1. 產品概述
LTST-108TBL 係一款表面貼裝器件(SMD)發光二極管(LED),專為自動化印刷電路板(PCB)組裝而設計。其微型尺寸令佢適合用於各種電子設備中空間受限嘅應用。
1.1 核心優勢
- 微型封裝: 緊湊嘅EIA標準封裝允許高密度PCB佈局。
- 自動化兼容性: 產品以8毫米載帶及7英寸捲盤供應,完全兼容自動拾放設備。
- 穩健製造: 兼容紅外線(IR)回流焊接製程,支援無鉛(Pb-free)組裝生產線。
- 環保合規: 本產品符合RoHS(有害物質限制)指令。
- 可靠性: 器件經過預處理,加速達到JEDEC Level 3濕度敏感等級,確保焊接過程中的可靠性。
1.2 Target Market & Applications
此LED專為消費、商業及工業電子產品而設計,適用於需要可靠、低調狀態指示的場合。
- Telecommunications: 路由器、數據機及網絡交換器嘅狀態指示燈。
- Office Automation & Computing: 手提電腦、桌上電腦及周邊設備嘅電源/運作指示燈。
- 首頁 Appliances & Consumer Electronics: 控制面板上的指示燈。
- 工業設備: 機器狀態及故障指示燈。
- 通用用途: 前面板背光、信号及標誌照明應用。
2. 技術參數:深入客觀解讀
2.1 絕對最大額定值
此等額定值定義了可能導致器件永久損壞的極限。在此等條件下操作並無保證。
- Power Dissipation (Pd): 喺Ta=25°C時為102 mW。呢個係封裝能夠以熱量形式散發嘅最大功率。
- 直流正向電流 (IF): 連續30 mA。超過此電流會顯著增加接面溫度並加速流明衰減。
- 峰值正向電流: 80 mA,僅允許在脈衝條件下(1/10 佔空比,0.1ms 脈衝寬度)用於短暫信號突發。
- 降額因數: 由25°C起,每度線性變化0.38 mA。為免超出接面溫度限制,環境溫度上升時必須降低最大允許直流電流。
- Operating & Storage Temperature: 分別為-40°C至+85°C及-40°C至+100°C,界定操作與非操作時的環境限制。
2.2 Electro-Optical Characteristics
除非另有說明,所有測量均在 Ta=25°C、IF=20mA 條件下進行。此為典型性能參數。
- 發光強度 (Iv): 範圍由330.0 mcd(最小值)至520.0 mcd(最大值),典型值取決於分級等級。使用經CIE明視覺響應曲線濾波嘅感測器進行量度。
- 視角(2θ½): 典型值為110度嘅寬廣視角,定義為軸外角度,該角度下嘅光強度為軸上(軸向)光強度嘅一半。
- 峰值波長(λp): 通常為 471 nm,表示發射光的光譜峰值。
- 主波長 (λd): 範圍為 457 nm 至 467 nm。這是人眼感知以定義顏色(藍色)的單一波長。每個分檔的容差為 ±1 nm。
- 譜線半高寬 (Δλ): 通常為26 nm,描述所發出藍光嘅光譜純度或頻寬。
- 正向電壓 (VF): 在20mA電流下,電壓介乎2.6V(最低)至3.4V(最高)之間。此參數經分選以確保電路設計的一致性。
- 反向電流 (IR): 在VR=5V時最大為5 µA。本器件並非為反向偏壓操作而設計;此測試僅用於品質保證。
- 電容 (C): 典型值為40 pF(當VF=0V,f=1 MHz時),與高速開關考量相關。
3. Bin Rank System Explanation
產品會根據關鍵參數進行分檔,以確保同一生產批次內的性能一致性。設計師可指定分檔以配合應用要求。
3.1 正向電壓 (VF) 分級
單位:伏特 @ 20mA。每個分檔的容差為 ± 0.10V。
- F4: 2.6V (最低) - 2.8V (最高)
- F5: 2.8V - 3.0V
- F6: 3.0V - 3.2V
- F7: 3.2V - 3.4V
3.2 發光強度 (Iv) 等級
單位:毫坎德拉 (mcd) @ 20mA。每個級別的容差為 ± 11%。
- T2: 330.0 mcd (最小值) - 410.0 mcd (最大值)
- U1: 410.0 mcd - 520.0 mcd
3.3 主波長 (WD) 等級
單位:納米 (nm) @ 20mA。每個區間的容差為 ± 1 nm。
- AC: 457.0 nm (最小) - 462.0 nm (最大)
- AD: 462.0 nm - 467.0 nm
4. 性能曲線分析
典型特性曲線有助了解器件在不同條件下的行為。除非特別註明,所有曲線均以25°C為基準。
4.1 相對發光強度與正向電流關係圖
此曲線顯示,在建議工作範圍內,正向電流(IF)與光輸出(Iv)呈近乎線性的關係。將LED驅動至20mA以上會導致效率遞減並增加熱量。
4.2 相對發光強度與環境溫度關係
