IRR60-48C/TR8 LED ডেটাশিট - আকার ৬.০x৪.৮x১.১ মিমি - ভোল্টেজ ১.৪-২.১ ভি - পাওয়ার ৫০-৭০ মিলিওয়াট - দ্বৈত তরঙ্গদৈর্ঘ্য ৬৬০nm/৯০৫nm - বাংলা প্রযুক্তিগত নথি

১. পণ্য সংক্ষিপ্ত বিবরণ

IRR60-48C/TR8 একটি ক্ষুদ্রাকৃতির সারফেস-মাউন্ট ডিভাইস (SMD) ইনফ্রারেড নির্গমন ডায়োড। এটি একটি দ্বৈত-রঙের উপাদান যাতে একটি প্যাকেজের ভিতরে দুটি স্বতন্ত্র সেমিকন্ডাক্টর চিপ রয়েছে: একটি ৬৬০nm (লাল, AlGaInP উপাদান) এবং অন্যটি ৯০৫nm (ইনফ্রারেড, AlGaAs উপাদান) তরঙ্গদৈর্ঘ্যে আলো নির্গত করে। ডিভাইসটি একটি জল-স্বচ্ছ প্লাস্টিক প্যাকেজে আবদ্ধ, যার শীর্ষ সমতল লেন্স হিসেবে কাজ করে, এবং এটি স্বয়ংক্রিয় পিক-এন্ড-প্লেস অ্যাসেম্বলি সিস্টেম এবং স্ট্যান্ডার্ড ইনফ্রারেড বা বাষ্প পর্যায় রিফ্লো সোল্ডারিং প্রক্রিয়ার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ হওয়ার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।

এই উপাদানের প্রাথমিক ডিজাইন উদ্দেশ্য হল সিলিকন-ভিত্তিক ফটোডিটেক্টর যেমন ফটোডায়োড এবং ফটোট্রানজিস্টরের সাথে বর্ণালীগত মিল নিশ্চিত করা। এই বৈশিষ্ট্য এটিকে সেসব সেন্সিং অ্যাপ্লিকেশনের জন্য বিশেষভাবে উপযোগী করে তোলে যেখানে সুনির্দিষ্ট অপটিক্যাল কাপলিং প্রয়োজন। ডিভাইসটি আধুনিক পরিবেশগত মানদণ্ড মেনে চলে, হ্যালোজেন-মুক্ত এবং RoHS এবং EU REACH নিয়মের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।

২. প্রযুক্তিগত স্পেসিফিকেশন গভীর বিশ্লেষণ

২.১ পরম সর্বোচ্চ রেটিং

এই রেটিংগুলি সেই সীমা নির্ধারণ করে যার বাইরে ডিভাইসের স্থায়ী ক্ষতি হতে পারে। এই শর্তে অপারেশন নিশ্চিত করা হয় না।

• অবিচ্ছিন্ন ফরোয়ার্ড কারেন্ট (I_F): উভয় তরঙ্গদৈর্ঘ্যের জন্য ৩০ mA। এটি সর্বোচ্চ DC কারেন্ট যা অবিচ্ছিন্নভাবে প্রয়োগ করা যেতে পারে।
• পিক ফরোয়ার্ড কারেন্ট (I_FP): ১৫০ mA। এই রেটিং শুধুমাত্র পালস অবস্থায় প্রযোজ্য যেখানে পালস প্রস্থ ≤১০μs এবং ডিউটি সাইকেল ≤১%।
• রিভার্স ভোল্টেজ (V_R): ৫ V। রিভার্স বায়াসে এই ভোল্টেজ অতিক্রম করলে জাংশন ব্রেকডাউন হতে পারে।
• পাওয়ার ডিসিপেশন (P_d): ৬৬০nm চিপের জন্য ৭০ mW এবং ৯০৫nm চিপের জন্য ৫০ mW, ২৫°C বা তার কম পরিবেষ্টিত তাপমাত্রায় পরিমাপ করা। এই পার্থক্যটি বিভিন্ন সেমিকন্ডাক্টর উপাদানের সাধারণ দক্ষতা এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্য প্রতিফলিত করে।
• তাপীয় রোধ, জাংশন-থেকে-পরিবেশ (R_θj-a): ৫৫০ K/W। এই প্যারামিটারটি নির্দেশ করে যে সেমিকন্ডাক্টর জাংশন থেকে পার্শ্ববর্তী পরিবেশে তাপ কতটা কার্যকরভাবে স্থানান্তরিত হয়। একটি নিম্ন মান ভাল তাপ অপসারণ নির্দেশ করে।
• অপারেটিং ও স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা: -২৫°C থেকে +৮৫°C।
• সোল্ডারিং তাপমাত্রা (T_sol): সর্বোচ্চ ২৬০°C, সময়কাল ৫ সেকেন্ডের বেশি নয়, যা সাধারণত সীসা-মুক্ত রিফ্লো প্রক্রিয়ার জন্য প্রযোজ্য।

