LTR-5888DH Phototransistor Data Sheet - Kifurushi Cheusi Kijani - Voltage ya Collector-Emitter ya 30V - Waraka wa Kiufundi wa Kiswahili

1. Muhtasari wa Bidhaa

LTR-5888DH ni phototransistor ya infrared (IR) yenye utendaji wa hali ya juu iliyoundwa kwa matumizi ya kuhisi ambapo kugundua kwa kuaminika kwa mwanga wa infrared kunahitajika. Kazi yake kuu ni kubadilisha mnururisho wa infrared unaoingia kuwa mkondo wa umeme. Kifaa hiki kimewekwa ndani ya kifurushi maalum cha plastiki cheusi kijani, hulka muhimu ambayo inapunguza kwa kiasi kikubwa usikivu wake kwa mwanga unaoonekana. Athari hii ya kuchuja inapunguza usumbufu kutoka kwa vyanzo vya mwanga unaoonekana vya mazingira, ikiboresha uwiano wa ishara-kwa-kelele na uaminifu katika mifumo maalum ya kuhisi infrared. Sehemu hii ina sifa ya anuwai pana ya uendeshaji kwa mkondo wa collector, usikivu wa juu kwa mwanga wa IR, na nyakati za kubadilisha haraka, na kufanya iweze kutumika kwa matumizi yanayohitaji majibu ya haraka.

2. Uchambuzi wa kina wa Vigezo vya Kiufundi

2.1 Viwango Vya Juu Kabisa

Kifaa hiki kimekadiriwa kufanya kazi chini ya hali maalum za juu kabisa ili kuhakikisha uaminifu na kuzuia uharibifu. Matumizi ya nguvu ya juu kabisa ni 100 mW. Voltage ya collector-emitter (V_CEO) inaweza kustahimili hadi 30V, wakati voltage ya emitter-collector (V_ECO) imewekwa kikomo hadi 5V. Anuwai ya joto la uendeshaji ni kutoka -40°C hadi +85°C, na inaweza kuhifadhiwa katika mazingira kutoka -55°C hadi +100°C. Kwa kuuza, waya zinaweza kustahimili joto la 260°C kwa sekunde 5 wakati hupimwa umbali wa 1.6mm kutoka kwa mwili wa sehemu.

2.2 Tabia za Umeme na Mwanga

Vigezo vya kina vya utendaji vimebainishwa kwa joto la mazingira (T_A) la 25°C. Voltage ya kuvunjika ya collector-emitter (V_(BR)CEO) kwa kawaida ni 30V kwa mkondo wa collector (I_C) wa 1mA bila mnururisho. Voltage ya kujaa ya collector-emitter (V_CE(SAT)) ni kati ya 0.1V hadi 0.4V wakati mkondo wa collector ni 100μA chini ya mnururisho wa 1 mW/cm². Kasi ya kubadilisha inafafanuliwa na muda wa kupanda (T_r) na muda wa kushuka (T_f), vilivyobainishwa kama 15 μs na 18 μs mtawalia chini ya hali ya majaribio ya V_CC=5V, I_C=1mA, na upinzani wa mzigo (R_L) wa 1 kΩ. Mkondo wa giza wa collector (I_CEO), ambao ni mkondo wa uvujaji wakati hakuna mwanga, ni kati ya 0.1 nA na 100 nA kwa V_CE=10V.

3. Maelezo ya Mfumo wa Kugawa Katika Makundi

LTR-5888DH hutumia mfumo wa kugawa katika makundi ili kuainisha vifaa kulingana na Mkondo wao wa Collector Katika Hali ya Wazi (I_C(ON)). Kigezo hiki ni mkondo wa wastani unaozalishwa na phototransistor chini ya hali zilizosanifishwa (V_CE= 5V, E_e= 1 mW/cm²). Waraka wa data hutoa seti mbili za meza za makundi: moja kwa "Mpangilio wa Uzalishaji" na nyingine kwa "Anuwai ya Mkondo wa Collector Katika Hali ya Wazi" iliyohakikishiwa.

Kila kundi (A hadi H) inalingana na anuwai maalum ya I_C(ON)na hutambuliwa kwa alama ya rangi kwenye sehemu. Kwa mfano, Kundi A (lililowekwa alama Nyekundu) katika mpangilio wa uzalishaji lina anuwai ya I_C(ON)ya 0.20 mA hadi 0.26 mA, wakati anuwai yake iliyohakikishiwa ni 0.16 mA hadi 0.31 mA. Uainishaji huu katika makundi huruhusu wabunifu kuchagua vipengele vilivyo na usikivu thabiti kwa mahitaji maalum ya saketi yao, na kuhakikisha utendaji unaotabirika katika uzalishaji mkubwa. Makundi hayo yanakua kutoka usikivu wa chini (Kundi A) hadi usikivu wa juu (Kundi H).

