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LTR-C971-TB Infrarot-Fototransistor Datenblatt - Seitenansicht-Gehäuse - Vce 30V - Technische Dokumentation

Technisches Datenblatt für den LTR-C971-TB Infrarot-Fototransistor. Enthält Details zu Merkmalen, absoluten Maximalwerten, elektrischen/optischen Kennwerten, Gehäuseabmessungen und Anwendungsrichtlinien.
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PDF-Dokumentendeckel - LTR-C971-TB Infrarot-Fototransistor Datenblatt - Seitenansicht-Gehäuse - Vce 30V - Technische Dokumentation

1. Produktübersicht

Der LTR-C971-TB ist ein diskreter Infrarot-Fototransistor für Erfassungsanwendungen. Er ist Teil einer breiten Produktpalette, die Lösungen für die Infrarotdetektion bietet und zeichnet sich durch Eigenschaften aus, die eine zuverlässige Leistung in verschiedenen elektronischen Systemen gewährleisten. Die Komponente ist für automatische Bestückungs- und Lötprozesse nach Industriestandards ausgelegt.

1.1 Merkmale

1.2 Anwendungen

2. Gehäuseabmessungen

Die mechanische Kontur und die Abmessungen des LTR-C971-TB Fototransistors sind in den Datenblattzeichnungen angegeben. Alle Maße sind in Millimetern angegeben, mit einer Standardtoleranz von ±0,1 mm, sofern nicht anders vermerkt. Für das genaue Design des Leiterplatten-Footprints ist ein Bezug auf die detaillierten Maßzeichnungen unerlässlich. Spezifikationen können ohne vorherige Ankündigung geändert werden.

3. Absolute Maximalwerte

Die folgende Tabelle listet die absoluten Maximalwerte für den LTR-C971-TB Fototransistor bei einer Umgebungstemperatur (TA) von 25°C auf. Eine Überschreitung dieser Grenzwerte kann zu dauerhaften Schäden an der Komponente führen.

Parameter Maximalwert Einheit
Verlustleistung 100 mW
Kollektor-Emitter-Spannung 30 V
Emitter-Kollektor-Spannung 5 V
Betriebstemperaturbereich -40 bis +85 °C
Lagertemperaturbereich -55 bis +100 °C
Infrarot-Lötbedingung 260°C für max. 10 Sekunden. -

Ein vorgeschlagenes Infrarot-Reflow-Profil für bleifreie Prozesse ist ebenfalls im Datenblatt als Referenz für die Montage enthalten.

4. Elektrische und optische Kennwerte

Die wichtigsten elektrischen und optischen Parameter sind bei TA=25°C definiert. Diese Kennwerte sind entscheidend für den Schaltungsentwurf und die Leistungsvorhersage.

Parameter Symbol Min. Typ. Max. Einheit Testbedingung
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung V(BR)CEO 30 - - V IR = 100μA, Ee = 0mW/cm²
Emitter-Kollektor-Durchbruchspannung V(BR)ECO 5 - - V IE = 100µA, Ee = 0mW/cm²
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(SAT) - - 0.4 V IC = 100µA, Ee=0,5mW/cm²
Anstiegszeit Tr - 15 - μs VCE =5V, IC = 1mA, RL = 1KΩ
Abfallzeit Tf - 15 - μs VCE =5V, IC = 1mA, RL = 1KΩ
Kollektor-Dunkelstrom ICEO - - 100 nA VCE = 20V, Ee = 0mW/cm²
Kollektorstrom im leitenden Zustand IC(ON) - 4.0 - mA VCE = 5V, Ee= 0,5mW/cm², λ=940nm

Hinweis: Die Testtoleranz für IC(ON) beträgt ±15%.

