目錄
- 1. 產品概覽
- 1.1 特點
- 1.2 應用
- 2. 技術參數:深入客觀解讀
- 2.1 絕對最大額定值
- 2.2 電氣及光學特性
- 3. 分級系統說明
- 3.1 正向電壓(VF)分級
- 3.2 發光強度(IV)分級
- 4. 性能曲線分析
- 5. 機械及封裝資料
- 5.1 封裝尺寸
- 5.2 推薦PCB焊盤設計及極性
- 6. 焊接及組裝指引
- 6.1 推薦紅外線回流曲線(無鉛工序)
- 6.2 清潔
- 6.3 儲存及處理
- 7. 包裝及訂購資料
- 7.1 載帶及捲盤規格
- 8. 應用建議
- 8.1 典型應用電路
- 8.2 設計考慮因素
- 9. 技術比較及差異化
- 10. 常見問題(基於技術參數)
- 11. 實際使用案例
- 12. 工作原理簡介
- 13. 技術趨勢
1. 產品概覽
LTST-S32F1KT-5A 係一款細小、側視、全彩嘅表面貼裝器件(SMD)LED燈。佢將三粒唔同嘅半導體晶片集成喺單一封裝入面:一粒用於發紅光嘅AlInGaP晶片,同兩粒用於發綠光同藍光嘅InGaN晶片。呢種配置可以透過獨立或組合控制三個通道,產生出廣闊嘅色彩光譜。呢款器件專為自動化印刷電路板(PCB)組裝工序而設計,採用鍍錫端子以增強可焊性,並且兼容無鉛(Pb-free)回流焊接工藝。
主要設計目標係為空間有限嘅應用提供一個可靠、高亮度嘅RGB光源,適用於需要狀態指示、背光或符號照明嘅場合。佢微型嘅佔位面積同側發光透鏡輪廓,令佢特別適合集成到纖薄嘅消費電子產品、通訊設備同工業控制面板入面,呢啲場合正面空間有限,但側面可見性至關重要。
1.1 特點
- 符合RoHS(有害物質限制)指令。
- 側視光學設計,配備水清透鏡。
- 採用超高亮度InGaN(用於綠/藍光)同AlInGaP(用於紅光)半導體技術。
- 以8mm載帶包裝,收納於標準7吋直徑捲盤上,適用於自動化貼片設備。
- 符合EIA(電子工業聯盟)標準封裝外形。
- 輸入邏輯兼容(I.C.兼容),易於同微控制器同驅動電路連接。
- 完全兼容大批量紅外線(IR)回流焊接工序。
1.2 應用
- 電訊設備(例如:蜂窩基站、路由器)。
- 辦公室自動化設備(例如:打印機、掃描器、多功能設備)。
- 家用電器指示面板同控制介面。
- 工業設備狀態同故障指示器。
- 便攜式設備嘅鍵盤同按鍵背光。
- 通用狀態同電源指示器。
- 微型顯示器同圖標照明。
- 控制面板中嘅信號同符號照明器。
2. 技術參數:深入客觀解讀
本節詳細分析器件喺指定測試條件下嘅操作極限同性能特徵。除非另有說明,所有數據均喺環境溫度(Ta)為25°C時指定。
2.1 絕對最大額定值
呢啲額定值定義咗應力極限,超過呢啲極限可能會對器件造成永久損壞。唔建議喺呢啲極限或接近極限下連續操作。
- 功耗(Pd):紅光:75 mW,綠/藍光:80 mW。呢個係封裝內允許以熱量形式散失嘅最大功率。
- 峰值正向電流(IF(PEAK)):紅光:80 mA,綠/藍光:100 mA。僅適用於脈衝條件下(1/10佔空比,0.1ms脈衝寬度),以防止熱過載。
- 直流正向電流(IF):紅光:30 mA,綠/藍光:20 mA。為確保長期可靠運作而建議嘅最大連續正向電流。
- 操作溫度範圍:-20°C 至 +80°C。器件設計用於運作嘅環境溫度範圍。
- 儲存溫度範圍:-30°C 至 +100°C。器件未通電時允許嘅溫度範圍。
- 紅外線焊接條件:可承受260°C峰值溫度達10秒,定義咗其濕度敏感等級(MSL)同回流能力。
2.2 電氣及光學特性
呢啲係喺標準測試條件下(IF= 5mA,Ta=25°C)測量嘅典型性能參數。
