دیتاشیت فوتوترانزیستور مادون قرمز LTR-S320-TB-L - بسته‌بندی نمای جانبی - طول موج اوج 940 نانومتر - مستندات فنی فارسی

1. مرور کلی محصول

LTR-S320-TB-L یک فوتوترانزیستور مادون قرمز گسسته است که برای کاربردهای سنجش در طیف مادون قرمز نزدیک طراحی شده است. این قطعه متعلق به خانواده گسترده‌ای از قطعات اپتوالکترونیک است که برای استفاده در سیستم‌های نیازمند تشخیص مطمئن مادون قرمز در نظر گرفته شده‌اند. این قطعه به گونه‌ای مهندسی شده که تابش مادون قرمز فرودی را به یک سیگنال الکتریکی متناظر در پایه‌های خروجی خود تبدیل می‌کند.

عملکرد اصلی این قطعه بر اساس اثر فوتوالکتریک در یک پیوند نیمه‌هادی است. هنگامی که نور مادون قرمز با انرژی کافی (متناظر با طول موج حساسیت اوج آن) به ناحیه حساس به نور برخورد می‌کند، جفت‌های الکترون-حفره تولید می‌کند. در یک فوتوترانزیستور، این جریان نوری به صورت داخلی تقویت می‌شود که منجر به جریان کلکتور بسیار بزرگتری در مقایسه با یک فوتودیود ساده می‌گردد و آن را برای تشخیص سطوح نور پایین‌تر یا استفاده با مدارات ساده‌تر مناسب می‌سازد.

اهداف طراحی اولیه آن شامل سازگاری با فرآیندهای مونتاژ خودکار مدرن، استحکام برای لحیم‌کاری ریفلو مادون قرمز و یک فاکتور فرم است که یکپارچه‌سازی در طرح‌های برد مدار چاپی (PCB) با محدودیت فضا را تسهیل می‌نماید.

1.1 ویژگی‌ها

• مطابق با دستورالعمل‌های RoHS (محدودیت مواد خطرناک) و به عنوان یک محصول سبز طبقه‌بندی شده است.
• دارای پیکربندی بسته‌بندی نمای جانبی با لنز گنبدی اپوکسی تیره است. جهت‌گیری نمای جانبی به سنسور اجازه می‌دهد تا سیگنال‌های مادون قرمز موازی با صفحه PCB را تشخیص دهد که برای کاربردهای سنجش لبه یا زمانی که منبع IR عمود بر برد نیست، مفید است.
• ماده لنز تیره به تضعیف نور مرئی کمک می‌کند، تداخل از منابع نور محیطی را کاهش می‌دهد و نسبت سیگنال به نویز برای سیگنال‌های مادون قرمز را بهبود می‌بخشد.
• در نوار حامل 8 میلی‌متری روی قرقره‌های با قطر 7 اینچ عرضه می‌شود، بهینه‌سازی شده برای تجهیزات مونتاژ خودکار پیک و پلیس با سرعت بالا.
• بسته‌بندی و مواد به گونه‌ای طراحی شده‌اند که در برابر پروفیل‌های استاندارد لحیم‌کاری ریفلو مادون قرمز (IR) مورد استفاده در خطوط مونتاژ فناوری نصب سطحی (SMT) مقاومت کنند.
• مطابق با خطوط کلی بسته‌بندی استاندارد EIA (اتحادیه صنایع الکترونیک)، که سازگاری مکانیکی با فوت‌پرینت‌ها و تجهیزات دست‌کاری استاندارد صنعت را تضمین می‌کند.

1.2 کاربردها

• ماژول‌های دریافت‌کننده مادون قرمز:عمدتاً به عنوان المان سنجش در دریافت‌کننده‌های سیستم‌های کنترل از راه دور (مانند تلویزیون، تجهیزات صوتی، کولرهای گازی) استفاده می‌شود. سیگنال‌های مادون قرمز مدوله شده از یک کنترل از راه دور را تشخیص می‌دهد.
• سنسورهای مادون قرمز نصب شده روی PCB:مستقیماً روی PCBها برای سنجش مجاورت، تشخیص شی یا انتقال داده در دستگاه‌هایی مانند تلفن‌های هوشمند، تبلت‌ها، لوازم خانگی و تجهیزات صنعتی یکپارچه می‌شود.
• سیستم‌های امنیتی و هشدار:می‌تواند در سنسورهای شکست پرتو یا سنسورهای شی بازتابی برای تشخیص نفوذ استفاده شود.
• اتوماسیون صنعتی:در تجهیزات برای شمارش، موقعیت‌یابی یا تشخیص حضور/عدم حضور اشیا در خطوط مونتاژ به کار گرفته می‌شود.