২.২ ইলেক্ট্রো-অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য

এগুলি সাধারণ পারফরম্যান্স প্যারামিটার যা ২৫°C তাপমাত্রায় এবং ২০mA ফরোয়ার্ড কারেন্টে পরিমাপ করা হয়, যদি না অন্যথায় উল্লেখ করা হয়।

• বিকিরণ তীব্রতা (I_E): এটি প্রতি একক কঠিন কোণে (স্টেরেডিয়ান) নির্গত অপটিক্যাল পাওয়ার। ৬৬০nm (লাল) চিপের জন্য, সাধারণ মান ২.৩ mW/sr (ন্যূনতম ১.০)। ৯০৫nm (IR) চিপের জন্য, সাধারণ মান ১.০ mW/sr (ন্যূনতম ০.৫)।
• মোট বিকিরিত শক্তি (P_o): সব দিকে নির্গত মোট অপটিক্যাল পাওয়ার। সাধারণ মান লালের জন্য ৭.০ mW এবং IR-এর জন্য ৩.০ mW।
• পিক তরঙ্গদৈর্ঘ্য (λ_p): যে তরঙ্গদৈর্ঘ্যে নির্গত বিকিরণ সবচেয়ে শক্তিশালী। লাল চিপ ৬৬০nm (পরিসীমা ৬৫৭-৬৬৩nm) কেন্দ্রিক। IR চিপ ৯০৫nm (পরিসীমা ৮৯৫-৯১৫nm) কেন্দ্রিক।
• বর্ণালী ব্যান্ডউইথ (Δλ): নির্গমন বর্ণালীর প্রস্থ তার সর্বোচ্চ তীব্রতার অর্ধেক (FWHM)। সাধারণ মান লালের জন্য ২০nm এবং IR-এর জন্য ৬০nm। IR চিপের বিস্তৃত ব্যান্ডউইথ AlGaAs উপাদানের বৈশিষ্ট্যগত।
• ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ (V_F): ডায়োড জুড়ে ভোল্টেজ ড্রপ যখন এটি পরিবাহী থাকে। লাল চিপের সাধারণত ২.১০V প্রয়োজন (পরিসীমা ১.৮০-২.৫০V)। IR চিপের সাধারণত ১.৪০V প্রয়োজন (পরিসীমা ১.১০-১.৬০V)। সার্কিট ডিজাইনের জন্য এই পার্থক্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ, বিশেষত যখন একটি সাধারণ উৎস থেকে উভয় চিপ চালনা করা হয়।
• দেখার কোণ (2θ_1/2): সেই কৌণিক বিস্তার যেখানে বিকিরণ তীব্রতা তার সর্বোচ্চ মানের কমপক্ষে অর্ধেক। লাল চিপের সাধারণ দেখার কোণ ১৪০°, অন্যদিকে IR চিপের ১৩০°। সমতল-শীর্ষ লেন্স এই বিস্তৃত দেখার কোণে অবদান রাখে।

