Светодиод 0402 желтый 1.0x0.5x0.4 мм - прямое напряжение 1.7-2.4В - мощность 48мВт - техническое описание

1. Обзор продукта

RF-YU0402TS-CE-B - это компактный желтый SMD светодиод, предназначенный для индикации общего назначения и подсветки. Корпус миниатюрный 1.0 мм x 0.5 мм x 0.4 мм, этот светодиод использует высокоэффективный желтый чип для обеспечения доминирующей длины волны от 585 нм до 595 нм. Благодаря очень широкому углу обзора 140° и совместимости со стандартными процессами поверхностного монтажа (SMT), он подходит для конструкций с ограниченным пространством, где требуется надежная оптическая производительность. Светодиод имеет уровень чувствительности к влаге 3 и соответствует требованиям RoHS.

2. Интерпретация технических параметров

2.1 Электрические/оптические характеристики (при Ts=25°C)

Светодиод характеризуется при испытательном токе 5 мА. Основные параметры включают:

• Прямое напряжение (VF):Разделено на несколько групп от 1.7 В до 2.4 В, что позволяет точно подбирать напряжение для последовательных/параллельных схем. Примеры корзин: A2 (1.7-1.8В), B1 (1.8-1.9В), C1 (1.9-2.0В), D1 (2.2-2.3В) и т.д.
• Доминирующая длина волны (λD):Диапазон от 585 нм до 595 нм, с подгруппами, такими как D10 (585-587.5 нм), D20 (587.5-590 нм), E10 (590-592.5 нм), E20 (592.5-595 нм). Это обеспечивает стабильность цвета при производстве.
• Сила света (IV):Разделено на шесть групп: A00 (8-12 мкд), B00 (12-18 мкд), C00 (18-28 мкд), D00 (28-43 мкд), E00 (43-65 мкд), F00 (65-100 мкд). Разработчики могут выбрать подходящую корзину яркости для своего приложения.
• Угол обзора (2θ1/2):Типичное значение 140°, что обеспечивает широкий конус излучения, подходящий для индикаторных ламп.
• Обратный ток (IR):Максимум 10 мкА при VR=5В, обеспечивая низкую утечку.
• Тепловое сопротивление (RTHJ-S):450°C/Вт (типичное), что необходимо учитывать при управлении температурным режимом.

2.2 Абсолютные максимальные значения

• Рассеиваемая мощность (Pd):48 мВт
• Прямой ток (IF):20 мА (непрерывный)
• Пиковый прямой ток (IFP):60 мА (коэффициент заполнения 1/10, длительность импульса 0.1 мс)
• Электростатический разряд (ESD, HBM):2000 В
• Рабочая температура (Topr):от -40°C до +85°C
• Температура хранения (Tstg):от -40°C до +85°C
• Температура перехода (Tj):95°C

Необходимо следить, чтобы температура перехода не превышала максимальное значение, особенно при высоких температурах окружающей среды или когда несколько светодиодов работают близко к своим пределам.

3. Система сортировки

3.1 Сортировка по длине волны

Доминирующая длина волны разделена на четыре основные корзины: D10, D20, E10, E20, каждая охватывает интервалы по 2.5 нм от 585 нм до 595 нм. Такая узкая сортировка обеспечивает постоянство цвета в пределах одной катушки.

3.2 Сортировка по силе света

Шесть корзин яркости (A00 - F00) охватывают диапазон от 8 мкд до 100 мкд, причем каждая корзина имеет коэффициент примерно 1.5x. Это позволяет разработчикам выбирать подходящий уровень яркости без перегрузки светодиода.

3.3 Сортировка по прямому напряжению

Напряжение разделено на 12 групп от 1.7В до 2.4В (например, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2). Подбор корзин напряжения в параллельных цепях помогает сбалансировать распределение тока.

4. Анализ характеристических кривых

4.1 Прямое напряжение в зависимости от прямого тока (Рис. 1-6)

Кривая показывает типичную экспоненциальную зависимость. При испытательном токе 5 мА VF составляет приблизительно 2.0 В, увеличиваясь до примерно 2.8 В при 25 мА. Разработчики должны учитывать это изменение напряжения при выборе токоограничивающих резисторов.

4.2 Прямой ток в зависимости от относительной интенсивности (Рис. 1-7)

Относительная интенсивность увеличивается почти линейно с прямым током до 7.5 мА, с тенденцией к насыщению при более высоких токах. Работа вблизи испытательного тока (5 мА) обеспечивает хороший баланс между яркостью и эффективностью.

4.3 Влияние температуры (Рис. 1-8, Рис. 1-9)

При повышении температуры окружающей среды или контактов относительная интенсивность снижается (примерно на 10% от 25°C до 75°C). Максимальный прямой ток должен быть снижен при высоких температурах, чтобы не превысить предельную температуру перехода.

4.4 Прямой ток в зависимости от доминирующей длины волны (Рис. 1-10)

Доминирующая длина волны незначительно смещается с током (примерно на 1 нм в диапазоне 25 мА), что характерно для желтых светодиодов на основе InGaN. Для большинства индикаторных приложений это смещение незначительно.

