目錄
- 1. 產品概述
- 1.1 核心特色與優勢
- 2. 技術規格:深入分析
- 2.1 絕對最大額定值
- 2.2 電氣與光學特性
- 3. 分級系統說明
- 3.1 順向電壓分級
- 3.2 發光強度分級
- 3.3 主波長分級
- 4. 性能曲線分析
- 5. 機械與封裝資訊
- 5.1 物理尺寸
- 5.2 極性識別與焊墊設計
- 6. 焊接與組裝指南
- 6.1 迴焊溫度曲線
- 6.2 手動焊接
- 6.3 儲存與處理條件
- 6.4 清潔
- 7. 包裝與訂購資訊
- 8. 應用建議
- 8.1 典型應用場景
- 8.2 設計考量與注意事項
- 9. 技術比較與差異化
- 10. 常見問題(基於技術參數)
- 11. 實用設計與使用範例
- 12. 技術原理簡介
- 13. 產業趨勢與發展
1. 產品概述
LTST-C191TBKT 是一款表面黏著元件(SMD)發光二極體(LED),專為現代空間受限的電子應用而設計。它屬於超薄晶片 LED 類別,其顯著特點是僅有 0.55 毫米的極低厚度。這使其成為超薄消費性電子產品背光、可攜式裝置指示燈以及垂直空間寶貴的狀態顯示器的理想選擇。該元件採用 InGaN(氮化銦鎵)半導體晶片,這是業界生產高效率藍光的標準技術。它以 8 毫米寬的載帶包裝,並供應於標準 7 英吋直徑的捲盤上,完全兼容於大量生產中使用的高速自動化取放組裝設備。
1.1 核心特色與優勢
此 LED 的主要優勢源於其物理與電氣設計。最顯著的特點是其 0.55 毫米的超薄高度,直接迎合了終端產品日益輕薄的趨勢。它被歸類為綠色產品,並符合 RoHS(有害物質限制)指令,確保滿足國際環保標準。InGaN 晶片技術能從微小光源提供高發光強度。其 EIA(電子工業聯盟)標準封裝尺寸確保了與廣泛現有 PCB(印刷電路板)佈局和設計庫的兼容性。此外,其設計兼容標準紅外線(IR)迴焊製程,這是黏著 SMD 元件的主流方法,簡化了製造流程。
2. 技術規格:深入分析
本節詳細解析元件的絕對極限值與操作特性,這些對於可靠的電路設計至關重要。
2.1 絕對最大額定值
這些額定值定義了可能導致元件永久損壞的應力極限,不適用於正常操作。最大連續直流順向電流(IF)為 20 mA。在佔空比 1/10、脈衝寬度 0.1 ms 的脈衝條件下,允許較高的峰值順向電流 100 mA。總功耗不得超過 76 mW,此限制取決於封裝將熱量傳導至 PCB 的能力。元件額定工作溫度範圍為 -20°C 至 +80°C,並可在 -30°C 至 +100°C 的環境中儲存。對於組裝,它能承受最高 260°C 的紅外線迴焊峰值溫度,最長不超過 10 秒。
2.2 電氣與光學特性
這些參數是在標準環境溫度(Ta)25°C 和順向電流 20 mA 下測量(除非另有說明),定義了元件在正常工作條件下的性能。
- 發光強度(IV):範圍從最小值 28.0 mcd 到最大值 180.0 mcd。特定單元的實際值取決於其分級代碼(見第 3 節)。強度是使用匹配明視覺(人眼)響應曲線的濾波器感測器進行測量。
- 視角(2θ1/2):寬達 130 度,定義為發光強度降至軸上(0°)值一半時的離軸點。這表示其為朗伯或近朗伯發光模式,適用於需要廣域照明而非聚焦光束的應用。
- 峰值波長(λP):典型值為 468 nm。這是光譜功率分佈達到最大值時的波長。
- 主波長(λd):範圍從 465.0 nm 到 475.0 nm。這是人眼感知與 LED 顏色相匹配的單一波長,源自 CIE 色度圖。它是顏色一致性的關鍵參數。