৩. পারফরম্যান্স কার্ভ বিশ্লেষণ

৩.১ ফরোয়ার্ড কারেন্ট বনাম পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা

ডিরেটিং কার্ভগুলি দেখায় যে পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সর্বোচ্চ অনুমোদিত অবিচ্ছিন্ন ফরোয়ার্ড কারেন্ট হ্রাস পায়। তাপীয় রানওয়ে প্রতিরোধের জন্য এটি একটি গুরুত্বপূর্ণ ডিজাইন বিবেচনা। লাল এবং IR উভয় চিপের কার্ভ একই নেতিবাচক ঢাল অনুসরণ করে, যা উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশ বা উচ্চ-কারেন্ট অ্যাপ্লিকেশনে পর্যাপ্ত তাপ ব্যবস্থাপনার প্রয়োজনীয়তার উপর জোর দেয়।

৩.২ বর্ণালী বণ্টন

বর্ণালী গ্রাফগুলি তরঙ্গদৈর্ঘ্য জুড়ে আপেক্ষিক বিকিরণ তীব্রতা চিত্রিত করে। ৬৬০nm লাল নির্গমন AlGaInP উপাদানের বৈশিষ্ট্যগত একটি তীক্ষ্ণ, সংকীর্ণ শিখর দেখায়। ৯০৫nm IR নির্গমন AlGaAs-এর জন্য সাধারণ একটি বিস্তৃত, গাউসিয়ান-সদৃশ বণ্টন দেখায়। এই বর্ণালী বিশুদ্ধতা (লালের জন্য) এবং ব্যান্ডউইথ (IR-এর জন্য) সেন্সর সিস্টেম ডিজাইনের জন্য মূল, যা ফিল্টার নির্বাচন এবং সংকেত-থেকে-শব্দ অনুপাতকে প্রভাবিত করে।

৩.৩ বিকিরণ তীব্রতা বনাম ফরোয়ার্ড কারেন্ট

এই প্লটগুলি দেখায় যে স্ট্যান্ডার্ড অপারেটিং পরিসরের মধ্যে উভয় চিপের জন্য ড্রাইভ কারেন্ট এবং অপটিক্যাল আউটপুটের মধ্যে একটি প্রায়-রৈখিক সম্পর্ক রয়েছে। এই রৈখিকতা অ্যানালগ মড্যুলেশন অ্যাপ্লিকেশনে অপটিক্যাল আউটপুট নিয়ন্ত্রণকে সরল করে। রেখার ঢাল (দক্ষতা) দুটি তরঙ্গদৈর্ঘ্যের মধ্যে ভিন্ন।

৩.৪ ফরোয়ার্ড কারেন্ট বনাম ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ (I-V কার্ভ)

I-V কার্ভগুলি ডায়োডের সাধারণ সূচকীয় সম্পর্ক দেখায়। টার্ন-অন ভোল্টেজ স্পষ্টভাবে দৃশ্যমান এবং দুটি চিপের মধ্যে ভিন্ন (লালের জন্য বেশি)। কার্ভগুলি পালস অবস্থায় (১০০μs পালস, ১/১০০ ডিউটি সাইকেল) পরিমাপ করা হয় যাতে স্ব-তাপীয় প্রভাব কমানো যায়, যা জাংশন বৈশিষ্ট্যের সবচেয়ে সঠিক উপস্থাপনা প্রদান করে।

৩.৫ আপেক্ষিক বিকিরণ তীব্রতা বনাম কৌণিক সরণ

এই পোলার প্লটগুলি দেখার কোণটি দৃশ্যত উপস্থাপন করে। তীব্রতা বণ্টন উভয় চিপের জন্য প্রায় ল্যামবার্টিয়ান (কোসাইন-সদৃশ), লালটি কিছুটা বিস্তৃত। অপটিক্যাল সিস্টেম ডিজাইন করার জন্য এই তথ্য অত্যাবশ্যক যাতে সঠিক আলোকিত কভারেজ বা ডিটেক্টরের সাথে সারিবদ্ধতা নিশ্চিত করা যায়।

