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TO-252-3L封装碳化硅肖特基二极管规格书 - 650V, 20A, 1.5V - 封装尺寸6.6x9.84x2.3mm - 中文技术文档

本文件提供了一款采用TO-252-3L封装的650V、20A碳化硅肖特基二极管的完整技术规格书,涵盖电气特性、热性能、机械尺寸和应用指南。
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1. 产品概述

本文档详细阐述了一款采用表面贴装TO-252-3L (DPAK) 封装的高性能碳化硅肖特基势垒二极管的规格。该器件专为高效率、高功率密度和热管理至关重要的高压、高频功率转换应用而设计。得益于碳化硅技术,相比传统的硅PN结二极管,此二极管提供了卓越的开关特性,能够实现显著的系统级性能提升。

这款碳化硅肖特基二极管的核心优势在于其近乎为零的反向恢复电荷,这几乎消除了与二极管关断相关的开关损耗。这一特性对于提高电源和逆变器中的开关频率至关重要,从而允许使用更小的电感、电容等无源元件,进而提升整体功率密度。较低的正向压降进一步有助于降低导通损耗,在整个工作温度范围内提升系统效率。

2. 深入技术参数分析

2.1 电气特性

该器件的最大重复峰值反向电压额定值为650V,使其适用于具有充足设计裕量的通用交流市电应用。在壳温为25°C时,其连续正向电流额定值为20A。必须注意,此电流额定值受热限制,会随着结温升高而降额,具体细节见热特性部分。

对于开关二极管,一个关键性能参数是总电容电荷。该器件在反向电压为400V、结温为25°C时,典型Qc值为30nC。此低值证实了其存储电荷极少,直接转化为低开关损耗,并支持高频工作。正向压降在25°C、导通16A时最大值为1.85V,在最高结温175°C时典型值升至1.9V。VF的正温度系数是碳化硅肖特基二极管的一个有益特性,有助于在多器件并联工作时促进均流并防止热失控。

反向漏电流极低,在520V、25°C条件下最大值仅为120µA。这种低漏电流有助于实现高效率,尤其是在待机或轻载条件下。

2.2 热特性

有效的热管理对于可靠运行至关重要。主要的热指标是结到壳的热阻,其典型值为3.6°C/W。此低值表明从半导体结到封装外壳的热传递效率高,使得热量能够通过连接到散热片的的外部散热器有效散发。最大允许结温为175°C,器件可在-55°C至+175°C的温度范围内存储。

在壳温为25°C时,总功耗额定值为50W。在实际应用中,实际允许功耗需基于最高结温、热阻以及环境温度进行计算。所提供的“功耗”和“瞬态热阻”曲线对于设计瞬态过载条件和确定安全工作区至关重要。

3. 性能曲线分析

3.1 正向特性 (VF-IF)

VF-IF特性曲线展示了在不同结温下正向压降与正向电流之间的关系。正如肖特基二极管的预期,该曲线显示出比硅PN二极管更低的拐点电压。曲线还展示了正温度系数特性,即在给定电流下,VF随Tj升高而增加。此图对于计算不同工作条件下的导通损耗至关重要。

3.2 反向特性与电容

VR-IR曲线显示了在电压达到阻断电压范围内极低的反向漏电流。VR-Ct曲线展示了结电容随反向偏压变化的函数关系。电容随反向电压增加而减小,这是耗尽区宽度随电压变化的特性。低且与电压相关的电容会影响开关速度和Qc参数。

3.3 浪涌与瞬态性能

“最大Ip – TC特性”图表定义了允许的非重复浪涌电流随壳温变化的函数关系。该器件在25°C时可承受26A的浪涌电流。"IFSM – PW特性"图进一步详细说明了浪涌电流能力与脉冲宽度的关系,这对于设计抗浪涌电流或故障条件的保护至关重要。"EC-VR特性"曲线绘制了存储的电容能量随反向电压的变化,对于理解谐振电路中的损耗很重要。

4. 机械与封装信息

4.1 封装外形与尺寸

该器件采用TO-252-3L封装。关键尺寸包括:封装总长度典型值为6.60mm,宽度典型值为6.10mm,高度典型值为2.30mm。引脚间距基本值为2.28mm。大的金属散热片作为主要热通路,并与阴极引脚电气连接。提供了带公差的详细尺寸图,用于PCB焊盘设计。

4.2 引脚配置与极性识别

引脚配置定义明确:引脚1为阴极,引脚2为阳极,外壳也与阴极相连。组装时正确的极性识别对于防止器件失效至关重要。提供了推荐的表面贴装PCB焊盘布局,以确保形成良好的焊点以及与电路板的热连接。

5. 焊接与组装指南

作为表面贴装元件,此二极管适用于回流焊工艺。虽然本规格书未列出具体的回流焊曲线参数,但应遵循符合IPC/JEDEC J-STD-020标准的无铅回流焊曲线。焊接期间封装体最高温度不应长时间超过规定的最高存储温度175°C。用于散热片的螺丝的安装扭矩规定为8.8 N·cm。