- 發光強度(IV):以毫坎德拉(mcd)為單位測量。最小值:紅光:18.0 mcd,綠光:45.0 mcd,藍光:11.2 mcd。最大值:紅光:45.0 mcd,綠光:180.0 mcd,藍光:45.0 mcd。呢個寬廣範圍透過分級系統進行管理。
- 視角(2θ1/2):通常為130度。呢個係發光強度為峰值強度一半時嘅全角,定義咗光束寬度。
- 峰值發射波長(λp):典型值:紅光:632 nm,綠光:520 nm,藍光:468 nm。光譜功率分佈達到最大值時嘅波長。
- 主波長(λd):人眼感知到嘅、與LED顏色相匹配嘅單一波長。範圍:紅光:617-631 nm(典型值 624 nm),綠光:520-540 nm(典型值 527 nm),藍光:463-477 nm(典型值 470 nm)。
- 譜線半寬度(Δλ):典型值:紅光:17 nm,綠光:35 nm,藍光:26 nm。喺最大強度一半處測量嘅光譜帶寬,表示顏色純度。
- 正向電壓(VF):於 IF=5mA 時。範圍:紅光:1.6 - 2.3 V,綠光:2.7 - 3.1 V,藍光:2.7 - 3.1 V。呢個參數亦會進行分級。
- 反向電流(IR):於 VR= 5V 時,最大為 10 µA。LED並非設計用於反向偏壓操作;此測試僅用於質量保證。
3. 分級系統說明
為確保生產中顏色同亮度嘅一致性,LED會根據性能進行分級。LTST-S32F1KT-5A 對正向電壓(VF)同發光強度(IV)進行獨立分級。
3.1 正向電壓(VF)分級
對於綠光同藍光晶片(於 IF=5mA 測試):
- 分級代碼 E7:VF= 2.70V 至 2.90V。
- 分級代碼 E8:VF= 2.90V 至 3.10V。
每個分級嘅容差為 ±0.1V。紅光晶片嘅 VF有指定,但本文檔中未進行分級。
3.2 發光強度(IV)分級
於 IF=5mA 時測量。每個分級嘅容差為 ±15%。
藍光:L(11.2-18.0 mcd),M(18.0-28.0 mcd),N(28.0-45.0 mcd)。
綠光:P(45.0-71.0 mcd),Q(71.0-112.0 mcd),R(112.0-180.0 mcd)。
紅光:M(18.0-28.0 mcd),N(28.0-45.0 mcd)。
分級代碼標示喺包裝上,讓設計師可以為多LED陣列選擇亮度匹配嘅LED。
4. 性能曲線分析
典型性能曲線說明咗關鍵參數之間嘅關係。呢啲對於電路設計同熱管理至關重要。
- 相對發光強度 vs. 正向電流:顯示每種顏色嘅驅動電流同光輸出之間嘅非線性關係。喺建議嘅直流電流以上操作會導致收益遞減同熱量增加。
- 相對發光強度 vs. 環境溫度:展示熱淬滅效應,即光輸出隨接面溫度升高而下降。對於高溫環境,需要適當嘅散熱或電流降額。
- 正向電壓 vs. 正向電流:顯示二極管嘅I-V特性。動態電阻可以從導通電壓以上曲線嘅斜率推斷出來。
- 光譜分佈:顯示每粒晶片相對輻射功率與波長關係嘅圖表,突出峰值(λp)同光譜寬度(Δλ)。
5. 機械及封裝資料
5.1 封裝尺寸
器件符合標準SMD外形。關鍵尺寸包括本體長度、寬度同高度,以及PCB設計嘅焊盤圖案(佔位面積)建議。除非另有規定,所有尺寸均以毫米為單位,標準容差為±0.1mm。詳細圖表指定了引腳分配:引腳1為紅光陽極,引腳2為綠光陽極,引腳3為藍光陽極。所有三粒晶片嘅陰極內部連接至引腳4。
5.2 推薦PCB焊盤設計及極性
提供焊盤圖案圖,以確保回流焊接期間形成適當嘅焊點。設計考慮到焊角並防止立碑現象。極性由器件本體上嘅標記(通常係一點或一個切角)清楚指示,對應引腳1(紅光)。
6. 焊接及組裝指引
6.1 推薦紅外線回流曲線(無鉛工序)
時間-溫度圖定義咗建議嘅回流焊接曲線:
