Scheda Tecnica Diodo Schottky SiC TO-252-3L - Package 6.6x9.84x2.3mm - Tensione 650V - Corrente 6A - Documento Tecnico in Italiano

1. Panoramica del Prodotto

Questo documento fornisce le specifiche complete per un diodo a barriera Schottky al Carburo di Silicio (SiC) ad alte prestazioni. Il dispositivo è progettato in un package a montaggio superficiale TO-252-3L (comunemente noto come DPAK), offrendo una soluzione robusta per circuiti di conversione di potenza ad alta frequenza e alta efficienza. A differenza dei diodi al silicio a giunzione PN convenzionali, questo diodo Schottky SiC utilizza una giunzione metallo-semiconduttore, che elimina fondamentalmente la carica di recupero inverso, una fonte significativa di perdite in commutazione e interferenze elettromagnetiche (EMI) nei sistemi di potenza.

Il vantaggio principale di questo componente risiede nelle sue proprietà del materiale. Il Carburo di Silicio offre un bandgap più ampio, una conduttività termica più elevata e una forza di campo elettrico critico superiore rispetto al silicio. Questi vantaggi materiali si traducono direttamente nelle prestazioni del diodo: può operare a tensioni più elevate, temperature più alte e con perdite in commutazione significativamente inferiori. I mercati target per questo dispositivo sono le moderne applicazioni di elettronica di potenza dove efficienza, densità di potenza e affidabilità sono fondamentali.

1.1 Caratteristiche e Vantaggi Principali

Il dispositivo incorpora diverse caratteristiche avanzate che forniscono benefici distinti nella progettazione del sistema:

• Bassa Tensione Diretta (VF = 1.5V tipico):Ciò riduce le perdite per conduzione, migliorando direttamente l'efficienza complessiva dello stadio di potenza. Una minore dissipazione di potenza semplifica anche la gestione termica.
• Commutazione Ultra-Veloce con Corrente di Recupero Inverso Zero:Il principio della barriera Schottky significa che non c'è accumulo di portatori minoritari. Di conseguenza, il diodo si spegne quasi istantaneamente senza picchi di corrente di recupero inverso. Ciò minimizza le perdite in commutazione, riduce lo stress sull'interruttore di controllo (ad es., MOSFET) e riduce la generazione di EMI.
• Funzionamento ad Alta Frequenza:L'assenza di recupero inverso consente al diodo di essere utilizzato in circuiti che operano a centinaia di kHz o addirittura MHz, permettendo l'uso di componenti magnetici (induttori, trasformatori) e condensatori più piccoli, aumentando così la densità di potenza.
• Elevata Capacità di Corrente di Surge (IFSM = 11.8A):Il dispositivo può sopportare correnti di sovraccarico di breve durata, come quelle incontrate durante l'avvio o i transitori di carico, migliorando la robustezza del sistema.
• Alta Temperatura di Giunzione (TJ,max = 175°C):L'ampio bandgap del SiC consente un funzionamento affidabile a temperature elevate, offrendo un maggiore margine di sicurezza in progetti con ambienti ad alta temperatura o compatti.
• Funzionamento in Parallelo:Il coefficiente di temperatura positivo della caduta di tensione diretta aiuta a garantire la ripartizione della corrente tra più diodi collegati in parallelo, prevenendo la fuga termica.

2. Analisi Approfondita dei Parametri Tecnici

Questa sezione fornisce un'interpretazione dettagliata e oggettiva dei principali parametri elettrici e termici specificati nella scheda tecnica. Comprendere questi parametri è fondamentale per una progettazione di circuito affidabile.

2.1 Valori Massimi Assoluti

Questi valori definiscono i limiti oltre i quali può verificarsi un danno permanente al dispositivo. Il funzionamento sotto o a questi limiti non è garantito.

