目錄
- 1. 產品概述
- 1.1 功能特點
- 1.2 應用領域
- 2. 封裝尺寸
- 3. 額定值與特性
- 3.1 絕對最大額定值
- 3.2 電氣與光學特性
- 3.3 靜電放電 (ESD) 注意事項
- 4. Bin Rank System
- 4.1 Forward Voltage (VF) Rank
- 4.2 發光強度 (IV) 等級
- 4.3 色調 (主波長, λd) 等級
- 5. 典型性能曲線
- 6. 使用者指南與組裝資訊
- 6.1 清潔
- 6.2 建議的PCB焊盤佈局
- 6.3 捲帶式包裝
- 7. 注意事項與操作說明
- 7.1 應用範圍
- 7.2 儲存條件
- 7.3 焊接建議
- 8. 設計考量與應用說明
- 8.1 電流驅動
- 8.2 熱管理 儘管功耗相對較低(62.5mW),PCB上的有效熱管理仍然非常重要,特別是在高環境溫度下或多顆LED緊密排列時。PCB焊墊佈局可作為散熱器使用。確保連接至散熱焊墊的銅箔面積充足,有助於維持較低的接面溫度,從而保持光輸出效能與使用壽命。 8.3 光學設計
- 9. 技術原理:AlInGaP 技術
- 10. 比較與選擇指南
- 11. 常見問題 (FAQs)
- 11.1 Peak Wavelength 與 Dominant Wavelength 有何區別?
- 11.2 我能否使用 3.3V 電源而不加電阻來驅動此 LED?
- 11.3 我該如何解讀分檔代碼(例如,LTST-C950KGKT)?
- 11.4 如果袋子開封超過一週,為何需要進行烘烤?
1. 產品概述
本文件提供專為自動化組裝製程設計之高亮度表面黏著型LED的完整技術規格。該元件採用先進的AlInGaP(磷化鋁銦鎵)半導體晶片產生綠光,在緊湊封裝中提供卓越的發光效率與可靠性,其設計旨在整合於空間受限的電子應用,此類應用對性能一致性與製造便利性具有關鍵要求。
1.1 功能特點
- 符合RoHS(危害性物質限制指令)規範。
- 採用圓頂透鏡設計,以優化光輸出和視角。
- 採用超亮AlInGaP晶片技術。
- 供應於業界標準的8毫米載帶,捲繞於7英吋直徑的捲盤,適用於自動化貼裝設備。
- 相容於標準紅外線(IR)迴焊製程。
- 邏輯位準相容的驅動電流。
1.2 應用領域
此LED適用於多個產業中廣泛的指示燈與背光功能,包括:
- 電信設備(例如:行動電話、網路交換機)。
- 辦公室自動化設備(例如:印表機、掃描器)。
- 消費性家電。
- 工業控制面板與設備。
- 鍵盤與鍵盤背光。
- 狀態與權力指標。
- 微型顯示器與象徵性光源。
2. 封裝尺寸
該LED採用標準表面黏著裝置(SMD)封裝。透鏡顏色為透明無色,光源為發射綠光的AlInGaP晶片。除非另有說明,所有尺寸公差均為±0.1毫米。請參閱原始資料手冊中的尺寸圖,以獲取元件本體、陰極識別標記和焊盤佈局的精確測量值。
3. 額定值與特性
3.1 絕對最大額定值
超出這些限制的應力可能會對元件造成永久性損壞。所有額定值均在環境溫度 (Ta) 為 25°C 時指定。
- Power Dissipation (Pd): 62.5 mW
- 峰值順向電流 (IF(peak)): 60 mA (於 1/10 工作週期,0.1ms 脈衝寬度)
- 連續順向電流 (IF): 25 mA DC
- 逆向電壓 (VR): 5 V
- 工作溫度範圍: -30°C 至 +85°C
- 儲存溫度範圍: -40°C 至 +85°C
- 紅外迴焊條件: 峰值溫度 260°C,最長持續時間 10 秒。
3.2 電氣與光學特性
典型性能參數於Ta=25°C及IF=20mA條件下量測,除非另有註明。
- 發光強度 (IV): 280 - 1120 mcd (毫坎德拉)。具體數值由分級檔位決定。
- 視角 (2θ1/2): 25度(離軸角度,此處光強為軸上值的一半)。
- 峰值發射波長 (λP): 574.0 nm (典型值)。
- 主波長 (λd): 564.5 - 576.5 nm (依分級而定)。
- 譜線半高寬 (Δλ): 15 nm (典型值).