5. Typische Kennlinien

Das Datenblatt enthält eine Reihe typischer Kennlinien, die bei 25°C Umgebungstemperatur gemessen wurden (sofern nicht anders angegeben). Diese Diagramme stellen visuell die Beziehung zwischen Schlüsselparametern wie Kollektorstrom vs. Bestrahlungsstärke, Ansprechzeit unter verschiedenen Lasten und die Temperaturabhängigkeit des Dunkelstroms dar. Die Analyse dieser Kurven hilft Ingenieuren, das Verhalten der Komponente unter nicht standardmäßigen oder variierenden Betriebsbedingungen zu verstehen, was für ein robustes Systemdesign unerlässlich ist.

6. Lötpad-Layout und Empfehlungen

Empfohlene Lötpad-Abmessungen für das Leiterplattenlayout werden bereitgestellt, um eine ordnungsgemäße Lötung und mechanische Stabilität zu gewährleisten. Das Datenblatt empfiehlt die Verwendung einer Metallschablone für den Lotpastendruck mit einer Dicke von 0,1 mm (4 mils) oder 0,12 mm (5 mils). Die Einhaltung dieser Pad-Abmessungen und Schablonenspezifikationen ist entscheidend für zuverlässige Lötstellen während des Reflow-Prozesses und verhindert Probleme wie "Tombstoning" oder unzureichende Lötung.

7. Verpackungsspezifikationen (Tape & Reel)

Der LTR-C971-TB wird im Tape-and-Reel-Format geliefert, das für hochvolumige, automatisierte Fertigungslinien geeignet ist. Detaillierte Verpackungsabmessungen sowohl für den Trägerstreifen als auch für die Spule sind spezifiziert. Wichtige Hinweise: Alle Maße sind in Millimetern angegeben, leere Komponententaschen sind mit Deckband versiegelt, jede 13-Zoll-Spule enthält 6000 Stück, maximal zwei aufeinanderfolgende fehlende Komponenten sind zulässig, und die Verpackung entspricht den ANSI/EIA 481-1-A-1994-Spezifikationen.

8. Wichtige Hinweise und Handhabungsrichtlinien

8.1 Bestimmungsgemäße Anwendung

Diese Komponente ist für den Einsatz in gewöhnlichen elektronischen Geräten bestimmt, einschließlich Bürogeräten, Kommunikationsgeräten und Haushaltsanwendungen. Sie ist nicht für sicherheitskritische Systeme vorgesehen, bei denen ein Ausfall Leben oder Gesundheit gefährden könnte (z. B. Luftfahrt, Medizingeräte). Für solche Anwendungen ist eine vorherige Konsultation mit dem Komponentenlieferanten erforderlich.

8.2 Lagerbedingungen

Eine ordnungsgemäße Lagerung ist für die Aufrechterhaltung der Komponentenzuverlässigkeit unerlässlich. Für versiegelte feuchtigkeitsdichte Beutel mit Trockenmittel gilt: Lagerung bei ≤30°C und ≤90% rF, mit einer empfohlenen Verwendungsfrist von einem Jahr. Nach dem Öffnen der Originalverpackung sollten die Komponenten bei ≤30°C und ≤60% rF gelagert werden. Es wird empfohlen, die IR-Reflow-Lötung innerhalb einer Woche nach dem Öffnen abzuschließen. Für eine längere Lagerung außerhalb des Originalbeutels sollte ein versiegelter Behälter mit Trockenmittel oder ein Stickstoff-Exsikkator verwendet werden. Komponenten, die länger als eine Woche unverpackt gelagert wurden, sollten vor dem Löten etwa 20 Stunden bei ca. 60°C getrocknet (gebakt) werden.

8.3 Reinigung

Falls eine Reinigung erforderlich ist, sollten alkoholbasierte Lösungsmittel wie Isopropylalkohol verwendet werden. Vermeiden Sie aggressive oder unbekannte chemische Reinigungsmittel, die das Gehäuse oder die Linse beschädigen könnten.

8.4 Lötprozess

Detaillierte Lötempfehlungen werden bereitgestellt, um die Montagezuverlässigkeit sicherzustellen.

