目录
- 1. 产品概述
- 1.1 目标应用
- 2. 技术规格与客观解读
- 2.1 绝对最大额定值
- 2.2 光电特性
- 2.3 热特性
- 3. Binning System 说明
- 4. 性能曲线分析
- 4.1 正向电流与正向电压关系(IV曲线)
- 4.2 正向电流与辐射强度/功率关系
- 4.3 相对辐射强度与角位移的关系
- 4.4 正向电流与环境温度的关系
- 5. 机械与封装信息
- 5.1 封装尺寸
- 5.2 焊盘配置与极性识别
- 6. 焊接与组装指南
- 6.1 回流焊温度曲线
- 6.2 关键装配注意事项
- 7. 封装与订购信息
- 7.1 卷带包装规格
- 7.2 湿敏元件包装
- 8. 应用建议与设计考量
- 8.1 驱动电路设计
- 8.2 热管理设计
- 8.3 光学设计
- 9. 技术对比与差异化分析
- 10. 常见问题解答(基于技术参数)
- 10.1 辐射功率和辐射强度有什么区别?
- 10.2 我能否直接用电压源驱动这个LED?
- 10.3 为何如此强调散热处理?
- 10.4 Bin Code对我的设计意味着什么?
- 11. 实际设计与使用案例研究
- 12. 工作原理
1. 产品概述
HIR-C19D-1N150/L649-P03/TR是一款专为严苛照明应用设计的高功率红外发射二极管。它采用微型表面贴装器件封装,配以透明硅胶封装和球形顶部透镜,优化了光提取效率和辐射模式。该器件的光谱输出中心波长为850nm,使其与用于传感和成像系统的硅光电二极管及光电晶体管完美匹配。其核心优势包括:紧凑外形下的高辐射输出、优异的热管理特性,以及符合RoHS、REACH和无卤要求等现代环境与安全标准。
1.1 目标应用
这款红外LED主要面向需要稳定、不可见光照的应用场景。其关键应用领域包括监控与安防系统,用于为CCD摄像头提供夜间照明。它也适用于各类基于红外的系统,如接近传感器、手势识别模块和工业机器视觉。与标准红外LED相比,其高辐射功率可实现更远距离的照明或更广区域的覆盖。
2. 技术规格与客观解读
该器件性能基于标准测试条件(TA=25°C)。以下对其关键参数进行详细、客观的分析。
2.1 绝对最大额定值
这些额定值定义了器件的应力极限,超过此极限可能导致永久性损坏。它们不适用于正常工作条件。
- 连续正向电流 (IF): 1500 mA。这是在不超出结温限制的情况下可以持续施加的最大直流电流。
- 峰值正向电流 (IFP)5000 mA。此高电流仅在脉冲条件下允许(脉冲宽度 ≤100μs,占空比 ≤1%),适用于短时爆发的高强度照明。
- 反向电压 (VR)5 V。在反向偏压下超过此电压可能导致结击穿。
- 结温 (Tj)115 °C。半导体结处允许的最高温度。
- 功耗 (Pd): 在 IF=700mA 时为 3 W。这表明器件在特定工作点处理发热的能力。
2.2 光电特性
这些参数定义了典型工作条件下的光输出和电气特性。
- Total Radiated Power (Po): 在所有方向上发射的光功率。在1A驱动电流下,典型值范围为900mW至1100mW,表明其具有高效率。
- Radiant Intensity (IE)每立体角的光功率,以 mW/sr 为单位测量。在 1A 电流下,其典型值介于 230 至 270 mW/sr 之间。该指标与定向光束应用相关。
