RF-P28Q6-IRJ-FT 紅外線 LED 850nm 規格 - 尺寸 2.8x3.5x2.11mm - 電壓 1.6V - 功率 80mW

1. 產品概述

1.1 一般說明

本產品係採用PPA（聚鄰苯二甲醯胺）封裝嘅紅外線LED，具有高可靠性，廣泛應用於安防監控及感測器領域。器件尺寸小巧，僅為2.80 mm × 3.50 mm × 2.11 mm（長×寬×高）。PPA封裝提供穩固嘅機械保護同出色嘅散熱性能。

1.2 功能特點

• 低正向電壓，確保能源效益。
• 峰值波長λp = 850 nm，適用於近紅外應用。
• 兼容無鉛回流焊接，符合環保標準。
• 濕敏等級：第5級（MSL 5），需小心處理。
• 符合RoHS規範，不含有害物質。

1.3 應用範圍

• 監控系統及保安攝像機。
• 用於攝像機及夜視設備的紅外線照明。
• 工業自動化嘅機器視覺系統。

2. 封裝尺寸與焊接圖案

封裝外形喺規格圖紙中有說明。頂視圖顯示一個 2.80 mm × 3.50 mm 嘅矩形本體。側視圖指出厚度為 2.11 mm。其中一個角落有極性標記，用嚟識別陰極。底視圖顯示接觸焊墊：兩個較大嘅焊墊分別用於陽極同陰極，並提供咗 PCB 佈局嘅尺寸。建議嘅焊接圖案（footprint）喺圖 1-5 中給出，焊墊尺寸為 1.85 mm × 1.25 mm，間距為 1.80 mm。除非另有說明，所有尺寸單位為毫米，公差為 ±0.2 mm。

3. 電氣與光學特性

3.1 喺Ts=25°C下嘅電氣/光學參數

Table 1-1 lists the key electrical and optical characteristics measured at a solder point temperature of 25°C. The forward current (IF) is set at 50 mA for all measurements. The reverse current (IR) at VR=5V is typically very low (<10 µA). The forward voltage (VF) ranges from 1.4 V typical to 1.6 V maximum. The peak wavelength (λp) is 850 nm, with a spectral radiation bandwidth (Δλ) of 30 nm, indicating a relatively narrow emission spectrum centered in the near-infrared. The total radiant flux (Φe) is typically 28 mW, with a minimum of 14 mW. The viewing angle (2θ1/2) is 70 degrees, providing a moderately wide emission pattern. The thermal resistance from junction to solder point (RθJ-S) is 50 °C/W, which is important for thermal management.

3.2 絕對最大額定值

表1-2列出咗絕對最大額定值，為咗防止損壞，一定唔可以超過呢啲數值。功耗（PD）限制喺80 mW。正向電流（IF）唔應該超過50 mA（注意：喺1/10佔空比、0.1 ms脈衝寬度下，電流可以更高，但直流操作限制喺50 mA）。反向電壓（VR）係5 V。靜電放電（ESD）耐受電壓（HBM）係2000 V。操作溫度範圍係-40°C至+85°C，儲存溫度範圍都係-40°C至+85°C。接面溫度（TJ）唔應該超過105°C。需要適當嘅散熱同電流降額，以確保喺呢啲限制之內。

4. 典型光學特性曲線

規格書包含幾條典型特性曲線，用嚟輔助設計。

4.1 順向電壓 vs. 順向電流（圖1-6）

呢條曲線顯示咗正向電壓（VF）同正向電流（IF）之間嘅關係。當IF由0增加到60 mA時，VF會由大約1.3 V增加到1.7 V。呢條曲線係非線性嘅，係LED嘅典型特徵。

4.2 順向電流 vs. 相對強度（圖1-7）

相對強度隨正向電流增加而近乎線性上升，直至 50 mA。喺 50 mA 時，相對強度約為 100%（參考點）。呢個現象表示較高電流會產生比例上更高嘅輻射功率，但熱效應可能會喺更高電流時產生限制。

4.3 溫度 vs. 相對強度（圖1-8）

隨住焊點溫度 (Ts) 由 5°C 升至 125°C，相對強度會逐漸下降。喺 85°C 時，相對強度會跌至約 25°C 時數值嘅 80%。喺高溫環境下需要考慮呢個熱降額因素。

4.4 光譜分佈（圖1-9）

光譜發射範圍大約由 800 nm 到 900 nm，峰值喺 850 nm。半高全寬 (FWHM) 約為 30 nm，確認咗窄頻寬嘅特性。

4.5 輻射圖（圖1-10）

輻射圖顯示相對發光強度隨角度變化嘅關係。半角（50%強度）距離光軸約35度，對應總視角為70度。

4.6 溫度與正向電流降額曲線（圖1-11）

呢條曲線顯示最大允許正向電流隨焊點溫度變化嘅關係。喺25°C時，最大電流係50 mA。隨住溫度上升，允許電流會線性下降，到大約105°C（結溫極限）時降至零。呢個降額對可靠運作好重要。