環境溫度升高,光輸出會隨之下降。這種熱猝滅效應是半導體LED的特性,在設計高溫環境下運作的產品時必須予以考慮。
4.3 正向電壓與正向電流關係
此指數曲線展示咗二極管嘅伏安特性。喺20mA下指定嘅VF係典型工作點。條曲線有助於設計限流電路。
4.4 光譜分佈
圖表顯示一個以約471 nm(典型值)為中心嘅單一峰值,半高寬約為26 nm,證實咗InGaN半導體材料發出嘅單色藍光。
5. Mechanical & Package Information
5.1 Package Dimensions
LTST-108TBL 採用標準 SMD 封裝。主要尺寸(單位為毫米,除非另有說明,公差為 ±0.2mm)包括本體尺寸約為 3.2mm(長)x 1.6mm(寬)x 1.1mm(高)。透鏡為水清色。陰極通常可透過封裝上的標記或透鏡上的綠色色調來識別。
5.2 推薦 PCB 焊接墊佈局
提供適用於紅外線或氣相回流焊接嘅焊盤設計。此設計確保組裝過程中形成適當嘅焊錫圓角、機械穩定性同散熱效果。嚴格遵循此佈局對於實現可靠嘅焊接點同管理LED晶片嘅散熱至關重要。
6. Soldering & Assembly Guidelines
6.1 紅外回流焊接溫度曲線(無鉛製程)
已指定符合 J-STD-020B 標準的詳細無鉛組裝溫度曲線。
- 預熱: 150°C 至 200°C。
- 預熱時間: 最多 120 秒。
- 峰值溫度: 最高260°C。
- 液相線以上時間: 建議曲線顯示特定持續時間。
- 焊接時間: 峰值溫度下最多10秒(最多兩次回流焊循環)。
注意: 最佳溫度曲線取決於具體的PCB設計、錫膏及迴焊爐。所提供的曲線乃基於JEDEC標準之通用參考目標。
6.2 手動焊接(如有需要)
- 烙鐵溫度: 最高300°C。
- 焊接時間: 每焊點最多3秒(只限一次)。
6.3 儲存條件
- Sealed Package: 儲存於 ≤ 30°C 及 ≤ 70% 相對濕度。若防潮袋連乾燥劑完好無損,請於一年內使用。
- 已開封包裝: 儲存於 ≤ 30°C 及 ≤ 60% 相對濕度。建議於暴露後 168 小時(1 週)內完成 IR reflow。
- 延長儲存(已開封): Store in a sealed container with desiccant or in a nitrogen ambient. If exposed for >168 hours, bake at approximately 60°C for at least 48 hours before soldering to remove moisture and prevent \"popcorning\" during reflow.
6.4 清潔
如焊接後需要清潔,請僅使用指定溶劑。將LED於常溫下浸入乙醇或異丙醇中不超過一分鐘。切勿使用超聲波清潔或未指定的化學品。
7. Packaging & Ordering Information
7.1 帶裝與捲盤規格
本器件按照 ANSI/EIA 481 規格,以壓紋載帶形式供應。
- 載帶寬度: 8毫米。
- 捲盤直徑: 7英寸(178毫米)。
- 每捲數量: 4000件。
- 最低訂購量(MOQ): 剩餘數量最低訂購500件。
- 袋口封合: 空置袋口會用封蓋膠帶密封。
- 缺件: 根據規格,每組最多容許連續兩盞燈缺失。
8. Application Suggestions & 設計考量
8.1 驅動方式
LED係電流驅動器件。為確保亮度均勻,特別係並聯多個LED時,每個LED都應該由恆流源驅動,或者配備獨立嘅限流電阻。唔建議使用恆壓源直接驅動而唔串聯電阻,因為VF具有負溫度係數,可能導致熱失控。
8.2 Thermal Management
雖然封裝細小,但恰當嘅散熱設計對延長使用壽命至關重要。確保PCB焊盤設計提供足夠嘅散熱能力。喺高環境溫度下,如果唔考慮降額因子(0.38 mA/°C),應避免以最大電流(30mA)操作。高結溫會加速流明衰減,並可能縮短運作壽命。
8.3 光學設計
110度嘅寬廣視角令呢款LED適合需要廣泛可見度嘅應用。如需聚焦或定向光線,可能需要使用二次光學元件(透鏡、導光管)。水清透鏡最適合需要呈現真實芯片顏色嘅應用。
9. Technical Comparison & Differentiation
相比舊有技術如GaP藍光LED,呢款InGaN(氮化銦鎵)LED提供顯著更高嘅發光效率同更飽和嘅藍色。喺其外形尺寸內,主要區別包括其寬廣視角、用於顏色同亮度一致性嘅特定分檔結構,以及為兼容IR迴流焊而設嘅穩固結構,呢啲特點未必喺所有低成本SMD LED中都具備。
10. Frequently Asked Questions (Based on Technical Parameters)
10.1 我可以持續以30mA驅動這顆LED嗎?
