UV LED RF-C65S6-U※P-AR-04 規格 - 尺寸 6.6x6.6x4.6mm - 電壓 12.8-15.2V - 功率 15.2W - UV 365-410nm

1. 產品概述

RF-C65S6-U※P-AR-04 係一款專為需要喺 365–410 nm 波長範圍內提供可靠紫外線輻射嘅工業應用而設計嘅高功率紫外線 (UV) LED。佢採用緊湊嘅陶瓷封裝配石英透鏡，提供出色嘅熱性能同高輻射通量。封裝尺寸為 6.6 mm × 6.6 mm × 4.6 mm，適合自動化 SMT 組裝。呢個元件嘅視角為 60°，額定最大功耗為 15.2 W。典型正向電壓喺 700 mA 下介乎 12.8 V 至 15.2 V，具體取決於波長分級。RF-C65S6 符合 RoHS 標準，濕敏等級為 3 (MSL 3)。

2. 技術參數分析

2.1 電氣與光學特性

喺焊錫溫度25°C同正向電流700 mA嘅條件下，正向電壓（VF）分為三個子組別：D04（12.8–13.6 V）、D05（13.6–14.4 V）同D06（14.4–15.2 V）。喺VR = 20 V時，反向電流（IR）細過5 µA。總輻射通量（Φe）按波長代碼分類：

• 365–370 nm (UBP)：1B42（3550 mW 最小值，4500 mW 最大值），1B43（4500–6300 mW），1B44（6300–7100 mW）
• 380–390 nm (UEP)：1B42（3550–4500 mW），1B43（4500–6300 mW），1B44（6300–7100 mW）
• 390–400 nm (UGP)：同UEP嘅分級一樣
• 400–410 nm (UIP)：同UEP嘅分箱方式

测量公差：VF ±0.1 V，波长 ±2 nm，辐射通量 ±10%。所有测量均喺标准化嘅Refond测试条件下进行。

2.2 絕對最大額定值

器件唔可以超出以下限制：功耗PD = 15.2 W，峰值正向电流IFP = 1000 mA（1/10占空比，0.1 ms脉宽），反向电压VR = 20 V，ESD (HBM) = 2000 V。工作温度范围：-40°C 至 +80°C；储存温度：-40°C 至 +100°C；结温：最高105°C。结温唔可以超过105°C；必须做好适当嘅热管理。

2.3 熱特性

喺700 mA电流下，从结到焊点嘅热阻（RTHJ-S）典型值为4.5 °C/W。呢个低热阻系通过陶瓷封装设计实现嘅，能够有效将热量从LED晶片传导出去。

3. 分級系統說明

3.1 電壓分級

正向電壓分為三個主要級別：D04（12.8–13.6 V）、D05（13.6–14.4 V）、D06（14.4–15.2 V）。咁樣可以讓客戶選擇正向電壓匹配嘅LED，用喺串聯或並聯配置，減少電流唔平衡嘅情況。

3.2 輻射通量分級

每個波長範圍嘅輻射通量分為1B42（3550–4500 mW）、1B43（4500–6300 mW）同1B44（6300–7100 mW）。分級代碼會標示喺產品標籤上（例如：1B43）。較高嘅通量級別需要更好嘅熱管理，以保持可靠性。

3.3 波長分級

該產品系列包括四種波長變體：UBP (365–370 nm)、UEP (380–390 nm)、UGP (390–400 nm) 同 UIP (400–410 nm)。準確嘅波長代碼係零件編號後綴嘅一部分（例如：RF-C65S6-UBP-AR-04）。

4. 性能曲線分析

4.1 正向電壓 vs. 正向電流

喺25°C下嘅典型VF–IF曲線顯示，對於365 nm、385 nm、395 nm同405 nm版本，正向電壓會隨電流增加而上升。喺700 mA時，VF根據分檔大約介乎12.8 V至15.2 V。喺1000 mA峰值時，VF可能會超過15.5 V。

