Indice
- 1. Panoramica del Prodotto
- 1.1 Vantaggi Principali e Mercato di Riferimento
- 2. Analisi Approfondita dei Parametri Tecnici
- 2.1 Valori Massimi Assoluti
- 2.2 Caratteristiche Elettro-Ottiche
- 2.2.1 Caratteristiche di Ingresso (Lato LED)
- 2.2.2 Caratteristiche di Uscita (Lato Fototransistor)
- 2.2.3 Caratteristiche di Trasferimento
- 3. Analisi delle Curve di Prestazione
- 4. Informazioni Meccaniche e sul Package
- 4.1 Dimensioni del Package e Configurazione dei Pin
- 4.2 Marcatura del Dispositivo
- 5. Linee Guida per la Saldatura e il Montaggio
- 5.1 Condizioni per la Saldatura a Rifusione
- 6. Imballaggio e Informazioni per l'Ordine
- 6.1 Sistema di Numerazione delle Parti
- 6.2 Specifiche del Nastro e della Bobina
- 7. Raccomandazioni per l'Applicazione
- 7.1 Circuiti di Applicazione Tipici
- 7.2 Considerazioni e Precauzioni di Progettazione
- 8. Confronto e Differenziazione Tecnica
- 9. Domande Frequenti (FAQ)
- 10. Caso Pratico di Progettazione
- 11. Principio di Funzionamento
- 12. Tendenze e Sviluppi del Settore
1. Panoramica del Prodotto
La serie EL452-G è un optoaccoppiatore fotodarlington ad alta tensione progettato per una trasmissione affidabile del segnale tra circuiti a potenziali diversi. Integra un diodo emettitore a infrarossi accoppiato otticamente a un fototransistor darlington ad alta tensione. Il dispositivo è alloggiato in un compatto package SOP a 4 pin con un profilo basso di 2.0mm, rendendolo adatto per applicazioni SMD con spazio limitato. La sua funzione principale è fornire isolamento elettrico durante la trasmissione di segnali di controllo o dati, proteggendo i circuiti sensibili da transitori di alta tensione e problemi di loop di massa.
1.1 Vantaggi Principali e Mercato di Riferimento
I vantaggi chiave di questo componente includono la sua elevata tensione collettore-emettitore nominale di 350V (VCEO), essenziale per l'interfacciamento con circuiti alimentati dalla rete o azionamenti di motori. Offre un rapporto di trasferimento di corrente (CTR) molto elevato, con un minimo del 1000% in condizioni di test standard, garantendo forti livelli di segnale in uscita da una modesta corrente di ingresso. Il dispositivo vanta un'alta tensione di isolamento di 3750Vrmstra il lato di ingresso e quello di uscita, soddisfacendo severi standard di sicurezza. È inoltre privo di alogeni e conforme alle direttive RoHS e senza piombo. Queste caratteristiche lo rendono ideale per applicazioni in apparecchiature di telecomunicazioni (telefoni, centralini), controllori di sequenza industriali, elettrodomestici di sistema, strumenti di misura e qualsiasi scenario che richieda una trasmissione sicura del segnale attraverso diversi domini di tensione.
2. Analisi Approfondita dei Parametri Tecnici
Questa sezione fornisce un'interpretazione dettagliata e oggettiva delle specifiche elettriche, ottiche e termiche del dispositivo, come definite nei suoi valori massimi assoluti e nelle caratteristiche elettro-ottiche.
2.1 Valori Massimi Assoluti
I valori massimi assoluti definiscono i limiti di stress oltre i quali può verificarsi un danno permanente al dispositivo. La corrente diretta di ingresso (IF) è nominale a 60mA continua, con una corrente diretta di picco di breve durata (IFM) di 1A per 10µs. La dissipazione di potenza totale (PTOT) non deve superare i 170mW. Il parametro critico di uscita è la tensione collettore-emettitore (VCEO) di 350V, che è la massima tensione che il transistor di uscita può bloccare quando il LED di ingresso è spento. La tensione di isolamento (VISO) di 3750Vrmsper un minuto specifica la rigidità dielettrica della barriera di isolamento interna. Il dispositivo opera in un intervallo di temperatura da -55°C a +110°C.
