LTST-C191KGKT SMD LED 規格書 - 0.55mm 超薄身 - 2.4V 最高 - 75mW - 綠色 - 粵語技術文件

1. 產品概覽

LTST-C191KGKT 係一款專為自動化印刷電路板（PCB）組裝而設計嘅表面貼裝器件（SMD）LED燈。佢嘅微型尺寸同超薄身設計，令佢非常適合用喺各種消費同工業電子產品中空間有限嘅應用。

1.1 特點

• 符合RoHS環保標準。
• 封裝厚度極薄，高度僅為0.55毫米。
• 採用超光AlInGaP（磷化鋁銦鎵）半導體晶片發出綠光。
• 以8毫米寬載帶包裝，捲喺7吋直徑嘅捲盤上，兼容高速自動貼片設備。
• 標準EIA（電子工業聯盟）封裝外形。
• 輸入邏輯兼容，適合由集成電路直接驅動。
• 設計用於紅外線（IR）回流焊工藝。

1.2 應用

呢款LED適用於各種照明同指示用途，包括：

• 鍵盤、微顯示器嘅背光。
• 通訊設備、辦公自動化設備、家用電器同工業控制系統中嘅狀態同電源指示燈。
• 信號燈同標誌燈。

2. 機械同封裝資料

器件配備水清透鏡，令AlInGaP晶片發出嘅綠光可以高效射出。規格書提供詳細尺寸圖，所有關鍵尺寸以毫米標示。主要封裝特點包括為可靠焊接而設計嘅標準焊盤圖案，以及有助降低組裝總高度嘅超薄外形。器件本體上清晰標示極性，以確保PCB上嘅正確方向。

3. 技術參數：深入客觀解讀

3.1 絕對最大額定值

呢啲額定值定義咗器件可能受損嘅應力極限。喺呢啲極限下或超出極限操作，性能唔保證。

• 功耗（Pd）：75 mW。呢個係LED封裝可以散發為熱量而唔會降低性能或可靠性嘅最大功率。
• 直流正向電流（IF）：30 mA。可以施加喺LED上嘅最大連續電流。
• 峰值正向電流：80 mA，僅允許喺脈衝條件下（1/10佔空比，0.1ms脈衝寬度）短暫達到更高光輸出。
• 反向電壓（VR）：5 V。反向偏壓下超過此電壓可能導致結立即擊穿。
• 工作及儲存溫度範圍：-55°C 至 +85°C。指定咗器件功能同非工作狀態儲存嘅完整環境範圍。
• 紅外線焊接條件：可承受260°C峰值溫度10秒，對於無鉛組裝工藝至關重要。

3.2 電氣同光學特性

呢啲參數喺標準測試條件Ta=25°C同IF=20mA下測量，提供典型性能基準。

• 發光強度（Iv）：範圍由18.0至71.0毫坎德拉（mcd）。呢個寬範圍通過分級系統管理（見第4節）。
• 視角（2θ½）：130度。呢個寬視角表示朗伯或近朗伯發射模式，適合區域照明而非聚焦光束。
• 峰值發射波長（λP）：典型值574.0 nm。呢個係光譜功率分佈最高嘅波長。
• 主波長（λd）：指定喺567.5 nm至576.5 nm之間。呢個定義咗LED嘅感知顏色（綠色），亦受分級影響。
• 譜線半寬度（Δλ）：約15 nm。呢個表示發出綠光嘅光譜純度或帶寬。
• 正向電壓（VF）：喺20mA時介乎1.9 V至2.4 V之間。LED工作時嘅壓降，對於驅動電路設計好重要。
• 反向電流（IR）：喺VR=5V時最大為10 µA。衡量結喺關斷狀態下嘅漏電情況。

4. 分級系統解說

為確保批量生產嘅一致性，LED會按性能分級。LTST-C191KGKT採用三個獨立嘅分級標準。

4.1 正向電壓（Vf）等級

分級確保LED有相似嘅壓降，簡化限流電路設計。分級由代碼4（1.90V-2.00V）到代碼8（2.30V-2.40V），每個有±0.1V容差。

4.2 發光強度（Iv）等級

按光輸出強度將LED分組。代碼係M（18.0-28.0 mcd）、N（28.0-45.0 mcd）同P（45.0-71.0 mcd），每個有±15%容差。

4.3 色調（主波長）等級

按LED精確嘅綠色深淺分類。代碼係C（567.5-570.5 nm）、D（570.5-573.5 nm）同E（573.5-576.5 nm），每個有±1 nm容差。

5. 性能曲線分析

規格書包含典型特性曲線，提供喺唔同條件下器件行為嘅更深入見解。

• 正向電流 vs. 正向電壓（I-V曲線）：顯示指數關係，對於確定目標電流所需嘅驅動電壓至關重要。
• 發光強度 vs. 正向電流：展示光輸出如何隨電流增加，通常喺工作範圍內呈近線性關係，然後喺極高電流時效率下降。
• 發光強度 vs. 環境溫度：說明光輸出嘅熱降額。隨住結溫升高，發光效率通常會降低。
• 光譜分佈：相對強度對波長嘅圖表，顯示喺~574nm處嘅峰值同~15nm半寬度，確認綠色色點。