- 峰值波长 (λP): 850 nm。这是光谱输出最强的波长,与硅基探测器的峰值灵敏度完美匹配。
- 光谱带宽 (Δλ)25 nm。这定义了发射波长的范围,通常指半高全宽(FWHM)。
- 正向电压(VF)通常为1A电流下3.10V。这是LED工作时的正向压降,对于驱动设计和功耗计算至关重要。
- 视角(2θ1/2):150度。这一极宽的视角提供的是广阔、柔和的照明,而非狭窄的聚光,非常适合区域覆盖。
2.3 热特性
有效的热管理对于大功率LED保持性能和延长寿命至关重要。
- 热阻 (Rth(j-L)): 18 K/W (结温至引线框架)。该低值表明芯片到封装引脚的内部热传递性能良好,但在大电流下工作时,强烈建议使用外部散热。
3. Binning System 说明
该器件根据其在标准测试电流1000mA下的辐射功率输出进行分档。这确保了应用性能的一致性。
- Bin F辐射功率从 640 mW 到 1000 mW。
- Bin G辐射功率从 800 mW 到 1260 mW。
- Bin H: 辐射功率从 1000 mW 到 1600 mW。
分档代码允许设计人员根据其特定应用需求,选择具有保证最小光输出的 LED。所有测量值均包含 ±10% 的测试公差。
4. 性能曲线分析
数据手册提供了几条特性曲线,对于理解器件在不同条件下的行为至关重要。
4.1 正向电流与正向电压关系(IV曲线)
该曲线展示了电流与电压之间的非线性关系,对于设计限流电路至关重要。曲线会显示一个阈值电压(对于GaAlAs材料约为1.2V),超过此阈值后,电流会随着电压的微小增加而迅速增大。
4.2 正向电流与辐射强度/功率关系
这些曲线展示了光输出对驱动电流的依赖性。通常,在较低电流下,输出呈超线性增长,随后在较高电流下,由于热效应和效率下降,趋于饱和。该器件在350mA、700mA和1A下提供的曲线说明了这一趋势。
4.3 相对辐射强度与角位移的关系
该极坐标图可视化了150度的视角。它展示了辐射模式,由于球形透镜的作用,该模式近乎朗伯型(余弦分布),从而在宽广区域内提供均匀照明。
4.4 正向电流与环境温度的关系
此图表对于降额设计至关重要。它显示了随着环境温度升高,为防止结温超过其115°C的极限,最大允许正向电流必须如何降低。该曲线直接指导热设计和散热器选型。
5. 机械与封装信息
5.1 封装尺寸
该器件采用紧凑的5.0mm x 5.0mm SMD封装,高度为1.9mm。镜头为突出的球形穹顶。除非另有说明,关键尺寸公差为±0.1mm。特别警告请勿通过镜头拿取器件,因为机械应力可能导致器件失效。
5.2 焊盘配置与极性识别
该封装有三个焊盘:焊盘1(阳极)、焊盘2(阴极)和一个大的中央散热焊盘(P)。散热焊盘对于将热量从LED芯片传导至印刷电路板(PCB)至关重要。焊盘布局图清晰地显示了阳极和阴极的位置,以确保正确的电气连接。
6. 焊接与组装指南
6.1 回流焊温度曲线
本器件适用于标准的无铅SMT回流焊工艺。推荐温度曲线如下:
- 升温速率: 2–3 °C/秒
- 预热:150–200 °C,持续60–120秒
- 液相线以上时间(TL=217°C):60–90秒
- 峰值温度 (TP): 240 ±5 °C
- 峰值温度±5°C内的时间: 最长 20 秒