৪. যান্ত্রিক এবং প্যাকেজ তথ্য

ডিভাইসটি একটি কমপ্যাক্ট SMD প্যাকেজে আবদ্ধ, যার দৈর্ঘ্য ৬.০mm, প্রস্থ ৪.৮mm এবং উচ্চতা ১.১mm। প্যাকেজ আউটলাইন ড্রয়িং PCB ফুটপ্রিন্ট ডিজাইনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ মাত্রা প্রদান করে, যার মধ্যে প্যাডের আকার, অবস্থান এবং কিপ-আউট এলাকা অন্তর্ভুক্ত। উপাদানটিতে একটি জল-স্বচ্ছ ছাঁচনির্মিত প্লাস্টিক বডি রয়েছে যার শীর্ষ সমতল, যা লেন্স হিসেবে কাজ করে। পোলারিটি প্যাকেজ চিহ্ন দ্বারা নির্দেশিত এবং সঠিক বৈদ্যুতিক অপারেশন নিশ্চিত করতে প্লেসমেন্টের সময় অবশ্যই তা মেনে চলতে হবে।

৫. সোল্ডারিং এবং অ্যাসেম্বলি নির্দেশিকা

৫.১ রিফ্লো সোল্ডারিং

উপাদানটি সীসা-মুক্ত (Pb-free) রিফ্লো সোল্ডারিং প্রোফাইলের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ যার সর্বোচ্চ তাপমাত্রা ২৬০°C। তাপীয় শক বা প্লাস্টিক প্যাকেজের ক্ষতি এড়াতে সুপারিশকৃত তাপমাত্রা-সময় প্রোফাইল মেনে চলা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। একই ডিভাইসে দুইবারের বেশি রিফ্লো সোল্ডারিং করা উচিত নয়। গরম করার সময় LED বডিতে চাপ এবং সোল্ডারিংয়ের পর সার্কিট বোর্ডের বাঁকানো এড়াতে হবে।

৫.২ হ্যান্ড সোল্ডারিং

যদি মেরামতের জন্য হ্যান্ড সোল্ডারিং প্রয়োজন হয়, তবে অত্যন্ত সতর্কতা প্রয়োজন। সোল্ডারিং আয়রন টিপের তাপমাত্রা ৩৫০°C-এর নিচে হওয়া উচিত, এবং প্রতি টার্মিনালে যোগাযোগের সময় ৩ সেকেন্ডের বেশি হওয়া উচিত নয়। একটি কম-পাওয়ার আয়রন (≤২৫W) সুপারিশ করা হয়। প্রতিটি টার্মিনাল সোল্ডারিংয়ের মধ্যে কমপক্ষে ২ সেকেন্ডের ব্যবধান রাখা উচিত। অপসারণের জন্য ডাবল-হেড সোল্ডারিং আয়রন ব্যবহারের পরামর্শ দেওয়া হয় যাতে তাপীয় চাপ কমানো যায়, তবে ডিভাইসের বৈশিষ্ট্যের উপর এর প্রভাব আগে থেকেই যাচাই করা উচিত।

৫.৩ স্টোরেজ এবং আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা

ডিভাইসটি আর্দ্রতা-সংবেদনশীল। সতর্কতাগুলি অন্তর্ভুক্ত করে:

• ব্যবহারের জন্য প্রস্তুত না হওয়া পর্যন্ত আর্দ্রতা-প্রতিরোধী ব্যাগ খুলবেন না।
• খোলা ব্যাগ ≤৩০°C এবং ≤৯০% RH-এ সংরক্ষণ করুন। এক বছরের মধ্যে ব্যবহার করুন।
• খোলার পরে, ≤৩০°C এবং ≤৬০% RH-এ সংরক্ষণ করুন। ২৪ ঘন্টার মধ্যে ব্যবহার করুন।
• যদি স্টোরেজ সময়সীমা অতিক্রম করা হয় বা ডেসিক্যান্ট আর্দ্রতা অনুপ্রবেশ নির্দেশ করে, তবে রিফ্লোর আগে কমপক্ষে ২৪ ঘন্টার জন্য ৬০±৫°C তাপমাত্রায় বেকিং চিকিত্সা প্রয়োজন।