- 順向電壓 (VF): 1.8 - 2.4 V.
- 逆向電流 (IR): 在 V =5V 時最大為 10 µA。R=5V。
量測注意事項: 光強度是使用經過濾波以匹配 CIE 明視覺眼睛響應曲線的感測器進行量測。主波長是從 CIE 色度圖推導得出。
3.3 靜電放電 (ESD) 注意事項
本裝置對靜電放電和電湧敏感。在處理和組裝過程中必須實施適當的靜電放電控制措施。建議包括使用接地腕帶、防靜電手套,並確保所有設備和工作站均已正確接地。
4. Bin Rank System
為確保生產中的色彩與亮度一致性,裝置會根據關鍵參數進行分檔。這讓設計師能選擇符合其特定容差需求的LED。
4.1 Forward Voltage (VF) Rank
分箱於 IF=20mA。每個分箱的容差為 ±0.1V。
- D2: 1.8V (最小) - 2.0V (最大)
- D3: 2.0V (Min) - 2.2V (Max)
- D4: 2.2V (最小值) - 2.4V (最大值)
4.2 發光強度 (IV) Rank
分箱於 IF=20mA. 每檔容差為 ±15%。
- T: 280.0 mcd (最小值) - 450.0 mcd (最大值)
- U: 450.0 mcd (最小值) - 710.0 mcd (最大值)
- V: 710.0 mcd (最小值) - 1120.0 mcd (最大值)
4.3 色調 (主波長, λd) Rank
分箱於 IF=20mA。每個分檔的容差為 ±1 nm。
- B: 564.5 nm (最小值) - 567.5 nm (最大值)
- C: 567.5 nm (最小值) - 570.5 nm (最大值)
- D: 570.5 nm (最小值) - 573.5 nm (最大值)
- E: 573.5 nm (最小值) - 576.5 nm (最大值)
5. 典型性能曲線
該資料表包含了典型條件下(除非另有說明,均為25°C)關鍵特性的圖形化表示。這些曲線對於理解元件在不同操作條件下的行為至關重要。
- 相對發光強度 vs. 順向電流: 顯示光輸出如何隨驅動電流增加,通常呈現次線性關係,凸顯效率變化。
- 順向電壓 vs. 順向電流: 闡述二極體的電流-電壓特性,此特性對於設計限流電路至關重要。
- 相對發光強度 vs. 環境溫度: 展示光輸出的熱降額,這對於高溫或高功率應用至關重要。
- Spectral Distribution: 描繪相對輻射功率作為波長的函數,以峰值波長為中心,顯示出AlInGaP LED典型的窄頻寬特性。
6. 使用者指南與組裝資訊
6.1 清潔
未指定的化學清潔劑可能會損壞LED封裝。若焊接後需要清潔,請將LED在室溫下浸入乙醇或異丙醇中,時間不超過一分鐘。
6.2 建議的PCB焊盤佈局
提供建議的印刷電路板焊盤圖案(封裝佔位),以確保迴焊過程中形成適當的焊點、機械穩定性及散熱效果。遵循此佈局有助於實現可靠的組裝。
6.3 捲帶式包裝
LED 以壓紋載帶(寬度 8mm)供應,捲繞於直徑 7 英吋(178mm)的捲盤上。此包裝符合 EIA-481 標準,適用於自動化處理。
- 捲盤容量:每捲2000件。
- 零料最低訂購量:500件。
- 膠帶以覆蓋膠帶密封,以保護元件。
- 最多允許連續兩個空袋。
7. 注意事項與操作說明
7.1 應用範圍