Das Datenblatt betont, dass das optimale Temperaturprofil vom spezifischen Board-Design, den Komponenten, der Lotpaste und dem Ofen abhängt. Es wird empfohlen, das bereitgestellte JEDEC-konforme Profil als generisches Ziel zu verwenden und die Grenzwerte sowohl von JEDEC als auch vom Hersteller der Lotpaste einzuhalten.

8.5 Empfehlung für die Ansteuerschaltung

Für Anwendungen mit mehreren Bauteilen wird dringend empfohlen, für jeden Fototransistor in der Schaltung einen seriellen strombegrenzenden Widerstand vorzusehen. Diese Praxis, im Datenblatt als "Schaltungsmodell (A)" dargestellt, trägt dazu bei, eine gleichmäßige Stromverteilung und konsistente Leistung über alle Bauteile hinweg sicherzustellen. Die alternative Parallelschaltung ohne individuelle Widerstände ("Schaltungsmodell (B)") kann aufgrund von Unterschieden in den Strom-Spannungs-Kennlinien (I-V-Kennlinien) der einzelnen Bauteile zu Helligkeits- oder Empfindlichkeitsschwankungen führen.

9. Produktinformationen und Revisionen

Der Hersteller behält sich das Recht vor, das Erscheinungsbild und die Spezifikationen des Produkts zur Verbesserung ohne vorherige Ankündigung zu ändern. Entwickler sollten stets auf die neueste Version des Datenblatts für aktuelle Informationen zurückgreifen.

10. Technische Vertiefung und Designüberlegungen

10.1 Funktionsprinzip

Ein Infrarot-Fototransistor wandelt einfallendes Infrarotlicht in einen elektrischen Strom um. Im Wesentlichen handelt es sich um einen Bipolartransistor, dessen Basisstrom durch Photonen erzeugt wird, die auf den Basis-Kollektor-Übergang treffen (der als Fotodiode fungiert). Wenn Infrarotlicht mit ausreichender Wellenlänge (typischerweise 940nm für dieses Bauteil) den aktiven Bereich beleuchtet, werden Elektronen-Loch-Paare erzeugt. Dieser Fotostrom wird dann durch die Verstärkung des Transistors verstärkt, was zu einem viel größeren Kollektorstrom führt, der von externen Schaltungen leicht gemessen werden kann. Das Seitenansicht-Gehäuse mit schwarzer Kuppellinse hilft, ein spezifisches Sichtfeld zu definieren und kann eine gewisse Unterdrückung von Umgebungslicht im sichtbaren Bereich bieten.

10.2 Analyse der Schlüsselparameter

10.3 Anwendungsschaltungsdesign

Die gebräuchlichste Konfiguration ist die Verwendung des Fototransistors im Emitterschalter-Modus. Der Kollektor ist über einen Lastwiderstand (RL) mit der Versorgungsspannung (VCC) verbunden, und der Emitter ist geerdet. Das Ausgangssignal wird vom Kollektorknoten abgenommen. Der Wert von RL ist eine zentrale Designentscheidung: Ein größerer RL bietet einen höheren Ausgangsspannungshub für einen gegebenen Fotostrom (höhere Verstärkung), verlangsamt jedoch die Ansprechzeit aufgrund der erhöhten RC-Zeitkonstante. Die Geschwindigkeitsspezifikationen im Datenblatt sind mit RL=1KΩ angegeben und bieten einen Referenzpunkt. Für analoge Anwendungen, die einen linearen Betrieb erfordern, sollte das Bauteil im Fotodioden-Modus betrieben werden (Basis offen, nur der Kollektor-Basis-Übergang wird genutzt) oder mit sorgfältiger Vorspannung, um eine Sättigung zu vermeiden.

