LTST-C198KGKT SMD LED 規格書 - 0.2mm 超薄 - 2.6V 正向電壓 - AlInGaP 綠色 - 78mW 功率 - 粵語技術文件

1. 產品概覽

LTST-C198KGKT 係一款專為現代、緊湊嘅電子應用而設計嘅超薄表面貼裝晶片LED。佢嘅主要特點係極低嘅厚度，只有0.2毫米，非常適合空間同元件高度係關鍵限制嘅裝置。呢款器件採用AlInGaP（磷化鋁銦鎵）半導體材料，產生高亮度嘅綠光輸出。佢採用業界標準嘅8mm載帶包裝，捲盤直徑為7英寸，確保兼容高速自動貼片組裝設備同紅外回流焊接製程。呢款LED被歸類為綠色產品，並符合RoHS（有害物質限制）指令。

1.1 核心優勢

呢個元件嘅主要優勢嚟自佢嘅微型化同性能嘅結合。0.2mm嘅厚度允許整合到極薄嘅產品中。相比傳統材料，AlInGaP晶片技術提供更優越嘅發光效率，令細小外形尺寸下都能有高亮度。完全兼容自動化SMT（表面貼裝技術）組裝線，簡化製造流程並降低生產成本。佢嘅設計亦兼容I.C.（集成電路），可以直接由標準邏輯電平輸出驅動。

2. 技術參數深入分析

呢部分對規格書中指定嘅電氣、光學同熱特性提供詳細、客觀嘅分析。

2.1 絕對最大額定值

呢啲額定值定義咗器件可能發生永久損壞嘅應力極限，唔適用於正常操作。最大連續正向電流（DC）為30 mA。允許更高嘅峰值正向電流80 mA，但僅限於脈衝條件下，佔空比為1/10，脈衝寬度為0.1ms，以防止過熱。可以施加嘅最大反向電壓為5V。超過此值可能導致結擊穿。器件最多可以耗散78 mW嘅功率。工作溫度範圍係-30°C至+85°C，儲存溫度範圍係-40°C至+85°C。對於焊接，佢可以承受最高260°C嘅紅外回流峰值溫度，最長10秒。

2.2 電氣與光學特性

除非另有說明，呢啲參數係喺25°C環境溫度同20 mA正向電流（IF）嘅標準測試條件下測量嘅。發光強度（Iv）嘅典型值為60.0毫坎德拉（mcd），最小指定值為36.0 mcd。呢個強度係使用模擬人眼明視覺反應嘅傳感器同濾光片測量嘅。視角（2θ1/2）定義為強度下降到軸上值一半時嘅全角，為130度，表示寬廣嘅視覺模式。主波長（λd）定義咗感知嘅顏色，為570 nm（綠色）。峰值發射波長（λp）為574 nm。譜線半寬（Δλ）為15 nm，描述光譜純度。正向電壓（VF）喺20mA時通常範圍為2.1V至2.6V。當施加5V反向偏壓時，反向電流（IR）最大為10.0 μA。

3. 分級系統說明

為確保生產一致性，LED會根據性能分級。LTST-C198KGKT採用基於發光強度同主波長嘅二維分級系統。

3.1 發光強度分級

發光強度分為三個級別：N2（36.0 - 45.0 mcd）、P（45.0 - 71.0 mcd）同Q（71.0 - 112.0 mcd）。每個級別內有+/-15%嘅公差。咁樣設計師就可以根據應用所需嘅亮度水平選擇LED，確保使用多個LED嘅產品視覺均勻性。

3.2 主波長分級

決定綠色確切色調嘅主波長分為三個級別：C（567.5 - 570.5 nm）、D（570.5 - 573.5 nm）同E（573.5 - 576.5 nm）。每個級別嘅公差為+/- 1 nm。對於顏色一致性重要嘅應用（例如狀態指示燈或全彩顯示屏），呢種嚴格控制至關重要。

4. 性能曲線分析

雖然規格書中引用咗特定圖表（圖1、圖5），但可以討論佢哋嘅含義。正向電流（IF）同正向電壓（VF）之間嘅關係通常係指數關係，遵循二極管方程。設計師設計限流電路時必須考慮VF範圍。發光強度與正向電流曲線喺工作範圍內通常係線性嘅，但會因為熱效應喺較高電流下飽和。正向電壓嘅溫度依賴性係負嘅（VF隨溫度升高而降低），呢個係半導體二極管嘅標準特性。光譜分佈曲線會顯示喺574 nm處有一個峰值，半高寬為15 nm。

5. 機械與包裝信息

5.1 封裝尺寸與極性

呢款LED採用EIA標準封裝外形。陰極喺載帶同捲盤包裝圖中清晰標識。規格書中提供精確嘅尺寸圖，所有尺寸以毫米為單位，一般公差為±0.10 mm。超薄0.2mm厚度係一個關鍵嘅機械規格。

5.2 推薦焊盤設計

提供建議嘅焊盤佈局，以確保回流焊接期間形成可靠嘅焊點同正確對齊。建議包括最大鋼網厚度為0.08mm，以控制錫膏量並防止呢個非常細小嘅元件發生橋接或立碑。

6. 焊接與組裝指南

6.1 回流焊接溫度曲線

提供符合JEDEC標準嘅無鉛焊接製程建議紅外回流溫度曲線。關鍵參數包括預熱區150-200°C，最長預熱時間120秒，峰值溫度不超過260°C，以及液相線以上時間（喺峰值溫度）限制為最長10秒。呢個曲線旨在最小化LED封裝上嘅熱應力，同時確保適當嘅焊料回流。