這些LED專為標準商業及工業電子設備設計。未經事先諮詢與特定認證,不得用於故障可能直接危及生命或健康的安全關鍵應用(例如:航空、醫療生命維持系統、交通控制)。
7.2 儲存條件
- Sealed Moisture Barrier Bag (MBB): 儲存於 ≤ 30°C 且 ≤ 90% 相對濕度 (RH) 環境下。在含有乾燥劑的密封袋內,保存期限為一年。
- 開袋後: 儲存環境不得超過30°C / 60% RH。從MBB中取出的元件應在一週內進行IR迴流焊接(濕度敏感等級3,MSL 3)。若需在原始包裝袋外長時間儲存,請存放於帶有乾燥劑的密封容器或氮氣乾燥櫃中。在MBB外儲存超過一週的元件,在焊接前需以約60°C烘烤至少20小時,以防止迴流焊過程中發生「爆米花」分層現象。
7.3 焊接建議
此裝置相容於紅外線迴焊製程。建議採用無鉛製程設定。
- 迴焊:
- 預熱溫度:150°C – 200°C
- 預熱時間:最長 120 秒
- 本體峰值溫度:最高 260°C
- 溫度高於260°C的時間:最多10秒
- 最大迴流焊次數:兩次
- 手工焊接(烙鐵):
- 烙鐵頭溫度:最高300°C
- 接觸時間:每個焊點最多3秒
- 最大手動焊接次數:一次
注意: 最佳迴焊曲線取決於特定的PCB設計、錫膏及迴焊爐。所提供的條件是基於JEDEC標準的指導原則。建議針對特定組裝線進行特性分析。
8. 設計考量與應用說明
8.1 電流驅動
務必使用恆流源或透過串聯限流電阻來驅動LED。為確保使用壽命,必須在最大連續順向電流(25mA)或以下操作。順向電壓會因分檔而異(1.8V至2.4V),因此限流電路必須以最大Vf進行設計。F 在所選的區間內,以確保在所有條件下電流均適當。
8.2 熱管理
儘管功耗相對較低(62.5mW),PCB上的有效熱管理仍然很重要,特別是在高環境溫度下或多個LED緊密排列時。PCB焊盤佈局可作為散熱器。確保連接到熱焊盤的銅箔面積充足,有助於維持較低的接面溫度,從而保持光輸出和操作壽命。
8.3 光學設計
25度視角提供相對集中的光束。對於需要更廣泛照明的應用,必須考慮二次光學元件(例如擴散片、導光板)。水清透鏡適用於LED熄滅時晶片顏色不成問題的應用。
9. 技術原理:AlInGaP 技術
此LED使用生長在基板上的磷化鋁銦鎵(AlInGaP)半導體材料。通過在主動區調整這些元素的比例,能帶隙能量被調諧以發射綠-黃-橙-紅光譜的光。與GaAsP等舊技術相比,AlInGaP技術以其高內部量子效率及在升高溫度下的優異性能而聞名,從而實現更高的亮度和更好的色彩穩定性。
10. 比較與選擇指南
選擇SMD LED時,關鍵的區分因素包括:
- 晶片技術: AlInGaP(此處所用)與 InGaN(常用於藍/白/綠光)之比較。AlInGaP 通常在琥珀色至紅色光譜範圍內提供更高效率,而特定的綠色 AlInGaP 元件則能呈現獨特的色座標。
- 亮度(發光強度): 分檔系統(T、U、V)可依據所需亮度進行選擇,這會影響功耗與可見度。
- 色彩一致性(波長分檔): 嚴格的色調分檔(B至E)對於多顆LED間色彩匹配至關重要的應用極為關鍵。
- 視角: 25度角具有適中的聚焦效果。其他封裝提供更寬或更窄的角度,以滿足不同的光擴散需求。
- 封裝尺寸與散熱性能: 緊湊的SMD封裝節省了電路板空間,但需注意PCB的散熱設計以實現最佳性能。
11. 常見問題 (FAQs)