10.4 Umgebungs- und Montageaspekte

Der Betriebstemperaturbereich von -40°C bis +85°C macht das Bauteil für Verbraucher-, Industrie- und einige Automotive-Umgebungen geeignet. Entwickler sollten den Temperaturkoeffizienten des Dunkelstroms und der Empfindlichkeit berücksichtigen, die typischerweise mit der Temperatur zunehmen bzw. abnehmen. Die strengen Lötprofil-Richtlinien sind notwendig, da das Kunststoffgehäuse und die internen Bonddrähte empfindlich auf thermischen Schock und übermäßige Hitze reagieren. Die Einhaltung des JEDEC-basierten Profils minimiert mechanische Spannungen und verhindert latente Ausfälle.

10.5 Vergleich und Auswahl

Bei der Auswahl eines Infrarotsensors vergleichen Ingenieure Fototransistoren mit Fotodioden. Fototransistoren bieten eine höhere Verstärkung (Ausgangsstrom pro Lichteinheit), sind jedoch im Allgemeinen langsamer und haben eine nichtlinearere Kennlinie im Vergleich zu Fotodioden. Der LTR-C971-TB mit seiner integrierten Verstärkung ist eine ausgezeichnete Wahl für einfache digitale Detektion (Vorhandensein/Abwesenheit eines IR-Signals) oder langsame analoge Erfassung, bei der ein hoher Ausgangspegel ohne zusätzliche Verstärkerstufen benötigt wird. Für Hochgeschwindigkeits-Datenverbindungen oder präzise analoge Lichtmessungen könnte eine PIN-Fotodiode besser geeignet sein.

10.6 Praktisches Anwendungsbeispiel

Ein typischer Anwendungsfall ist ein Infrarot-Näherungssensor für einen berührungslosen Wasserhahn. Eine Infrarot-LED sendet Impulse bei 940nm aus. Der in der Nähe platzierte LTR-C971-TB Fototransistor detektiert das reflektierte Signal. Wenn eine Hand unter den Wasserhahn gehalten wird, reflektiert sie das IR-Licht zurück zum Sensor, wodurch der Kollektorstrom ansteigt. Diese Änderung wird von einem Mikrocontroller erkannt, der dann das Wasserventil aktiviert. Das Seitenansicht-Gehäuse ermöglicht ein kompaktes Sensormodul, bei dem LED und Fototransistor auf derselben Leiterplattenebene montiert sind. Die Empfindlichkeit des Bauteils gewährleistet eine zuverlässige Detektion auch bei schwachen Reflexionen, und seine Geschwindigkeit ist für diese langsame Mensch-Maschine-Schnittstelle mehr als ausreichend. Das Design würde den empfohlenen Serienwiderstand für die treibende LED und einen geeigneten Lastwiderstand (z. B. 10kΩ) am Kollektor des Fototransistors umfassen, um die Stromänderung in eine messbare Spannung für den ADC- oder Komparatoreingang des Mikrocontrollers umzuwandeln.

10.7 Branchentrends

Der Trend bei diskreten Infrarotkomponenten geht in Richtung höherer Integration, kleinerer Gehäuse und verbesserter Leistung. Während Bauteile wie der LTR-C971-TB für kostensensitive oder platzbeschränkte Designs nach wie vor wichtig sind, gewinnen integrierte Lösungen an Bedeutung, die den Fotodetektor, Verstärker und digitale Logik (wie I²C-Ausgang) in einem einzigen Gehäuse kombinieren. Diese Module vereinfachen das Design, können aber zu höheren Kosten führen. Ein weiterer Trend ist der verstärkte Einsatz spezifischer Wellenlängenfilter, die in das Gehäuse integriert sind, um die Immunität gegenüber Umgebungslichtrauschen zu verbessern – ein Merkmal, das in der breiteren Produktpalette verfügbar ist. Für grundlegende Detektionsaufgaben bietet der diskrete Fototransistor eine optimale Balance aus Leistung, Kosten und Designflexibilität.