2. بررسی عمیق پارامترهای فنی

این بخش تفسیر دقیق و عینی از پارامترهای کلیدی الکتریکی و نوری که عملکرد و محدودیت‌های عملیاتی فوتوترانزیستور LTR-S320-TB-L را تعریف می‌کنند، ارائه می‌دهد.

2.1 ریتینگ‌های حداکثر مطلق

این ریتینگ‌ها محدودیت‌های تنش را تعریف می‌کنند که فراتر از آن ممکن است آسیب دائمی به قطعه وارد شود. عملکرد در زیر یا در این محدودیت‌ها تضمین نشده و در طراحی مطمئن باید از آن اجتناب کرد.

• اتلاف توان (Pd):75 میلی‌وات در دمای محیط (Ta) 25 درجه سلسیوس. این حداکثر مقدار توانی است که قطعه می‌تواند به صورت گرما بدون تجاوز از محدودیت‌های حرارتی خود تلف کند. منحنی کاهش ریتینگ (شکل 2 در دیتاشیت) نشان می‌دهد که این ریتینگ چگونه با افزایش دمای محیط کاهش می‌یابد.
• ولتاژ کلکتور-امیتر (V_CEO):30 ولت. حداکثر ولتاژی که می‌توان بین پایه‌های کلکتور و امیتر با بیس مدار باز اعمال کرد.
• ولتاژ امیتر-کلکتور (V_ECO):5 ولت. حداکثر ولتاژ معکوسی که می‌توان بین امیتر و کلکتور اعمال کرد.
• محدوده دمای عملیاتی:40- درجه سلسیوس تا 85+ درجه سلسیوس. محدوده دمای محیطی که قطعه برای عملکرد صحیح در آن مشخص شده است.
• محدوده دمای ذخیره‌سازی:55- درجه سلسیوس تا 100+ درجه سلسیوس. محدوده دمایی برای ذخیره قطعه هنگامی که روشن نیست.
• شرایط لحیم‌کاری مادون قرمز:در برابر دمای اوج 260 درجه سلسیوس برای حداکثر 10 ثانیه مقاومت می‌کند. این سازگاری آن با فرآیندهای لحیم‌کاری ریفلو بدون سرب (Pb-free) را تعریف می‌کند.

2.2 ویژگی‌های الکتریکی و نوری

اینها پارامترهای عملکردی معمولی و تضمین شده هستند که تحت شرایط آزمایش خاص در 25 درجه سلسیوس اندازه‌گیری شده‌اند.

• طول موج اوج سنجش (λ_p):940 نانومتر. طول موج مادون قرمزی که فوتوترانزیستور در آن بیشترین حساسیت را دارد. به طور بهینه با طول موج تابش دیودهای ساطع‌کننده مادون قرمز GaAs رایج 940 نانومتر (IRED) مطابقت دارد.
• جریان تاریک کلکتور (I_CEO):حداکثر 100 نانوآمپر در V_CE=20 ولت، E_e=0 میلی‌وات بر سانتی‌متر مربع. این جریان نشتی کوچکی است که هنگامی که نور مادون قرمز فرودی وجود ندارد (شرایط تاریک) از کلکتور عبور می‌کند. یک جریان تاریک پایین‌تر عموماً برای حساسیت به سیگنال‌های ضعیف بهتر است.
• جریان کلکتور در حالت روشن (I_C(ON)):معمولاً 2.0 میلی‌آمپر، حداقل 1.0 میلی‌آمپر در V_CE=5 ولت و تابندگی (E_e) 0.5 میلی‌وات بر سانتی‌متر مربع با منبع 940 نانومتر. این پارامتر سطح جریان خروجی را برای یک شدت نور ورودی استاندارد مشخص نشان می‌دهد. تلرانس آزمایش ±15% است.
• ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (V_CE(SAT)):حداکثر 0.4 ولت در I_C=100 میکروآمپر، E_e=0.5 میلی‌وات بر سانتی‌متر مربع. این افت ولتاژ در سراسر ترانزیستور است هنگامی که تحت شرایط جریان پایین مشخص شده کاملاً "روشن" (اشباع) است.
• زمان صعود (T_r) و زمان سقوط (T_f):معمولاً هر کدام 15 میکروثانیه در V_CE=5 ولت، I_C=1 میلی‌آمپر، R_L=1 کیلواهم. این پارامترها سرعت سوئیچینگ فوتوترانزیستور را تعریف می‌کنند - اینکه جریان خروجی چقدر سریع می‌تواند در پاسخ به یک تغییر پله‌ای در نور از 10% به 90% مقدار نهایی خود صعود کند (زمان صعود) و از 90% به 10% سقوط کند (زمان سقوط). این سرعت برای پروتکل‌های استاندارد کنترل از راه دور (مانند حامل 36-40 کیلوهرتز) مناسب است.