- 下降速率: 3–5 °C/秒
6.2 关键装配注意事项
- 回流焊接不应超过两次,以避免对封装和引线键合造成过度的热应力。
- 必须避免LED在加热过程中受到机械应力(例如,来自电路板弯曲的应力)。
- 焊接后不应弯曲PCB,因为这可能导致焊点或LED封装本身开裂。
- 如注释所述,充分的散热对于高电流下的可靠运行是必需的。
7. 封装与订购信息
7.1 卷带包装规格
本器件采用载带和卷盘包装供货,适用于自动化组装。每卷包含400片。提供详细的载带和卷盘尺寸,以确保与贴片设备的兼容性。
7.2 湿敏元件包装
本产品采用内含干燥剂的防潮铝箔袋包装,以防止在储存和运输过程中受环境湿度影响,这是SMD元器件的标准做法。
8. 应用建议与设计考量
8.1 驱动电路设计
由于正向电流较高(连续电流可达1.5A),恒流驱动器至关重要。该驱动器必须能够提供所需电流,同时承受正向压降(在1A电流下约为3.1V)。在此功率水平下,出于效率考虑,开关稳压器通常比线性稳压器更受青睐。驱动器设计还必须根据环境温度曲线,纳入热保护或电流降额措施。
8.2 热管理设计
这是使用此大功率LED最为关键的环节。低结至引脚热阻(18K/W)仅是系统的一部分。必须最小化从结到环境的总热路径(Rth(j-A)),这涉及:
- 在热焊盘下方使用带有热过孔阵列的PCB,并将其连接到大型铜平面或内部接地层。
- 可能需要在PCB上安装外部散热器。
- 确保最终应用中有良好的气流。
- 必要时使用热界面材料。
绝对不可超过最高结温115°C。降额曲线(正向电流与环境温度关系)提供了计算所需散热器性能的必要数据。
8.3 光学设计
150度的视角提供了宽广的覆盖范围。对于需要更聚焦光束的应用,可以使用二次光学元件(透镜或反射器)。850nm波长对人眼不可见,但容易被硅传感器和大多数CCD/CMOS相机检测到,这些相机通常装有红外截止滤光片,必须将其移除或更换为可通过850nm波长的滤光片才能有效使用。
9. 技术对比与差异化分析
与标准的5毫米或3毫米通孔式红外LED相比,本器件在表面贴装封装中提供了显著更高的辐射输出(高出一个数量级或以上),从而实现更紧凑、更稳健的设计。其关键差异化在于结合了高功率(功耗高达3W)、宽视角以及用于有效散热的集成散热焊盘——这一特性在低功率SMD LED中通常缺失。使用GaAlAs芯片材料是该波长范围内高效红外发射器的标准做法。
10. 常见问题解答(基于技术参数)
10.1 辐射功率和辐射强度有什么区别?
辐射功率 (Po,单位为 mW) 是指向所有方向发射的总光功率。辐射强度 (IE,单位为 mW/sr) 是指在特定方向上每单位立体角发射的功率。对于像这样的广角LED,总功率很高,但在任何单一方向上的强度都低于具有相同总功率的窄光束LED。
10.2 我能否直接用电压源驱动这个LED?
不能。LED是电流驱动型器件。其正向电压存在容差,且随温度变化。直接连接到电压源将导致不受控制的电流流过,很可能超过最大额定值并损坏LED。必须使用恒流驱动器或限流电路。
10.3 为何如此强调散热处理?
大功率LED将很大一部分电能输入转化为热量。如果这些热量不能有效散发,结温就会升高。高结温会导致光输出降低(效率衰减),加速半导体材料的老化,并最终引发灾难性故障。良好的热设计能确保其性能、可靠性和使用寿命。
