LED 規格書 RF-GNB170TS-CF - 尺寸 2.0x1.25x0.7mm - 正向電壓 2.8-3.4V - 功率 105mW - 綠色 - 英文技術文檔

1. 產品概述

本設備係用綠色晶片製造嘅彩色LED。佢專為通用光學指示、開關同符號顯示，以及其他需要緊湊表面貼裝光源嘅應用而設計。呢款LED具有極寬嘅140度視角，適合需要均勻光分佈嘅場合。佢兼容所有標準SMT組裝同焊接工藝，並符合RoHS要求。濕敏等級評為Level 3，需要適當嘅處理同儲存以防止吸濕。封裝尺寸為2.0 mm x 1.25 mm x 0.7 mm，容許高密度PCB設計。

2. 深入技術參數分析

2.1 電氣/光學特性（Ts=25°C）

除非另有說明，電氣同光學參數喺測試電流20 mA下指定。正向電壓（VF）被分為多個分檔，範圍從最低2.8 V（G1檔）到最高3.4 V（J1檔），典型值因檔而異。主波長（λD）範圍為515.0 nm至530.0 nm，涵蓋D10到F20檔。發光強度（IV）喺1AU到1CM檔之間範圍為260 mcd至900 mcd。光譜半帶寬（Δλ）典型值為15 nm。視角（2θ1/2）典型值為140度。反向電流（IR）喺VR=5V時最大值為10 μA。從結點到焊點嘅熱阻（RTHJ-S）最大值為450 °C/W。

2.2 絕對最大額定值

絕對最大額定值即使短暫超標亦不可，以免造成永久損壞。功耗（Pd）為105 mW。正向電流（IF）連續為30 mA，峰值正向電流（IFP）喺1/10佔空比、0.1 ms脈寬下為60 mA。靜電放電（ESD）耐受電壓（HBM）為1000 V。工作溫度範圍（Topr）為-40°C至+85°C。儲存溫度範圍（Tstg）為-40°C至+85°C。結溫（Tj）不應超過95°C。

2.3 測量公差

正向電壓測量公差為±0.1 V。主波長測量公差為±2 nm。發光強度測量公差為±10%。所有測量均喺標準Refond測試條件下進行（注意：為合規省略製造商名稱）。

3. 分級系統

呢款LED按正向電壓、主波長同發光強度分級。正向電壓檔範圍從G1（典型2.8 V）到J1（典型3.4 V）。波長檔包括D10（515.0-517.5 nm）、D20（517.5-520.0 nm）、E10（520.0-522.5 nm）、E20（522.5-525.0 nm）、F10（525.0-527.5 nm）同F20（527.5-530.0 nm）。發光強度檔為1AU（260-330 mcd）、1AV（330-430 mcd）、1CG（430-560 mcd）、1CL（560-700 mcd）同1CM（700-900 mcd）。終端用戶可以為佢哋嘅應用指定所需嘅檔位組合。

4. 性能曲線分析

4.1 正向電壓 vs. 正向電流

正向電壓隨正向電流增加而上升，符合典型二極管指數關係。喺測試電流20 mA下，正向電壓落喺指定分檔內。曲線見原始規格書圖1-6。

4.2 正向電流 vs. 相對強度

相對強度喺正向電流達30 mA前幾乎線性增加，高電流時有輕微飽和。呢個關係顯示喺圖1-7。

4.3 引腳溫度 vs. 相對強度同正向電流

隨引腳溫度上升，相對強度逐漸下降。例如，喺100°C環境下，相對強度降至約25°C時嘅80%。最大容許正向電流亦隨引腳溫度升高而下降，如圖1-8同1-9所示。

4.4 波長隨電流同溫度嘅偏移

主波長隨正向電流略有偏移，由5 mA到30 mA增加約2-3 nm（圖1-10）。光譜分佈（圖1-11）顯示峰值約520 nm，半帶寬15 nm。

4.5 輻射模式

輻射模式（圖1-12）顯示寬角度分佈，相對強度喺光軸±60°內仍高於0.8。140°視角對應半高全寬。

5. 機械同封裝信息

5.1 封裝尺寸

封裝尺寸為2.0 mm（長）x 1.25 mm（寬）x 0.7 mm（高）。俯視圖顯示兩個焊盤（Pad 1同Pad 2）用於電氣連接。極性標示喺底視圖：陰極以綠色區域標記（根據最新修訂）。焊接圖案建議每個焊盤尺寸為1.20 mm x 0.80 mm，兩個焊盤中心間距為3.20 mm。除非另有說明，所有尺寸公差為±0.2 mm。

5.2 載帶尺寸

LED包裝喺寬度8.00 mm嘅載帶中。口袋間距為4.00 mm，鏈輪孔到口袋中心距離為1.75 mm。口袋深度為1.42 mm，容納厚0.7 mm嘅LED。上帶覆蓋口袋，並提供極性標記以便定向。

5.3 捲盤尺寸

捲盤直徑為178 ± 1 mm，輪轂直徑為60 ± 1 mm，寬度為8.0 ± 0.1 mm。心軸孔直徑為13.0 ± 0.5 mm。捲盤上貼有標籤用於識別。

6. 焊接同組裝指南

6.1 SMT回流焊接曲線

推薦嘅回流焊接曲線遵循標準JEDEC J-STD-020。從Tsmin（150°C）到TP（260°C峰值）嘅平均升溫率不應超過3°C/s。預熱區：Tsmin = 150°C，Tsmax = 200°C，浸潤時間60-120秒。液相線以上（TL = 217°C）時間應為60-150秒。峰值溫度（TP）為260°C，喺TP ±5°C內嘅最長時間為30秒，實際峰值溫度（tp）時間不應超過10秒。冷卻速率不應超過6°C/s。從25°C到峰值嘅總時間應少於8分鐘。