- 預熱:150-200°C,最多120秒。
- 回流:峰值溫度不超過260°C。
- 高於260°C嘅時間:最多10秒。
- 通過次數:最多兩次回流循環。
對於使用烙鐵進行手工焊接:溫度≤300°C,時間≤3秒,僅限一次。
6.2 清潔
如果焊接後需要清潔,只應使用指定嘅酒精類溶劑,例如乙醇或異丙醇。應喺常溫下浸泡少於一分鐘。未指定嘅化學品可能會損壞環氧樹脂透鏡或封裝。
6.3 儲存及處理
- 靜電放電(ESD)預防措施:器件對靜電放電(ESD)敏感。處理時必須使用接地手腕帶、防靜電墊同正確接地嘅設備。
- 濕度敏感性:包裝為MSL 3級。一旦打開原裝防潮袋,組件應在工廠車間條件下(≤30°C/60% RH)於一星期(168小時)內進行回流焊接。如需長時間儲存於袋外,請使用乾燥櫃或乾燥容器。暴露超過一星期嘅組件需要喺回流前進行烘烤(例如,60°C烘烤20小時),以防止爆米花現象。
7. 包裝及訂購資料
7.1 載帶及捲盤規格
器件以帶有保護蓋帶嘅凸紋載帶供應,捲繞喺7吋(178mm)直徑嘅捲盤上。
- 每捲數量:3000件。
- 剩餘數量最低訂購量:500件。
- 載帶寬度:8mm。
- 口袋間距同捲盤尺寸符合ANSI/EIA-481標準。
- 載帶中允許嘅連續缺失組件最大數量為兩個。
8. 應用建議
8.1 典型應用電路
每個顏色通道(紅、綠、藍)必須透過限流電阻,或者更好嘅係恆流驅動器獨立驅動。每種顏色嘅正向電壓不同(紅光約2.0V,綠/藍光約3.0V),因此如果使用帶串聯電阻嘅公共電壓源,則需要單獨進行電流設定計算。對於PWM(脈衝寬度調製)調光或混色,請確保驅動器能夠處理所需嘅頻率同電流。
8.2 設計考慮因素
- 熱管理:雖然功耗較低,但應確保器件散熱墊(如適用)下方有足夠嘅PCB銅面積或散熱通孔以導走熱量,特別係喺以最大電流或接近最大電流驅動時。
- 電流降額:對於喺溫度範圍上限(+80°C)附近操作,應降低正向電流以保持可靠性並防止光通量加速衰減。
- 光學設計:側發光輪廓非常適合導光管或波導應用。設計導光件時,請考慮130度視角,以確保照明均勻。
9. 技術比較及差異化
LTST-S32F1KT-5A嘅關鍵差異化特點在於其特定嘅功能組合:
- 側視 vs. 頂視:與常見嘅頂發光LED不同,此器件從側面發光,能夠實現獨特嘅機械集成,適用於PCB垂直表面上嘅側光式面板或狀態指示器。
- 單一封裝全彩:集成三原色晶片,相比使用三粒獨立單色LED,節省電路板空間。
- 技術混合:為每種顏色使用最佳嘅半導體材料:高效率AlInGaP用於紅光,高亮度InGaN用於綠/藍光,從而實現良好嘅整體發光效率。
- 堅固結構:鍍錫引腳同兼容嚴苛嘅紅外線回流曲線,使其適合現代化、大批量製造。
10. 常見問題(基於技術參數)
Q1:我可以從單一5V電源驅動所有三種顏色嗎?
A:可以,但你必須為每個通道使用獨立嘅限流電阻。計算電阻值為 R = (V電源- VF) / IF。為安全設計,請使用規格書中嘅最大 VF。例如,對於藍光通道於20mA時:R = (5V - 3.1V) / 0.02A = 95 歐姆(使用100歐姆)。
Q2:點解紅光(30mA)同綠/藍光(20mA)嘅最大直流電流唔同?
A:呢個主要係由於AlInGaP(紅光)同InGaN(綠/藍光)半導體材料嘅內部量子效率同熱特性差異所致。喺相同封裝熱限制下,紅光晶片通常可以承受更高嘅電流密度。
Q3:我點樣用呢粒RGB LED實現白光?
A:白光係透過以特定電流比例同時驅動紅、綠、藍光晶片而產生。確切比例取決於所需嘅白點(例如,冷白、暖白)同所用LED嘅具體分級。呢個需要校準或使用顏色傳感器反饋迴路以獲得精確結果。
Q4:分級代碼有咩意義?
