SiC Schottky Diyot TO-252-3L Veri Sayfası - Paket 6.6x9.84x2.3mm - Gerilim 650V - Akım 6A - Türkçe Teknik Doküman

1. Ürün Genel Bakışı

Bu belge, yüksek performanslı bir Silisyum Karbür (SiC) Schottky Bariyer Diyotunun tam spesifikasyonunu sağlar. Cihaz, yüzeye montaj TO-252-3L (yaygın olarak DPAK olarak bilinir) paketinde tasarlanmış olup, yüksek frekanslı ve yüksek verimli güç dönüştürme devreleri için sağlam bir çözüm sunar. Geleneksel silisyum PN-birleşim diyotlarının aksine, bu SiC Schottky diyotu, güç sistemlerinde anahtarlama kayıplarının ve elektromanyetik girişimin (EMI) önemli bir kaynağı olan ters kurtarma yükünü temelden ortadan kaldıran bir metal-yarıiletken birleşimi kullanır.

Bu bileşenin temel avantajı malzeme özelliklerinde yatar. Silisyum Karbür, silisyuma kıyasla daha geniş bir bant aralığı, daha yüksek termal iletkenlik ve daha yüksek kritik elektrik alan dayanımı sunar. Bu malzeme avantajları doğrudan diyotun performansına yansır: daha yüksek gerilimlerde, daha yüksek sıcaklıklarda ve önemli ölçüde daha düşük anahtarlama kayıplarıyla çalışabilir. Bu cihazın hedef pazarları, verimlilik, güç yoğunluğu ve güvenilirliğin en önemli olduğu modern güç elektroniği uygulamalarıdır.

1.1 Temel Özellikler ve Faydalar

Cihaz, sistem tasarımında belirgin faydalar sağlayan birkaç gelişmiş özellik içerir:

• Düşük İleri Yönlü Gerilim (VF = 1.5V tipik):Bu, iletim kayıplarını azaltarak güç katının genel verimliliğini doğrudan iyileştirir. Daha düşük güç dağılımı aynı zamanda termal yönetimi de basitleştirir.
• Sıfır Ters Kurtarma Akımı ile Ultra Hızlı Anahtarlama:Schottky bariyer prensibi, azınlık taşıyıcı depolaması olmadığı anlamına gelir. Sonuç olarak, diyot ters kurtarma akımı sivrisi olmadan neredeyse anında kapanır. Bu, anahtarlama kayıplarını en aza indirir, kontrol anahtarında (örneğin, MOSFET) oluşan gerilimi azaltır ve EMI oluşumunu düşürür.
• Yüksek Frekanslı Çalışma:Ters kurtarmanın olmaması, diyotun yüzlerce kHz hatta MHz'de çalışan devrelerde kullanılmasına olanak tanır, bu da daha küçük manyetik bileşenlerin (indüktörler, transformatörler) ve kapasitörlerin kullanımını mümkün kılarak güç yoğunluğunu artırır.
• Yüksek Darbe Akımı Kapasitesi (IFSM = 11.8A):Cihaz, başlangıç veya yük geçişleri sırasında karşılaşılanlar gibi kısa süreli aşırı yük akımlarına dayanabilir, böylece sistem sağlamlığını artırır.
• Yüksek Kavşak Sıcaklığı (TJ,maks = 175°C):SiC'nin geniş bant aralığı, yüksek sıcaklıklarda güvenilir çalışmaya olanak tanıyarak yüksek ortam sıcaklığına sahip veya kompakt tasarımlarda daha büyük bir güvenlik payı sunar.
• Paralel Çalışma:İleri yönlü gerilim düşüşünün pozitif sıcaklık katsayısı, paralel bağlı birden fazla diyot arasında akım paylaşımının sağlanmasına yardımcı olarak termal kaçak oluşumunu önler.

2. Derinlemesine Teknik Parametre Analizi

Bu bölüm, veri sayfasında belirtilen temel elektriksel ve termal parametrelerin ayrıntılı ve nesnel bir yorumunu sağlar. Bu parametreleri anlamak, güvenilir devre tasarımı için kritik öneme sahiptir.

2.1 Mutlak Maksimum Değerler

Bu değerler, cihaza kalıcı hasar verebilecek sınırları tanımlar. Bu sınırlar altında veya bu sınırlarda çalışma garanti edilmez.