৬. প্যাকেজিং এবং অর্ডারিং তথ্য

ডিভাইসটি স্বয়ংক্রিয় হ্যান্ডলিংয়ের জন্য এমবসড ক্যারিয়ার টেপে সরবরাহ করা হয়। স্ট্যান্ডার্ড রিলে ১০০০ টুকরা থাকে। ক্যারিয়ার টেপের মাত্রাগুলি স্ট্যান্ডার্ড ফিডার সিস্টেমের সাথে সামঞ্জস্য নিশ্চিত করার জন্য নির্দিষ্ট করা হয়। আর্দ্রতা-প্রতিরোধী প্যাকেজিংয়ে একটি অ্যালুমিনিয়াম ল্যামিনেট ব্যাগ থাকে যাতে ডেসিক্যান্ট এবং একটি আর্দ্রতা নির্দেশক কার্ড থাকে। ব্যাগের লেবেলে গ্রাহক পার্ট নম্বর (CPN), উৎপাদন নম্বর (P/N), পরিমাণ, র্যাঙ্ক কোড (CAT, HUE), রেফারেন্স, লট নম্বর এবং উৎপত্তির দেশের জন্য ক্ষেত্র অন্তর্ভুক্ত থাকে।

৭. প্রয়োগের পরামর্শ

৭.১ সাধারণ প্রয়োগের দৃশ্যকল্প

• অপটিক্যাল সেন্সর: দ্বৈত তরঙ্গদৈর্ঘ্য বস্তু সনাক্তকরণ, গণনা বা অবস্থান সেন্সিংয়ের জন্য প্রতিফলিত বা প্রেরণশীল সেন্সরে ব্যবহারের সুযোগ দেয়। ৯০৫nm তরঙ্গদৈর্ঘ্য প্রায়শই এমন জায়গায় ব্যবহৃত হয় যেখানে দৃশ্যমান আলো অপ্রত্যাশিত, অন্যদিকে ৬৬০nm লাল দৃশ্যমান নির্দেশক বা নির্দিষ্ট ফটোমেট্রিক সেন্সিংয়ের জন্য কাজ করতে পারে।
• মেডিকেল পালস অক্সিমেট্রি: ৬৬০nm এবং ৯০৫nm (বা ৯৪০nm) তরঙ্গদৈর্ঘ্য রক্তের অক্সিজেন স্যাচুরেশন (SpO2) পরিমাপের জন্য পালস অক্সিমিটারে স্ট্যান্ডার্ড। এই প্রয়োগের জন্য সিলিকন ডিটেক্টরের সাথে ডিভাইসের বর্ণালীগত মিল অপরিহার্য।
• শিল্প স্বয়ংক্রিয়করণ: অপটিক্যাল এনকোডার, এজ ডিটেকশন সিস্টেম এবং সেফটি কার্টেনে ব্যবহৃত হয়।