应采取预防措施,避免焊接后对引脚施加机械应力。器件在使用前应储存在干燥、防静电的环境中,以防止吸湿和静电放电损坏。

6. 应用建议

6.1 典型应用电路

这款碳化硅肖特基二极管非常适合多种高性能功率转换拓扑:

6.2 设计考量

热设计:主要的设计挑战是管理结温。利用RθJC值和最大Tj来计算所需的散热。金属散热片必须焊接到PCB上足够大的铜焊盘上,可能还需要通过热过孔连接到内层或背面层,以充当散热器。对于更高功率的应用,可能需要连接到散热片的外部散热器。

并联操作:VF的正温度系数有利于并联二极管之间的均流。然而,仍需要仔细的布局对称性,以确保每个支路中的寄生电感和电阻相等,防止在快速瞬态过程中出现电流不平衡。

缓冲电路:虽然二极管的反向恢复电荷极低,但寄生电路电感和电容仍可能在关断期间引起电压过冲。可能需要缓冲电路来钳制这些尖峰,并确保在最大电压额定值内可靠运行。

栅极驱动考量:此二极管的快速开关可能导致高的di/dt和dv/dt。这可能需要注意伴随的开关晶体管的栅极驱动设计,以避免因米勒效应导致的误触发或管理电磁干扰。

7. 技术对比与优势

与标准硅快恢复二极管甚至碳化硅结势垒肖特基二极管相比,这款肖特基二极管具有显著优势:

传统上与肖特基二极管相关的权衡——较低的击穿电压——在此通过使用碳化硅得以克服,实现了适用于通用市电应用的650V额定值。

8. 常见问题解答 (FAQ)

问:这款二极管能否在现有设计中直接替代硅快恢复二极管?

答:虽然电气上可能是引脚兼容的替代品,但必须进行设计审查。更快的开关速度可能加剧电路寄生参数引起的电压尖峰。热性能也会不同。应重新评估缓冲器值和散热设计。

问:为什么外壳连接到阴极?这需要隔离吗?

答:是的,金属散热片是带电的。它连接的PCB焊盘必须在阴极网络上。如果散热片连接到外部散热器,则该散热器必须与其他电位或系统机箱电气隔离,除非机箱也处于阴极电位。

问:如何应用浪涌电流额定值?

答:26A的IFSM额定值适用于非重复事件。它不应用于计算连续电流能力。对于其他脉冲持续时间,必须参考“IFSM – PW”曲线。

问:电容存储能量参数的意义是什么?

答:在LLC谐振转换器等应用中,二极管的输出电容在每个开关周期都会放电,造成损耗。EC量化了这种损耗。较低的EC意味着较低的电容开关损耗。

9. 实际设计案例分析

场景:为服务器电源设计一个1kW、符合80 Plus钛金效率的PFC级。

该设计采用交错式临界导通模式拓扑,开关频率为100kHz。每相处理500W。升压二极管必须阻断高达400VDC的电压,并承载约10A的峰值电流。最初考虑使用硅超快二极管,但计算显示在高线路电压下每相与恢复相关的损耗超过5W。

通过替换为此650V碳化硅肖特基二极管,恢复损耗被消除。剩余的损耗主要是导通损耗和很小的电容损耗。热计算表明,二极管结温升是可管理的。这种替换直接有助于满足钛金标准在230VAC输入下大于96%的效率要求,同时由于高且干净的开关频率,也允许磁性元件更小。

10. 工作原理

肖特基二极管由金属-半导体结形成,与标准二极管的p-n半导体结不同。在此碳化硅肖特基二极管中,金属触点与n型碳化硅形成接触。这产生了一个肖特基势垒,当金属相对于半导体施加正偏压时,允许电流容易地正向流动。在反向偏压下,势垒变宽,阻止电流流动。

关键区别在于电流传输主要由多数载流子主导。没有像PN结二极管那样的少数载流子的注入、存储和随后的移除过程。因此,当二极管从正向导通切换到反向阻断时,没有反向恢复电流尖峰或相关的延迟时间。二极管几乎瞬时关断,仅受其结电容充电的限制。这一基本原理是其高速开关性能和低开关损耗的来源。

11. 技术趋势

碳化硅功率器件代表了功率电子学的一个重要趋势,能够实现比硅基器件更高的效率、功率密度和工作温度。对于二极管,发展趋势是更高的电压额定值、更低的正向压降和更小的电容。这里使用的TO-252-3L封装是表面贴装功率器件的主力,但同时存在向更低电感、更好热性能封装发展的趋势。集成是另一个趋势,共封装的碳化硅MOSFET和肖特基二极管“半桥”模块正在出现,以最小化开关单元中的寄生电感。碳化硅衬底成本的持续降低,正使这项技术超越高端服务器和电信电源,扩展到更广泛的应用领域。