3. تحلیل منحنی عملکرد

دیتاشیت شامل چندین نمودار است که نشان می‌دهد پارامترهای کلیدی چگونه با شرایط عملیاتی تغییر می‌کنند. درک این منحنی‌ها برای طراحی مدار مستحکم حیاتی است.

3.1 حساسیت طیفی (شکل 5)

این منحنی حساسیت نسبی فوتوترانزیستور را در محدوده‌ای از طول‌موج‌ها رسم می‌کند. حساسیت اوج در 940 نانومتر را تأیید می‌کند و افت قابل توجهی در طول‌موج‌های کوتاه‌تر (مرئی) و بلندتر (مادون قرمز دور) نشان می‌دهد. لنز تیره به تضعیف حساسیت در طیف مرئی کمک می‌کند و نویز از نور محیطی را کاهش می‌دهد.

3.2 جریان کلکتور نسبی در مقابل تابندگی (شکل 3)

این نمودار رابطه بین جریان کلکتور خروجی و چگالی توان نور مادون قرمز فرودی (تابندگی) را نشان می‌دهد. این رابطه در یک محدوده خاص عموماً خطی است، که نشان می‌دهد جریان خروجی مستقیماً با شدت نور متناسب است، که برای کاربردهای سنجش آنالوگ مطلوب است. این منحنی به طراحان کمک می‌کند تا خروجی مورد انتظار برای یک ورودی نور مشخص را تعیین کنند.

3.3 جریان تاریک کلکتور در مقابل دما (شکل 1) و کاهش ریتینگ اتلاف توان (شکل 2)

شکل 1 نشان می‌دهد که جریان تاریک (I_CEO) به صورت نمایی با افزایش دمای محیط افزایش می‌یابد. این یک ملاحظه حیاتی برای کاربردهای دمای بالا است، زیرا افزایش جریان تاریک سطح نویز زمینه را بالا برده و می‌تواند حساسیت مؤثر را کاهش دهد. شکل 2 کاهش ریتینگ حداکثر اتلاف توان مجاز را با افزایش دمای محیط نشان می‌دهد. بالاتر از 25 درجه سلسیوس، قطعه می‌تواند با اطمینان توان کمتری را تحمل کند، زیرا توانایی آن برای دفع گرما به محیط کاهش می‌یابد.

3.4 زمان صعود/سقوط در مقابل مقاومت بار (شکل 4)

این منحنی یک مبادله اساسی در طراحی مدار فوتوترانزیستور را نشان می‌دهد. سرعت سوئیچینگ (زمان صعود/سقوط) به شدت به مقاومت بار (R_L) متصل به کلکتور وابسته است. یک R_Lبزرگتر، نوسان ولتاژ خروجی را افزایش می‌دهد اما همچنین ثابت زمانی RC را افزایش داده و زمان پاسخ را کند می‌کند. یک R_Lکوچکتر، سوئیچینگ سریع‌تر اما سیگنال خروجی کوچکتری به دست می‌دهد. طراحان باید R_Lرا بر اساس اینکه سرعت یا دامنه سیگنال برای کاربردشان حیاتی‌تر است، انتخاب کنند.

4. اطلاعات مکانیکی و بسته‌بندی

4.1 ابعاد کلی

قطعه در یک بسته‌بندی نمای جانبی و نصب سطحی قرار دارد. ابعاد کلیدی شامل اندازه بدنه، فاصله پایه‌ها و موقعیت لنز است. تمام ابعاد حیاتی بر حسب میلی‌متر با تلرانس استاندارد ±0.1 میلی‌متر ارائه شده‌اند مگر اینکه خلاف آن ذکر شده باشد. جهت‌گیری نمای جانبی به وضوح در نقشه نشان داده شده است.