• Tekrarlanan Tepe Ters Gerilim (VRRM): 650V- Bu, tekrarlı olarak uygulanabilen maksimum anlık ters gerilimdir. Devrenin tepe gerilimi, herhangi bir zil veya aşım dahil, bu değerin altında kalmalıdır.
• Darbe Tepe Ters Gerilim (VRSM): 650V- Bu, darbe koşulları için tekrarlı olmayan bir değerdir. Genellikle Schottky diyotlar için VRRM'ye eşittir.
• Sürekli İleri Yönlü Akım (IF): 6A- Bu, diyotun sürekli olarak iletebileceği maksimum DC akımdır. Bu değer, izin verilen maksimum kavşak sıcaklığı ve kavşaktan kasa termal direnci (Rth(JC)) ile sınırlıdır. Bir uygulamadaki gerçek kullanılabilir akım büyük ölçüde termal tasarıma (soğutucu, PCB bakır alanı) bağlıdır.
• Darbe Tekrarlı Olmayan İleri Yönlü Akım (IFSM): 10ms yarım sinüs dalgası için 11.8A- Bu değer, diyotun başlangıç akımları gibi kısa süreli aşırı yüklere dayanma yeteneğini gösterir. 10ms darbe genişliği, 50Hz AC'nin yarım döngüsünü temsil eden yaygın bir test koşuludur.
• Kavşak Sıcaklığı (TJ): -55°C ila +175°C- Yarıiletken çipin kendisinin çalışma ve depolama sıcaklık aralığı.

2.2 Elektriksel Özellikler

Bunlar, belirtilen test koşulları altındaki tipik ve maksimum/minimum garanti edilen performans parametreleridir.

• İleri Yönlü Gerilim (VF):IF=6A ve TJ=25°C'de tipik olarak 1.5V, maksimum 1.85V. Sıcaklıkla artar, TJ=175°C'de yaklaşık 1.9V'ye ulaşır. Bu pozitif sıcaklık katsayısı paralel çalışma için çok önemlidir.
• Ters Sızıntı Akımı (IR):Özellikle yüksek sıcaklıklarda verimlilik için kritik bir parametredir. VR=520V ve TJ=25°C'de tipik olarak 0.8µA'dır, ancak TJ=175°C'de 9µA'ya çıkabilir. Tasarımcılar, yüksek sıcaklıklı ve yüksek gerilimli uygulamalarda bu sızıntıyı hesaba katmalıdır.
• Toplam Kapasitans (C) ve Kapasitif Yük (QC):Diyot kavşak kapasitansı sergiler. Veri sayfası, ters gerilim arttıkça azaldığını göstermektedir (1V'de 173pF'den 400V'de 15pF'ye).Toplam Kapasitif Yük (QC)anahtarlama kaybı hesaplaması için daha kullanışlı bir parametredir, VR=400V'de tipik olarak 10nC olarak verilir. Bu yük, her anahtarlama döngüsü sırasında dağıtılmalıdır ve küçük bir kapasitif anahtarlama kaybına katkıda bulunur.

3. Termal Özellikler

Etkili termal yönetim, cihazın akım değerini ve uzun vadeli güvenilirliğini gerçekleştirmek için gereklidir.

• Termal Direnç, Kavşaktan-Kasaya (Rth(JC)): Tipik 4.2°C/W.Bu, silisyum çipten paketin açıkta kalan metal pedine (kasaya) ısı akışına karşı dirençtir. Daha düşük bir değer, ısının çipten daha kolay aktarıldığı anlamına gelir. Bu parametre, kasa sıcaklığının üzerindeki kavşak sıcaklığı artışını hesaplamak için hayati öneme sahiptir: ΔTJ = PD * Rth(JC).
• Güç Dağılımı (PD): 36W.Bu, Rth(JC) ve maksimum TJ ile bağlantılı olan maksimum izin verilen güç dağılımıdır. Pratikte, ulaşılabilir dağılım, sistemin kasayı soğutma yeteneği ile sınırlıdır.

4. Performans Eğrisi Analizi

Tipik performans grafikleri, çeşitli çalışma koşulları altında cihaz davranışına görsel bir bakış sağlar.