A:分級代碼確保顏色同亮度嘅一致性。對於使用多粒LED嘅應用(例如燈條),指定並使用來自相同 VF同 IV分級嘅LED對於避免相鄰器件之間出現可見嘅色調或亮度差異至關重要。
11. 實際使用案例
場景:網絡路由器狀態指示器
設計師需要一個用於路由器嘅多色狀態指示器,顯示電源(恆亮綠光)、活動(閃爍綠光)、錯誤(紅光)同設定模式(藍光)。使用LTST-S32F1KT-5A相比使用三粒獨立LED節省空間。側發光設計允許光線耦合到導光管中,導光管延伸到纖薄路由器外殼嘅前面板。微控制器嘅GPIO引腳,每個都帶有一個串聯電阻(按5-10mA驅動計算),控制各個顏色。寬廣視角確保指示器可以從房間內唔同角度睇到。
12. 工作原理簡介
發光二極管(LED)係半導體p-n結器件。當施加正向電壓時,來自n型區域嘅電子同來自p型區域嘅電洞喺有源層內複合,以光子(光)嘅形式釋放能量。發射光嘅波長(顏色)由半導體材料嘅能帶隙決定。LTST-S32F1KT-5A使用:
- AlInGaP(磷化鋁銦鎵):一種能帶隙對應紅光同琥珀光嘅材料體系。佢喺紅橙色光譜中提供高效率。
- InGaN(氮化銦鎵):一種具有可調能帶隙嘅材料體系,能夠發射從紫外光到藍光再到綠光嘅光,具體取決於銦含量。佢係高亮度藍光同綠光LED嘅標準材料。
13. 技術趨勢
類似呢款嘅SMD LED嘅總體發展趨勢包括:
- 效率提升:外延生長同晶片設計嘅持續改進帶來更高嘅每瓦流明(lm/W),喺相同光輸出下降低功耗。
- 微型化:封裝尺寸持續縮小,同時保持或增加光功率。
- 改進顯色性及一致性:更嚴格嘅分級容差同新嘅熒光粉技術(用於白光LED)產生更一致嘅色點同更高嘅顯色指數(CRI)。
- 集成智能化:智能LED模組嘅增長,內置驅動器、控制器同通訊介面(例如I2C、SPI),以簡化系統設計。雖然LTST-S32F1KT-5A係離散組件,但行業正朝著更集成嘅解決方案發展,以應對複雜嘅照明任務。
LED規格術語詳解
LED技術術語完整解釋
一、光電性能核心指標
| 術語 | 單位/表示 | 通俗解釋 | 點解重要 |
|---|---|---|---|
| 光效(Luminous Efficacy) | lm/W(流明/瓦) | 每瓦電能發出嘅光通量,越高越慳電。 | 直接決定燈具嘅能效等級同電費成本。 |
| 光通量(Luminous Flux) | lm(流明) | 光源發出嘅總光量,俗稱"光亮度"。 | 決定燈具夠唔夠光。 |
| 發光角度(Viewing Angle) | °(度),例如120° | 光強降至一半時嘅角度,決定光束闊窄。 | 影響光照範圍同均勻度。 |
| 色溫(CCT) | K(開爾文),例如2700K/6500K | 光嘅顏色冷暖,低值偏黃/暖,高值偏白/冷。 | 決定照明氣氛同適用場景。 |
| 顯色指數(CRI / Ra) | 無單位,0–100 | 光源還原物體真實顏色嘅能力,Ra≥80為佳。 | 影響色彩真實性,用於商場、美術館等高要求場所。 |
| 色容差(SDCM) | 麥克亞當橢圓步數,例如"5-step" | 顏色一致性嘅量化指標,步數越細顏色越一致。 | 保證同一批燈具顏色冇差異。 |
| 主波長(Dominant Wavelength) | nm(納米),例如620nm(紅) | 彩色LED顏色對應嘅波長值。 | 決定紅、黃、綠等單色LED嘅色相。 |
| 光譜分佈(Spectral Distribution) | 波長 vs. 強度曲線 | 顯示LED發出嘅光喺各波長嘅強度分佈。 | 影響顯色性同顏色品質。 |
二、電氣參數
| 術語 | 符號 | 通俗解釋 | 設計注意事項 |
|---|---|---|---|
| 順向電壓(Forward Voltage) | Vf | LED點亮所需嘅最小電壓,類似"啟動門檻"。 | 驅動電源電壓需≥Vf,多個LED串聯時電壓累加。 |
| 順向電流(Forward Current) | If | 使LED正常發光嘅電流值。 | 常採用恆流驅動,電流決定亮度同壽命。 |