4. Uchambuzi wa Mviringo wa Utendaji

Waraka wa data unajumuisha mikondo kadhaa ya tabia inayoonyesha tabia ya kifaa chini ya hali tofauti.

4.1 Mkondo wa Giza wa Collector dhidi ya Joto la Mazingira

Kielelezo 1 kinaonyesha kwamba mkondo wa giza wa collector (I_CEO) huongezeka kwa kasi kubwa kadiri joto la mazingira linavyopanda. Hili ni jambo muhimu la kuzingatia kwa matumizi ya joto la juu, kwani kuongezeka kwa mkondo wa uvujaji kunaweza kuathiri kiwango cha ishara katika hali ya kuzima na kiwango cha kelele cha saketi ya kuhisi.

4.2 Matumizi ya Nguvu ya Collector dhidi ya Joto la Mazingira

Kielelezo 2 kinaonyesha mkunjo wa kupunguza kwa matumizi ya nguvu ya juu kabisa ya collector (P_C) inayoruhusiwa. Kadiri joto la mazingira linavyopanda, matumizi ya nguvu ya juu kabisa salama hupungua kwa mstari. Grafu hii ni muhimu kwa usimamizi wa joto na kuhakikisha kifaa kinafanya kazi ndani ya eneo lake salama la uendeshaji (SOA).

4.3 Muda wa Kupanda na Kushuka dhidi ya Upinzani wa Mzigo

Kielelezo 3 kinaonyesha uhusiano kati ya kasi ya kubadilisha (muda wa kupanda T_rna muda wa kushuka T_f) na upinzani wa mzigo (R_L). T_rna T_fzote huongezeka kadiri upinzani wa mzigo unavyokuwa mkubwa. Wabunifu wanaweza kutumia mkunjo huu kuboresha usawazishaji kati ya kasi ya kubadilisha na mabadiliko ya voltage ya pato kwa kuchagua R_L value.

inayofaa.

4.4 Mkondo wa Relatifu wa Collector dhidi ya Mnururisho_eKielelezo 4 kinaonyesha mkondo wa relatifu wa collector dhidi ya mnururisho wa infrared (E

). Mkunjo unaonyesha uhusiano wa chini ya mstari, ambapo kiwango cha kuongezeka kwa mkondo wa collector hupungua katika viwango vya juu vya mnururisho. Tabia hii inafafanua usikivu na anuwai ya mienendo ya phototransistor.

5. Taarifa ya Mitambo na Kifurushi

Sehemu hii hutumia kifurushi cha kawaida cha phototransistor. Vidokezo muhimu vya vipimo vinajumuisha: vipimo vyote viko kwenye milimita, na uvumilivu wa jumla wa ±0.25mm isipokuwa ikiwa imebainishwa vinginevyo. Utoaji wa juu kabisa wa hariri chini ya flange ni 1.5mm. Nafasi ya waya hupimwa kwenye sehemu ambayo waya hutoka kwenye mwili wa kifurushi. Nyenzo ya plastiki cheusi kijani imechaguliwa mahsusi kwa sifa zake za kuchuja mwanga.

6. Miongozo ya Kuuza na Usanikishaji

Waya zinaweza kuuzwa kwa joto la juu kabisa la 260°C kwa muda usiozidi sekunde 5. Hii inapaswa kupimwa kwa umbali wa 1.6mm (0.063 inchi) kutoka kwa mwili wa kifurushi ili kuzuia uharibifu wa joto kwa kipande cha semiconductor kilicho ndani. Michakato ya kawaida ya kuuza ya wimbi au reflow inayolingana na wasifu huu wa joto inaweza kutumika. Tahadhari inapaswa kuchukuliwa ili kuepuka mkazo wa ziada wa mitambo kwenye waya wakati wa kushughulikia na kuweka.

7. Mapendekezo ya Matumizi

7.1 Mazingira ya Kawaida ya Matumizi

LTR-5888DH ni bora kwa matumizi mbalimbali ya kugundua infrared, ikiwa ni pamoja na kugundua na kuhesabu vitu, visensa vya tundu (k.m., kwenye printer au mashine za kuuza), kuhisi karibu, na otomatiki ya viwanda ambapo kanuni ya kuvunja mwanga hutumiwa. Kifurushi chake cheusi kijani kinaifanya iweze kutumika hasa katika mazingira yenye mwanga mkubwa unaoonekana wa mazingira, kama vile chini ya mwanga wa mchana au taa nyepesi za ndani.