4.1 VF-IF Karakteristiği

Bu grafik, farklı kavşak sıcaklıklarında ileri yönlü gerilim düşüşü ile ileri yönlü akım arasındaki ilişkiyi gösterir. Temel gözlemler: Eğri, çalışma aralığında nispeten doğrusaldır, bu da Schottky davranışını doğrular. Gerilim düşüşü akım ve sıcaklıkla artar. Bu grafik, iletim kayıplarını tahmin etmek için kullanılır (Pcond = VF * IF).

4.2 VR-IR Karakteristiği

Bu grafik, genellikle birden fazla sıcaklıkta ters sızıntı akımını ters gerilime karşı çizer. Sızıntı akımının hem gerilim hem de sıcaklıkla üstel olarak arttığını gösterir. Bu, yüksek gerilim bloke durumlarındaki bekleme kayıplarını ve termal kararlılığı değerlendirmek için kritiktir.

4.3 Maksimum IF-TC Karakteristiği

Bu düşürme eğrisi, kasa sıcaklığı (TC) arttıkça izin verilen maksimum sürekli ileri yönlü akımın nasıl azaldığını gösterir. Şu formülden türetilir: IF(maks) = sqrt((TJ,maks - TC) / (Rth(JC) * VF)). Tasarımcılar, gerekli akım için yeterince düşük bir kasa sıcaklığını korumak amacıyla uygun soğutucu veya PCB düzeni seçmek için bu grafiği kullanmalıdır.

4.4 Geçici Termal Direnç

Bu grafik, termal empedansı (Zth) darbe genişliğinin bir fonksiyonu olarak gösterir. Kısa akım darbeleri için, etkin termal direnç, kararlı durum Rth(JC)'den daha düşüktür çünkü ısının tüm sistem boyunca yayılması için zamanı yoktur. Bu grafik, diyotun tekrarlayan anahtarlama akımlarına veya kısa süreli darbe olaylarına termal tepkisini değerlendirmek için gereklidir.

5. Mekanik ve Paket Bilgisi

5.1 Paket Şekli ve Boyutları

Cihaz, yüzeye montaj TO-252-3L (DPAK) paketinde bulunur. Veri sayfasından temel boyutlar şunları içerir:

• Toplam Paket Boyutu (D x E): 6.10mm x 6.60mm (tipik).
• Paket Yüksekliği (A): 2.30mm (tipik).
• Bacak Aralığı (e): 2.28mm (temel).
• Bacak Uzunluğu (L): 1.52mm (tipik).
• Açıkta Kalan Ped Boyutu (D1 x E1): 5.23mm x 4.83mm (tipik).

Tüm toleranslar belirtilmiştir ve tasarımcılar PCB ayak izi tasarımı için ayrıntılı çizime başvurmalıdır.

5.2 Pin Konfigürasyonu ve Polarite

Paketin üç harici bağlantısı vardır: iki bacak ve açıkta kalan termal ped.

• Pin 1: Katot.
• Pin 2: Anot.
• Kasa (Açıkta Kalan Ped): Katot.Açıkta kalan ped elektriksel olarak katoda bağlıdır. Bu hem elektriksel devre bağlantısı hem de termal yönetim için çok önemlidir. Ped, soğutucu görevi görmesi ve mekanik dayanım sağlaması için PCB üzerinde katot bağlantılı yeterince büyük bir bakır alana lehimlenmelidir.

  5.3 Önerilen PCB Ped Düzeni

  Veri sayfası, yüzeye montaj için önerilen bir ayak izi sağlar. Bu düzen, lehim bağlantısı güvenilirliği ve termal performans için optimize edilmiştir. Genellikle, açıkta kalan katot için büyük, merkezi konumlandırılmış bir ped, gerekirse lehimleme için termal rahatlama bağlantıları ve anot ve katot bacakları için uygun boyutlu pedler içerir. Bu önerilen düzene uymak, doğru üretim verimi ve operasyonel güvenilirlik için gereklidir.

  6. Lehimleme ve Montaj Kılavuzları

  Bu veri sayfasında özel yeniden akış profilleri sağlanmamış olsa da, kurşunsuz (Pb-free) SMT montajı için standart kılavuzlar geçerlidir.