৭.২ ডিজাইন বিবেচনা

• কারেন্ট সীমাবদ্ধকরণ: একটি ভোল্টেজ উৎস থেকে অপারেশনের জন্য একটি বাহ্যিক সিরিজ রেজিস্টর বাধ্যতামূলক। I-V কার্ভের খাড়া ঢালের অর্থ হল একটি ছোট ভোল্টেজ পরিবর্তন একটি বড় কারেন্ট পরিবর্তন ঘটায়, যা তাত্ক্ষণিকভাবে LED ধ্বংস করতে পারে।
• তাপ ব্যবস্থাপনা:** নির্দিষ্ট তাপীয় রোধ (৫৫০ K/W) তুলনামূলকভাবে বেশি। উচ্চ কারেন্টে বা উষ্ণ পরিবেশে অবিচ্ছিন্ন অপারেশনের জন্য, জাংশন তাপমাত্রা সীমার মধ্যে রাখতে তাপ সিঙ্কের জন্য পর্যাপ্ত তামার এলাকা সহ PCB লেআউট সুপারিশ করা হয়।
• অপটিক্যাল ডিজাইন: বিস্তৃত দেখার কোণের জন্য নির্দিষ্ট সেন্সিং কাজের জন্য আলোকে সমান্তরাল বা ফোকাস করার জন্য সেকেন্ডারি অপটিক্স (লেন্স, অ্যাপারচার) প্রয়োজন হতে পারে। জল-স্বচ্ছ লেন্স সেইসব অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত যেখানে সঠিক নির্গমন প্যাটার্ন গুরুত্বপূর্ণ নয় বা যেখানে বাহ্যিক অপটিক্স ব্যবহার করা হয়।
• ড্রাইভ সার্কিটরি: দুটি চিপের ভিন্ন ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ বিবেচনা করতে হবে যদি সেগুলি স্বাধীনভাবে বা মাল্টিপ্লেক্স করে চালনা করা হয়। স্থিতিশীল অপটিক্যাল আউটপুটের জন্য ধ্রুব ভোল্টেজের চেয়ে ধ্রুব কারেন্ট ড্রাইভার পছন্দনীয়।

৮. প্রযুক্তিগত তুলনা এবং পার্থক্য

IRR60-48C/TR8-এর প্রাথমিক পার্থক্য এর দ্বৈত-তরঙ্গদৈর্ঘ্য, একক-প্যাকেজ ডিজাইনে নিহিত। দুটি পৃথক SMD LED ব্যবহার করার তুলনায়, এটি উল্লেখযোগ্য সুবিধা প্রদান করে:

• স্থান সাশ্রয়: PCB ফুটপ্রিন্ট ৫০% হ্রাস করে।
• সরলীকৃত অ্যাসেম্বলি: শুধুমাত্র একটি উপাদান স্থাপন করতে হয়, যা উৎপাদন থ্রুপুট উন্নত করে এবং প্লেসমেন্ট খরচ কমায়।
• উন্নত সারিবদ্ধতা: দুটি নির্গমন বিন্দু একই প্যাকেজের মধ্যে একত্রে অবস্থিত, যা উভয় তরঙ্গদৈর্ঘ্যকে একই বিন্দুতে আলোকিত করার প্রয়োজন এমন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য নিখুঁত স্থানিক সারিবদ্ধতা নিশ্চিত করে। পালস অক্সিমিটারের মতো ডিভাইসে এটি গুরুত্বপূর্ণ।
• উপাদান সামঞ্জস্য: লালের জন্য AlGaInP ব্যবহার GaAsP-এর মতো পুরানো প্রযুক্তির তুলনায় উচ্চতর দক্ষতা এবং ভাল বর্ণালী বিশুদ্ধতা প্রদান করে, অন্যদিকে AlGaAs IR চিপ নিয়ার-ইনফ্রারেড অঞ্চলে শক্তিশালী আউটপুট প্রদান করে।

৯. প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন (প্রযুক্তিগত প্যারামিটারের ভিত্তিতে)

প্র: আমি কি উভয় LED চিপ একই সাথে তাদের সর্বোচ্চ অবিচ্ছিন্ন কারেন্ট ৩০mA-এ চালনা করতে পারি?

উ: না। মোট পাওয়ার ডিসিপেশন বিবেচনা করতে হবে। ৩০mA-এ একই সাথে অপারেশন সম্ভবত প্যাকেজের তাপ অপসারণ ক্ষমতা অতিক্রম করবে, যার ফলে অতিরিক্ত গরম হবে। পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা এবং অ্যাপ্লিকেশন-নির্দিষ্ট ডিউটি সাইকেলের ভিত্তিতে ডিরেটিং প্রয়োজন।

প্র: একই কারেন্টে IR চিপের বিকিরণ তীব্রতা লাল চিপের চেয়ে কম কেন?