• Tensione Inversa di Picco Ripetitiva (VRRM): 650V- Questa è la massima tensione inversa istantanea che può essere applicata ripetutamente. La tensione di picco del circuito, inclusi eventuali fenomeni di ringing o overshoot, deve rimanere al di sotto di questo valore.
• Tensione Inversa di Picco di Surge (VRSM): 650V- Questo è un valore non ripetitivo per condizioni di sovratensione. È tipicamente uguale a VRRM per i diodi Schottky.
• Corrente Diretta Continua (IF): 6A- Questa è la massima corrente continua che il diodo può condurre in modo continuativo. Questo valore è limitato dalla massima temperatura di giunzione ammissibile e dalla resistenza termica giunzione-case (Rth(JC)). La corrente effettivamente utilizzabile in un'applicazione dipende fortemente dal progetto termico (dissipatore, area di rame sul PCB).
• Corrente Diretta di Surge Non Ripetitiva (IFSM): 11.8A per 10ms onda sinusoidale dimezzata- Questo valore indica la capacità del diodo di gestire sovraccarichi a breve termine, come le correnti di spunto. La larghezza dell'impulso di 10ms è una condizione di test comune che rappresenta un semi-ciclo di una CA a 50Hz.
• Temperatura di Giunzione (TJ): -55°C a +175°C- L'intervallo di temperatura di funzionamento e di conservazione del die semiconduttore stesso.

2.2 Caratteristiche Elettriche

Questi sono i parametri di prestazione tipici e garantiti massimi/minimi in condizioni di test specificate.

• Tensione Diretta (VF):Tipicamente 1.5V a IF=6A e TJ=25°C, con un massimo di 1.85V. Aumenta con la temperatura, raggiungendo circa 1.9V a TJ=175°C. Questo coefficiente di temperatura positivo è cruciale per il funzionamento in parallelo.
• Corrente di Fuga Inversa (IR):Un parametro critico per l'efficienza, specialmente ad alte temperature. È tipicamente 0.8µA a VR=520V e TJ=25°C, ma può aumentare fino a 9µA a TJ=175°C. I progettisti devono tenere conto di questa fuga nelle applicazioni ad alta temperatura e alta tensione.
• Capacità Totale (C) e Carica Capacitiva (QC):Il diodo presenta una capacità di giunzione. La scheda tecnica mostra che diminuisce all'aumentare della tensione inversa (da 173pF a 1V a 15pF a 400V). LaCarica Capacitiva Totale (QC)è un parametro più utile per il calcolo delle perdite in commutazione, indicato come 10nC tipico a VR=400V. Questa carica deve essere dissipata durante ogni ciclo di commutazione, contribuendo a una piccola perdita capacitiva in commutazione.

3. Caratteristiche Termiche

Una gestione termica efficace è essenziale per realizzare la corrente nominale del dispositivo e l'affidabilità a lungo termine.

• Resistenza Termica, Giunzione-Case (Rth(JC)): 4.2°C/W tipico.Questa è la resistenza al flusso di calore dal die di silicio al pad metallico esposto (case) del package. Un valore più basso significa che il calore viene trasferito più facilmente fuori dal die. Questo parametro è vitale per calcolare l'innalzamento della temperatura di giunzione rispetto alla temperatura del case: ΔTJ = PD * Rth(JC).
• Dissipazione di Potenza (PD): 36W.Questa è la massima dissipazione di potenza ammissibile, collegata alla Rth(JC) e alla TJ massima. In pratica, la dissipazione ottenibile è limitata dalla capacità del sistema di raffreddare il case.

4. Analisi delle Curve di Prestazione

I grafici di prestazione tipici forniscono una visione visiva del comportamento del dispositivo in varie condizioni operative.

4.1 Caratteristiche VF-IF

Questo grafico mostra la relazione tra caduta di tensione diretta e corrente diretta a diverse temperature di giunzione. Osservazioni chiave: La curva è relativamente lineare nell'intervallo operativo, confermando il suo comportamento Schottky. La caduta di tensione aumenta con la corrente e la temperatura. Questo grafico viene utilizzato per stimare le perdite per conduzione (Pcond = VF * IF).