4.2 شناسایی قطبیت

قطعه دارای دو پایه است. نقشه دیتاشیت نشان می‌دهد که کدام پایه کلکتور و کدام امیتر است. قطبیت صحیح باید در طول مونتاژ PCB رعایت شود. معمولاً پایه بلندتر (اگر در بسته‌بندی نوار موجود باشد) یا یک گوشه علامت‌گذاری شده روی نوار نشان‌دهنده کلکتور است.

4.3 طرح پیشنهادی پد لحیم‌کاری (بخش 6)

یک الگوی لند (فوت‌پرینت) توصیه شده برای PCB ارائه شده است. این شامل ابعاد پد، فاصله و شکل برای اطمینان از یک اتصال لحیم مطمئن پس از ریفلو است. توصیه شامل استفاده از استنسیل فلزی با ضخامت 0.1 میلی‌متر (4 میل) یا 0.12 میلی‌متر (5 میل) برای اعمال خمیر لحیم است.

5. دستورالعمل‌های لحیم‌کاری و مونتاژ

5.1 پروفیل لحیم‌کاری ریفلو

یک پروفیل ریفلو مادون قرمز دقیق برای فرآیندهای مونتاژ بدون سرب (Pb-free) توصیه می‌شود. پارامترهای کلیدی شامل:

• پیش‌گرم:شیب تا 150-200 درجه سلسیوس.
• زمان خیساندن/پیش‌گرم:حداکثر تا 120 ثانیه.
• دمای اوج:حداکثر 260 درجه سلسیوس.
• زمان بالاتر از نقطه مایع (TAL):زمان در محدوده 5 درجه سلسیوس دمای اوج نباید از 10 ثانیه تجاوز کند. قطعه نباید تحت بیش از دو سیکل ریفلو تحت این شرایط قرار گیرد.

پروفیل بر اساس استانداردهای JEDEC است تا لحیم‌کاری مطمئن بدون آسیب به بسته اپوکسی یا ساختار داخلی قطعه را تضمین کند.

5.2 لحیم‌کاری دستی

اگر لحیم‌کاری دستی ضروری است، باید از هویه‌ای با دمای حداکثر 300 درجه سلسیوس استفاده شود. زمان تماس برای هر پایه باید به حداکثر 3 ثانیه برای هر اتصال لحیم محدود شود.

5.3 ذخیره‌سازی و جابجایی

• بسته مهر و موم شده:قطعات در کیسه‌های مانع رطوبت با ماده خشک‌کن ارسال می‌شوند. باید در دمای ≤30 درجه سلسیوس و رطوبت نسبی ≤60% ذخیره شوند. هنگامی که کیسه مهر و موم شده باز می‌شود، قطعات حساس به رطوبت در نظر گرفته می‌شوند.
• عمر مفید در محیط کار:پس از باز کردن بسته‌بندی اصلی، توصیه می‌شود فرآیند ریفلو IR در عرض یک هفته (168 ساعت) تکمیل شود.
• ذخیره‌سازی طولانی‌مدت/پخت:برای ذخیره‌سازی بیش از یک هفته پس از باز کردن، قطعات باید در یک ظرف مهر و موم شده با ماده خشک‌کن نگهداری شوند. اگر بیش از این زمان در معرض هوا قرار گیرند، قبل از لحیم‌کاری نیاز به پخت در دمای 60 درجه سلسیوس برای حداقل 20 ساعت است تا رطوبت جذب شده خارج شده و از "ترکیدن" (ترک خوردن بسته) در طول ریفلو جلوگیری شود.

5.4 تمیزکاری

ایزوپروپیل الکل یا حلال‌های الکلی مشابه برای تمیز کردن باقی‌مانده فلاکس، در صورت نیاز، توصیه می‌شود. باید از تمیزکننده‌های شیمیایی خشن یا قوی اجتناب کرد.

6. اطلاعات بسته‌بندی و سفارش

6.1 مشخصات نوار و قرقره

قطعه روی قرقره‌های استاندارد با قطر 7 اینچ (178 میلی‌متر) عرضه می‌شود. جزئیات کلیدی بسته‌بندی شامل:

• عرض نوار حامل: 8mm.
• تعداد در هر قرقره:3000 قطعه.
• حداقل مقدار سفارش (MOQ):500 قطعه برای مقادیر باقی‌مانده.
• پوشش جیب:جیب‌های خالی قطعه با نوار پوششی مهر و موم می‌شوند.
• قطعات مفقود:طبق استاندارد بسته‌بندی، حداکثر دو قطعه مفقود متوالی مجاز است.
• بسته‌بندی مطابق با مشخصات ANSI/EIA-481-1-A است.