উ: এটি প্রাথমিকভাবে চোখের সংবেদনশীলতার পার্থক্য (ফোটোপিক বনাম রেডিওমেট্রিক পরিমাপ) এবং বিভিন্ন সেমিকন্ডাক্টর উপাদানের (AlGaAs বনাম AlGaInP) তাদের নিজ নিজ তরঙ্গদৈর্ঘ্যে অন্তর্নিহিত রূপান্তর দক্ষতার কারণে। মোট বিকিরিত শক্তি মেট্রিক মোট অপটিক্যাল আউটপুটের একটি ভাল তুলনা প্রদান করে।

প্র: ডেটাশিটে ২৬০°C সোল্ডারিং তাপমাত্রা দেখানো হয়েছে, কিন্তু আমার রিফ্লো প্রোফাইল ২৪৫°C-এ সর্বোচ্চ। এটি কি গ্রহণযোগ্য?

উ: হ্যাঁ, ২৪৫°C সর্বোচ্চ তাপমাত্রা গ্রহণযোগ্য এবং পছন্দনীয় হতে পারে কারণ এটি উপাদানকে কম তাপীয় চাপের মধ্যে রাখে, যদি তরল অবস্থার উপরের সময় (TAL) সঠিক সোল্ডার জয়েন্ট গঠনের জন্য পর্যাপ্ত হয়।

প্র: ২৪-ঘন্টা ব্যবহার-খোলার-পর উইন্ডোটি কতটা গুরুত্বপূর্ণ?

উ: নির্ভরযোগ্য রিফ্লো সোল্ডারিংয়ের জন্য এটি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। প্লাস্টিক প্যাকেজে শোষিত আর্দ্রতা রিফ্লোর সময় বাষ্পীভূত হতে পারে, যার ফলে অভ্যন্তরীণ ডিলামিনেশন, ফাটল ("পপকর্নিং") বা বন্ড ওয়্যার ক্ষতি হতে পারে। উৎপাদনে উচ্চ ফলনের জন্য এই নির্দেশিকা মেনে চলা অপরিহার্য।

১০. ডিজাইন এবং ব্যবহার কেস স্টাডি

দৃশ্যকল্প: একটি প্রতিফলিত বস্তু সেন্সর ডিজাইন করা

একটি কালো কনভেয়র বেল্টে একটি সাদা বস্তু সনাক্ত করার একটি সাধারণ অ্যাপ্লিকেশনে, IRR60-48C/TR8 একটি সিলিকন ফটোট্রানজিস্টরের সাথে যুক্ত হবে। পারিপার্শ্বিক দৃশ্যমান আলোর হস্তক্ষেপ এড়াতে প্রাথমিক সেন্সিংয়ের জন্য ৯০৫nm IR চিপ ব্যবহার করা হবে। একটি ধ্রুব কারেন্ট উৎস ২০mA-এ সেট করে LED চালনা করবে। আলো বস্তু থেকে প্রতিফলিত হয় এবং ফটোট্রানজিস্টর দ্বারা সনাক্ত করা হয়, যার আউটপুট সংকেত একটি অ্যামপ্লিফায়ার/কম্পারেটর সার্কিট দ্বারা প্রক্রিয়াজাত হয়। IR চিপের বিস্তৃত ১৩০° দেখার কোণ একটি উদার সনাক্তকরণ ক্ষেত্র নিশ্চিত করে, সারিবদ্ধতা নির্ভুলতার প্রয়োজনীয়তা হ্রাস করে। ডিজাইনারকে অবশ্যই একটি কারেন্ট-সীমাবদ্ধ রেজিস্টর অন্তর্ভুক্ত করতে হবে যদি ভোল্টেজ উৎস ব্যবহার করা হয়, PCB লেআউট কিছু তাপীয় উপশম প্রদান করে তা নিশ্চিত করতে হবে এবং বোর্ড রিফ্লো সোল্ডারিংয়ের মধ্য দিয়ে যাওয়ার আগে কঠোর আর্দ্রতা হ্যান্ডলিং পদ্ধতি অনুসরণ করতে হবে।