  • Yeniden Akış Lehimleme:Standart bir kurşunsuz yeniden akış profili kullanın (örneğin, IPC/JEDEC J-STD-020). Paket gövdesinin tepe sıcaklığı 260°C'yi geçmemelidir. Açıkta kalan pedin büyük termal kütlesi, ped altında uygun lehim yeniden akışını sağlarken diğer bileşenleri aşırı ısıtmamak için dikkatli profil ayarı gerektirebilir.
  • Taşıma:SiC cihazları ESD'ye (Elektrostatik Deşarj) duyarlı olabileceğinden, standart ESD önlemlerine uyun.
  • Depolama:SMT paketleri için standart nem hassasiyeti seviyesi (MSL) gerekliliklerine göre kuru, inert bir ortamda depolayın. Cihaz muhtemelen MSL 3 veya benzeri bir dereceye sahiptir, yani raf ömrünü aşan süre ortam havasına maruz kalırsa kullanımdan önce ısıtılmalıdır.

  7. Uygulama Önerileri

  7.1 Tipik Uygulama Devreleri

  Bu SiC Schottky diyot, aşağıdaki uygulamalar için ideal olarak uygundur:

  • Güç Faktörü Düzeltme (PFC) Yükseltici Diyotu:Sürekli iletim modunda (CCM) PFC katlarında, diyot şebeke frekansında (50/60Hz) ve yüksek frekansta (anahtarlama frekansı, örn. 100kHz) anahtarlanmalıdır. Sıfır ters kurtarma özelliği, kapanma kayıplarını ve ilişkili EMI'yi ortadan kaldırarak onu silisyum ultra hızlı diyotlardan üstün kılar.
  • DC-DC Dönüştürücü Çıkış Doğrultucusu:Özellikle manyetik bileşen boyutunu azaltmak için yüksek frekanslarda çalışan yükseltici, düşürücü veya flyback dönüştürücülerde.
  • Solar İnvertör Serbest Döndürme/Bloklama Diyotları:Fotovoltaik panellerden veya invertörün güç katları içindeki akım akışını yönetmek için kullanılır.
  • Motor Sürücü Devreleri:Fırçasız DC veya AC motorları kontrol etmek için invertör katlarında.
  • Yüksek Verimli AC/DC ve DC/AC Dönüştürücüler:Sunucular, telekom ve endüstriyel güç kaynakları için.

  7.2 Tasarım Hususları

  • Termal Tasarım:Bu en kritik yönüdür. PCB, açıkta kalan pedin altında soğutucu görevi görmesi için yeterli bakır alanı (üst ve alt katmanlarda, viyalarla bağlı) ile tasarlanmalıdır. Gerekli termal performansı hesaplamak için Rth(JC), düşürme eğrileri ve tahmini güç kayıplarını kullanın.
  • Gerilim Değeri Seçimi:Yeterli marjla bir VRRM değeri seçin. 400V DC bara için, gerilim sivri ve zil için marj sağlayan 650V'luk bir diyot uygundur.
  • Paralel Çalışma:VF'nin pozitif sıcaklık katsayısı nedeniyle, bu diyotlar akım kapasitesini artırmak için paralel bağlanabilir. Ancak, eşleşen iz endüktansı ve direnci ile simetrik akım paylaşımını sağlamak için dikkatli bir düzen önerilir.
  • Snubber Devreleri:Diyotun kendisinde ters kurtarma olmamasına rağmen, devre parazitleri (kaçak endüktans) kapanma sırasında hala gerilim aşımına neden olabilir. Diyot üzerinde bir RC snubber, bu salınımları sönümlemek ve diyotu ile ana anahtarı korumak için gerekli olabilir.

  8. Teknik Karşılaştırma ve Farklılaşma

  Bu SiC Schottky diyotunun temel farklılaşması, iki yaygın alternatife karşıdır:

  • Silisyum PN Hızlı/Ultra Hızlı Kurtarma Diyotlarına Karşı:SiC diyot sıfır ters kurtarma yüküne (Qrr) sahipken, silisyum diyotlar önemli Qrr'ye (onlarca ila yüzlerce nC) sahiptir. Bu, ters kurtarma anahtarlama kayıplarını ve ilişkili gürültüyü ortadan kaldırarak daha yüksek frekanslı çalışma ve daha büyük verimlilik sağlar.
  • Silisyum Schottky Diyotlarına Karşı:Silisyum Schottky diyotları da düşük Qrr'ye sahiptir ancak daha düşük gerilim değerleriyle (genellikle 200V altı) sınırlıdır. Bu SiC cihazı, Schottky prensibinin faydalarını, kayıplı silisyum PN diyotlarının hakim olduğu bir gerilim aralığı olan 650V sınıfına genişletir.