2.2 Caratteristiche Elettro-Ottiche
Le caratteristiche elettro-ottiche definiscono le prestazioni del dispositivo in condizioni operative normali a 25°C.
2.2.1 Caratteristiche di Ingresso (Lato LED)
La tensione diretta (VF) del LED a infrarossi è tipicamente 1.2V con un massimo di 1.4V a una corrente diretta di 10mA. Questo basso VFcontribuisce a un minor consumo energetico sul lato di ingresso. La corrente di dispersione inversa (IR) è un massimo di 10µA a 4V di polarizzazione inversa.
2.2.2 Caratteristiche di Uscita (Lato Fototransistor)
La corrente oscura collettore-emettitore (ICEO), che è la corrente di dispersione quando il LED è spento, è specificata a un massimo di 100nA a VCE=200V. La tensione di breakdown collettore-emettitore (BVCEO) è un minimo di 350V, confermando la capacità ad alta tensione. La tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)) è tipicamente 1.2V (max 1.5V) quando il dispositivo è completamente acceso (IF=20mA, IC=100mA), indicando la caduta di tensione ai capi dell'uscita nello stato di conduzione.
2.2.3 Caratteristiche di Trasferimento
Il Rapporto di Trasferimento di Corrente (CTR) è il parametro più critico, definito come il rapporto tra la corrente di collettore in uscita e la corrente diretta in ingresso, espresso in percentuale. Per l'EL452-G, il CTR è un minimo del 1000%, tipicamente 2000%, a IF=1mA e VCE=2V. Questo CTR eccezionalmente alto è caratteristico di una configurazione darlington, che fornisce un elevato guadagno di corrente, permettendo a piccole correnti di ingresso di controllare efficacemente correnti di uscita più grandi. La velocità di commutazione è caratterizzata dal tempo di salita (tr) tipicamente di 80µs (max 250µs) e dal tempo di discesa (tf) tipicamente di 10µs (max 100µs). Questi tempi sono relativamente lenti a causa della struttura darlington e dell'inerente accumulo di carica nei fototransistor, rendendo il dispositivo adatto per commutazioni a bassa/media frequenza e applicazioni analogiche lineari, ma non per l'isolamento digitale ad alta velocità. La frequenza di taglio (fc) è tipicamente 7kHz. La resistenza di isolamento (RIO) è un minimo di 5×1010Ω, indicando un eccellente isolamento in DC.
3. Analisi delle Curve di Prestazione
Sebbene il PDF indichi la presenza di tipiche curve delle caratteristiche elettro-ottiche, i grafici specifici (ad es., CTR vs. Corrente Diretta, CTR vs. Temperatura, Corrente di Collettore vs. Tensione Collettore-Emettitore) non sono forniti nel contenuto testuale. In una scheda tecnica completa, queste curve sono cruciali per la progettazione. Tipicamente mostrano come il CTR si degrada all'aumentare della temperatura, come la corrente di uscita si satura ad alte correnti di ingresso o basse tensioni collettore-emettitore, e la relazione tra tensione diretta e corrente per il LED. I progettisti devono consultare questi grafici per comprendere il comportamento del dispositivo nell'intero intervallo operativo, non solo al punto tipico di 25°C.
4. Informazioni Meccaniche e sul Package
4.1 Dimensioni del Package e Configurazione dei Pin
Il dispositivo utilizza un package SOP a 4 pin. Le dimensioni del corpo del package sono approssimativamente 4.4mm di lunghezza e 7.4mm di larghezza, con un profilo di altezza di 2.0mm. La configurazione dei pin è standard per tali optoaccoppiatori: Pin 1 è l'Anodo del LED, Pin 2 è il Catodo del LED, Pin 3 è l'Emettitore del Fototransistor e Pin 4 è il Collettore del Fototransistor. Viene fornito un layout consigliato dei pad per il montaggio superficiale per garantire una saldatura affidabile e stabilità meccanica.