5. 包裝資訊

5.1 載帶與捲盤

LED封裝喺承載帶上，並帶有極性標記以指示方向。每卷包含3,500粒。卷軸尺寸為：外徑A = 330.2 ± 2 mm，內轂直徑B = 12.7 ± 0.3 mm，寬度C = 79.5 ± 1 mm，芯軸孔D = 14.3 ± 0.2 mm。帶嘅送料方向已標示。

5.2 標籤格式規範

每卷標籤上包含零件編號、規格編號、批號、分級代碼、數量同日期。此外，分級代碼會標示用於分級嘅總輻射通量（Φe）、峰值波長（WLP）同正向電壓（VF）。

5.3 防潮包裝

卷軸會放入防潮袋，內附乾燥劑同濕度指示卡。然後將袋密封並貼上標籤。考慮到LED嘅MSL Level 5等級，呢種包裝可以防止佢哋吸收濕氣。

5.4 紙箱

多個卷軸會裝入紙箱以進行運輸。紙箱上會標示產品資訊同處理注意事項。

6. 可靠性測試項目及標準

6.1 可靠性測試

LED會根據JEDEC標準進行多項可靠性測試：回流焊（最高260°C，3次循環）、溫度循環（-40°C至100°C，100次循環）、熱衝擊（-40°C至100°C，300次循環）、高溫儲存（100°C，1000小時）、低溫儲存（-40°C，1000小時）同壽命測試（25°C，IF=50mA，1000小時）。驗收標準係10個樣本中0個失效（0/1）。

6.2 損壞判定準則

經過可靠性測試後，適用以下限制：正向電壓（VF）唔可以超過上限標準水平（USL）乘以1.1；反向電流（IR）唔可以超過USL乘以2.0；總輻射通量（Φe）唔可以低過下限標準水平（LSL）乘以0.7。呢啲標準確保LED喺受壓後仍能保持可接受嘅性能。

7. SMT回流焊接說明

7.1 回流曲線

建議嘅回流焊接曲線如圖3-1所示。關鍵參數：平均升溫率 ≤ 3°C/s；預熱溫度範圍160°C至200°C，持續時間60-120秒；高於220°C (TL) 嘅時間最長60秒；峰值溫度 (TP) 為260°C，喺峰值溫度±5°C範圍內保持最多5秒；冷卻降溫率 ≤ 6°C/s。由25°C升至峰值嘅總時間應喺8分鐘內。只允許進行兩次回流焊接循環。如果第一次回流焊接後超過24小時，LED可能會損壞。

7.2 手焊與維修

如果需要手焊，請使用溫度低於300°C嘅烙鐵，焊接時間少於3秒，並且只進行一次。一般應避免維修；如有必要，請使用雙頭烙鐵並確認冇造成損壞。

7.3 注意事項

請勿將元件安裝喺彎曲嘅PCB區域上。冷卻期間避免機械應力或震動。焊接後請勿快速冷卻器件。

8. 處理注意事項與儲存條件

8.1 環境考量

LED操作環境中，配合材料嘅硫含量應低於100 PPM。外部材料嘅溴同氯含量各自應少過900 PPM，總含量少過1500 PPM。燈具材料嘅VOCs會滲透矽膠封裝並導致變色；因此，只應使用相容嘅材料。

8.2 機械搬運

應使用鉗子沿住側面處理元件。請勿直接觸摸矽膠透鏡，以免損壞內部電路。

8.3 電路設計

每個LED嘅電流唔可以超過絕對最大額定值。要用限流電阻嚟防止電流突波。驅動電路只可以喺開啟時提供順向電壓；逆向電壓會導致遷移同損壞。散熱設計好重要——需要足夠嘅散熱裝置嚟保持接面溫度低過105°C。

8.4 儲存條件

打開鋁袋之前，需喺≤30°C同≤75%相對濕度下儲存，由包裝日期起計最多1年。打開之後，需喺≤30°C同≤60%相對濕度下儲存，並喺48小時內完成焊接。如果濕度指示器顯示濕度過高或超過儲存時間，使用前需將LED喺60±5°C下烘烤至少24小時。

8.5 ESD保護

LED對靜電放電（ESD）同電性過載（EOS）好敏感。喺處理同組裝期間應採取適當嘅ESD預防措施。ESD耐壓（HBM）係2000 V，但依然建議進行保護。