LED-Spezifikations-Terminologie

Vollständige Erklärung der LED-Technikbegriffe

Photoelektrische Leistung

Begriff Einheit/Darstellung Einfache Erklärung Warum wichtig
Lichtausbeute lm/W (Lumen pro Watt) Lichtausgang pro Watt Strom, höher bedeutet energieeffizienter. Bestimmt direkt den Energieeffizienzgrad und Stromkosten.
Lichtstrom lm (Lumen) Gesamtlicht, das von der Quelle emittiert wird, allgemein "Helligkeit" genannt. Bestimmt, ob das Licht hell genug ist.
Betrachtungswinkel ° (Grad), z.B. 120° Winkel, bei dem die Lichtintensität auf die Hälfte abfällt, bestimmt die Strahlbreite. Beeinflusst Beleuchtungsbereich und Gleichmäßigkeit.
Farbtemperatur K (Kelvin), z.B. 2700K/6500K Wärme/Kühle des Lichts, niedrigere Werte gelblich/warm, höhere weißlich/kühl. Bestimmt Beleuchtungsatmosphäre und geeignete Szenarien.
Farbwiedergabeindex Einheitenlos, 0–100 Fähigkeit, Objektfarben genau wiederzugeben, Ra≥80 ist gut. Beeinflusst Farbauthentizität, wird an anspruchsvollen Orten wie Einkaufszentren, Museen verwendet.
Farborttoleranz MacAdam-Ellipsenschritte, z.B. "5-Schritt" Metrik für Farbkonsistenz, kleinere Schritte bedeuten konsistentere Farbe. Sichert einheitliche Farbe über dieselbe Charge von LEDs.
Dominante Wellenlänge nm (Nanometer), z.B. 620nm (rot) Wellenlänge, die der Farbe farbiger LEDs entspricht. Bestimmt Farbton von roten, gelben, grünen monochromen LEDs.
Spektralverteilung Wellenlänge vs. Intensitätskurve Zeigt Intensitätsverteilung über Wellenlängen. Beeinflusst Farbwiedergabe und Farbqualität.

Elektrische Parameter

Begriff Symbol Einfache Erklärung Design-Überlegungen
Flussspannung Vf Mindestspannung zum Einschalten der LED, wie "Startschwelle". Treiberspannung muss ≥ Vf sein, Spannungen addieren sich für serielle LEDs.
Flussstrom If Stromwert für normalen LED-Betrieb. Normalerweise Konstantstromantrieb, Strom bestimmt Helligkeit & Lebensdauer.
Max. Pulsstrom Ifp Spitzenstrom, der für kurze Zeit erträglich ist, wird für Dimmen oder Blinken verwendet. Pulsbreite & Tastverhältnis müssen streng kontrolliert werden, um Schäden zu vermeiden.
Sperrspannung Vr Maximale Sperrspannung, die die LED aushalten kann, darüber kann es zum Durchbruch kommen. Schaltung muss verhindern, dass umgekehrte Verbindung oder Spannungsspitzen auftreten.
Wärmewiderstand Rth (°C/W) Widerstand gegen Wärmeübertragung vom Chip zum Lötpunkt, niedriger ist besser. Hoher Wärmewiderstand erfordert stärkere Wärmeableitung.
ESD-Immunität V (HBM), z.B. 1000V Fähigkeit, elektrostatische Entladung zu widerstehen, höher bedeutet weniger anfällig. In der Produktion sind antistatische Maßnahmen erforderlich, insbesondere für empfindliche LEDs.