6.2 手焊同維修

手動焊接應喺低於300°C嘅溫度下進行，時間少於3秒，且僅一次。唔建議維修已焊接嘅LED；如無法避免，請使用雙頭烙鐵，並確認LED特性無損壞。

6.3 儲存條件同烘烤

打開鋁袋前，應喺≤30°C同≤75% RH下儲存，自包裝日期起最多一年。打開後，LED必須喺168小時（≥24小時）內使用，且環境≤30°C同≤60% RH。如果濕度指示卡顯示過度濕氣或儲存時間已超標，請喺使用前以60±5°C烘烤至少24小時。

7. 包裝同訂購信息

7.1 包裝數量

標準包裝數量為每捲盤4000件。捲盤放入防潮袋，附乾燥劑同濕度指示卡。然後將袋裝入紙箱。

7.2 標籤信息

每個捲盤貼有標籤，內容包括：零件號、規格號、批次號、分級代碼（包括光通量檔、色度檔、正向電壓代碼、波長代碼）、包裝數量同製造日期。防潮袋上另附有ESD警告標籤。

8. 應用注意事項

8.1 典型應用

呢款綠色LED非常適合光學指示器、背光照明、開關同符號照明、儀表盤顯示以及一般標牌。其寬視角使其適用於需要從多個角度可見嘅大面積指示。

8.2 設計考慮

• 限流：務必使用串聯電阻限流。由於I-V曲線陡峭，輕微電壓偏移會導致大電流變化。確保電流永遠唔超過絕對最大額定值30 mA。
• 熱管理：發熱會降低發光效率並偏移顏色。設計PCB時預留足夠銅面積用於散熱。對於高密度陣列，考慮使用熱過孔。
• ESD保護：本設備對靜電放電敏感。喺處理同組裝過程中採取適當嘅ESD預防措施。考慮喺驅動電路中加入反向保護二極管。
• 環境兼容性：避免接觸硫化合物（低於100 ppm）。配套材料中嘅溴同氯含量應各低於900 ppm，總量低於1500 ppm。揮發性有機化合物（VOC）可能滲入矽膠封裝並導致變色；使用前請驗證材料兼容性。
• 機械操作：唔好對矽膠透鏡施加機械力。使用鑷子夾持側面。避免焊接後彎曲PCB。回流後唔好急速冷卻設備。
• 清潔：如需清潔，請使用異丙醇。其他溶劑必須驗證唔會損壞封裝。唔建議超聲波清潔，因為可能導致內部損壞。

9. 常見問題

Q1：打開密封袋前嘅最長儲存時間係幾耐？
A：喺≤30°C同≤75% RH下最多一年。

Q2：呢款LED可以用喺戶外應用嗎？
A：工作溫度範圍為-40°C至+85°C，涵蓋好多戶外環境。但需要考慮防潮同防紫外線。

Q3：點樣解讀標籤上嘅分級代碼？
A：分級代碼包括光通量檔（例如1AU）、色度檔（例如D10）、正向電壓檔（例如G1）同波長代碼（例如515）。詳細邊界請參閱產品規格書。

Q4：如果LED被污染，推薦嘅清潔方法係乜？
A：推薦使用異丙醇。唔好使用超聲波清潔。

10. 實際應用案例

考慮一個智能家居開關面板，帶有多個狀態指示燈。一隻綠色LED（主波長~520 nm）可以表示開或已連接狀態。由於呢款LED具有140°寬視角，指示燈幾乎從任何角度都可見。細小封裝（2.0x1.25mm）允許喺緊湊PCB上緊密放置多個指示燈。使用大約180歐姆嘅串聯電阻（對於5V電源同典型2.8V正向電壓）可將電流限制喺約12 mA，遠低於安全操作範圍。PCB設計包含接地層用於散熱，確保即使喺溫暖嘅外殼內，結溫仍低於95°C。

11. 工作原理

綠色LED（發光二極管）係一種半導體器件，當電子喺有源區與空穴複合時發光。綠色晶片通常由氮化鎵（GaN）或銦氮化鎵（InGaN）材料製成。施加正向偏壓時，n型區嘅電子同p型區嘅空穴注入量子阱有源層，並以輻射複合方式發射光子，光子能量對應帶隙。對於綠色發射，帶隙約為2.3-2.4 eV，對應約520 nm嘅波長。器件封裝喺矽膠透鏡中，可提高光提取效率並保護晶片。

12. 行業發展趨勢

表面貼裝LED市場持續要求更細小嘅封裝、更高嘅發光效率同更好嘅顏色一致性。小型化趨勢（例如0603、0402封裝）帶來了更大嘅設計靈活性。喺綠色光譜方面，外延生長同晶片設計嘅改進正將大功率器件嘅發光效率推向200 lm/W以上。此外，RoHS同REACH等環保法規推動消除有害物質。集成ESD保護同提高防潮性能係持續嘅可靠性改進。最後，智能照明同物聯網嘅採用將增加對連接設備中可靠、長壽命指示LED嘅需求。