10.4 Bin Code对我的设计意味着什么?
选择更高等级的分档(例如,选择H档而非F档)可保证更高的最低辐射输出。这使您能够基于已知且有保障的照明水平进行系统设计。如果您的设计有充足的余量,选择较低分档可能更具成本效益。如果您正在挑战照明范围或相机灵敏度的极限,则必须选择更高分档。
11. 实际设计与使用案例研究
Scenario: Designing an IR Illuminator for a Security Camera
设计师需要设计一款紧凑的壁挂式红外补光灯,以将安防摄像头的夜视范围从10米扩展至25米。该摄像头的传感器对850nm波长敏感。设计师选择了Bin H等级的HIR-C19D-1N150/L649-P03/TR LED,以实现最大输出。
设计步骤:
- 电气设计:设计了一个开关恒流驱动器,用于从12V直流电源为LED提供1000mA电流。该驱动器包含过流和热关断保护功能。
- 热设计: 采用2盎司铜厚的双层PCB。通过一组散热过孔将LED的散热焊盘连接至底部大面积覆铜区域,该区域充当散热器。外壳由铝制成,PCB通过导热膏直接安装在外壳上,以进一步增强散热。
- 光学/机械设计四颗LED以正方形排列在PCB上。一块平整、透明的聚碳酸酯窗口保护着LED。每颗LED的150度宽光束相互重叠,在目标距离内形成均匀的红外光泛光,覆盖摄像机的视野范围。
- 验证原型在暗室中进行测试。热成像相机确认LED结温保持在100°C以下。安防摄像机在25米距离成功识别物体,对比度清晰。
本案例凸显了在使用此高功率组件时,驱动器设计、热管理和光学布局之间的相互依存关系。
12. 工作原理
HIR-C19D-1N150/L649-P03/TR是一种基于砷化镓铝(GaAlAs)异质结构的半导体光源。当施加超过二极管带隙能量的正向电压时,电子和空穴被注入有源区并在其中复合。此复合过程以光子的形式释放能量。GaAlAs层的具体成分决定了带隙能量,进而定义了发射光子的峰值波长——在本例中为850纳米,属于近红外光谱。其水透明硅胶封装保护了半导体芯片,并作为主要光学元件,其球形结构有助于高效提取光线并塑造辐射模式。
13. 技术趋势
大功率红外LED领域持续发展,呈现出若干明显趋势。业界始终致力于提升电光转换效率(光功率输出/电功率输入),以在相同光输出下减少发热和能耗。这涉及外延生长技术和芯片设计的进步。封装技术也在不断改进,以提供更低的热阻,从而能从芯片中导出更多热量。此外,集成化程度日益提高,驱动电路有时甚至简单的控制逻辑也与LED芯片共同封装,以形成更智能、更易用的照明模块。汽车激光雷达、面部识别和先进工业自动化等应用领域的扩展,持续推动着对可靠、大功率红外光源的需求。
LED规格术语
LED技术术语完整解析
光电性能
| 术语 | 单位/表示法 | 简要说明 | 重要性 |
|---|---|---|---|
| 发光效能 | lm/W (流明每瓦) | 每瓦电力产生的光输出,数值越高表示能效越高。 | 直接决定能效等级和电费成本。 |
| 光通量 | lm (流明) | 光源发出的总光量,通常称为“亮度”。 | 判断光线是否足够明亮。 |
| Viewing Angle | °(度),例如:120° | 光强降至一半时的角度,决定了光束宽度。 | 影响照明范围与均匀性。 |
| CCT (色温) | K (开尔文),例如 2700K/6500K | 光的冷暖度,数值越低越偏黄/暖,数值越高越偏白/冷。 | 决定照明氛围与适用场景。 |
| CRI / Ra | 无量纲,0–100 | 准确呈现物体颜色的能力,Ra≥80为良好。 | 影响色彩真实性,用于商场、博物馆等高要求场所。 |
| SDCM | MacAdam椭圆阶数,例如“5阶” | 颜色一致性指标,阶数越小表示颜色一致性越高。 | 确保同一批次LED的颜色均匀一致。 |
| 主波长 | nm (纳米),例如:620nm (红色) | 彩色LED所对应颜色的波长。 | 决定红、黄、绿单色LED的色调。 |
| Spectral Distribution | 波长-强度曲线 | 显示各波长的强度分布。 | 影响显色性和质量。 |
电气参数
| 术语 | 符号 | 简要说明 | 设计考量 |
|---|---|---|---|
| 正向电压 | Vf | 点亮LED所需的最低电压,类似于“启动阈值”。 | 驱动器电压必须≥Vf,串联LED的电压会累加。 |