4.2 相對輻射通量 vs. 正向電流

相對輸出（以700 mA歸一化）隨電流增加而近乎線性上升。喺700 mA時，相對強度為100%；喺350 mA時，下降到大約50%；喺140 mA時，大約20%。呢種線性關係有助於調光應用。

4.3 溫度依賴性

隨著焊料溫度升高，相對輻射通量會下降。喺105°C時，輸出降至約25°C時數值嘅70%。最大正向電流降額曲線顯示，喺80°C環境溫度下，容許電流會降低到大約500 mA，以保持接點溫度低於105°C。

4.4 光譜分佈

光譜以標稱波長為中心，半高全寬（FWHM）約為10–15 nm。365 nm版本喺400 nm以外嘅發射可忽略不計，而405 nm版本則稍微延伸至可見嘅紫光區域。

4.5 輻射模式

視角（2θ1/2）為60°，即係喺光軸±30°位置嘅強度係峰值嘅一半。輻射模式類似朗伯體分佈但稍窄，適合需要中等光束擴散嘅應用。

5. 機械與封裝資訊

5.1 封裝尺寸與焊墊設計

呢款LED嘅主體係正方形，尺寸為6.6 mm × 6.6 mm，高度4.6 mm。底部視圖顯示兩個大嘅陰極同陽極焊墊（每個3.94 mm × 2.90 mm），加上一個較細嘅散熱焊墊。極性係透過封裝上嘅倒角標示。提供咗建議嘅焊接圖案（footprint）連同尺寸；陽極焊墊係6.30 mm × 3.94 mm，陰極焊墊係6.30 mm × 2.90 mm，之間有0.5 mm嘅間距。除非另有註明，所有公差都係±0.2 mm。

5.2 載帶與捲盤

呢款LED係用載帶封裝，帶寬16 mm，間距4 mm，口袋深度配合封裝高度。每個卷盤包含1000件。卷盤尺寸：法蘭直徑325±1 mm，輪轂直徑105±1 mm，寬度20±0.5 mm，軸孔13.0±0.5 mm。

5.3 標籤資訊

標籤包含零件編號、規格編號、批次編號、分級代碼（Φe、VF、WLP）、數量及日期。分級代碼提供輻射通量分級（例如：1B43）、正向電壓分級（例如：D05）及波長代碼（例如：365）。

6. 焊接與組裝指引

6.1 回流焊接溫度曲線

建議的回流焊接曲線：預熱由150°C至200°C，持續60至120秒；升溫至217°C（最高每秒3°C）；高於217°C的時間最多60秒；峰值溫度260°C，最長10秒（峰值±5°C內最多30秒）；降溫速度最高每秒6°C。由25°C升至峰值的總時間不應超過8分鐘。只允許兩次回流焊接循環，兩次循環之間應相隔少於24小時，以避免吸濕。

6.2 手焊與維修

如需手焊，請使用設定低於300°C的烙鐵，焊接時間少於3秒，且只進行一次。不建議在回流焊接後進行維修；如無法避免，請使用雙頭烙鐵，並事先確認LED的特性。

6.3 儲存與處理注意事項

打開防潮袋之前，需喺≤30°C 同 ≤75% 相對濕度嘅環境下儲存，最長可存放一年。打開之後，產品必須喺24小時內，喺≤30°C/≤60% 相對濕度嘅條件下使用。如果濕度指示卡顯示已受潮，或者超過儲存期限，使用前需喺60±5°C 烘烤≥24小時。焊接後冷卻期間，唔好施加機械力或震動。避免急速冷卻。

7. 包裝與訂購資訊

7.1 包裝流程

每個卷軸會放入一個防潮袋，袋入面附有乾燥劑同濕度指示卡。袋口密封後，再放入紙箱包裝。紙箱上會標明產品規格、數量同處理警告。整個處理過程中需要採取ESD防護措施。

7.2 可靠性测试

該LED符合以下可靠性標準（樣本數量10件，接受0，拒絕1）：

• 回流焊：260°C，10秒，3次循環（JESD22-B106）
• 熱衝擊：-40°C至100°C，停留15分鐘，100次循環（JESD22-A106）
• 壽命測試：25°C，700 mA，1000小時（JESD22-A108）

Failure criteria: forward voltage > 1.1× USL; reverse current > 2.0× USL; radiant flux < 0.7× LSL.