4.2 Caratteristiche VR-IR

Questo grafico traccia la corrente di fuga inversa rispetto alla tensione inversa, tipicamente a più temperature. Dimostra l'aumento esponenziale della corrente di fuga sia con la tensione che con la temperatura. Ciò è fondamentale per valutare le perdite in standby e la stabilità termica negli stati di blocco ad alta tensione.

4.3 Caratteristiche Massime IF-TC

Questa curva di derating mostra come la massima corrente diretta continua ammissibile diminuisce all'aumentare della temperatura del case (TC). È derivata dalla formula: IF(max) = sqrt((TJ,max - TC) / (Rth(JC) * VF)). I progettisti devono utilizzare questo grafico per selezionare un dissipatore o un layout PCB appropriato per mantenere una temperatura del case sufficientemente bassa per la corrente richiesta.

4.4 Resistenza Termica Transitoria

Questo grafico mostra l'impedenza termica (Zth) in funzione della larghezza dell'impulso. Per impulsi di corrente brevi, la resistenza termica effettiva è inferiore alla Rth(JC) a regime stazionario perché il calore non ha tempo di diffondersi attraverso l'intero sistema. Questo grafico è essenziale per valutare la risposta termica del diodo alle correnti di commutazione ripetitive o agli eventi di surge di breve durata.

5. Informazioni Meccaniche e sul Package

5.1 Contorno e Dimensioni del Package

Il dispositivo è alloggiato in un package a montaggio superficiale TO-252-3L (DPAK). Le dimensioni chiave dalla scheda tecnica includono:

• Dimensioni Totali del Package (D x E): 6.10mm x 6.60mm (tipico).
• Altezza del Package (A): 2.30mm (tipico).
• Passo dei Terminali (e): 2.28mm (base).
• Lunghezza dei Terminali (L): 1.52mm (tipico).
• Dimensioni del Pad Esposto (D1 x E1): 5.23mm x 4.83mm (tipico).

Tutte le tolleranze sono specificate e i progettisti devono fare riferimento al disegno dettagliato per la progettazione dell'impronta PCB.

5.2 Configurazione dei Pin e Polarità

Il package ha tre connessioni esterne: due terminali e il pad termico esposto.

• Pin 1: Catodo.
• Pin 2: Anodo.
• Case (Pad Esposto): Catodo.Il pad esposto è collegato elettricamente al catodo. Ciò è cruciale sia per la connessione del circuito elettrico che per la gestione termica. Il pad deve essere saldato a un'area di rame collegata al catodo sul PCB per fungere da dissipatore e fornire resistenza meccanica.

  5.3 Layout Consigliato dei Pad PCB

  La scheda tecnica fornisce un'impronta consigliata per il montaggio superficiale. Questo layout è ottimizzato per l'affidabilità del giunto di saldatura e le prestazioni termiche. Tipicamente include un ampio pad centrale per il catodo esposto, con connessioni di alleggerimento termico se necessarie per la saldatura, e pad di dimensioni appropriate per i terminali anodo e catodo. Seguire questo layout consigliato è essenziale per una corretta resa produttiva e affidabilità operativa.

  6. Linee Guida per Saldatura e Assemblaggio

  Sebbene profili di rifusione specifici non siano forniti in questa scheda tecnica, si applicano le linee guida standard per l'assemblaggio SMT senza piombo (Pb-free).