| 最大脈衝電流(Pulse Current) | Ifp | 短時間內可承受嘅峰值電流,用於調光或閃光。 | 脈衝寬度同佔空比需嚴格控制,否則過熱損壞。 |
| 反向電壓(Reverse Voltage) | Vr | LED能承受嘅最大反向電壓,超過則可能擊穿。 | 電路中需防止反接或電壓衝擊。 |
| 熱阻(Thermal Resistance) | Rth(°C/W) | 熱量從芯片傳到焊點嘅阻力,值越低散熱越好。 | 高熱阻需更強散熱設計,否則結溫升高。 |
| 靜電放電耐受(ESD Immunity) | V(HBM),例如1000V | 抗靜電打擊能力,值越高越不易被靜電損壞。 | 生產中需做好防靜電措施,尤其高靈敏度LED。 |
三、熱管理與可靠性
| 術語 | 關鍵指標 | 通俗解釋 | 影響 |
|---|---|---|---|
| 結溫(Junction Temperature) | Tj(°C) | LED芯片內部嘅實際工作溫度。 | 每降低10°C,壽命可能延長一倍;過高導致光衰、色漂移。 |
| 光衰(Lumen Depreciation) | L70 / L80(小時) | 亮度降至初始值70%或80%所需時間。 | 直接定義LED嘅"使用壽命"。 |
| 流明維持率(Lumen Maintenance) | %(例如70%) | 使用一段時間後剩餘亮度嘅百分比。 | 表徵長期使用後嘅亮度保持能力。 |
| 色漂移(Color Shift) | Δu′v′ 或 麥克亞當橢圓 | 使用過程中顏色嘅變化程度。 | 影響照明場景嘅顏色一致性。 |
| 熱老化(Thermal Aging) | 材料性能下降 | 因長期高溫導致嘅封裝材料劣化。 | 可能導致亮度下降、顏色變化或開路失效。 |
四、封裝與材料
| 術語 | 常見類型 | 通俗解釋 | 特點與應用 |
|---|---|---|---|
| 封裝類型 | EMC、PPA、陶瓷 | 保護芯片並提供光學、熱學介面嘅外殼材料。 | EMC耐熱好、成本低;陶瓷散熱優、壽命長。 |
| 芯片結構 | 正裝、倒裝(Flip Chip) | 芯片電極佈置方式。 | 倒裝散熱更好、光效更高,適用於高功率。 |
| 螢光粉塗層 | YAG、硅酸鹽、氮化物 | 覆蓋喺藍光芯片上,部分轉化為黃/紅光,混合成白光。 | 唔同螢光粉影響光效、色溫同顯色性。 |
| 透鏡/光學設計 | 平面、微透鏡、全反射 | 封裝表面嘅光學結構,控制光線分佈。 | 決定發光角度同配光曲線。 |
五、質量控制與分檔
| 術語 | 分檔內容 | 通俗解釋 | 目的 |
|---|---|---|---|
| 光通量分檔 | 代碼例如 2G、2H | 按亮度高低分組,每組有最小/最大流明值。 | 確保同一批產品亮度一致。 |
| 電壓分檔 | 代碼例如 6W、6X | 按順向電壓範圍分組。 | 便於驅動電源匹配,提高系統效率。 |
| 色區分檔 | 5-step MacAdam橢圓 | 按顏色坐標分組,確保顏色落喺極細範圍內。 | 保證顏色一致性,避免同一燈具內顏色不均。 |
| 色溫分檔 | 2700K、3000K等 | 按色溫分組,每組有對應嘅坐標範圍。 | 滿足唔同場景嘅色溫需求。 |
六、測試與認證
| 術語 | 標準/測試 | 通俗解釋 | 意義 |
|---|---|---|---|
| LM-80 | 流明維持測試 | 喺恆溫條件下長期點亮,記錄亮度衰減數據。 | 用於推算LED壽命(結合TM-21)。 |
| TM-21 | 壽命推演標準 | 基於LM-80數據推算實際使用條件下嘅壽命。 | 提供科學嘅壽命預測。 |
| IESNA標準 | 照明工程學會標準 | 涵蓋光學、電氣、熱學測試方法。 | 行業公認嘅測試依據。 |
| RoHS / REACH | 環保認證 | 確保產品不含有害物質(例如鉛、汞)。 | 進入國際市場嘅准入條件。 |
| ENERGY STAR / DLC | 能效認證 | 針對照明產品嘅能效同性能認證。 | 常用於政府採購、補貼項目,提升市場競爭力。 |