- 光譜線半高寬(Δλ):約為 25 nm。這測量了發射光的頻寬,表示光譜純度。這是藍光 InGaN LED 的典型值。
- 順向電壓(VF):在 20 mA 下,範圍從 2.80 V 到 3.80 V。具體數值已分級(見第 3 節)。此參數對於設計限流電路至關重要。
- 逆向電流(IR):當施加 5V 逆向電壓(VR)時,最大值為 10 μA。必須特別注意,此 LED並非設計用於逆向操作;此測試條件僅用於特性描述。在電路中施加逆向偏壓可能會損壞元件。
3. 分級系統說明
為確保量產的一致性,LED 會根據性能進行分級。LTST-C191TBKT 針對關鍵參數採用三維分級系統。
3.1 順向電壓分級
根據其在 20 mA 下的順向電壓(VF),單元被分為 D7 至 D11 等級。例如,D7 級包含 VF介於 2.80V 至 3.00V 之間的 LED,而 D11 級則包含 3.60V 至 3.80V 的 LED。每個等級內的容差為 ±0.1V。從相同電壓等級中選擇 LED 有助於在陣列中保持均勻的亮度和功耗。
3.2 發光強度分級
強度分為 N、P、Q 和 R 等級。N 級涵蓋 28.0-45.0 mcd,R 級則涵蓋最高的 112.0-180.0 mcd 範圍。每個強度等級的容差為 ±15%。這讓設計師可以根據應用選擇合適的亮度等級,在可見度與電源效率之間取得平衡。
3.3 主波長分級
顏色(主波長)分為兩個等級代碼:AC(465.0-470.0 nm)和 AD(470.0-475.0 nm),每個等級的容差為 ±1 nm。這種嚴格的控制確保了最小的顏色變化,這對於多 LED 背光或顏色匹配很重要的狀態指示器等應用至關重要。
4. 性能曲線分析
雖然規格書中引用了特定的圖形曲線(例如,圖 1 為光譜分佈,圖 6 為視角),但其含義對於 InGaN LED 而言是標準的。順向電流與順向電壓(I-V)曲線將顯示典型的指數關係,膝點電壓約在 2.8-3.0V 附近。發光強度與順向電流的曲線在額定電流以下通常呈線性關係,之後效率可能因發熱而下降。主波長通常具有輕微的負溫度係數,這意味著隨著接面溫度升高,它可能會向較長波長(略偏綠)偏移。寬達 130 度的視角曲線證實了其近朗伯發光輪廓。
5. 機械與封裝資訊
5.1 物理尺寸
封裝遵循 EIA 標準尺寸。關鍵尺寸包括典型長度 3.2 mm、寬度 1.6 mm 以及定義性的高度 0.55 mm。規格書中提供了詳細的尺寸圖,用於 PCB 焊墊圖案設計。除非另有說明,所有尺寸的標準公差為 ±0.10 mm。
5.2 極性識別與焊墊設計
LED 具有陽極和陰極。極性通常透過封裝上的標記或焊墊圖案中的不對稱特徵來指示。規格書包含建議的焊接焊墊尺寸,以確保在迴焊過程中形成可靠的焊錫圓角,這對於電氣連接和機械強度都至關重要。適當的焊墊設計也有助於散熱。
6. 焊接與組裝指南
6.1 迴焊溫度曲線
此元件適用於無鉛焊接製程。提供了符合 JEDEC 標準的建議紅外線迴焊溫度曲線。關鍵參數包括預熱區(通常 150-200°C)、受控升溫至不超過 260°C 的峰值溫度,以及適合所用錫膏的液相線以上時間(TAL)。峰值溫度 260°C 不得超過 10 秒。必須強調,具體的溫度曲線需根據所使用的特定 PCB 設計、元件和錫膏進行特性分析。
6.2 手動焊接
若必須使用烙鐵進行手動焊接,建議烙鐵頭溫度不超過 300°C,且單次操作接觸時間限制在最多 3 秒。烙鐵的過多熱量很容易損壞小型封裝。
6.3 儲存與處理條件