  9. Sıkça Sorulan Sorular (Teknik Parametrelere Dayalı)

  S: İleri yönlü gerilim 1.5V, bu tipik bir silisyum Schottky'den daha yüksek. Bu bir dezavantaj değil mi?
  
  A: Düşük gerilimli devreler için (<100V), evet, iletim kaybı daha yüksek olurdu. Ancak, 650V'de, sıfır ters kurtarmadan elde edilen anahtarlama kaybı tasarrufu, biraz daha yüksek olan iletim kaybından çok daha ağır basar. SiC diyot ile genel sistem verimliliği daha yüksektir.

  S: Bu diyotu 400V girişli bir PFC devresi için kullanabilir miyim?
  
  A: Evet, 650V değeri, nominal 400V DC bara üzerinde hat değişimleri ve geçici olaylar için iyi bir güvenlik marjı sağlar.

  S: 175°C'deki sızıntı akımı 9µA. Bu bir endişe kaynağı mı?
  
  A: Çoğu güç dönüştürme uygulaması için, bu sızıntı gücü (Pleak = V*I = 520V * 9µA ≈ 4.7mW) toplam güç aktarımına kıyasla ihmal edilebilir düzeydedir. Ancak, çok yüksek empedanslı veya hassas devrelerde dikkate alınmalıdır.

  S: Açıkta kalan ped neden katoda bağlı? Nasıl soğuturum?
  
  A: Katot, birçok devrede (örneğin, PFC yükseltici diyotu) tipik olarak ortak veya toprak düğümüdür. Pedin katoda bağlanması, elektriksel izolasyon karmaşıklığı getirmeden mükemmel termal dağılım için PCB üzerinde büyük bir toprak katmanına bağlanmasına olanak tanır. Soğutma, PCB üzerinde katot bağlantılı yeterince büyük bir bakır alana lehimleyerek yapılır.

  10. Pratik Tasarım Vaka Çalışması

  Senaryo:100kHz'de çalışan, 500W, 400V çıkışlı, CCM PFC yükseltici katı tasarımı.
  
  Seçim Gerekçesi:Karşılaştırılabilir değere sahip bir silisyum ultra hızlı diyotun 50nC Qrr'si olabilir. Döngü başına ters kurtarma kaybı Loss_rr = 0.5 * V * Qrr * fsw = 0.5 * 400V * 50nC * 100kHz = 1.0W olurdu. Bu kayıp ısı ve EMI üretir. SiC Schottky diyotunun Qrr ~ 0nC'dir, bu 1W'lık kaybı tamamen ortadan kaldırır. Biraz daha yüksek VF ile bile, net sistem verimlilik kazancı %0.5 veya daha fazla olabilir, bu da bu güç seviyesinde önemlidir. Toplam dağılımın daha düşük olması nedeniyle termal tasarım da basitleşir.

  11. Çalışma Prensibi

  Bir Schottky diyotu, yarıiletken-yarıiletken kullanan bir PN birleşim diyotunun aksine, bir metal-yarıiletken birleşimi ile oluşturulur. Metale (anot) yarıiletkene (katot) göre pozitif bir gerilim uygulandığında, elektronlar yarıiletkenden metale akar ve akıma (ileri yönlü öngerilim) izin verir. Ters öngerilim altında, metal-yarıiletken bariyerin iç potansiyeli akım akışını engeller. Temel fark, akımın yalnızca çoğunluk taşıyıcılar (N-tipi SiC alt tabakasında elektronlar) tarafından taşınmasıdır. Sürüklenme bölgesine enjekte edilen ve depolanan azınlık taşıyıcıları (delikler) yoktur. Bu nedenle, gerilim tersine döndüğünde, diyot gerilimi bloke edebilmeden önce kaldırılması gereken depolanmış bir yük yoktur—dolayısıyla,sıfır ters kurtarma.