১১. অপারেশন নীতি

IRR60-48C/TR8-এ আলো নির্গমন সেমিকন্ডাক্টর উপাদানে ইলেক্ট্রোলুমিনেসেন্সের উপর ভিত্তি করে। যখন চিপের ব্যান্ডগ্যাপ শক্তির চেয়ে বেশি একটি ফরোয়ার্ড বায়াস ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়, তখন ইলেকট্রন এবং হোলগুলি সেমিকন্ডাক্টরের সক্রিয় অঞ্চলে ইনজেক্ট করা হয় যেখানে তারা পুনর্মিলিত হয়। এই পুনর্মিলন ফোটন (আলো) আকারে শক্তি মুক্ত করে। নির্গত আলোর তরঙ্গদৈর্ঘ্য (রঙ) সেমিকন্ডাক্টর উপাদানের ব্যান্ডগ্যাপ শক্তি দ্বারা নির্ধারিত হয়: ৬৬০nm (লাল) এর জন্য AlGaInP এবং ৯০৫nm (ইনফ্রারেড) এর জন্য AlGaAs। জল-স্বচ্ছ এপোক্সি প্যাকেজ চিপটি আবদ্ধ করে, যান্ত্রিক সুরক্ষা প্রদান করে এবং এর আকৃতির শীর্ষ পৃষ্ঠ নির্গমন প্যাটার্ন নিয়ন্ত্রণের জন্য একটি প্রাথমিক লেন্স হিসেবে কাজ করে।

১২. প্রযুক্তি প্রবণতা

IRR60-48C/TR8-এর মতো SMD LED-এর বিকাশ বেশ কয়েকটি শিল্প প্রবণতা অনুসরণ করে:

• ক্ষুদ্রীকরণ: আরও ঘন বৈদ্যুতিক অ্যাসেম্বলি সক্ষম করতে প্যাকেজের আকার ক্রমাগত হ্রাস (যেমন, ০৬০৩ থেকে ০৪০২)।
• মাল্টি-চিপ ইন্টিগ্রেশন: একক প্যাকেজে একাধিক তরঙ্গদৈর্ঘ্য বা এমনকি বিভিন্ন ডিভাইস প্রকার (LED এবং ফটোডায়োড) একত্রিত করে আরও স্মার্ট, আরও কমপ্যাক্ট সেন্সর মডিউলের জন্য।
• বর্ধিত দক্ষতা: অভ্যন্তরীণ কোয়ান্টাম দক্ষতা এবং সেমিকন্ডাক্টর উপাদান ও প্যাকেজ থেকে আলো নিষ্কাশনে চলমান উন্নতি, যার ফলে একই বৈদ্যুতিক ইনপুটের জন্য উচ্চতর অপটিক্যাল আউটপুট পাওয়া যায়।
• উন্নত নির্ভরযোগ্যতা: উচ্চতর রিফ্লো তাপমাত্রা, কঠোর পরিবেশগত অবস্থা সহ্য করতে এবং দীর্ঘ অপারেশনাল জীবনকাল প্রদানের জন্য প্যাকেজিং উপাদান এবং প্রক্রিয়ায় অগ্রগতি।
• মানকীকরণ: স্ট্যান্ডার্ড ফুটপ্রিন্ট এবং অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যের ব্যাপক গ্রহণযোগ্যতা, যা বিনিময়যোগ্যতা উন্নত করে এবং প্রকৌশলীদের জন্য ডিজাইন সরল করে।

এই প্রবণতাগুলি অপ্টোইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনের একটি প্রসারিত পরিসরের জন্য ছোট, স্মার্ট, আরও দক্ষ এবং আরও নির্ভরযোগ্য সমাধানের দিকে উপাদানগুলির বিবর্তনকে চালিত করে।