可以,30mA是在25°C下的最大額定直流正向電流。然而,為了獲得最佳使用壽命和可靠性,通常建議以低於其絕對最大額定值的電流驅動LED,例如在20mA的測試條件下。如果環境溫度超過25°C,請務必應用降額因子。
10.2 峰值波長與主波長有何區別?
峰值波長 (λp) 是指LED光譜功率分佈中最高點所對應的波長(通常為471 nm)。 主波長 (λd) 係一種從CIE色度圖衍生出嘅色度量度;佢係最能匹配LED視覺顏色嘅單一波長(457-467 nm)。喺視覺應用中,λd對於顏色規格更為相關。
10.3 點解開袋後有儲存時限?
SMD封裝可以從大氣中吸收濕氣。在高溫回流焊接過程中,這些被困的濕氣會迅速蒸發,產生內部壓力,可能導致封裝分層或晶片破裂(「爆米花效應」)。168小時的車間壽命和烘烤程序就是針對這種失效模式的對策。
11. 實際應用案例研究
場景: 為一個具有24個相同藍色電源/活動指示燈嘅網絡交換機設計狀態指示面板。
設計考慮因素:
- 電流驅動: 使用恒流驅動IC或24個相同的限流電阻(根據系統電壓及LED的VF分檔計算,例如F5檔:典型值約2.9V,設定電流約20mA)。
- 亮度均勻性: 向供應商指定嚴格的Iv區間(例如U1:410-520 mcd)及VF區間(例如F5),以確保所有24顆LED亮度一致。
- PCB佈局: 為每顆LED採用建議的焊盤佈局,以確保可靠的自動焊接及散熱效果。
- 組裝: 請按照指定嘅無鉛回流焊溫度曲線進行操作。確保喺打開LED卷盤後168小時內完成面板組裝,或者如果儲存時間更長,LED已經過適當烘烤。
12. 工作原理簡介
LED係一種半導體p-n接面二極管。當施加正向電壓時,來自n型區域嘅電子同埋來自p型區域嘅電洞會被注入到有源區域(接面處)。當呢啲電荷載子復合時,能量會以光子(光)嘅形式釋放。光嘅特定波長(顏色)取決於有源區域所用半導體材料嘅帶隙能量。LTST-108TBL採用氮化銦鎵(InGaN)化合物半導體,其設計用於發射藍色光譜(約470 nm)嘅光子。
13. 技術趨勢
高效能藍光InGaN LED嘅發展係固態照明領域嘅一項基礎成就,促成白光LED(透過熒光粉轉換)同全彩顯示器嘅實現。SMD LED技術嘅當前趨勢包括持續提升發光效率(流明每瓦)、更細封裝內實現更高最大功率密度、改善白光LED嘅顯色指數(CRI),以及集成更先進嘅功能,例如內置驅動器或控制電路。如本數據表所示,追求微型化同兼容先進組裝工藝嘅驅動力,喺整個行業中保持一致。
LED規格術語
LED技術術語完整解說
光電性能
| Term | Unit/Representation | 簡易說明 | 為何重要 |
|---|---|---|---|
| Luminous Efficacy | lm/W (每瓦流明) | 每瓦電力嘅光輸出,數值越高代表越慳電。 | 直接決定能源效益等級同電費開支。 |
| 光通量 | lm (lumens) | 光源發出嘅總光量,俗稱「光亮度」。 | 決定光線係咪夠光。 |
| 視角 | ° (度),例如:120° | 光強度降至一半時的角度,決定光束寬度。 | 影響照明範圍同均勻度。 |
| CCT (色溫) | K(Kelvin),例如2700K/6500K | 光線嘅冷暖度,數值越低偏黃/暖,越高偏白/冷。 | 決定照明氛圍同適用場景。 |
| CRI / Ra | 無單位,0–100 | 能夠準確呈現物件顏色,Ra≥80為良好。 | 影響色彩真實性,用於商場、博物館等高要求場所。 |
| SDCM | MacAdam橢圓步階,例如「5步階」 | 色彩一致性指標,步階數值越小代表色彩一致性越高。 | 確保同一批次LED嘅顏色一致。 |
| Dominant Wavelength | nm (nanometers),例如:620nm (紅色) | 對應彩色LED顏色的波長。 | 決定紅色、黃色、綠色單色LED的色調。 |
| 光譜分佈 | 波長與強度曲線 | 顯示強度隨波長的分佈情況。 | 影響色彩還原同品質。 |
Electrical Parameters
| Term | 符號 | 簡易說明 | 設計考量 |
|---|---|---|---|
| Forward Voltage | Vf | 啟動LED所需的最低電壓,類似「起始閾值」。 | 驅動器電壓必須 ≥Vf,串聯LED時電壓會累加。 |
| Forward Current | If | 正常LED運作嘅電流值。 | Usually constant current drive, current determines brightness & lifespan. |