6. 焊接同組裝指引

6.1 推薦紅外線回流焊曲線（無鉛）

可靠貼裝嘅關鍵工藝。曲線應包括預熱區（150-200°C）、受控升溫至不超過260°C嘅峰值溫度，以及峰值溫度（例如260°C）下嘅時間限制喺最多10秒。整個過程應喺最多120秒嘅預熱時間內完成。呢個曲線基於JEDEC標準，以防止LED封裝或晶片受熱損壞。

6.2 PCB焊盤設計

提供推薦嘅焊盤圖案（封裝外形），以確保回流焊期間形成正確焊點、元件對齊同熱管理。

6.3 清潔

如果焊接後需要清潔，只應使用指定嘅酒精類溶劑，例如乙醇或異丙醇。LED應喺常溫下浸泡少於一分鐘。未指定嘅化學品可能會損壞環氧樹脂透鏡或封裝。

6.4 儲存同處理

• 靜電放電（ESD）注意：器件對靜電放電（ESD）敏感。處理期間必須使用適當嘅ESD控制措施（防靜電手帶、接地設備）。
• 濕度敏感度：封裝等級為MSL2a。一旦打開原裝防潮袋，元件必須喺儲存條件≤30°C同≤60% RH下，於672小時（28日）內進行紅外線回流焊。如果喺原裝袋外儲存更長時間，焊接前需要喺60°C下烘烤至少20小時。

7. 包裝同訂購資料

LED以8毫米寬嘅凸版載帶供應，用蓋帶密封。載帶捲喺標準7吋（178毫米）直徑嘅捲盤上。每捲包含5000件。包裝符合ANSI/EIA-481規格。剩餘數量最低訂購量為500件。

8. 應用建議同設計考慮

8.1 典型應用電路

為確保可靠操作，必須將一個限流電阻同LED串聯。電阻值（R）可以用歐姆定律計算：R = (供電電壓 - VF) / IF，其中VF係所選分級嘅正向電壓，IF係所需驅動電流（唔超過30mA直流）。

8.2 熱管理

雖然功耗低，但將結溫維持喺限值內係長期可靠性同穩定光輸出嘅關鍵。確保PCB焊盤設計提供足夠嘅散熱，特別係喺以或接近最大正向電流工作時。

8.3 光學設計

130度視角提供寬闊、漫射嘅光型。如需更聚焦嘅光線，則需要二次光學器件（透鏡或導光板）。水清透鏡適合LED晶片本身唔可見嘅應用。

9. 技術比較同區分

LTST-C191KGKT嘅主要區分特點係佢嘅超薄0.55mm外形以及使用AlInGaP晶片發出綠光。相比舊技術如GaP，AlInGaP提供顯著更高嘅發光效率同更好嘅色彩飽和度。喺現代超薄消費設備中，超薄外形相比標準0.6mm或0.8mm晶片LED係一個關鍵優勢。

10. 常見問題（基於技術參數）

問：我可以直接用3.3V或5V邏輯輸出驅動呢個LED嗎？

答：唔可以。你必須使用串聯限流電阻。3.3V供電，典型VF為2.1V，電阻上會有1.2V壓降。對於20mA，R = 60Ω。請務必根據你特定分級嘅最大VF計算，以確保足夠電流。

問：峰值波長同主波長有咩分別？

答：峰值波長（λP）係最高光譜發射嘅物理波長。主波長（λd）係感知上匹配人眼所見LED顏色嘅單一波長，根據CIE色度圖計算得出。λd對於顏色規格更相關。

問：訂購時點樣解讀分級代碼？

答：你可以指定Vf、Iv同λd分級代碼嘅組合，以獲得電氣同光學特性緊密集中嘅LED，呢點對於多LED陣列或背光應用中嘅一致性能至關重要。

11. 實際使用案例

場景：為便攜式設備設計低功耗狀態指示燈。

設備使用3.0V鈕扣電池供電。目標係一個清晰嘅綠色指示燈。選擇10mA驅動電流以平衡亮度同電池壽命。假設VF分級為5（典型值2.05V），計算串聯電阻：R = (3.0V - 2.05V) / 0.01A = 95Ω。會使用標準100Ω電阻，電流約為~9.5mA。Iv分級M或N喺呢個電流下可提供足夠亮度。0.55mm高度令佢可以放入超薄外殼內。

12. 工作原理簡介

呢款AlInGaP LED嘅發光基於半導體p-n結中嘅電致發光。當施加正向電壓時，電子同電洞注入結區並喺有源區復合。復合過程中釋放嘅能量以光子（光）形式發射。AlInGaP半導體合金嘅特定成分決定咗帶隙能量，直接定義咗發出光嘅波長（顏色），喺呢個情況下係綠色。水清環氧樹脂透鏡封裝並保護半導體晶片，同時亦塑造光輸出模式。

13. 技術趨勢

像LTST-C191KGKT呢類SMD LED嘅發展遵循幾個關鍵行業趨勢：微型化（更薄、更細嘅封裝），效率提升（每單位電輸入嘅更高光輸出，由改進嘅外延生長同晶片設計推動），同埋可靠性增強（更好嘅封裝材料同工藝，以承受更高回流焊溫度同更惡劣環境條件）。綠色LED轉向AlInGaP係更廣泛趨勢嘅一部分，即從傳統低效率材料轉向可見光譜範圍內更高性能嘅化合物半導體。