  • Saldatura a Rifusione:Utilizzare un profilo di rifusione standard senza piombo (ad es., IPC/JEDEC J-STD-020). La temperatura massima del corpo del package non deve superare i 260°C. L'elevata massa termica del pad esposto potrebbe richiedere un'attenta regolazione del profilo per garantire una corretta rifusione della saldatura sotto il pad senza surriscaldare altri componenti.
  • Maneggiamento:Osservare le precauzioni standard ESD (scarica elettrostatica), poiché i dispositivi SiC possono essere sensibili all'ESD.
  • Stoccaggio:Conservare in un ambiente asciutto e inerte secondo i requisiti standard del livello di sensibilità all'umidità (MSL) per i package SMT. Il dispositivo è probabilmente classificato MSL 3 o simile, il che significa che deve essere essiccato prima dell'uso se esposto all'aria ambiente oltre la sua durata di conservazione.

  7. Suggerimenti Applicativi

  7.1 Circuiti Applicativi Tipici

  Questo diodo Schottky SiC è ideale per le seguenti applicazioni:

  • Diodo di Boost per Correzione del Fattore di Potenza (PFC):Negli stadi PFC in modalità conduzione continua (CCM), il diodo deve commutare alla frequenza di linea (50/60Hz) e ad alta frequenza (frequenza di commutazione, ad es., 100kHz). La caratteristica di recupero inverso zero elimina le perdite all'interdizione e le relative EMI, rendendolo superiore ai diodi ultrafast al silicio.
  • Raddrizzatore di Uscita per Convertitori DC-DC:Nei convertitori boost, buck o flyback, specialmente quelli che operano ad alte frequenze per ridurre le dimensioni dei componenti magnetici.
  • Diodi di Libera Circolazione/Blocco per Inverter Solari:Utilizzati per gestire il flusso di corrente dai pannelli fotovoltaici o all'interno degli stadi di potenza dell'inverter.
  • Circuiti di Azionamento Motori:Negli stadi inverter per il controllo di motori brushless DC o AC.
  • Convertitori AC/DC e DC/AC ad Alta Efficienza:Per server, telecomunicazioni e alimentatori industriali.

  7.2 Considerazioni di Progettazione

  • Progettazione Termica:Questo è l'aspetto più critico. Il PCB deve essere progettato con un'area di rame sufficiente (sui livelli superiore e inferiore, collegati con via) sotto il pad esposto per fungere da dissipatore. Utilizzare la Rth(JC), le curve di derating e le perdite di potenza stimate per calcolare le prestazioni termiche richieste.
  • Selezione della Tensione Nominale:Scegliere un valore VRRM con un margine sufficiente. Per un bus DC da 400V, un diodo da 650V è appropriato, fornendo margine per picchi di tensione e ringing.
  • Funzionamento in Parallelo:A causa del coefficiente di temperatura positivo di VF, questi diodi possono essere collegati in parallelo per aumentare la capacità di corrente. Tuttavia, è comunque consigliato un layout attento per garantire una ripartizione simmetrica della corrente attraverso induttanza e resistenza delle tracce abbinate.
  • Circuiti Smorzatori (Snubber):Sebbene il diodo stesso non abbia recupero inverso, i parassiti del circuito (induttanza parassita) possono comunque causare overshoot di tensione durante l'interdizione. Uno snubber RC in parallelo al diodo può essere necessario per smorzare queste oscillazioni e proteggere il diodo e l'interruttore principale.

  8. Confronto e Differenziazione Tecnologica

  La principale differenziazione di questo diodo Schottky SiC è rispetto a due alternative comuni:

  • vs. Diodi PN Fast/Ultrafast al Silicio:Il diodo SiC ha carica di recupero inverso zero (Qrr), mentre i diodi al silicio hanno una Qrr significativa (decine o centinaia di nC). Ciò elimina le perdite in commutazione per recupero inverso e il relativo rumore, consentendo un funzionamento a frequenza più elevata e una maggiore efficienza.
  • vs. Diodi Schottky al Silicio:Anche i diodi Schottky al silicio hanno una Qrr bassa, ma sono limitati a tensioni nominali inferiori (tipicamente sotto i 200V). Questo dispositivo SiC estende i vantaggi del principio Schottky alla classe dei 650V, un intervallo di tensione dominato dai diodi PN al silicio con perdite.