4.5 Спектральное распределение (Рис. 1-11)

Пик излучения находится около 590 нм с полной шириной на полувысоте (FWHM) примерно 15 нм. Узкий спектр обеспечивает хорошую чистоту цвета для желтых индикаторов.

4.6 Диаграмма направленности (Рис. 1-12)

Диаграмма направленности показывает типичное ламбертовское распределение с широкой угловой однородностью. Относительная интенсивность остается выше 0,6 при ±40°, что подтверждает угол обзора 140°.

5. Механическая информация и информация об упаковке

5.1 Габаритные размеры корпуса

Светодиод имеет размеры 1.0 мм (длина) x 0.5 мм (ширина) x 0.4 мм (высота). На виде снизу показаны две контактные площадки: Площадка 1 (катод) и Площадка 2 (анод). Полярность обозначена выемкой на верхнем виде. Рекомендуемые посадочные места: площадки 0.5 мм x 0.6 мм с шагом 0.6 мм.

5.2 Упаковочная лента и катушка

Каждая катушка содержит 6 000 штук. Размеры упаковочной ленты: ширина 8 мм, шаг подачи 2.00 мм, с маркировкой полярности. Диаметр катушки 178 мм (7 дюймов), диаметр ступицы 60 мм, ширина 8.0 мм.

5.3 Информация на этикетке

Этикетки содержат номер детали, номер спецификации, номер партии, код сортировки (по световому потоку, цветности, VF, длине волны), количество и код даты.

6. Рекомендации по пайке и сборке

6.1 Профиль оплавления припоя

Рекомендуемый профиль: предварительный нагрев от 150°C до 200°C в течение 60-120 секунд, скорость подъема температуры ≤3°C/с, пиковая температура 260°C (макс. 10 секунд), скорость охлаждения ≤6°C/с. Светодиод выдерживает до 2 циклов оплавления, но более 2 могут привести к повреждению.

6.2 Ручная пайка

При необходимости ручной пайки температура паяльника не должна превышать 300°C, а время воздействия не более 3 секунд. Разрешена только одна операция ручной пайки.

6.3 Хранение и контроль влажности

Хранить невскрытые пакеты при 30°C/75% относительной влажности до 1 года. После вскрытия использовать в течение 168 часов при 30°C/60% относительной влажности. Если воздействие влаги превысило пределы, перед использованием просушить при 60±5°C в течение 24 часов.

7. Рекомендации по применению

7.1 Типичные применения

• Оптические индикаторы в бытовой электронике, приборах и автомобильных панелях
• Подсветка переключателей и символов
• Сигнальные лампы общего назначения и аварийные световые индикаторы
• Малоформатные дисплеи и вывески

7.2 Конструктивные соображения

• Всегда используйте токоограничивающие резисторы для предотвращения перегрузки по току; небольшое изменение напряжения может вызвать значительное изменение тока.
• Обеспечьте надлежащее управление температурой: поддерживайте температуру перехода ниже 95°C, особенно при работе вблизи максимального тока.
• Избегайте воздействия на светодиод сред с высоким содержанием серы (>100 ppm) для предотвращения потускнения внутренних компонентов.
• Минимизируйте выделение ЛОС из клеев и заливочных материалов, чтобы избежать обесцвечивания силиконового инкапсулянта.
• Защищайте от электростатического разряда (ESD) – светодиод рассчитан на 2000 В по модели человеческого тела (HBM), но рекомендуется соблюдать меры предосторожности при обращении и монтаже.

8. Надежность и испытания

Светодиод прошел испытания на надежность, включая термоциклирование (от -40°C до 100°C, 100 циклов), термический удар (от -40°C до 100°C, 300 циклов), хранение при высокой температуре (100°C, 1000 ч), хранение при низкой температуре (-40°C, 1000 ч) и испытание на долговечность (25°C, 5 мА, 1000 ч). Критерии приемки: прямое напряжение в пределах 1.1x верхнего предела спецификации, обратный ток в пределах 2.0x верхнего предела, световой поток выше 0.7x нижнего предела спецификации.

9. Принцип работы

Этот светодиод использует полупроводниковый чип, излучающий желтый свет, обычно на основе системы материалов InGaN (нитрид индия-галлия) с соответствующим люминофором или прямым излучением для достижения длины волны 585–595 нм. При прямом смещении электроны и дырки рекомбинируют в p-n-переходе, испуская фотоны. Малый размер чипа и эффективная конструкция обеспечивают высокую яркость при низком токе, что делает его идеальным для устройств с батарейным питанием.

10. Тенденции развития

Миниатюризация SMD светодиодов продолжается, корпуса 0402 становятся стандартом для конструкций с высокой плотностью монтажа. Будущие тенденции включают дальнейшее повышение световой отдачи, расширение цветовой гаммы и улучшение управления температурой. Использование бессвинцовых и соответствующих требованиям RoHS материалов теперь является стандартом. Кроме того, передовые методы сортировки позволяют более строго контролировать цвет и яркость, обеспечивая более однородные световые массивы.