11.1 Peak Wavelength 與 Dominant Wavelength 有何區別?
峰值波長 (λP) 是指發射光功率達到最大值時的單一波長。主波長 (λd) 是單色光的單一波長,當與參考白光相比時,它與LED的感知顏色相匹配。λd 在以人為本的應用中,這對於顏色規範更為相關。
11.2 我能否使用 3.3V 電源而不加電阻來驅動此 LED?
不行。 順向電壓僅為1.8-2.4V。若直接連接到3.3V電源,將導致過大電流流過,可能超過絕對最大額定值並立即損壞LED。使用電壓源時,必須串聯一個限流電阻。
11.3 我該如何解讀分檔代碼(例如,LTST-C950KGKT)?
完整型號包含內部編碼。在採購時,關鍵的可選參數是順向電壓(D2/D3/D4)、發光強度(T/U/V)和主波長(B/C/D/E)分檔。應根據您設計的電氣和光學要求來指定這些參數。
11.4 如果袋子開封超過一週,為何需要進行烘烤?
SMD封裝元件會吸收大氣中的濕氣。在高溫迴焊過程中,這些被鎖住的濕氣會迅速汽化,產生內部壓力,可能導致封裝破裂或內部層分離(「爆米花效應」)。烘烤可去除這些吸收的濕氣。
LED規格術語
LED技術術語完整解說
光電性能
| 術語 | 單位/表示法 | 簡易說明 | 重要性 |
|---|---|---|---|
| 發光效率 | lm/W (流明每瓦) | 每瓦電力的光輸出,數值越高代表能源效率越好。 | 直接決定能源效率等級與電費成本。 |
| Luminous Flux | lm (流明) | 光源發出的總光量,通常稱為「亮度」。 | 判斷光線是否足夠明亮。 |
| 視角 | ° (度),例如:120° | 光強度降至一半時的角度,決定光束寬度。 | 影響照明範圍與均勻度。 |
| CCT (色溫) | K (克耳文),例如 2700K/6500K | 光線的暖/冷調,數值越低越偏黃/暖,越高越偏白/冷。 | 決定照明的氛圍與適用的場景。 |
| CRI / Ra | 無單位,0–100 | 準確呈現物體顏色的能力,Ra≥80為佳。 | 影響色彩真實性,用於商場、博物館等高要求場所。 |
| SDCM | MacAdam橢圓步階,例如「5步階」 | 色彩一致性指標,數值越小代表色彩一致性越高。 | 確保同一批次LED的色彩均勻一致。 |
| Dominant Wavelength | nm(奈米),例如:620nm(紅色) | 對應彩色LED顏色的波長。 | 決定紅色、黃色、綠色單色LED的色調。 |
| Spectral Distribution | 波長與強度關係曲線 | 顯示跨波長的強度分佈。 | 影響演色性與品質。 |
電氣參數
| 術語 | 符號 | 簡易說明 | 設計考量 |
|---|---|---|---|
| 順向電壓 | Vf | 點亮LED所需的最低電壓,類似「啟動閾值」。 | 驅動器電壓必須≥Vf,串聯LED的電壓會相加。 |
| Forward Current | If | 正常LED運作時的電流值。 | Usually constant current drive, current determines brightness & lifespan. |
| 最大脈衝電流 | Ifp | 短時間可耐受的峰值電流,用於調光或閃爍。 | Pulse width & duty cycle must be strictly controlled to avoid damage. |
| 反向電壓 | Vr | LED可承受的最大反向電壓,超過此值可能導致擊穿。 | 電路必須防止反接或電壓突波。 |
| Thermal Resistance | Rth (°C/W) | 從晶片到焊料的熱傳導阻力,數值越低越好。 | 高熱阻需要更強的散熱能力。 |