  9. Domande Frequenti (Basate sui Parametri Tecnici)

  D: La tensione diretta è di 1.5V, che è più alta di un tipico Schottky al silicio. Non è uno svantaggio?
  
  R: Per circuiti a bassa tensione (<100V), sì, la perdita per conduzione sarebbe maggiore. Tuttavia, a 650V, il risparmio di perdite in commutazione dovuto al recupero inverso zero supera di gran lunga la leggermente maggiore perdita per conduzione. L'efficienza complessiva del sistema è più alta con il diodo SiC.

  D: Posso usare questo diodo per un circuito PFC con ingresso a 400V?
  
  R: Sì, la tensione nominale di 650V fornisce un buon margine di sicurezza rispetto al bus DC nominale di 400V, tenendo conto delle variazioni di linea e dei transitori.

  D: La corrente di fuga a 175°C è di 9µA. È un problema?
  
  R: Per la maggior parte delle applicazioni di conversione di potenza, questa potenza di fuga (Pleak = V*I = 520V * 9µA ≈ 4.7mW) è trascurabile rispetto alla potenza totale gestita. Tuttavia, in circuiti ad altissima impedenza o di precisione, dovrebbe essere considerata.

  D: Perché il pad esposto è collegato al catodo? Come lo raffreddo?
  
  R: Il catodo è tipicamente il nodo comune o di massa in molti circuiti (ad es., diodo boost PFC). Collegare il pad al catodo consente di attaccarlo a un ampio piano di massa sul PCB per un'ottima dissipazione termica senza introdurre complessità di isolamento elettrico. Lo si raffredda saldandolo a un'area di rame collegata al catodo sufficientemente ampia sul PCB.

  10. Studio di Caso Pratico di Progettazione

  Scenario:Progettazione di uno stadio boost PFC CCM da 500W, uscita 400V, funzionante a 100kHz.
  
  Razionale di Selezione:Un diodo ultrafast al silicio con caratteristiche comparabili potrebbe avere una Qrr di 50nC. La perdita per recupero inverso per ciclo sarebbe Loss_rr = 0.5 * V * Qrr * fsw = 0.5 * 400V * 50nC * 100kHz = 1.0W. Questa perdita genera calore ed EMI. Il diodo Schottky SiC ha Qrr ~ 0nC, eliminando completamente questa perdita di 1W. Anche con una VF leggermente più alta, il guadagno netto di efficienza del sistema può essere dello 0.5% o più, il che è significativo a questo livello di potenza. Anche la progettazione termica è semplificata grazie alla minore dissipazione totale.

  11. Principio di Funzionamento

  Un diodo Schottky è formato da una giunzione metallo-semiconduttore, a differenza di un diodo a giunzione PN che utilizza semiconduttore-semiconduttore. Quando una tensione positiva viene applicata al metallo (anodo) rispetto al semiconduttore (catodo), gli elettroni fluiscono dal semiconduttore al metallo, permettendo il passaggio di corrente (polarizzazione diretta). Sotto polarizzazione inversa, il potenziale intrinseco della barriera metallo-semiconduttore blocca il flusso di corrente. La distinzione chiave è che la corrente è trasportata solo da portatori maggioritari (elettroni in un substrato SiC di tipo N). Non ci sono portatori minoritari (lacune) iniettati e immagazzinati nella regione di deriva. Pertanto, quando la tensione si inverte, non c'è carica immagazzinata che deve essere rimossa prima che il diodo possa bloccare la tensione—da qui,recupero inverso zero.