  12. Teknoloji Trendleri

  Silisyum Karbür güç cihazları, daha yüksek verimlilik, daha yüksek güç yoğunluğu ve daha yüksek sıcaklıkta çalışma talepleriyle yönlendirilen güç elektroniğinde önemli bir trendi temsil eder. SiC diyot ve transistörlerin (MOSFET'ler) pazarı, özellikle elektrikli araç şarj cihazlarında, çekiş invertörlerinde, yenilenebilir enerji sistemlerinde ve veri merkezi güç kaynaklarında hızla büyümektedir. Üretim hacimleri arttıkça ve maliyetler düştükçe, SiC premium bir teknolojiden daha geniş ana akım uygulamalara doğru ilerlemektedir. Gelecekteki gelişmeler, spesifik açık direncin (MOSFET'ler için) daha da azaltılması, kapı oksit güvenilirliğinin iyileştirilmesi ve SiC cihazlarının sürücüler ve koruma ile gelişmiş modüllerde entegre edilmesine odaklanabilir.

  LED Spesifikasyon Terminolojisi

  LED teknik terimlerinin tam açıklaması

  Fotoelektrik Performans

  Terim	Birim/Temsil	Basit Açıklama	Neden Önemli
  Işık Verimliliği	lm/W (watt başına lümen)	Watt elektrik başına ışık çıkışı, daha yüksek daha enerji verimli anlamına gelir.	Doğrudan enerji verimliliği sınıfını ve elektrik maliyetini belirler.
  Işık Akısı	lm (lümen)	Kaynak tarafından yayılan toplam ışık, yaygın olarak "parlaklık" denir.	Işığın yeterince parlak olup olmadığını belirler.
  Görüş Açısı	° (derece), örn., 120°	Işık şiddetinin yarıya düştüğü açı, ışın genişliğini belirler.	Aydınlatma aralığını ve düzgünlüğünü etkiler.
  Renk Sıcaklığı	K (Kelvin), örn., 2700K/6500K	Işığın sıcaklığı/soğukluğu, düşük değerler sarımsı/sıcak, yüksek beyazımsı/soğuk.	Aydınlatma atmosferini ve uygun senaryoları belirler.
  Renk Geri Verim İndeksi	Birimsiz, 0–100	Nesne renklerini doğru şekilde yansıtma yeteneği, Ra≥80 iyidir.	Renk gerçekliğini etkiler, alışveriş merkezleri, müzeler gibi yüksek talep gören yerlerde kullanılır.
  Renk Toleransı	MacAdam elips adımları, örn., "5-adım"	Renk tutarlılık ölçüsü, daha küçük adımlar daha tutarlı renk anlamına gelir.	Aynı LED partisi boyunca düzgün renk sağlar.
  Baskın Dalga Boyu	nm (nanometre), örn., 620nm (kırmızı)	Renkli LED'lerin rengine karşılık gelen dalga boyu.	Kırmızı, sarı, yeşil tek renkli LED'lerin tonunu belirler.
  Spektral Dağılım	Dalga boyu vs şiddet eğrisi	Dalga boyları boyunca şiddet dağılımını gösterir.	Renk geri verimini ve renk kalitesini etkiler.

  Elektrik Parametreleri

  Terim	Sembol	Basit Açıklama	Tasarım Hususları
  İleri Yönlü Gerilim	Vf	LED'i açmak için minimum gerilim, "başlangıç eşiği" gibi.	Sürücü gerilimi ≥Vf olmalıdır, seri LED'ler için gerilimler toplanır.
  İleri Yönlü Akım	If	Normal LED çalışması için akım değeri.	Genellikle sabit akım sürüşü, akım parlaklık ve ömrü belirler.
  Maksimum Darbe Akımı	Ifp	Kısa süreler için tolere edilebilen tepe akım, karartma veya flaş için kullanılır.	Darbe genişliği ve görev döngüsü hasarı önlemek için sıkı kontrol edilmelidir.
  Ters Gerilim	Vr	LED'in dayanabileceği maksimum ters gerilim, ötesinde çökme neden olabilir.	Devre ters bağlantı veya gerilim dalgalanmalarını önlemelidir.
  Termal Direnç	Rth (°C/W)	Çipten lehime ısı transferine direnç, düşük daha iyidir.	Yüksek termal direnç daha güçlü ısı dağıtımı gerektirir.
  ESD Bağışıklığı	V (HBM), örn., 1000V	Elektrostatik deşarja dayanma yeteneği, daha yüksek daha az savunmasız anlamına gelir.	Üretimde anti-statik önlemler gerekir, özellikle hassas LED'ler için.