7.2 Mambo ya Kuzingatia katika Ubunifu_LWakati wa kubuni saketi, thamani ya upinzani wa mzigo (R_L) ni muhimu. R_Lndogo hutoa kubadilisha haraka (kama inavyoonekana kwenye Kielelezo 3) lakini husababisha mabadiliko madogo ya voltage ya pato kwa mkondo wa mwanga uliopewa. R

kubwa hutoa mabadiliko makubwa ya voltage lakini majibu ya polepole. Voltage ya uendeshaji haipaswi kuzidi viwango vya juu kabisa. Uchaguzi wa makundi unapaswa kulingana na usikivu unaohitajika kwa nguvu ya ishara ya IR inayotarajiwa ya matumizi. Kwa uendeshaji thabiti, zingatia utegemezi wa joto wa mkondo wa giza, hasa katika mazingira ya joto la juu.

8. Ulinganisho wa Kiufundi na Tofauti

Hulka kuu ya kutofautisha ya LTR-5888DH ni kifurushi chake cheusi kijani. Ikilinganishwa na kifurushi cha kawaida cha wazi au kisicho na rangi, kifurushi hiki hufanya kazi kama kichujio cha mwanga unaoonekana kilichojengwa ndani. Hii huondoa au kupunguza hitaji la kichujio cha mwanga cha nje, na kurahisisha usanikishaji, kupunguza idadi ya vipengele, na kwa uwezekano kupunguza gharama. Mchanganyiko wake wa usikivu wa juu, kubadilisha haraka, na anuwai pana ya mkondo wa collector hufanya iwe chaguo la anuwai miongoni mwa phototransistor za infrared.

9. Maswali Yanayoulizwa Mara kwa Mara (FAQ)
Q: Kifurushi cheusi kijani kina lengo gani?

A: Plastiki cheusi kijani huchuja sehemu kubwa ya mwanga unaoonekana, na kuruhusu mwanga wa infrared tu kufikia eneo lenye usikivu la phototransistor. Hii inaboresha utendaji katika mazingira yenye mwanga mkubwa wa mazingira kwa kupunguza kuanzishwa vibaya au kelele.
Q: Ninawezaje kuchagua kundi sahihi kwa matumizi yangu?

A: Chagua kundi kulingana na nguvu ya ishara ya infrared inayotarajiwa katika matumizi yako. Ikiwa chanzo cha IR ni dhaifu au kiko mbali, kundi lenye usikivu wa juu (k.m., H, Machungwa) linaweza kuwa muhimu. Kwa ishara zenye nguvu, kundi lenye usikivu wa chini (k.m., A, Nyekundu) linaweza kutosha na linaweza kutoa faida kama mkondo wa chini wa giza. Daima shauriana na anuwai ya mkondo iliyohakikishiwa, sio tu anuwai ya mpangilio wa uzalishaji.
Q: Kwa nini kasi ya kubadilisha inategemea upinzani wa mzigo?

A> Upinzani wa mzigo na uwezo wa ndani wa phototransistor huunda saketi ya RC. Upinzani mkubwa huongeza wakati wa RC, na kupunguza kasi ya kuchaji na kutolewa cha uwezo huu wakati wa matukio ya kubadilisha, na hivyo kuongeza nyakati za kupanda na kushuka.

10. Kesi ya Matumizi ya Vitendo
Kesi: Kugundua Karatasi kwenye Printer ya Ofisi

Katika kisensa cha tray ya karatasi ya printer, LED ya infrared huwekwa upande mmoja wa njia ya karatasi, na LTR-5888DH huwekwa kinyume kabisa. Wakati karatasi iko, inazuia mwamba wa IR, na kusababisha mkondo wa phototransistor kupungua. Kifurushi cheusi kijani ni muhimu hapa kwa sababu printer mara nyingi hutumiwa katika ofisi zenye taa nzuri. Huzuia taa za chumba za fluorescent au LED kufasiriwa vibaya kama ishara ya IR kutoka kwa LED, na kuhakikisha kugundua kwa kuaminika kwa ukosefu wa karatasi. Kundi lenye usikivu wa kati (k.m., C au D) kwa kawaida lingechaguliwa, na thamani ya upinzani wa mzigo ingechaguliwa ili kutoa ishara safi ya pato la dijiti kwa microcontroller ya printer na wakati wa majibu unaofaa kwa harakati ya karatasi.

11. Kanuni ya Uendeshaji

Phototransistor hufanya kazi sawa na transistor ya kawaida ya kiungo cha bipolar (BJT) lakini na eneo la msingi lenye usikivu wa mwanga. Badala ya mkondo wa msingi, fotoni zinazoingia (chembe za mwanga) huzalisha jozi za elektroni-na-shimo katika kiungo cha msingi-collector wakati nishati yao inatosha. Vichukuzi hivi vilivyozalishwa na mwanga hufanya kazi kama mkondo wa msingi, ambao kisha huongezeka kwa faida ya mkondo wa transistor (beta, β). Hii husababisha mkondo wa collector ambao ni mkubwa zaidi kuliko mkondo wa asili wa mwanga, na kutoa usikivu wa juu. LTR-5888DH imeboreshwa kujibu kwa fotoni katika anuwai ya urefu wa wimbi wa infrared.

12. Mienendo ya Teknolojia