| ESD Immunity | V (HBM), e.g., 1000V | 抗靜電放電能力,數值越高表示越不易受損。 | 生產過程中需採取防靜電措施,特別是對於敏感的LED。 |
Thermal Management & Reliability
| 術語 | 關鍵指標 | 簡易說明 | 影響 |
|---|---|---|---|
| 接面溫度 | Tj (°C) | LED晶片內部實際工作溫度。 | 每降低10°C可能使壽命延長一倍;過高會導致光衰、色偏。 |
| Lumen Depreciation | L70 / L80 (小時) | 亮度降至初始值70%或80%所需時間。 | 直接定義LED的「使用壽命」。 |
| 光通維持率 | %(例如:70%) | 時間後亮度保留百分比。 | 表示長期使用下的亮度保持能力。 |
| Color Shift | Δu′v′ 或 MacAdam 橢圓 | 使用期間的顏色變化程度。 | 影響照明場景中的色彩一致性。 |
| Thermal Aging | Material degradation | 因長期高溫導致的劣化。 | 可能導致亮度下降、顏色變化或開路故障。 |
Packaging & Materials
| 術語 | 常見類型 | 簡易說明 | Features & Applications |
|---|---|---|---|
| 封裝類型 | EMC, PPA, Ceramic | 外殼材料保護晶片,提供光學/熱介面。 | EMC:良好的耐熱性,成本較低;陶瓷:散熱更佳,壽命更長。 |
| Chip Structure | 正面,覆晶 | 晶片電極排列。 | Flip chip:更佳的散熱效能、更高的效率,適用於高功率。 |
| Phosphor Coating | YAG, Silicate, Nitride | 覆蓋藍光晶片,將部分轉換為黃/紅光,混合成白光。 | 不同的螢光粉會影響光效、CCT和CRI。 |
| 透鏡/光學元件 | 平面、微透鏡、全內反射 | 控制光分佈的表面光學結構。 | 決定視角與光分佈曲線。 |
Quality Control & Binning
| 術語 | 分檔內容 | 簡易說明 | 目的 |
|---|---|---|---|
| Luminous Flux Bin | 代碼,例如:2G、2H | 按亮度分組,每組有最小/最大流明值。 | 確保同一批次亮度均勻。 |
| Voltage Bin | Code e.g., 6W, 6X | 依順向電壓範圍分組。 | 便於驅動器匹配,提升系統效率。 |
| 色彩分箱 | 5-step MacAdam ellipse | 依據色彩座標分組,確保範圍緊密。 | 保證色彩一致性,避免燈具內部顏色不均。 |
| CCT Bin | 2700K、3000K等。 | 依相關色溫分組,每組有對應的座標範圍。 | 滿足不同場景的相關色溫要求。 |
Testing & Certification
| 術語 | Standard/Test | 簡易說明 | 重要性 |
|---|---|---|---|
| LM-80 | 光通維持測試 | 恆溫長期點亮,記錄亮度衰減。 | 用於估算LED壽命(配合TM-21)。 |
| TM-21 | 壽命估算標準 | 根據LM-80數據估算實際條件下的壽命。 | 提供科學的壽命預測。 |
| IESNA | Illuminating Engineering Society | 涵蓋光學、電學、熱學測試方法。 | 業界公認的測試基準。 |
| RoHS / REACH | 環境認證 | 確保不含任何有害物質(鉛、汞)。 | 國際市場准入要求。 |
| ENERGY STAR / DLC | 能源效率認證 | 照明產品的能源效率與性能認證。 | 用於政府採購、補貼計畫,提升競爭力。 |