LED 對濕氣敏感。當儲存在原始密封防潮袋(內含乾燥劑)中時,應保持在 ≤30°C 和 ≤90% RH 的環境下,並在一年內使用。一旦打開袋子,儲存環境不應超過 30°C 和 60% RH。暴露於環境濕度超過 672 小時(28 天)的元件,在進行迴焊前應在大約 60°C 下烘烤至少 20 小時,以防止爆米花效應(因蒸氣壓力導致封裝破裂)。若需長時間儲存在原始袋子外,請使用帶有乾燥劑的密封容器。
6.4 清潔
若焊接後需要清潔,僅應使用指定的溶劑。建議在常溫下將 LED 浸入乙醇或異丙醇中不超過一分鐘。未指定的化學清潔劑可能會損壞塑膠封裝材料。
7. 包裝與訂購資訊
標準包裝為 8 毫米寬的凸版載帶,捲繞於 7 英吋(178 毫米)直徑的捲盤上。每捲包含 5000 顆 LTST-C191TBKT LED。載帶使用上蓋密封空穴。包裝遵循 ANSI/EIA 481-1-A-1994 規範。對於生產剩餘物料,最小包裝數量為 500 顆。
8. 應用建議
8.1 典型應用場景
超薄外形使此 LED 成為以下應用的理想選擇:超薄鍵盤或遙控器按鍵背光、智慧型手機、平板電腦和超薄筆記型電腦的狀態指示燈、汽車儀表板或消費性電器中的面板照明,以及作為高密度 PCB 中的通用藍色指示燈。
8.2 設計考量與注意事項
- 電流驅動:LED 是電流驅動元件。務必使用串聯限流電阻或恆流驅動電路。電阻值計算公式為 R = (V電源- VF) / IF。請使用分級或規格書中的最大 VF值,以確保在最壞情況下電流不超過 20 mA。
- 靜電防護:InGaN 晶片對靜電放電(ESD)敏感。在處理和組裝過程中必須使用適當的 ESD 防護措施(靜電手環、接地工作站、導電地板)。
- 熱管理:雖然功率很低,但確保從 LED 焊墊到 PCB 銅箔的良好熱路徑有助於維持性能和壽命,特別是在以最大電流或接近最大電流驅動時。
- 逆向電壓保護:由於此元件並非設計用於逆向偏壓,若 LED 在電路中可能暴露於逆向電壓,請考慮並聯一個保護二極體(陰極對陽極)。
9. 技術比較與差異化
LTST-C191TBKT 的主要區別在於其 0.55 毫米的高度,比許多標準 SMD LED(例如,0603 或 0402 封裝通常高度 >0.8 mm)更薄。與側視 LED 相比,它提供了具有寬視角的頂部發光形式。其 InGaN 技術比舊的藍光 LED 技術提供更高的效率和更好的色彩飽和度。與未分級或分級寬鬆的替代品相比,其全面的分級系統提供了更好的顏色和亮度一致性,這對於多 LED 應用至關重要。
10. 常見問題(基於技術參數)
問:對於 5V 電源,我需要多大的電阻?
答:使用最大 VF值 3.8V 和目標 IF值 20mA:R = (5V - 3.8V) / 0.02A = 60 Ω。標準的 62 Ω 或 68 Ω 電阻是合適的。請務必根據您 LED 的實際 VF分級進行驗證。
問:我可以用 3.3V 電源驅動它嗎?
答:有可能,但需謹慎。如果 LED 的 VF處於其範圍的高端(例如 3.8V),3.3V 電源可能無法完全點亮或根本無法點亮。您需要檢查最小 VF值(2.8V),並且可能需要使用恆流驅動器而非簡單的電阻器以確保可靠操作。
問:如何解讀發光強度值?
答:發光強度(mcd)測量的是特定方向(軸上)的亮度。寬視角意味著此亮度分佈在一個大面積上,因此表面上的感知亮度取決於距離和角度。作為比較,典型的 5mm 穿孔式 LED 可能為 1000-5000 mcd,但光束要窄得多。
問:它適合戶外使用嗎?