  12. Tendenze Tecnologiche

  I dispositivi di potenza al Carburo di Silicio rappresentano una tendenza importante nell'elettronica di potenza, guidata dalle richieste di maggiore efficienza, densità di potenza e funzionamento a temperature più elevate. Il mercato per diodi e transistor (MOSFET) SiC sta crescendo rapidamente, in particolare nei caricabatterie a bordo dei veicoli elettrici, negli inverter di trazione, nei sistemi di energia rinnovabile e negli alimentatori per data center. Con l'aumento dei volumi di produzione e la diminuzione dei costi, il SiC si sta spostando da una tecnologia premium a un'applicazione mainstream più ampia. Gli sviluppi futuri potrebbero concentrarsi sull'ulteriore riduzione della resistenza on specifica (per i MOSFET), sul miglioramento dell'affidabilità dell'ossido di gate e sull'integrazione dei dispositivi SiC con driver e protezioni in moduli avanzati.

  Terminologia delle specifiche LED

  Spiegazione completa dei termini tecnici LED

  Prestazioni fotoelettriche

  Termine	Unità/Rappresentazione	Spiegazione semplice	Perché importante
  Efficienza luminosa	lm/W (lumen per watt)	Uscita luce per watt di elettricità, più alto significa più efficiente energeticamente.	Determina direttamente il grado di efficienza energetica e il costo dell'elettricità.
  Flusso luminoso	lm (lumen)	Luce totale emessa dalla sorgente, comunemente chiamata "luminosità".	Determina se la luce è abbastanza brillante.
  Angolo di visione	° (gradi), es. 120°	Angolo in cui l'intensità luminosa scende alla metà, determina la larghezza del fascio.	Influisce sulla gamma di illuminazione e uniformità.
  CCT (Temperatura colore)	K (Kelvin), es. 2700K/6500K	Calore/freschezza della luce, valori più bassi giallastri/caldi, più alti biancastri/freddi.	Determina l'atmosfera di illuminazione e scenari adatti.
  CRI / Ra	Senza unità, 0–100	Capacità di riprodurre accuratamente i colori degli oggetti, Ra≥80 è buono.	Influisce sull'autenticità del colore, utilizzato in luoghi ad alta richiesta come centri commerciali, musei.
  SDCM	Passi ellisse MacAdam, es. "5 passi"	Metrica di consistenza del colore, passi più piccoli significano colore più consistente.	Garantisce colore uniforme attraverso lo stesso lotto di LED.
  Lunghezza d'onda dominante	nm (nanometri), es. 620nm (rosso)	Lunghezza d'onda corrispondente al colore dei LED colorati.	Determina la tonalità di LED monocromatici rossi, gialli, verdi.
  Distribuzione spettrale	Curva lunghezza d'onda vs intensità	Mostra la distribuzione dell'intensità attraverso le lunghezze d'onda.	Influisce sulla resa cromatica e qualità del colore.

  Parametri elettrici

  Termine	Simbolo	Spiegazione semplice	Considerazioni di progettazione
  Tensione diretta	Vf	Tensione minima per accendere il LED, come "soglia di avvio".	La tensione del driver deve essere ≥Vf, le tensioni si sommano per LED in serie.
  Corrente diretta	If	Valore di corrente per il normale funzionamento del LED.	Solitamente azionamento a corrente costante, la corrente determina luminosità e durata.
  Corrente di impulso massima	Ifp	Corrente di picco tollerabile per brevi periodi, utilizzata per dimmerazione o lampeggio.	La larghezza dell'impulso e il ciclo di lavoro devono essere rigorosamente controllati per evitare danni.
  Tensione inversa	Vr	Tensione inversa massima che il LED può sopportare, oltre può causare rottura.	Il circuito deve prevenire connessione inversa o picchi di tensione.
  Resistenza termica	Rth (°C/W)	Resistenza al trasferimento di calore dal chip alla saldatura, più bassa è meglio.	Alta resistenza termica richiede dissipazione termica più forte.
  Immunità ESD	V (HBM), es. 1000V	Capacità di resistere a scariche elettrostatiche, più alto significa meno vulnerabile.	Sono necessarie misure antistatiche in produzione, specialmente per LED sensibili.