7. ملاحظات طراحی کاربردی

7.1 پیکربندی مدار درایو

فوتوترانزیستور یک دستگاه خروجی جریان است. رایج‌ترین پیکربندی مدار، اتصال آن در یک تنظیم امیتر مشترک است:

• امیتر به زمین متصل می‌شود.
• کلکتور از طریق یک مقاومت بار (R_CC) به ولتاژ تغذیه مثبت (V_L) متصل می‌شود.
• سیگنال خروجی از نود کلکتور گرفته می‌شود. هنگامی که نور به سنسور برخورد می‌کند، ترانزیستور روشن می‌شود و ولتاژ کلکتور را پایین می‌کشد (به سمت V_CE(SAT)). در تاریکی، ترانزیستور خاموش است و ولتاژ کلکتور بالا است (به V_CCتوسط R_Lکشیده می‌شود).

مقدار R_Lحیاتی است و شامل یک مبادله بین نوسان ولتاژ خروجی، سرعت پاسخ (نگاه کنید به شکل 4) و مصرف توان است. یک مقدار شروع معمولی 1 کیلواهم تا 10 کیلواهم است.

7.2 بهبود نسبت سیگنال به نویز (SNR)

• فیلتر نوری:لنز تیره داخلی مقداری فیلتر کردن فراهم می‌کند. برای محیط‌های با نور محیطی قوی، یک فیلتر میان‌گذر باند مادون قرمز خارجی اضافی با مرکزیت 940 نانومتر می‌تواند برای مسدود کردن نور ناخواسته استفاده شود.
• فیلتر الکتریکی:از آنجایی که بسیاری از کنترل‌های از راه دور IR از یک فرکانس حامل مدوله شده (مانند 38 کیلوهرتز) استفاده می‌کنند، گنجاندن یک فیلتر میان‌گذر باند تنظیم شده بر این فرکانس در مرحله تقویت کننده بعدی می‌تواند با حذف نور محیطی DC و نویز فرکانس پایین، SNR را به طور چشمگیری بهبود بخشد.
• محافظت:محافظت مکانیکی سنسور از قرارگیری مستقیم در معرض منابع نور محیطی (مانند نور خورشید، لامپ‌ها) می‌تواند نویز را کاهش دهد.

7.3 جفت‌سازی با یک ساطع‌کننده IR

برای کاربردهای سنجش بازتابی یا مجاورت، LTR-S320-TB-L را با یک LED مادون قرمز که در 940 نانومتر یا نزدیک به آن تابش می‌کند، جفت کنید. اطمینان حاصل کنید که جریان درایو برای ساطع‌کننده برای تولید سیگنال بازتابی مورد نیاز در آشکارساز کافی است. پالس‌دهی به ساطع‌کننده و تشخیص همزمان خروجی فوتوترانزیستور می‌تواند به تشخیص سیگنال از نور محیطی کمک کند.

8. مقایسه و تمایز فنی

در مقایسه با یک فوتودیود استاندارد، فوتوترانزیستور LTR-S320-TB-L بهره جریان ذاتی (بتا/h_FE) ارائه می‌دهد که یک سیگنال خروجی بسیار بزرگتر برای همان ورودی نور فراهم می‌کند. این طراحی مدار را ساده می‌کند زیرا اغلب به تقویت بعدی کمتری نیاز دارد. با این حال، این بهره به قیمت زمان‌های پاسخ کندتر (میکروثانیه در مقابل نانوثانیه برای فوتودیودها) و جریان تاریک بالاتر تمام می‌شود. بسته‌بندی نمای جانبی آن را از سنسورهای نمای بالا متمایز می‌کند و انعطاف‌پذیری طراحی برای سنجش در امتداد لبه یک PCB ارائه می‌دهد. سازگاری آن با مونتاژ خودکار SMT و پروفیل‌های ریفلو استاندارد، آن را در مقایسه با جایگزین‌های ترو-هول، به یک انتخاب مقرون‌به‌صرفه برای تولید انبوه تبدیل می‌کند.