答:其工作溫度範圍(-20°C 至 +80°C)涵蓋了許多戶外條件。然而,長時間暴露於直射陽光(紫外線)和天氣下可能會使塑膠封裝劣化。對於惡劣環境,請向製造商確認適用性,並考慮使用保護塗層。
11. 實用設計與使用範例
範例 1:多 LED 狀態條:設計一個包含 10 個藍光 LED 的條狀圖。為確保外觀均勻,請指定來自相同主波長等級(例如,全部為 AD 級)和相同發光強度等級(例如,全部為 P 級)的 LED。透過電晶體或 LED 驅動器 IC 共享單一恆流源來驅動它們,以確保電流相同,從而實現相同的亮度和顏色。
範例 2:超薄薄膜開關背光:0.55 毫米的高度允許 LED 安裝在薄膜層和擴散片後面,使總組裝厚度小於 2 毫米。130 度的寬視角確保了開關圖標的均勻照明。10-15 mA 的電流(而非 20 mA)可能就足夠了,從而降低功耗和熱量。
12. 技術原理簡介
LTST-C191TBKT 基於 InGaN 半導體技術。當在 p-n 接面上施加順向電壓時,電子和電洞被注入主動區。它們的復合以光子(光)的形式釋放能量。量子阱結構中氮化銦鎵合金的特定成分決定了能隙能量,從而決定了發射光的波長(顏色)。對於藍光,需要對應於大約 2.6-2.7 電子伏特(eV)的能隙。塑膠封裝用於保護脆弱的半導體晶粒、提供機械結構,並包含一個塑造光輸出的透鏡,從而產生寬視角。
13. 產業趨勢與發展
消費性電子產品中 SMD LED 的趨勢持續朝向微型化(更小的佔位面積和更低的厚度)和更高效率(每瓦電輸入產生更多光輸出)發展。製造商也致力於改善顏色一致性和更嚴格的分級。採用無鉛和無鹵材料以符合環保要求已成為標準。在應用方面,整合是關鍵,LED 越來越多地與驅動器或感測器共同封裝,或直接嵌入 PCB 中。基礎的 InGaN 技術已成熟,但在內部量子效率和壽命方面持續看到漸進式的改進。
LED規格術語詳解
LED技術術語完整解釋
一、光電性能核心指標
| 術語 | 單位/表示 | 通俗解釋 | 為什麼重要 |
|---|---|---|---|
| 光效(Luminous Efficacy) | lm/W(流明/瓦) | 每瓦電能發出的光通量,越高越節能。 | 直接決定燈具的能效等級與電費成本。 |
| 光通量(Luminous Flux) | lm(流明) | 光源發出的總光量,俗稱"亮度"。 | 決定燈具夠不夠亮。 |
| 發光角度(Viewing Angle) | °(度),如120° | 光強降至一半時的角度,決定光束寬窄。 | 影響光照範圍與均勻度。 |
| 色溫(CCT) | K(開爾文),如2700K/6500K | 光的顏色冷暖,低值偏黃/暖,高值偏白/冷。 | 決定照明氛圍與適用場景。 |
| 顯色指數(CRI / Ra) | 無單位,0–100 | 光源還原物體真實顏色的能力,Ra≥80為佳。 | 影響色彩真實性,用於商場、美術館等高要求場所。 |
| 色容差(SDCM) | 麥克亞當橢圓步數,如"5-step" | 顏色一致性的量化指標,步數越小顏色越一致。 | 保證同一批燈具顏色無差異。 |
| 主波長(Dominant Wavelength) | nm(奈米),如620nm(紅) | 彩色LED顏色對應的波長值。 | 決定紅、黃、綠等單色LED的色相。 |
| 光譜分佈(Spectral Distribution) | 波長 vs. 強度曲線 | 顯示LED發出的光在各波長的強度分佈。 | 影響顯色性與顏色品質。 |
二、電氣參數
| 術語 | 符號 | 通俗解釋 | 設計注意事項 |
|---|---|---|---|
| 順向電壓(Forward Voltage) | Vf | LED點亮所需的最小電壓,類似"啟動門檻"。 | 驅動電源電壓需≥Vf,多個LED串聯時電壓累加。 |
| 順向電流(Forward Current) | If | 使LED正常發光的電流值。 | 常採用恆流驅動,電流決定亮度與壽命。 |
