सर्किट डिज़ाइन: 5V रेल का उपयोग करें। श्रृंखला प्रतिरोधक की गणना करें: R = (V_{आपूर्ति} - V_F) / I_F. Using typical V_F=3.2V और I_F=20mA, R = (5V - 3.2V) / 0.02A = 90 ओम। 10 एलईडी में से प्रत्येक के लिए एक मानक 91 ओम, 1/4W रोकनेवाला का उपयोग करें।
3. पीसीबी लेआउट: एलईडी को 0.1" (2.54mm) ग्रिड अंतराल पर रखें। थोड़ी सी ऊष्मा अपव्यय के लिए कैथोड लीड से जुड़ा एक छोटा कॉपर पोअर शामिल करें।
4. Assembly: लीड फॉर्मिंग और सोल्डरिंग दिशानिर्देशों का सटीक पालन करें, यह सुनिश्चित करते हुए कि लेंस बेस से 2mm का क्लीयरेंस बना रहे।
5. Result: दस समान रूप से चमकीले, विश्वसनीय हरे संकेतक जिनका परिचालन जीवन लंबा है।

12. संचालन सिद्धांत परिचय

LTL2W3TGPCK एक अर्धचालक प्रकाश स्रोत है। इसका मूल InGaN (इंडियम गैलियम नाइट्राइड) सामग्री से बना एक चिप है। जब एक अग्र वोल्टेज लगाया जाता है, तो इलेक्ट्रॉन और होल अर्धचालक के सक्रिय क्षेत्र के भीतर पुनर्संयोजित होते हैं, जिससे फोटॉन (प्रकाश) के रूप में ऊर्जा मुक्त होती है। InGaN परतों की विशिष्ट संरचना उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य निर्धारित करती है, इस मामले में, हरा (~519 nm शिखर)। एपॉक्सी लेंस अर्धचालक चिप की सुरक्षा करने, प्रकाश आउटपुट बीम को आकार देने और चिप से प्रकाश निष्कर्षण को बढ़ाने का कार्य करता है।

13. Technology Trends

हालांकि थ्रू-होल एलईडी कई अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण बने हुए हैं, व्यापक ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग स्पष्ट रुझान दिखाता है। सरफेस-माउंट डिवाइस (एसएमडी) एलईडी अपने छोटे आकार, स्वचालित पिक-एंड-प्लेस असेंबली के लिए उपयुक्तता और अक्सर बेहतर थर्मल प्रदर्शन के कारण तेजी से प्रभावी हो रहे हैं। इसके अलावा, फॉस्फर-कन्वर्टेड और डायरेक्ट-एमिशन प्रौद्योगिकियों में प्रगति दक्षता (लुमेन प्रति वाट), कलर रेंडरिंग और थ्रू-होल व एसएमडी दोनों पैकेजों के लिए अधिकतम अनुमेय ड्राइव करंट की सीमाओं को आगे बढ़ा रही है। टी-1 3/4 जैसे थ्रू-होल पैकेजों की मौलिक विश्वसनीयता और लागत-प्रभावशीलता यह सुनिश्चित करती है कि उनका उपयोग उन अनुप्रयोगों में जारी रहेगा जहां मैनुअल असेंबली, उच्च-विश्वसनीयता सोल्डर जोड़, या आसान फील्ड प्रतिस्थापन प्राथमिकताएं हैं।