4.2 Marcatura del Dispositivo
Il dispositivo è marcato sulla superficie superiore con un codice. La marcatura include "EL" (codice produttore), "452" (numero di parte), una cifra per l'anno, due cifre per la settimana e una "V" opzionale per indicare l'approvazione VDE. Questa marcatura consente la tracciabilità della data di produzione e della conformità.
5. Linee Guida per la Saldatura e il Montaggio
5.1 Condizioni per la Saldatura a Rifusione
La scheda tecnica fornisce specifiche dettagliate del profilo di saldatura a rifusione per prevenire danni termici. Il profilo è conforme a IPC/JEDEC J-STD-020D. I parametri chiave includono: una fase di preriscaldamento da 150°C a 200°C in 60-120 secondi, una temperatura massima del corpo (Tp) non superiore a 260°C e un tempo sopra il liquidus (217°C) tra 60 e 100 secondi. Il dispositivo può resistere a un massimo di tre cicli di rifusione. Il rispetto di questo profilo è fondamentale per mantenere l'integrità dell'incapsulamento in epossidico interno e dei collegamenti a filo.
6. Imballaggio e Informazioni per l'Ordine
6.1 Sistema di Numerazione delle Parti
Il numero di parte segue il formato: EL452(Y)-VG. La posizione "Y" indica l'opzione di nastro e bobina (TA, TB, o nessuna per imballaggio in tubo). La "V" indica che l'unità è approvata per la sicurezza VDE. Il suffisso "G" indica che il prodotto è privo di alogeni. Ad esempio, EL452TA-VG si riferisce al dispositivo fornito su nastro e bobina orientamento TA, con approvazione VDE, ed è privo di alogeni.
6.2 Specifiche del Nastro e della Bobina
Il dispositivo è disponibile in nastro portante standard goffrato per il montaggio automatizzato. Sono disponibili due direzioni di alimentazione: Opzione TA e Opzione TB. La larghezza del nastro (W) è 16.0mm, il passo delle tasche (P0) è 4.0mm e la bobina contiene tipicamente 3000 unità. Vengono fornite le dimensioni dettagliate del nastro (A, B, D0, ecc.) per la configurazione dell'alimentatore.
7. Raccomandazioni per l'Applicazione
7.1 Circuiti di Applicazione Tipici
L'EL452-G è ben adatto per pilotare triac, tiristori o MOSFET in circuiti di controllo della rete AC (ad es., relè a stato solido) grazie al suo alto VCEO. Può essere utilizzato per lo shifting di livello di tensione in interfacce per microcontrollori, fornendo isolamento per segnali di sensori analogici e creando loop di feedback isolati negli alimentatori a commutazione. Il suo alto CTR gli permette di essere pilotato direttamente dai pin GPIO di un microcontrollore (con una resistenza limitatrice di corrente adeguata) senza bisogno di un transistor driver aggiuntivo per il LED.
7.2 Considerazioni e Precauzioni di Progettazione
Lato Ingresso:Una resistenza in serie deve essere sempre utilizzata con il LED per limitare la corrente diretta a un valore sicuro, tipicamente tra 1mA e 20mA a seconda del CTR e della velocità richiesti. Il LED è sensibile alla tensione inversa; se il circuito di pilotaggio può imporre una polarizzazione inversa, è consigliato un diodo di protezione in parallelo al LED.
Lato Uscita:Il fotodarlington può assorbire una corrente significativa (fino a 150mA). Una resistenza di carico deve essere collegata tra il collettore e il positivo dell'alimentazione per impostare l'escursione della tensione di uscita e limitare la dissipazione di potenza. A causa della configurazione darlington, la tensione di saturazione (VCE(sat)) è più alta rispetto a un singolo transistor, il che riduce l'escursione della tensione di uscita nelle applicazioni di commutazione. I progettisti devono tenere conto della degradazione del CTR con la temperatura e nel tempo; un margine di progetto del 20-50% è consigliabile. Le velocità di commutazione relativamente lente ne precludono l'uso in PWM ad alta frequenza o comunicazione dati sopra pochi kilohertz.