6.2 儲存與處理條件

靜電放電（ESD）可能會損壞LED。必須使用接地手腕帶並喺適當接地嘅設備上處理。對於儲存，未開封嘅防潮袋連乾燥劑應保持喺≤30°C同≤90% RH，保質期為一年。一旦開封，LED應儲存喺≤30°C同≤60% RH嘅環境中，並喺一週內使用。如果喺原袋外儲存更長時間，喺焊接前應喺60°C下烘烤至少20小時，以去除吸收嘅水分並防止回流期間發生"爆米花"效應。

6.3 清潔

如果焊接後需要清潔，應僅使用指定溶劑。建議將LED浸入室溫下嘅乙醇或異丙醇中少於一分鐘。未指定嘅化學品可能會損壞封裝材料或透鏡。

7. 包裝與訂購信息

標準包裝係直徑7英寸（178mm）捲盤上嘅8mm載帶。每個完整捲盤包含5000件。對於少於完整捲盤嘅數量，剩餘批次嘅最小包裝數量為500件。載帶同捲盤規格遵循ANSI/EIA 481標準。載帶有頂蓋保護元件，載帶中允許嘅連續缺失元件最大數量為兩個。

8. 應用建議

8.1 典型應用場景

呢款LED適用於普通電子設備。佢嘅薄型設計使其成為超薄消費電子產品（智能手機、平板電腦、筆記本電腦）背光、便攜設備狀態指示燈以及儀器儀表面板照明嘅理想選擇。佢嘅高亮度同寬視角適合需要良好可見性嘅應用。

8.2 設計考慮因素

電路設計師必須實施適當嘅限流，通常使用串聯電阻，以確保正向電流不超過30 mA嘅最大直流額定值。電源設計中必須考慮正向電壓變化（2.1V至2.6V）。對於多LED陣列中嘅視覺均勻性，指定來自相同強度同波長級別嘅LED至關重要。PCB佈局必須遵循推薦嘅焊盤尺寸同鋼網指引，以確保可靠組裝。

9. 技術比較與差異化

LTST-C198KGKT嘅主要差異在於佢極薄（0.2mm）同使用AlInGaP技術嘅結合。相比舊式GaP（磷化鎵）綠色LED，AlInGaP提供顯著更高嘅發光效率同更好嘅溫度穩定性。相比其他薄型LED，其指定嘅130度視角明顯更寬，提供更好嘅離軸可見性。佢與標準紅外回流同載帶捲盤包裝嘅兼容性，使其成為自動化大批量生產嘅即用解決方案，唔似某啲舊式通孔或手動放置嘅LED。

10. 常見問題（基於技術參數）

問：我可以直接用3.3V或5V微控制器引腳驅動呢個LED嗎？

答：唔可以。你必須使用限流電阻。正向電壓最大約為2.6V。直接連接3.3V會導致過大電流流過，可能損壞LED。使用公式 R = (Vcc - Vf) / If 計算電阻值。

問："峰值正向電流"額定值係咩意思？

答：意思係你可以短暫地用高達80mA嘅電流脈衝LED以實現更高嘅瞬時亮度，但僅限於非常特定嘅條件下：脈衝寬度0.1ms，佔空比10%或更低。呢個唔係用於連續操作。

問：如果LED喺袋外儲存，點解需要烘烤？

答：塑膠封裝會從空氣中吸收水分。喺回流焊接嘅快速加熱過程中，呢啲水分可能會急劇蒸發，導致內部分層或開裂（"爆米花"效應）。烘烤可以驅除呢啲吸收嘅水分。

11. 實用設計案例

考慮為可穿戴設備設計一個狀態指示燈。該設備有一個剛撓結合PCB，指示燈區域嘅高度限制低於0.3mm。厚度為0.2mm嘅LTST-C198KGKT非常適合。需要一個綠色指示燈顯示"已充滿電"。設計師選擇強度級別"P"同波長級別"D"嘅LED，以確保所有單元嘅顏色同亮度一致。LED通過一個限流電阻從設備嘅3.0V電池軌驅動，電流為15 mA（遠低於30 mA最大值），提供充足亮度同時功耗低。PCB佈局使用推薦嘅焊盤幾何形狀，組裝廠使用提供嘅回流溫度曲線，從而實現可靠、高良率嘅生產。

12. 技術原理介紹

呢款LED基於由AlInGaP材料製成嘅半導體p-n結。當施加正向電壓時，電子同空穴被注入到有源區，喺度佢哋復合。呢個復合過程以光子（光）嘅形式釋放能量。AlInGaP合金嘅特定成分決定咗半導體嘅帶隙能量，直接定義咗發射光嘅波長（顏色）——喺呢個情況下，係大約570 nm嘅綠光。超薄封裝係通過使用晶片級LED裸片同最少嘅封裝材料實現嘅，唔同於帶有模製塑膠透鏡嘅傳統LED。

13. 技術趨勢

指示燈同背光LED嘅趨勢繼續朝向進一步微型化、更高效率同更好顏色一致性發展。封裝高度正從0.2mm向更薄嘅外形發展。越來越多地使用先進半導體材料，如InGaN（用於藍/綠/白光）同AlInGaP（用於紅/橙/黃/綠光），以取代效率較低嘅材料。集成係另一個趨勢，多LED陣列或LED與驅動IC結合喺單一封裝中。此外，對能源效率嘅追求推動更高嘅每瓦流明評級，降低最終應用中嘅功耗。自動化測試同更嚴格嘅分級規格正成為標準，以滿足高分辨率顯示屏同需要精確顏色匹配嘅應用需求。