9. پرسش‌های متداول (FAQs)

9.1 هدف لنز تیره چیست؟

لنز اپوکسی تیره به عنوان یک فیلتر نور مرئی عمل می‌کند. نور در طیف مرئی را تضعیف می‌کند در حالی که به طول‌موج‌های مادون قرمز (حدود 940 نانومتر) اجازه عبور می‌دهد. این حساسیت سنسور به نور محیط اتاق، نورهای فلورسنت و نور خورشید را کاهش می‌دهد و در نتیجه نویز را به حداقل رسانده و قابلیت اطمینان تشخیص سیگنال مادون قرمز مورد نظر را بهبود می‌بخشد.

9.2 چگونه مقدار مقاومت بار (R_L) را انتخاب کنم؟

انتخاب شامل یک مبادله است. از شکل 4 در دیتاشیت به عنوان راهنما استفاده کنید. برایحداکثر سرعت(سریع‌ترین زمان‌های صعود/سقوط)، یک R_Lکوچکتر انتخاب کنید (مثلاً 1 کیلواهم یا کمتر). برایحداکثر نوسان ولتاژ خروجی(دامنه سیگنال بالاتر)، یک R_Lبزرگتر انتخاب کنید (مثلاً 10 کیلواهم یا بیشتر)، اما این پاسخ را کند می‌کند. اطمینان حاصل کنید که افت ولتاژ در سراسر R_Lهنگامی که ترانزیستور روشن است (I_C(ON)* R_L) از ولتاژ تغذیه شما منهای V_CE(SAT).

تجاوز نکند.

9.3 آیا این سنسور می‌تواند در فضای باز استفاده شود؟

با طراحی دقیق می‌تواند در فضای باز استفاده شود. نور مستقیم خورشید حاوی مقدار قابل توجهی تابش مادون قرمز است و می‌تواند سنسور را اشباع کند یا نویز ایجاد کند. فیلتر نوری مؤثر (یک فیلتر میان‌گذر باند باریک 940 نانومتر)، محفظه مناسب برای مسدود کردن نور مستقیم خورشید و تکنیک‌های تشخیص سیگنال مدوله شده برای عملکرد مطمئن در فضای باز ضروری هستند.

9.4 چرا اگر کیسه بیش از یک هفته باز شده باشد، قبل از لحیم‌کاری نیاز به پخت وجود دارد؟

بسته اپوکسی پلاستیکی می‌تواند رطوبت را از هوا جذب کند. در طول فرآیند لحیم‌کاری ریفلو با دمای بالا، این رطوبت به دام افتاده می‌تواند به سرعت تبخیر شده و فشار داخلی بالایی ایجاد کند. این می‌تواند باعث ترک خوردن یا لایه‌لایه شدن بسته شود، شکستی که به عنوان "ترکیدن" شناخته می‌شود. پخت در دمای 60 درجه سلسیوس این رطوبت جذب شده را خارج می‌کند و قطعه را برای ریفلو ایمن می‌سازد.

10. مثال طراحی عملی

1. سناریو: طراحی یک سنسور مجاورت IR ساده برای یک اسباب‌بازی.هدف:
2. تشخیص زمانی که یک شی در فاصله حدود 5 سانتی‌متری سنسور قرار دارد.قطعات:
3. فوتوترانزیستور LTR-S320-TB-L، LED مادون قرمز 940 نانومتر، میکروکنترلر (MCU).مدار:_Lفوتوترانزیستور با R_CC= 4.7 کیلواهم به V
4. (3.3 ولت) متصل شده است. خروجی کلکتور آن به یک پین مبدل آنالوگ به دیجیتال (ADC) MCU متصل می‌شود. LED مادون قرمز در کنار فوتوترانزیستور قرار می‌گیرد و توسط یک پین خروجی MCU از طریق یک مقاومت محدودکننده جریان (مثلاً 20 میلی‌آمپر) درایو می‌شود.عملکرد:
5. MCU LED مادون قرمز را در یک فرکانس خاص (مثلاً 1 کیلوهرتز) برای یک پالس کوتاه می‌دهد. سپس مقدار ADC را از فوتوترانزیستور می‌خواند. هنگامی که هیچ شیئی وجود ندارد، سیگنال بازتابی پایین است. هنگامی که یک شی در محدوده قرار دارد، نور مادون قرمز به فوتوترانزیستور بازتاب می‌کند و باعث افزایش قابل اندازه‌گیری در خوانش ADC می‌شود. یک آستانه در نرم‌افزار MCU برای تشخیص مجاورت تنظیم می‌شود.ملاحظات:_Lسنسور باید از منابع مادون قرمز محیطی محافظت شود. تکنیک پالس و اندازه‌گیری به تشخیص سیگنال از نور محیطی کمک می‌کند. مقدار R