8. 应用建议

RF-C65S6 非常適合用於油墨、膠黏劑同塗層嘅UV固化，以及UV消毒（特別係365 nm同385 nm型號）。佢亦可以用於光療、防偽檢測同螢光激發。為達最佳效果，系統設計時應配備足夠嘅散熱裝置，確保焊點溫度低於80°C。使用恆流驅動器並加上適當嘅限流電阻。操作期間確保LED唔會承受反向電壓。喺高環境溫度下，應根據溫度對電流曲線降低正向電流，以防止接點過熱。

9. 与竞争技术比较

相比傳統水銀燈，呢款UV LED提供即時開關、更長使用壽命（喺受控條件下以700 mA額定運行1000小時）、更低操作電壓，而且不含水銀。陶瓷封裝比塑膠封裝有更好嘅導熱性能，從而實現更高功率密度。不過，每單位嘅初始成本可能高於低功率UV LED；但由於維護同能源消耗減少，整體擁有成本通常更低。

10. 常见问题

1. 我可唔可以用高過700 mA嘅電流驅動呢款LED？ 峰值電流可以高達1000 mA（脈衝模式），但持續操作超過700 mA可能會超出最大接點溫度。必須做好適當嘅熱管理。
2. 典型使用壽命係幾耐？ 可靠性測試確保喺700 mA同25°C下可運作1000小時；如果結溫保持喺105°C以下，實際使用壽命喺真實環境下可能會更長。
3. 我可唔可以用呢款LED做水消毒？ 可以，特別係365 nm版本，但要確保LED妥善密封以防潮濕。LED本身唔防水；系統必須提供環境保護。
4. 建議用邊種錫膏？ 適合用熔點約217°C嘅無鉛錫膏。使用0.1–0.15 mm嘅鋼網厚度以確保適當嘅錫量。
5. 焊接後點樣清潔LED？ 用異丙醇清潔。唔好使用超聲波清潔，因為可能會損壞矽膠透鏡或焊線。

11. 實際設計案例

案例1：用於3D打印嘅UV固化陣列。 一個由10粒LED（365 nm，1B43 bin）組成嘅線性陣列，每粒以700 mA驅動，總功率約52 W。LED安裝喺銅基MCPCB上，並採用強制風冷。該陣列喺50 mm × 10 mm嘅面積上可達到200 mW/cm²嘅均勻輻照度。

案例2：UV消毒模組。 四粒385 nm LED（1B42 bin）以2×2陣列排列，並配備反射器將光線集中成30°光束。該模組用於醫療櫃內嘅表面消毒，以500 mA操作以減少熱負荷。系統包含一個計時器以確保足夠嘅UV劑量。

12. 基本原則

UV LED透過半導體p-n結嘅電致發光產生光線。有源區通常基於AlGaN或InGaN材料，波長由銦/鎵比例決定。陶瓷封裝使用高導熱基板從晶粒中提取熱量，而石英透鏡則提供高UV穿透率同機械保護。由於耗盡層較薄，LED對ESD好敏感；喺製造同組裝過程中做好ESD保護至關重要。

13. 技術趨勢

UV LED市場正朝向更高功率密度同更低成本發展。未來發展包括提升wall-plug效率（目前UVA大約係30–40%）、延長使用壽命，以及喺惡劣條件下提高可靠性。多晶片模組喺高功率應用中越嚟越常見。趨勢仲包括將UV LED同感測器及物聯網連接整合，用於智能消毒系統。隨住技術成熟，UV LED將會喺更多應用中取代傳統水銀燈。