  Termal Yönetim ve Güvenilirlik

  Terim	Ana Metrik	Basit Açıklama	Etki
  Kavşak Sıcaklığı	Tj (°C)	LED çip içindeki gerçek çalışma sıcaklığı.	Her 10°C azalma ömrü ikiye katlayabilir; çok yüksek ışık bozulması, renk kaymasına neden olur.
  Lümen Değer Kaybı	L70 / L80 (saat)	Parlaklığın başlangıç değerinin %70 veya %80'ine düşme süresi.	LED'in "hizmet ömrünü" doğrudan tanımlar.
  Lümen Bakımı	% (örn., %70)	Zamandan sonra tutulan parlaklık yüzdesi.	Uzun süreli kullanım üzerine parlaklık tutma yeteneğini gösterir.
  Renk Kayması	Δu′v′ veya MacAdam elips	Kullanım sırasında renk değişim derecesi.	Aydınlatma sahnelerinde renk tutarlılığını etkiler.
  Termal Yaşlanma	Malzeme bozulması	Uzun süreli yüksek sıcaklık nedeniyle bozulma.	Parlaklık düşüşü, renk değişimi veya açık devre arızasına neden olabilir.

  Ambalaj ve Malzemeler

  Terim	Yaygın Tipler	Basit Açıklama	Özellikler ve Uygulamalar
  Paket Tipi	EMC, PPA, Seramik	Çipi koruyan muhafaza malzemesi, optik/termal arayüz sağlar.	EMC: iyi ısı direnci, düşük maliyet; Seramik: daha iyi ısı dağılımı, daha uzun ömür.
  Çip Yapısı	Ön, Flip Çip	Çip elektrot düzeni.	Flip çip: daha iyi ısı dağılımı, daha yüksek verimlilik, yüksek güç için.
  Fosfor Kaplama	YAG, Silikat, Nitrür	Mavi çipi kaplar, bir kısmını sarı/kırmızıya dönüştürür, beyaza karıştırır.	Farklı fosforlar verimliliği, CCT'yi ve CRI'yı etkiler.
  Lens/Optik	Düz, Mikrolens, TIR	Işık dağılımını kontrol eden yüzeydeki optik yapı.	Görüş açısını ve ışık dağılım eğrisini belirler.

  Kalite Kontrol ve Sınıflandırma

  Terim	Sınıflandırma İçeriği	Basit Açıklama	Amaç
  Işık Akısı Sınıfı	Kod örn. 2G, 2H	Parlaklığa göre gruplandırılmış, her grubun min/maks lümen değerleri var.	Aynı partide düzgün parlaklık sağlar.
  Gerilim Sınıfı	Kod örn. 6W, 6X	İleri yönlü gerilim aralığına göre gruplandırılmış.	Sürücü eşleştirmeyi kolaylaştırır, sistem verimliliğini artırır.
  Renk Sınıfı	5-adım MacAdam elips	Renk koordinatlarına göre gruplandırılmış, sıkı aralık sağlayarak.	Renk tutarlılığını garanti eder, armatür içinde düzensiz renkten kaçınır.
  CCT Sınıfı	2700K, 3000K vb.	CCT'ye göre gruplandırılmış, her birinin karşılık gelen koordinat aralığı var.	Farklı sahne CCT gereksinimlerini karşılar.

  Test ve Sertifikasyon

  Terim	Standart/Test	Basit Açıklama	Önem
  LM-80	Lümen bakım testi	Sabit sıcaklıkta uzun süreli aydınlatma, parlaklık bozulmasını kaydeder.	LED ömrünü tahmin etmek için kullanılır (TM-21 ile).
  TM-21	Ömür tahmin standardı	LM-80 verilerine dayanarak gerçek koşullar altında ömrü tahmin eder.	Bilimsel ömür tahmini sağlar.
  IESNA	Aydınlatma Mühendisliği Topluluğu	Optik, elektrik, termal test yöntemlerini kapsar.	Endüstri tarafından tanınan test temeli.
  RoHS / REACH	Çevresel sertifikasyon	Zararlı maddeler (kurşun, cıva) olmadığını garanti eder.	Uluslararası pazara erişim gereksinimi.
  ENERGY STAR / DLC	Enerji verimliliği sertifikasyonu	Aydınlatma ürünleri için enerji verimliliği ve performans sertifikasyonu.	Devlet alımlarında, sübvansiyon programlarında kullanılır, rekabet gücünü artırır.