| 正向电流 | If | 常规LED工作电流值。 | Usually constant current drive, current determines brightness & lifespan. |
| 最大脉冲电流 | Ifp | 短时可耐受的峰值电流,用于调光或闪烁。 | Pulse width & duty cycle must be strictly controlled to avoid damage. |
| Reverse Voltage | Vr | LED可承受的最大反向电压,超过此值可能导致击穿。 | 电路必须防止反接或电压尖峰。 |
| Thermal Resistance | Rth (°C/W) | 芯片到焊点的热传递阻力,数值越低越好。 | 高热阻需要更强的散热能力。 |
| ESD Immunity | V (HBM), e.g., 1000V | 抗静电放电能力,数值越高表示越不易受损。 | 生产中需采取防静电措施,特别是对于敏感的LED。 |
Thermal Management & Reliability
| 术语 | 关键指标 | 简要说明 | 影响 |
|---|---|---|---|
| 结温 | Tj (°C) | LED芯片内部实际工作温度。 | 每降低10°C可能使寿命翻倍;温度过高会导致光衰、色偏。 |
| Lumen Depreciation | L70 / L80(小时) | 亮度降至初始值70%或80%所需的时间。 | 直接定义LED“使用寿命”。 |
| 光通维持率 | %(例如:70%) | 使用一段时间后保留的亮度百分比。 | 表示长期使用下的亮度保持情况。 |
| 色偏 | Δu′v′ 或麦克亚当椭圆 | 使用过程中的颜色变化程度。 | 影响照明场景中的色彩一致性。 |
| Thermal Aging | 材料性能退化 | 因长期高温导致的劣化。 | 可能导致亮度下降、颜色变化或开路故障。 |
Packaging & Materials
| 术语 | Common Types | 简要说明 | Features & Applications |
|---|---|---|---|
| 封装类型 | EMC, PPA, Ceramic | 封装材料保护芯片,提供光学/热学界面。 | EMC:耐热性好,成本低;陶瓷:散热更佳,寿命更长。 |
| 芯片结构 | 正面,倒装芯片 | 芯片电极排列。 | 倒装芯片:散热更佳,效能更高,适用于大功率。 |
| Phosphor Coating | YAG, Silicate, Nitride | 覆盖蓝色芯片,将部分蓝光转换为黄/红光,混合形成白光。 | 不同的荧光粉会影响光效、色温(CCT)和显色指数(CRI)。 |
| 透镜/光学器件 | 平面型、微透镜型、全内反射型 | 表面光学结构控制光分布。 | 决定视角与光分布曲线。 |
Quality Control & Binning
| 术语 | 分箱内容 | 简要说明 | 目的 |
|---|---|---|---|
| 光通量分档 | 代码,例如:2G, 2H | 按亮度分组,每组有最小/最大流明值。 | 确保同批次亮度均匀。 |
| Voltage Bin | 代码,例如 6W, 6X | 按正向电压范围分组。 | 便于驱动器匹配,提升系统效率。 |
| Color Bin | 5-step MacAdam ellipse | 按色坐标分组,确保范围紧密。 | 保证颜色一致性,避免灯具内部颜色不均。 |
| CCT Bin | 2700K、3000K等 | 按相关色温分组,每组有对应的坐标范围。 | 满足不同场景的色温需求。 |
Testing & Certification
| 术语 | Standard/Test | 简要说明 | 显著性 |
|---|---|---|---|
| LM-80 | 光通维持率测试 | 恒温长期点亮,记录亮度衰减。 | 用于估算LED寿命(依据TM-21)。 |
| TM-21 | 寿命估算标准 | 基于LM-80数据估算实际使用条件下的寿命。 | 提供科学的寿命预测。 |
| IESNA | 照明工程协会 | 涵盖光学、电学、热学测试方法。 | 行业公认的测试依据。 |
| RoHS / REACH | 环境认证 | 确保不含有害物质(铅、汞)。 | 国际市场的准入要求。 |
| ENERGY STAR / DLC | 能效认证 | 照明产品的能效与性能认证。 | 用于政府采购、补贴项目,提升竞争力。 |