8. Confronto e Differenziazione Tecnica
L'EL452-G si differenzia sul mercato grazie alla combinazione di alta tensione (350V), CTR molto elevato (1000% min) e package SOP compatto. Rispetto agli optoaccoppiatori standard a fototransistor (che possono avere CTR del 50-600%), la configurazione darlington fornisce una sensibilità molto maggiore. Rispetto ad altri fotodarlington, la sua classificazione di isolamento di 3750Vrms e le multiple approvazioni di sicurezza internazionali (UL, CUL, VDE, SEMKO, ecc.) lo rendono una scelta robusta per applicazioni critiche per la sicurezza e industriali. La conformità senza alogeni e RoHS si allinea con le moderne normative ambientali.
9. Domande Frequenti (FAQ)
D: Posso pilotare il LED direttamente da un'uscita logica a 5V?
R: Sì, ma devi calcolare la resistenza in serie. Ad esempio, con un tipico VFdi 1.2V e una IFdesiderata di 5mA da un'alimentazione a 5V: R = (5V - 1.2V) / 0.005A = 760Ω. Usa una resistenza standard da 750Ω.
D: Qual è la frequenza di commutazione massima?
R: La frequenza di commutazione pratica è limitata dai tempi di salita e discesa. Una stima conservativa per un'onda quadra è 1/(tr+tf) ≈ 1/(250µs+100µs) ≈ 2.9kHz. Per un funzionamento affidabile, progetta per frequenze inferiori a 1kHz.
D: Come influisce la temperatura sulle prestazioni?
R: Il CTR tipicamente diminuisce all'aumentare della temperatura. La corrente oscura (ICEO) aumenta con la temperatura. La tensione diretta del LED diminuisce con la temperatura. Questi effetti devono essere considerati per un funzionamento stabile nell'intero intervallo di temperatura.
D: È disponibile una connessione di base esterna per accelerare la velocità?
R: No. Questo è un fotodarlington standard senza piedino di base esterno. La velocità di commutazione non può essere migliorata da componenti esterni.
10. Caso Pratico di Progettazione
Scenario:Isolare un segnale da microcontrollore a 3.3V per controllare una bobina di relè DC a 24V.
Implementazione:Il pin GPIO del microcontrollore (3.3V) pilota il LED tramite una resistenza da 470Ω, impostando IF≈ (3.3V - 1.2V)/470Ω ≈ 4.5mA. La bobina del relè (24V, 50Ω di bobina ≈ 480mA) è collegata tra un'alimentazione a 24V e il collettore dell'EL452-G. L'emettitore è collegato a massa. Un diodo di ricircolo deve essere posto in parallelo alla bobina del relè per sopprimere i picchi di tensione quando il fotodarlington si spegne. Con un ingresso di 4.5mA, il CTR garantisce un'uscita satura in grado di assorbire la corrente del relè, con VCE(sat)che causa una piccola caduta di tensione. I 350V di VCEOforniscono un ampio margine rispetto all'alimentazione a 24V e a eventuali picchi induttivi.
11. Principio di Funzionamento
Il dispositivo opera sul principio dell'accoppiamento ottico. Quando la corrente scorre attraverso il diodo emettitore di luce a infrarossi (LED) di ingresso, esso emette fotoni. Questi fotoni viaggiano attraverso un gap isolante trasparente e colpiscono la regione di base della coppia di fototransistor darlington di uscita. I fotoni assorbiti generano coppie elettrone-lacuna, creando una corrente di base che accende la coppia di transistor darlington. Ciò permette a una corrente molto più grande di fluire dal collettore all'emettitore, proporzionale alla corrente del LED (definita dal CTR). Il punto chiave è che il segnale è trasmesso dalla luce, fornendo un completo isolamento galvanico tra i circuiti di ingresso e uscita, poiché non c'è connessione elettrica, solo un percorso ottico attraverso un materiale isolante.