Wärmemanagement & Zuverlässigkeit

Begriff Schlüsselmetrik Einfache Erklärung Auswirkung
Sperrschichttemperatur Tj (°C) Tatsächliche Betriebstemperatur im LED-Chip. Jede Reduzierung um 10°C kann die Lebensdauer verdoppeln; zu hoch verursacht Lichtabfall, Farbverschiebung.
Lichtstromrückgang L70 / L80 (Stunden) Zeit, bis die Helligkeit auf 70% oder 80% des Anfangswerts sinkt. Definiert direkt die "Nutzungsdauer" der LED.
Lichtstromerhaltung % (z.B. 70%) Prozentsatz der nach Zeit verbleibenden Helligkeit. Gibt die Fähigkeit an, die Helligkeit über die langfristige Nutzung zu erhalten.
Farbverschiebung Δu′v′ oder MacAdam-Ellipse Grad der Farbänderung während der Verwendung. Beeinflusst die Farbkonsistenz in Beleuchtungsszenen.
Thermisches Altern Materialabbau Verschlechterung aufgrund langfristig hoher Temperatur. Kann zu Helligkeitsabfall, Farbänderung oder Leiterunterbrechung führen.

Verpackung & Materialien

Begriff Gängige Typen Einfache Erklärung Merkmale & Anwendungen
Gehäusetyp EMC, PPA, Keramik Chip schützendes Gehäusematerial, bietet optische/thermische Schnittstelle. EMC: gute Wärmebeständigkeit, niedrige Kosten; Keramik: bessere Wärmeableitung, längere Lebensdauer.
Chip-Struktur Front, Flip-Chip Chip-Elektrodenanordnung. Flip-Chip: bessere Wärmeableitung, höhere Effizienz, für Hochleistung.
Phosphorbeschichtung YAG, Silikat, Nitrid Bedeckt den blauen Chip, wandelt einen Teil in gelb/rot um, mischt zu weiß. Verschiedene Phosphore beeinflussen Effizienz, CCT und CRI.
Linse/Optik Flach, Mikrolinse, TIR Optische Struktur auf der Oberfläche, die die Lichtverteilung steuert. Bestimmt den Betrachtungswinkel und die Lichtverteilungskurve.

Qualitätskontrolle & Binning

Begriff Binning-Inhalt Einfache Erklärung Zweck
Lichtstrom-Bin Code z.B. 2G, 2H Nach Helligkeit gruppiert, jede Gruppe hat Mindest-/Maximal-Lumenwerte. Sichert einheitliche Helligkeit in derselben Charge.
Spannungs-Bin Code z.B. 6W, 6X Nach Flussspannungsbereich gruppiert. Erleichtert Treiberabgleich, verbessert Systemeffizienz.
Farb-Bin 5-Schritt MacAdam-Ellipse Nach Farbkoordinaten gruppiert, sichert engen Bereich. Garantiert Farbkonsistenz, vermeidet ungleichmäßige Farbe innerhalb der Leuchte.
CCT-Bin 2700K, 3000K usw. Nach CCT gruppiert, jede hat entsprechenden Koordinatenbereich. Erfüllt verschiedene Szenario-CCT-Anforderungen.

Prüfung & Zertifizierung

Begriff Standard/Test Einfache Erklärung Bedeutung
LM-80 Lichtstromerhaltungstest Langzeitbeleuchtung bei konstanter Temperatur, Aufzeichnung von Helligkeitsabfall. Wird zur Schätzung der LED-Lebensdauer (mit TM-21) verwendet.
TM-21 Lebensdauerschätzstandard Schätzt Lebensdauer unter tatsächlichen Bedingungen basierend auf LM-80-Daten. Bietet wissenschaftliche Lebensdauervorhersage.
IESNA Beleuchtungstechnische Gesellschaft Deckt optische, elektrische, thermische Testmethoden ab. Industrieanerkannte Testbasis.
RoHS / REACH Umweltzertifizierung Stellt sicher, dass keine schädlichen Substanzen (Blei, Quecksilber) enthalten sind. Marktzugangsvoraussetzung international.
ENERGY STAR / DLC Energieeffizienzzertifizierung Energieeffizienz- und Leistungszertifizierung für Beleuchtungsprodukte. Wird in staatlichen Beschaffungen, Subventionsprogrammen verwendet, steigert Wettbewerbsfähigkeit.