  Gestione termica e affidabilità

  Termine	Metrica chiave	Spiegazione semplice	Impatto
  Temperatura di giunzione	Tj (°C)	Temperatura operativa effettiva all'interno del chip LED.	Ogni riduzione di 10°C può raddoppiare la durata; troppo alta causa decadimento della luce, spostamento del colore.
  Deprezzamento del lumen	L70 / L80 (ore)	Tempo affinché la luminosità scenda al 70% o 80% dell'iniziale.	Definisce direttamente la "durata di servizio" del LED.
  Manutenzione del lumen	% (es. 70%)	Percentuale di luminosità trattenuta dopo il tempo.	Indica la ritenzione della luminosità su uso a lungo termine.
  Spostamento del colore	Δu′v′ o ellisse MacAdam	Grado di cambiamento del colore durante l'uso.	Influisce sulla consistenza del colore nelle scene di illuminazione.
  Invecchiamento termico	Degradazione del materiale	Deterioramento dovuto ad alta temperatura a lungo termine.	Può causare calo di luminosità, cambio colore o guasto a circuito aperto.

  Imballaggio e materiali

  Termine	Tipi comuni	Spiegazione semplice	Caratteristiche e applicazioni
  Tipo di imballaggio	EMC, PPA, Ceramica	Materiale di alloggiamento che protegge il chip, fornisce interfaccia ottica/termica.	EMC: buona resistenza al calore, basso costo; Ceramica: migliore dissipazione termica, vita più lunga.
  Struttura del chip	Frontale, Flip Chip	Disposizione degli elettrodi del chip.	Flip chip: migliore dissipazione termica, maggiore efficienza, per alta potenza.
  Rivestimento al fosforo	YAG, Silicato, Nitruro	Copre il chip blu, converte una parte in giallo/rosso, mescola a bianco.	Diversi fosfori influenzano efficienza, CCT e CRI.
  Lente/Ottica	Piana, Microlente, TIR	Struttura ottica sulla superficie che controlla la distribuzione della luce.	Determina l'angolo di visione e la curva di distribuzione della luce.

  Controllo qualità e binning

  Termine	Contenuto di binning	Spiegazione semplice	Scopo
  Bin del flusso luminoso	Codice es. 2G, 2H	Raggruppato per luminosità, ogni gruppo ha valori lumen min/max.	Garantisce luminosità uniforme nello stesso lotto.
  Bin di tensione	Codice es. 6W, 6X	Raggruppato per intervallo di tensione diretta.	Facilita l'abbinamento del driver, migliora l'efficienza del sistema.
  Bin del colore	Ellisse MacAdam 5 passi	Raggruppato per coordinate colore, garantendo un intervallo ristretto.	Garantisce consistenza del colore, evita colore non uniforme all'interno del dispositivo.
  Bin CCT	2700K, 3000K ecc.	Raggruppato per CCT, ognuno ha corrispondente intervallo di coordinate.	Soddisfa diversi requisiti CCT della scena.

  Test e certificazione

  Termine	Standard/Test	Spiegazione semplice	Significato
  LM-80	Test di manutenzione del lumen	Illuminazione a lungo termine a temperatura costante, registrando il decadimento della luminosità.	Utilizzato per stimare la vita LED (con TM-21).
  TM-21	Standard di stima della vita	Stima la vita in condizioni reali basandosi sui dati LM-80.	Fornisce una previsione scientifica della vita.
  IESNA	Società di ingegneria dell'illuminazione	Copre metodi di test ottici, elettrici, termici.	Base di test riconosciuta dal settore.
  RoHS / REACH	Certificazione ambientale	Garantisce nessuna sostanza nociva (piombo, mercurio).	Requisito di accesso al mercato a livello internazionale.
  ENERGY STAR / DLC	Certificazione di efficienza energetica	Certificazione di efficienza energetica e prestazioni per l'illuminazione.	Utilizzato negli appalti pubblici, programmi di sussidi, migliora la competitività.