12. Tendenze e Sviluppi del Settore
Il mercato degli optoaccoppiatori continua a evolversi. Le tendenze includono lo sviluppo di isolatori digitali più veloci basati su tecnologia CMOS e RF, che offrono velocità, consumo energetico e immunità al rumore superiori rispetto agli optoaccoppiatori tradizionali. Tuttavia, optoaccoppiatori fotodarlington e a fototransistor come l'EL452-G mantengono posizioni forti nelle applicazioni che richiedono capacità ad alta tensione, elevata corrente di uscita, semplicità, robustezza e convenienza per l'isolamento a bassa/media frequenza. C'è anche una continua spinta verso la miniaturizzazione, una maggiore integrazione (ad es., combinazione di più canali), un'affidabilità migliorata e certificazioni di sicurezza potenziate per soddisfare gli standard globali in evoluzione. Il passaggio a materiali privi di alogeni ed ecologici, come visto nell'EL452-G, è un requisito standard del settore.
Terminologia delle specifiche LED
Spiegazione completa dei termini tecnici LED
Prestazioni fotoelettriche
| Termine | Unità/Rappresentazione | Spiegazione semplice | Perché importante |
|---|---|---|---|
| Efficienza luminosa | lm/W (lumen per watt) | Uscita luce per watt di elettricità, più alto significa più efficiente energeticamente. | Determina direttamente il grado di efficienza energetica e il costo dell'elettricità. |
| Flusso luminoso | lm (lumen) | Luce totale emessa dalla sorgente, comunemente chiamata "luminosità". | Determina se la luce è abbastanza brillante. |
| Angolo di visione | ° (gradi), es. 120° | Angolo in cui l'intensità luminosa scende alla metà, determina la larghezza del fascio. | Influisce sulla gamma di illuminazione e uniformità. |
| CCT (Temperatura colore) | K (Kelvin), es. 2700K/6500K | Calore/freschezza della luce, valori più bassi giallastri/caldi, più alti biancastri/freddi. | Determina l'atmosfera di illuminazione e scenari adatti. |
| CRI / Ra | Senza unità, 0–100 | Capacità di riprodurre accuratamente i colori degli oggetti, Ra≥80 è buono. | Influisce sull'autenticità del colore, utilizzato in luoghi ad alta richiesta come centri commerciali, musei. |
| SDCM | Passi ellisse MacAdam, es. "5 passi" | Metrica di consistenza del colore, passi più piccoli significano colore più consistente. | Garantisce colore uniforme attraverso lo stesso lotto di LED. |
| Lunghezza d'onda dominante | nm (nanometri), es. 620nm (rosso) | Lunghezza d'onda corrispondente al colore dei LED colorati. | Determina la tonalità di LED monocromatici rossi, gialli, verdi. |
| Distribuzione spettrale | Curva lunghezza d'onda vs intensità | Mostra la distribuzione dell'intensità attraverso le lunghezze d'onda. | Influisce sulla resa cromatica e qualità del colore. |
Parametri elettrici
| Termine | Simbolo | Spiegazione semplice | Considerazioni di progettazione |
|---|---|---|---|
| Tensione diretta | Vf | Tensione minima per accendere il LED, come "soglia di avvio". | La tensione del driver deve essere ≥Vf, le tensioni si sommano per LED in serie. |
| Corrente diretta | If | Valore di corrente per il normale funzionamento del LED. | Solitamente azionamento a corrente costante, la corrente determina luminosità e durata. |
| Corrente di impulso massima | Ifp | Corrente di picco tollerabile per brevi periodi, utilizzata per dimmerazione o lampeggio. | La larghezza dell'impulso e il ciclo di lavoro devono essere rigorosamente controllati per evitare danni. |
| Tensione inversa | Vr | Tensione inversa massima che il LED può sopportare, oltre può causare rottura. | Il circuito deve prevenire connessione inversa o picchi di tensione. |
| Resistenza termica | Rth (°C/W) | Resistenza al trasferimento di calore dal chip alla saldatura, più bassa è meglio. | Alta resistenza termica richiede dissipazione termica più forte. |