| 最大脈衝電流(Pulse Current) | Ifp | 短時間內可承受的峰值電流,用於調光或閃光。 | 脈衝寬度與佔空比需嚴格控制,否則過熱損壞。 |
| 反向電壓(Reverse Voltage) | Vr | LED能承受的最大反向電壓,超過則可能擊穿。 | 電路中需防止反接或電壓衝擊。 |
| 熱阻(Thermal Resistance) | Rth(°C/W) | 熱量從晶片傳到焊點的阻力,值越低散熱越好。 | 高熱阻需更強散熱設計,否則結溫升高。 |
| 靜電放電耐受(ESD Immunity) | V(HBM),如1000V | 抗靜電打擊能力,值越高越不易被靜電損壞。 | 生產中需做好防靜電措施,尤其高靈敏度LED。 |
三、熱管理與可靠性
| 術語 | 關鍵指標 | 通俗解釋 | 影響 |
|---|---|---|---|
| 結溫(Junction Temperature) | Tj(°C) | LED晶片內部的實際工作溫度。 | 每降低10°C,壽命可能延長一倍;過高導致光衰、色漂移。 |
| 光衰(Lumen Depreciation) | L70 / L80(小時) | 亮度降至初始值70%或80%所需時間。 | 直接定義LED的"使用壽命"。 |
| 流明維持率(Lumen Maintenance) | %(如70%) | 使用一段時間後剩餘亮度的百分比。 | 表徵長期使用後的亮度保持能力。 |
| 色漂移(Color Shift) | Δu′v′ 或 麥克亞當橢圓 | 使用過程中顏色的變化程度。 | 影響照明場景的顏色一致性。 |
| 熱老化(Thermal Aging) | 材料性能下降 | 因長期高溫導致的封裝材料劣化。 | 可能導致亮度下降、顏色變化或開路失效。 |
四、封裝與材料
| 術語 | 常見類型 | 通俗解釋 | 特點與應用 |
|---|---|---|---|
| 封裝類型 | EMC、PPA、陶瓷 | 保護晶片並提供光學、熱學介面的外殼材料。 | EMC耐熱好、成本低;陶瓷散熱優、壽命長。 |
| 晶片結構 | 正裝、倒裝(Flip Chip) | 晶片電極佈置方式。 | 倒裝散熱更好、光效更高,適用於高功率。 |
| 螢光粉塗層 | YAG、矽酸鹽、氮化物 | 覆蓋在藍光晶片上,部分轉化為黃/紅光,混合成白光。 | 不同螢光粉影響光效、色溫與顯色性。 |
| 透鏡/光學設計 | 平面、微透鏡、全反射 | 封裝表面的光學結構,控制光線分佈。 | 決定發光角度與配光曲線。 |
五、質量控制與分檔
| 術語 | 分檔內容 | 通俗解釋 | 目的 |
|---|---|---|---|
| 光通量分檔 | 代碼如 2G、2H | 按亮度高低分組,每組有最小/最大流明值。 | 確保同一批產品亮度一致。 |
| 電壓分檔 | 代碼如 6W、6X | 按順向電壓範圍分組。 | 便於驅動電源匹配,提高系統效率。 |
| 色區分檔 | 5-step MacAdam橢圓 | 按顏色坐標分組,確保顏色落在極小範圍內。 | 保證顏色一致性,避免同一燈具內顏色不均。 |
| 色溫分檔 | 2700K、3000K等 | 按色溫分組,每組有對應的坐標範圍。 | 滿足不同場景的色溫需求。 |
六、測試與認證
| 術語 | 標準/測試 | 通俗解釋 | 意義 |
|---|---|---|---|
| LM-80 | 流明維持測試 | 在恆溫條件下長期點亮,記錄亮度衰減數據。 | 用於推算LED壽命(結合TM-21)。 |
| TM-21 | 壽命推演標準 | 基於LM-80數據推算實際使用條件下的壽命。 | 提供科學的壽命預測。 |
| IESNA標準 | 照明工程學會標準 | 涵蓋光學、電氣、熱學測試方法。 | 行業公認的測試依據。 |
| RoHS / REACH | 環保認證 | 確保產品不含有害物質(如鉛、汞)。 | 進入國際市場的准入條件。 |
| ENERGY STAR / DLC | 能效認證 | 針對照明產品的能效與性能認證。 | 常用於政府採購、補貼項目,提升市場競爭力。 |