| 最大脈衝電流 | Ifp | 可短時間承受的峰值電流,用於調光或閃爍功能。 | Pulse width & duty cycle must be strictly controlled to avoid damage. |
| Reverse Voltage | Vr | 發光二極管可承受的最大反向電壓,超出此值可能導致擊穿。 | 電路必須防止反接或電壓尖峰。 |
| Thermal Resistance | Rth (°C/W) | 晶片至焊料嘅熱傳遞阻力,愈低愈好。 | 高熱阻需要更強嘅散熱能力。 |
| ESD Immunity | V (HBM),例如:1000V | 抵禦靜電放電嘅能力,數值愈高代表愈唔易受損。 | 生產過程中需要採取防靜電措施,尤其對於敏感的LED元件。 |
Thermal Management & Reliability
| Term | Key Metric | 簡易說明 | 影響 |
|---|---|---|---|
| Junction Temperature | Tj (°C) | LED晶片內部實際工作溫度。 | 每降低10°C,壽命可能倍增;溫度過高會導致光衰及色偏。 |
| Lumen Depreciation | L70 / L80 (hours) | 亮度下降至初始值70%或80%所需时间。 | 直接界定LED「使用壽命」。 |
| Lumen Maintenance | %(例如:70%) | 經過一段時間後保留的亮度百分比。 | 表示長期使用下嘅亮度保持能力。 |
| 色偏 | Δu′v′ or MacAdam ellipse | 使用期間嘅顏色變化程度。 | 影響照明場景中嘅顏色一致性。 |
| 熱老化 | 材料劣化 | 因長期高溫而引致的劣化。 | 可能導致亮度下降、顏色變化或開路故障。 |
Packaging & Materials
| Term | 常見類型 | 簡易說明 | Features & Applications |
|---|---|---|---|
| 封裝類型 | EMC, PPA, Ceramic | 保護晶片的外殼材料,提供光學/熱介面。 | EMC:良好嘅耐熱性,成本低;陶瓷:散熱更好,壽命更長。 |
| Chip Structure | Front, Flip Chip | 晶片電極排列。 | 倒裝晶片:散熱更佳,效能更高,適用於高功率。 |
| 螢光粉塗層 | YAG, Silicate, Nitride | 覆蓋藍光晶片,將部分轉化為黃/紅光,混合成白光。 | 不同熒光粉會影響效能、相關色溫及顯色指數。 |
| Lens/Optics | 平面、微透鏡、全內反射 | 控制光線分佈的表面光學結構。 | 決定視角與光線分佈曲線。 |
Quality Control & Binning
| Term | Binning Content | 簡易說明 | 目的 |
|---|---|---|---|
| 光通量分档 | Code e.g., 2G, 2H | 按亮度分組,每組有最小/最大流明值。 | 確保同一批次亮度均勻。 |
| 電壓分級 | 代碼,例如 6W, 6X | 按正向電壓範圍分組。 | 便于驱动器匹配,提升系统效率。 |
| Color Bin | 5級麥克亞當橢圓 | 按色座標分組,確保緊密範圍。 | 保證顏色一致性,避免燈具內顏色不均。 |
| CCT Bin | 2700K, 3000K etc. | 按CCT分組,每組均有對應的座標範圍。 | 滿足不同場景的CCT要求。 |
Testing & Certification
| Term | Standard/Test | 簡易說明 | 重要性 |
|---|---|---|---|
| LM-80 | 光通量維持測試 | 恆溫長期照明,記錄亮度衰減。 | 用於估算LED壽命(配合TM-21)。 |
| TM-21 | 壽命估算標準 | 根據LM-80數據估算實際條件下的壽命。 | 提供科學的壽命預測。 |
| IESNA | Illuminating Engineering Society | 涵蓋光學、電氣、熱學測試方法。 | 業界認可的測試基準。 |
| RoHS / REACH | 環保認證 | 確保不含有害物質(鉛、汞)。 | 國際市場准入要求。 |
| ENERGY STAR / DLC | 能源效益認證 | 照明設備能源效益及性能認證 | 適用於政府採購、資助計劃,提升競爭力 |