| Immunità ESD | V (HBM), es. 1000V | Capacità di resistere a scariche elettrostatiche, più alto significa meno vulnerabile. | Sono necessarie misure antistatiche in produzione, specialmente per LED sensibili. |
Gestione termica e affidabilità
| Termine | Metrica chiave | Spiegazione semplice | Impatto |
|---|---|---|---|
| Temperatura di giunzione | Tj (°C) | Temperatura operativa effettiva all'interno del chip LED. | Ogni riduzione di 10°C può raddoppiare la durata; troppo alta causa decadimento della luce, spostamento del colore. |
| Deprezzamento del lumen | L70 / L80 (ore) | Tempo affinché la luminosità scenda al 70% o 80% dell'iniziale. | Definisce direttamente la "durata di servizio" del LED. |
| Manutenzione del lumen | % (es. 70%) | Percentuale di luminosità trattenuta dopo il tempo. | Indica la ritenzione della luminosità su uso a lungo termine. |
| Spostamento del colore | Δu′v′ o ellisse MacAdam | Grado di cambiamento del colore durante l'uso. | Influisce sulla consistenza del colore nelle scene di illuminazione. |
| Invecchiamento termico | Degradazione del materiale | Deterioramento dovuto ad alta temperatura a lungo termine. | Può causare calo di luminosità, cambio colore o guasto a circuito aperto. |
Imballaggio e materiali
| Termine | Tipi comuni | Spiegazione semplice | Caratteristiche e applicazioni |
|---|---|---|---|
| Tipo di imballaggio | EMC, PPA, Ceramica | Materiale di alloggiamento che protegge il chip, fornisce interfaccia ottica/termica. | EMC: buona resistenza al calore, basso costo; Ceramica: migliore dissipazione termica, vita più lunga. |
| Struttura del chip | Frontale, Flip Chip | Disposizione degli elettrodi del chip. | Flip chip: migliore dissipazione termica, maggiore efficienza, per alta potenza. |
| Rivestimento al fosforo | YAG, Silicato, Nitruro | Copre il chip blu, converte una parte in giallo/rosso, mescola a bianco. | Diversi fosfori influenzano efficienza, CCT e CRI. |
| Lente/Ottica | Piana, Microlente, TIR | Struttura ottica sulla superficie che controlla la distribuzione della luce. | Determina l'angolo di visione e la curva di distribuzione della luce. |
Controllo qualità e binning
| Termine | Contenuto di binning | Spiegazione semplice | Scopo |
|---|---|---|---|
| Bin del flusso luminoso | Codice es. 2G, 2H | Raggruppato per luminosità, ogni gruppo ha valori lumen min/max. | Garantisce luminosità uniforme nello stesso lotto. |
| Bin di tensione | Codice es. 6W, 6X | Raggruppato per intervallo di tensione diretta. | Facilita l'abbinamento del driver, migliora l'efficienza del sistema. |
| Bin del colore | Ellisse MacAdam 5 passi | Raggruppato per coordinate colore, garantendo un intervallo ristretto. | Garantisce consistenza del colore, evita colore non uniforme all'interno del dispositivo. |
| Bin CCT | 2700K, 3000K ecc. | Raggruppato per CCT, ognuno ha corrispondente intervallo di coordinate. | Soddisfa diversi requisiti CCT della scena. |
Test e certificazione
| Termine | Standard/Test | Spiegazione semplice | Significato |
|---|---|---|---|
| LM-80 | Test di manutenzione del lumen | Illuminazione a lungo termine a temperatura costante, registrando il decadimento della luminosità. | Utilizzato per stimare la vita LED (con TM-21). |
| TM-21 | Standard di stima della vita | Stima la vita in condizioni reali basandosi sui dati LM-80. | Fornisce una previsione scientifica della vita. |
| IESNA | Società di ingegneria dell'illuminazione | Copre metodi di test ottici, elettrici, termici. | Base di test riconosciuta dal settore. |
| RoHS / REACH | Certificazione ambientale | Garantisce nessuna sostanza nociva (piombo, mercurio). | Requisito di accesso al mercato a livello internazionale. |
| ENERGY STAR / DLC | Certificazione di efficienza energetica | Certificazione di efficienza energetica e prestazioni per l'illuminazione. | Utilizzato negli appalti pubblici, programmi di sussidi, migliora la competitività. |