LED规格术语详解

LED技术术语完整解释

一、光电性能核心指标

术语 单位/表示 通俗解释 为什么重要
光效(Luminous Efficacy) lm/W(流明/瓦) 每瓦电能发出的光通量,越高越节能。 直接决定灯具的能效等级与电费成本。
光通量(Luminous Flux) lm(流明) 光源发出的总光量,俗称"亮度"。 决定灯具够不够亮。
发光角度(Viewing Angle) °(度),如120° 光强降至一半时的角度,决定光束宽窄。 影响光照范围与均匀度。
色温(CCT) K(开尔文),如2700K/6500K 光的颜色冷暖,低值偏黄/暖,高值偏白/冷。 决定照明氛围与适用场景。
显色指数(CRI / Ra) 无单位,0–100 光源还原物体真实颜色的能力,Ra≥80为佳。 影响色彩真实性,用于商场、美术馆等高要求场所。
色容差(SDCM) 麦克亚当椭圆步数,如"5-step" 颜色一致性的量化指标,步数越小颜色越一致。 保证同一批灯具颜色无差异。
主波长(Dominant Wavelength) nm(纳米),如620nm(红) 彩色LED颜色对应的波长值。 决定红、黄、绿等单色LED的色相。
光谱分布(Spectral Distribution) 波长 vs. 强度曲线 显示LED发出的光在各波长的强度分布。 影响显色性与颜色品质。

二、电气参数

术语 符号 通俗解释 设计注意事项
正向电压(Forward Voltage) Vf LED点亮所需的最小电压,类似"启动门槛"。 驱动电源电压需≥Vf,多个LED串联时电压累加。
正向电流(Forward Current) If 使LED正常发光的电流值。 常采用恒流驱动,电流决定亮度与寿命。
最大脉冲电流(Pulse Current) Ifp 短时间内可承受的峰值电流,用于调光或闪光。 脉冲宽度与占空比需严格控制,否则过热损坏。
反向电压(Reverse Voltage) Vr LED能承受的最大反向电压,超过则可能击穿。 电路中需防止反接或电压冲击。
热阻(Thermal Resistance) Rth(°C/W) 热量从芯片传到焊点的阻力,值越低散热越好。 高热阻需更强散热设计,否则结温升高。
静电放电耐受(ESD Immunity) V(HBM),如1000V 抗静电打击能力,值越高越不易被静电损坏。 生产中需做好防静电措施,尤其高灵敏度LED。

三、热管理与可靠性

术语 关键指标 通俗解释 影响
结温(Junction Temperature) Tj(°C) LED芯片内部的实际工作温度。 每降低10°C,寿命可能延长一倍;过高导致光衰、色漂移。
光衰(Lumen Depreciation) L70 / L80(小时) 亮度降至初始值70%或80%所需时间。 直接定义LED的"使用寿命"。
流明维持率(Lumen Maintenance) %(如70%) 使用一段时间后剩余亮度的百分比。 表征长期使用后的亮度保持能力。
色漂移(Color Shift) Δu′v′ 或 麦克亚当椭圆 使用过程中颜色的变化程度。 影响照明场景的颜色一致性。
热老化(Thermal Aging) 材料性能下降 因长期高温导致的封装材料劣化。 可能导致亮度下降、颜色变化或开路失效。

四、封装与材料

术语 常见类型 通俗解释 特点与应用
封装类型 EMC、PPA、陶瓷 保护芯片并提供光学、热学接口的外壳材料。 EMC耐热好、成本低;陶瓷散热优、寿命长。
芯片结构 正装、倒装(Flip Chip) 芯片电极布置方式。 倒装散热更好、光效更高,适用于高功率。
荧光粉涂层 YAG、硅酸盐、氮化物 覆盖在蓝光芯片上,部分转化为黄/红光,混合成白光。 不同荧光粉影响光效、色温与显色性。
透镜/光学设计 平面、微透镜、全反射 封装表面的光学结构,控制光线分布。 决定发光角度与配光曲线。

五、质量控制与分档

术语 分档内容 通俗解释 目的
光通量分档 代码如 2G、2H 按亮度高低分组,每组有最小/最大流明值。 确保同一批产品亮度一致。
电压分档 代码如 6W、6X 按正向电压范围分组。 便于驱动电源匹配,提高系统效率。
色区分档 5-step MacAdam椭圆 按颜色坐标分组,确保颜色落在极小范围内。 保证颜色一致性,避免同一灯具内颜色不均。
色温分档 2700K、3000K等 按色温分组,每组有对应的坐标范围。 满足不同场景的色温需求。

六、测试与认证

术语 标准/测试 通俗解释 意义
LM-80 流明维持测试 在恒温条件下长期点亮,记录亮度衰减数据。 用于推算LED寿命(结合TM-21)。
TM-21 寿命推演标准 基于LM-80数据推算实际使用条件下的寿命。 提供科学的寿命预测。
IESNA标准 照明工程学会标准 涵盖光学、电气、热学测试方法。 行业公认的测试依据。
RoHS / REACH 环保认证 确保产品不含有害物质(如铅、汞)。 进入国际市场的准入条件。
ENERGY STAR / DLC 能效认证 针对照明产品的能效与性能认证。 常用于政府采购、补贴项目,提升市场竞争力。